【課題】光電変換素子を含む表示装置において、生産性および利便性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素がマトリクス状に配列された表示部と、表示部に画像情報を伝送する駆動部と表示部に設けられ、且つレーザ光を検出する受光部と、受光部で検出するレーザ光の位置を解析し、位置に基づいて画像情報を操作し、操作に基づいた画像情報とは異なる画像情報を駆動部に伝送する情報処理部を有し、表示部の複数の画素はそれぞれ薄膜トランジスタを有し、受光部は複数の光電変換素子、走査回路、リセット回路および読み出し回路を有し、薄膜トランジスタおよび複数の光電変換素子は、同一の基板に設けられている表示装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定した特性を示す金属酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタとその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ゲート電極１と、ゲート電極１上に設けられたゲート絶縁膜２と、ゲート絶縁膜２上に設けられたドレイン電極３Ｂ，４Ｂと、ゲート絶縁膜２上にドレイン電極３Ｂ，４Ｂと隣接して設けられ、金属酸化物半導体で構成されたチャネル層５とを備え、ドレイン電極３Ｂ，４Ｂは、ゲート電極１への電圧印加によりチャネル層５に形成される反転層１０１と接触すべくゲート絶縁膜２上に設けられ、チャネル層５を構成する金属酸化物半導体よりも酸化物生成自由エネルギーが若干小さい金属酸化物半導体で構成された第１ドレイン電極３と、第１ドレイン電極３上に設けられ、金属で構成された第２ドレイン電極４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドＦＥＴにおいて、ドレイン電流特性を改善すること。
【解決手段】ダイヤモンド結晶層１の上に、高濃度ホウ素ドープダイヤモンド薄膜層１０２を成長する（図１（ａ））。次に、ソース電極およびドレイン電極として、Ｔｉ層１３１Ａ、１３１Ｂ、Ａｕ層１３２Ａ、１３２Ｂを順に蒸着する（図１（ｂ））。次に、４００℃でアニールを行いＴｉをダイヤモンドと反応させて、ＴｉＣ層１３３Ａ、１３３Ｂを形成する（図１（ｃ））。最後に、ゲート部にＡｌ₂Ｏ₃膜１４１を形成し、その上にＡｌゲート電極４２を蒸着する（図１（ｄ））。作製したダイヤモンドＦＥＴのドレイン電流特性は、ゲート電圧−３Ｖにおける最大ドレイン電流密度が６００ｍＡ／ｍｍとなり、従来技術による場合の約６倍に増加した。温度依存性に関しては、従来技術では室温から１５０℃付近でドレイン電流密度は急激に減少したが、本発明では９００℃まで安定して動作した。 （もっと読む）

【課題】Ｉ/Ｏ用バルク部とコアロジック用ＳＯＩ部が混載されたバルク＆ＳＯＩハイブリッド型ＣＭＩＳデバイスでは、閾値電圧制御の最適化のため多数のゲートスタックを用いる必要があり、プロセス及び構造が複雑になるという問題がある。
【解決手段】本願発明は、Ｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜およびメタルゲート電極を有するＳＯＩ型半導体ＣＭＩＳＦＥＴ集積回路装置において、いずれかのバックゲート半導体領域に不純物を導入することにより、対応する部分のＭＩＳＦＥＴの閾値電圧を調整するものである。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜における電荷トラップを大幅に低減し、信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】化合物半導体層２と、化合物半導体層２上でゲート絶縁膜６を介して形成されたゲート電極７とを備えており、ゲート絶縁膜６は、Ｓｉ_xＮ_yを絶縁材料として含有しており、Ｓｉ_xＮ_yは、０．６３８≦ｘ／ｙ≦０．８６３であり、水素終端基濃度が２×１０²²／ｃｍ³以上５×１０²²／ｃｍ³以下の範囲内の値とされたものである。 （もっと読む）

【課題】シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物と、同ゲート構造物を製造する方法と、を提供する。
【解決手段】シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化金属ゲートに接するシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物を提供する。詳しくは、広義に、第一の厚さを有する第一のシリサイド金属のシリサイド化金属ゲートと、隣接する第二の厚さを有する第二の金属のシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを含み、第二の厚さは第一の厚さより薄く、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域は少なくともシリサイド化金属ゲートを含むゲート領域の端に位置合わせした半導体構造物を提供する。さらに、シリサイド化金属ゲートと、シリサイド化金属ゲートに接するシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを備える進歩したゲート構造物を製造する方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】高い表示品質を実現することができるＴＦＴ、アクティブマトリクス基板及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、ゲート電極２ａと、ゲート電極２ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３の上に設けられ、ゲート電極の上方に配置された半導体膜５と、半導体膜５の上に設けられ、半導体膜５と電気的に接続されたソース電極７と、半導体膜５の上に設けられ、半導体膜５と電気的に接続されたドレイン電極９と、ソース電極７又はドレイン電極９の少なくとも一方とゲート絶縁膜３との間に設けられ、半導体膜５と分離して配置された低反射膜６と、を備え、低反射膜６が、平面視におけるゲート電極２ａの外側において、ソース電極７、ドレイン電極９のパターンと略同一形状、又は、はみ出しているものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、セルフターンオンが発生しないようにし、安定した動作を実現する。
【解決手段】半導体装置を、基板１と、基板の上方に設けられ、電子走行層６及び電子供給層７を含む半導体積層構造２と、半導体積層構造の上方に設けられたゲート電極３、ソース電極４及びドレイン電極５と、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の上方に設けられ、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極のそれぞれに接続されたゲートパッド１０、ソースパッド１１及びドレインパッド１２と、ゲートパッド、ソースパッド及びドレインパッドの下方に設けられた導電層１とを備えるものとし、ゲートパッドとソースパッドとの間の距離を、ゲートパッドとドレインパッドとの間の距離よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】光照射されてトランジスタの電気特性が変動した場合でも、その電気特性をほぼ光照射前の状態にする手法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタのゲート電極に、正のバイアス電圧を１０ｍｓｅｃ以上印加することにより、光照射されて変動した当該トランジスタの電気特性をほぼ光照射前の状態にすることが可能になる。なお、当該トランジスタのゲート電極に対する正のバイアス電圧印加は、当該トランジスタが受光する光量を参照して適切なタイミングで行う。これより光照射されても表示品位の低下が抑制された表示装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体の核生成を均一にする。
【解決手段】ガス管から導入された成膜ガスを拡散する第２のガス拡散室と、前記第２のガス拡散室と分散板を隔てて設けられ、該分散板のガス孔から成膜ガスが導入される第１のガス拡散室と、を介して、前記第１のガス拡散室とシャワー板を隔てて設けられた処理室内に該シャワー板のガス孔から成膜ガスを供給し、前記成膜ガスを導入することによって前記処理室内の圧力を２０００Ｐａ以上１０００００Ｐａ以下とし、前記処理室内に電界を生じさせる一対の電極のうち、一方の電極面から電界強度が均一な高周波電力を供給することでグロー放電プラズマを生成させ、前記対向する電極の他方に配された基板上に結晶核を生じさせ、その後、該結晶核を成長させて結晶性半導体膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】少なくとも錫（Ｓｎ）を含み、ＳｎＯとＳｎＯ_２の合計を１００モル％としたときのＳｎＯの割合が３０モル％未満である非晶質酸化物薄膜。 （もっと読む）

【課題】混相粒の粒径の均一性が高く、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を作製する。または、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する。
【解決手段】粒径の均一性が高く、且つ高い結晶性を有する混相粒を低い粒密度で与える第１の条件により、非晶質シリコン領域と、単結晶とみなせる微小結晶である結晶子とを含む混相粒を有する種結晶を絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法により形成した後、当該種結晶上に、混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋める第２の条件で、種結晶上に微結晶半導体膜をプラズマＣＶＤ法により積層形成する。 （もっと読む）

【課題】高融点メタルバリア層を有していなくても、高温熱処理後の電気特性を良好にする技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、透明絶縁性基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上にゲート絶縁膜６を介して順次に形成されたＳｉ半導体能動膜７と、ｎ型の導電型を有するオーミック低抵抗Ｓｉ膜８とを含む半導体層５１と、半導体層５１と直接接合された、少なくともアルミニウム（Ａｌ）を含むソース・ドレイン電極９，１０とを備える。半導体層５１は、平面視においてゲート電極２の外周よりも内側に形成され、Ｓｉ半導体能動膜７の側面とソース・ドレイン電極９，１０との界面近傍である第１領域には、少なくとも窒素（Ｎ）が含まれる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を半導体層として具備するトランジスタにおいて、当該トランジスタの特性劣化を回復することの出来る表示装置の駆動方法を提供する
【解決手段】複数のフレーム期間により画像表示を行う表示装置の駆動方法において、各フレーム期間における複数の走査線のうち、いずれか一の走査線を選択する期間で駆動用素子であるトランジスタに対し、ゲートに２０Ｖ以上の電圧を１ｍ秒以上印加できるよう駆動する。そして複数のフレーム期間にわたって、各行を選択していくことで全ての駆動用素子であるトランジスタに対し、ゲートに２０Ｖ以上の電圧を１ｍ秒以上印加できるようにしてトランジスタの特性劣化を回復するものである。 （もっと読む）

【課題】柔軟性及び耐久性に優れ、素子特性が優れ、しかも大面積化が容易なボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】第１導電層及び第２導電層からなるソース・ドレイン電極を有するボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機薄膜トランジスタであって、第１導電層は、酸化タングステン、酸化銀、酸化銅、酸化亜鉛、銀塩、銀及び銅からなる群から選ばれる１種以上の材料を含み、該第２導電層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒ、及びこれらの金属のいずれかを含む合金からなる群から選ばれる１種以上の材料を含む、有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が良好な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、ＨＢｒガスと、ＣＦ_４ガスと、酸素ガスの混合ガスを含むガスを用いてエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜の一部を露出させる。このようにエッチングを薄膜トランジスタのバックチャネル部を形成するエッチングに適用することで、当該薄膜トランジスタの電気的特性を良好なものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】 水分に起因するＴＦＴ特性の変化を抑制した薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタは、基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極、およびドレイン電極が設けられ、活性層上にソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。活性層は、アモルファス酸化物半導体により構成されており、ゲート絶縁膜内に存在する第１の水分量が活性層に存在する第２の水分量よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】特性のバラツキが少なく、電気特性が良好なトランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体を含む半導体層を形成し、半導体層上に不純物半導体層を形成し、不純物半導体層上にマスクを形成した後、マスクを用いて半導体層及び不純物半導体層をエッチングして、半導体積層体を形成し、マスクを除去した後に半導体積層体を希ガスを含む雰囲気で発生させたプラズマに曝して半導体積層体の側面に障壁領域を形成し、半導体積層体の不純物半導体層に接する配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を提案することを課題とする。
【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された酸素過剰のＳｉＯ_Ｘ膜と、ＳｉＯ_Ｘ膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に保護膜を形成した構造において、絶縁耐圧の低下を防ぐ。
【解決手段】基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２の半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記絶縁膜を覆うように形成された保護膜と、を有し、前記保護膜は、熱ＣＶＤ、熱ＡＬＤ、真空蒸着のいずれかにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）