Fターム[5F110HL07]の内容
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Fターム[5F110HL07]に分類される特許
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液晶表示装置
【課題】非晶質半導体膜の結晶化工程において、非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なった、レーザアニールを行って得られた多結晶半導体膜を基に作製された薄膜トランジスタの電気的特性は非常に高いものとなるが、ばらつきが顕著になる場合がある。
【解決手段】非晶質半導体膜上に金属元素を導入して加熱処理を行なって連続的な結晶化領域の中に非晶質領域が点在する第1の多結晶半導体膜103bを得る。このとき、非晶質領域を所定の範囲に収めておく。そして、結晶化領域より非晶質領域にエネルギーを加えることができる波長域にあるレーザビームを第1の多結晶半導体膜103bに照射すると、結晶化領域を崩すことなく非晶質領域を結晶化させることができる。以上の結晶化工程を経て得られた第2の多結晶半導体膜を基にTFTを作製すると、その電気的特性は高く、しかもばらつきの少ないものが得られる。
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半導体装置の作製方法
【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を不活性ガス雰囲気化で加熱し、その後、酸化物半導体膜を酸素雰囲気化で加熱する。本工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化することができる。不純物を排除する際、酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素が欠損する場合があるが、酸素雰囲気化で加熱することによって、酸素を供給することができる。
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半導体装置
【課題】高い開口率を有し、安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼
性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動
回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物
半導体によって構成された駆動回路用薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動
回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体に
よって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用薄膜トランジスタ
と、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する。
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半導体装置
【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。
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半導体装置の作製方法
【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。
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プログラマブルロジックデバイス
【課題】電源電圧の供給を停止しても論理回路の結線状態を保持可能なプログラマブルロジックデバイスにおける処理速度の向上及び低消費電力化を図ることを目的の一とする。
【解決手段】論理状態を切り替え可能な複数の演算回路と、演算回路の論理状態を切り替えるコンフィグレーション状態切り替え回路と、演算回路の電源電圧の供給または停止を切り替える電源制御回路と、複数の演算回路の論理状態及び電源電圧の状態を記憶する状態記憶回路と、状態記憶回路の記憶情報に応じて、コンフィグレーション状態切り替え回路及び電源制御回路の制御を行う演算状態制御回路と、を有し、演算回路とコンフィグレーション状態切り替え回路との間に、酸化物半導体層にチャネル形成領域が形成されるトランジスタが設け、電源制御回路からの電源電圧の停止時に該トランジスタの導通状態を保持する。
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OLEDデバイスのための電流駆動型配置の提供
【課題】電流型アクティブマトリックスOLEDを改良すること。
【解決手段】電流型アクティブ・マトリックスOLEDデバイスの製造方法は、基板の上方に、半導体層と、導電層と、その半導体層と導電層の間に挟まれた絶縁層を設け;上記半導体層または上記導電層の上方に有機発光ダイオードを画素ごとに設け;第1の電流としてのデータ信号を受け取って対応する画素から出る光の明るさを調節するため、上記半導体層の中に形成されたチャネル領域と、上記導電層の中に形成されたゲートとを備える第1のトランジスタを画素ごとに形成する操作を含んでいる。この方法は、第1の電流に応答して上記有機発光ダイオードの中を流れる電流を調節するため、上記導電層の中に形成されたゲートと、上記半導体層の中に形成されたチャネル領域とを備える第2のトランジスタを画素ごとに形成し;パルス式レーザーを用いて半導体層の特定の領域をアニーリングする操作も含んでいる。
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半導体装置の作製方法
【課題】DCスパッタリング法を用いて、酸化ガリウム膜を成膜する成膜方法を提供する
ことを課題の一つとする。トランジスタのゲート絶縁層などの絶縁層として、酸化ガリウ
ム膜を用いる半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化ガリウム(GaOxとも表記する)からなる酸化物ターゲットを用いて
、DCスパッタリング法、またはDCパルススパッタ方式により絶縁膜を形成する。酸化
物ターゲットは、GaOxからなり、Xが1.5未満、好ましくは0.01以上0.5以
下、さらに好ましくは0.1以上0.2以下とする。この酸化物ターゲットは導電性を有
し、酸素ガス雰囲気下、或いは、酸素ガスとアルゴンなどの希ガスとの混合雰囲気下でス
パッタリングを行う。
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半導体装置の作製方法
【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信
頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上において、ゲート絶縁膜を間に挟んでゲート電極上に酸化物半導
体膜を形成し、酸化物半導体膜上に、チタン、モリブデンまたはタングステンを含む第1
の導電膜を形成し、第1の導電膜上に、電気陰性度が水素より低い金属を含む第2の導電
膜を形成し、第1の導電膜及び第2の導電膜をエッチングすることでソース電極及びドレ
イン電極を形成し、酸化物半導体膜、ソース電極及びドレイン電極上に、酸化物半導体膜
と接する絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。
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半導体装置
【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るICチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用いた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。
同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。
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薄膜トランジスタおよびその製造方法
【課題】本発明は、低温かつ簡便で安価な製造工程により作製可能であり、トランジスタ特性に優れる、ダブルゲート構造を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に形成された第1ゲート電極と、上記第1ゲート電極を覆うように形成された第1ゲート絶縁層と、上記第1ゲート絶縁層上に形成され、低抵抗領域であるソースコンタクト領域およびドレインコンタクト領域ならびに高抵抗領域であるチャネル領域を有する酸化物半導体層と、上記ソースコンタクト領域に接して形成されたソース電極と、上記ドレインコンタクト領域に接して形成されたドレイン電極と、上記酸化物半導体層上に形成され、絶縁性有機材料を含む第2ゲート絶縁層と、上記第2ゲート絶縁層上に形成された第2ゲート電極とを有することを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。
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半導体装置
【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。半導体装置に設けられる該薄膜トランジスタは多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いて作製する。
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半導体装置
【課題】電源電位の供給が遮断されたときでもデータの保持が可能で、且つ、低消費電力化が可能なプログラマブルなアナログデバイスを提供する。
【解決手段】アナログ素子を含むユニットセルを複数並列に接続されたプログラマブル回路とし、ユニットセル毎に導通または非導通の切り替えを行う。また、当該ユニットセルのスイッチとして、オフ電流を十分に小さくすることができる第1のトランジスタと、ゲート電極が第1のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続された第2のトランジスタと、を含む構成とし、当該第2のトランジスタのゲート電位によってユニットセルの導通または非導通を制御する。
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半導体装置
【課題】高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられるゲート電極層421と、ゲート電極層上に設けられるゲート絶縁層402と、ゲート絶縁層上に設けられる第1の酸化物半導体層442と、第1の酸化物半導体層上に接して設けられる第2の酸化物半導体層443と、第1の酸化物半導体層の第1の領域及び第2の酸化物半導体層の第1の領域と重なり、且つ第2の酸化物半導体層に接して設けられる酸化物絶縁層と、酸化物絶縁層上、第1の酸化物半導体層の第2の領域上、及び第2の酸化物半導体層の第2の領域と重なり、且つ第2の酸化物半導体層に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、第1の酸化物半導体層の第1の領域及び第2の酸化物半導体層の第1の領域は、ゲート電極層と重なる領域、並びに第1の酸化物半導体層及び第2の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域である。
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薄膜半導体装置と薄膜半導体装置を用いた表示装置
【課題】IGZO等の酸化物半導体膜からなる薄膜半導体装置において、無酸素雰囲気中で加熱しても酸素が酸化物半導体膜に拡散してTFT特性を発現する薄膜半導体装置を提供すること。
【解決手段】薄膜半導体装置は、ガラスの基板20、ゲート電極23G,ゲート絶縁膜21、ソース電極23S、ドレイン電極23D、IGZOの酸化物半導体膜24、二酸化マンガン(MnO2)の酸素放出絶縁膜25、保護膜22からなる。薄膜半導体装置は、蛍光表示装置等の薄膜形成時における加熱工程、焼成工程、封着工程において加熱すると、酸素が酸素放出絶縁膜25から放出されて酸化物半導体膜24に拡散してTFT特性を発現する。
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記憶回路
【課題】短時間の電源停止により消費電力を抑えることができ、電源再開時において誤動作を引き起こすことなく初期化することのできる信号処理装置の記憶回路の提供を目的の一つとする。
【解決手段】記憶回路に電源が供給されない間は、揮発性記憶部に記憶していたデータ信号を、不揮発性記憶部に保持する。不揮発性記憶部では、オフ電流が極めて小さいトランジスタを用いることによって、容量素子に保持されたデータ信号は長期間にわたり保持する。こうして、不揮発性記憶部は電源の供給が停止した間も論理状態を保持する。また電源停止時に容量素子で保持されたデータ信号は、電源再開時にはリセット回路を導通状態とすることで、誤動作を引き起こすことのない電位にする。
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薄膜トランジスタ
【課題】本発明は、優れた動作速度および安定性を有し、低温プロセスでの製造が可能な薄膜トランジスタを提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、上記基板上に配置された酸化物半導体層と、上記酸化物半導体層表面にチャネル領域となる間隔を空けて形成された二つの低抵抗層と、上記酸化物半導体層上の一部に形成され、シランカップリング剤を有する界面層と、上記界面層を介して上記二つの低抵抗層とそれぞれ接続するように配置されたソース電極およびドレイン電極と、上記界面層を覆うように形成され、樹脂を含有するゲート絶縁層と、上記チャネル領域を含むように上記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタを提供することにより上記課題を解決するものである。
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記憶装置、及び半導体装置
【課題】高速動作を実現できる記憶装置、或いは、リフレッシュ動作の頻度が低減できる記憶装置を提供する。
【解決手段】セルアレイ101の内部において、メモリセル100に接続された配線に、駆動回路102から電位の供給が行われる。さらに、駆動回路102上にセルアレイ101が設けられており、セルアレイ101が有する複数の各メモリセル100は、スイッチング素子と、スイッチング素子により電荷の供給、保持、放出が制御される容量素子とを有する。そして、スイッチング素子として用いられるトランジスタは、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を、チャネル形成領域に含んでいる。
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固体撮像装置、半導体表示装置
【課題】非接触にて、被写体の位置情報の取得を容易に行うことができる固体撮像装置、または半導体表示装置の提供。
【解決手段】第1入射方向から第1入射角を有する光が入射する複数の第1フォトセンサと、第1入射方向とは異なる第2入射方向から第2入射角を有する光が入射する複数の第2フォトセンサとを有し、複数の第1フォトセンサのうち、第1入射方向の上流側の一つの第1フォトセンサの方が、第1入射方向の下流側の他の一つの第1フォトセンサよりも、第1入射角が大きく、複数の第2フォトセンサのうち、第2入射方向の上流側の一つの第2フォトセンサの方が、第2入射方向の下流側の他の一つの第2フォトセンサよりも、第2入射角が大きい。
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液晶表示装置、及び液晶表示装置の駆動方法
【課題】動画と静止画を表示可能な液晶表示装置において、誤動作を低減し、低消費電力化が可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】端子部、スイッチングトランジスタ、駆動回路部、並びに画素トランジスタ及び複数の画素を有する画素回路部、が形成された第1の基板と、スイッチングトランジスタを介して端子部と電気的に接続される共通電極が形成された第2の基板と、画素電極と共通電極との間には液晶が挟持されており、静止画を表示する期間において、スイッチングトランジスタの第1の端子と第2の端子とを非導通状態とし、共通電極を電気的に浮遊状態とし、静止画から動画に切り替わる期間において、共通電極に共通電位を供給する第1のステップ、駆動回路部に電源電圧を供給する第2のステップ、駆動回路部にクロック信号を供給する第3のステップ、駆動回路部にスタートパルス信号を供給する第4のステップ、の順に行う。
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