【課題】ＴＦＴに適したＳＯＩ基板およびその作製方法を提供する。またＳＯＩ基板を用
いて信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ＳＩＭＯＸ、ＥＬＴＲＡＮ、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔに代表される技術を用いて
ＳＯＩ基板を作製するにあたって、主表面（結晶面）が｛１１０｝面である単結晶半導体
基板を用いる。その様なＳＯＩ基板は下地となる埋め込み絶縁層と単結晶シリコン層との
密着性が高く、信頼性の高い半導体装置を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを有する半導体装置の集積化を図ることを目的の一とする。または、半導体装置の性能向上を図ることを目的の一とする。または、大面積な半導体装置を低コストに提供することを目的の一とする。
【解決手段】｛２１１｝面から±１５°以内の面を表面とする単結晶シリコン基板に加速されたイオンを照射して、単結晶シリコン基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁層を介して単結晶シリコン基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、脆化領域において、単結晶シリコン基板を分離し、ベース基板上に｛２１１｝面から±１５°以内の面を表面とする単結晶シリコン層を形成する工程と、単結晶シリコン層を用いて、チャネル長方向が＜１１１＞軸から±１５°以内のｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成する工程と、を有する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

いくつかの実施例は、半導体デバイスを提供する方法を含む。当該方法は、
（ａ）フレキシブル基板を提供する段階、（ｂ）フレキシブル基板上に少なくとも１つの材料層を堆積させる段階であって、そのフレキシブル基板上の少なくとも１つの材料層の堆積は、少なくとも１８０℃の温度で生じる、段階、および（ｃ）金属層とａ−Ｓｉ層との間に拡散バリアを提供する段階を含む。他の実施例も本願において開示される。
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【課題】ハイブリッド半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、（ａ）ベース基板３の上の絶縁層５と絶縁層の上のＳｅＯＩ層７とを備えるセミコンダクタ−オン−インシュレータ（ＳｅＯＩ）領域１３と、バルク半導体領域１１とを具備するハイブリッド半導体基板１を提供するステップであって、ＳｅＯＩ領域とバルク半導体領域とは同じベース基板を共用するステップと、（ｂ）ＳｅＯＩ領域の上にマスク層９を提供するステップと、（ｃ）ＳｅＯＩ領域とバルク半導体領域を同時にドーピングすることにより、第１の不純物レベルを形成するステップであって、このドーピングは、ＳｅＯＩ領域の第１の不純物レベルがマスク内に含まれるように実行されるステップとを含む方法に関する。それによって、ハイブリッド半導体基板の製造プロセスに、より多くのプロセスステップが含まれることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】大面積な半導体装置を低コストに提供することを目的の一とする。または、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタに最適な結晶面をチャネル形成領域とすることにより、性能向上を図ることを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に（２１１）面から±１０°以内の面を上面とする島状の単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の上面及び側面に接して形成し、且つ絶縁表面上に非単結晶半導体層を形成し、非単結晶半導体層にレーザー光を照射して非単結晶半導体層を溶融し、且つ、単結晶半導体層を種結晶として絶縁表面上に形成された非単結晶半導体層を結晶化して結晶性半導体層を形成し、結晶性半導体層を用いて、ｎチャネル型トランジスタ及びｐチャネル型トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】低い電源電圧を昇圧させる回路に用いられるスイッチング素子となるトランジスタは、停止時には高い閾値電圧の特性によりリーク電流を防止して変換効率を高め、駆動時には低い閾値電圧の特性により高い電圧に昇圧できることが望まれている。
【解決手段】半導体装置であるトランジスタは、埋め込み酸化膜を用いたＳＯＩトランジスタ構造を持ち、トランジスタのソース・ドレイン領域の外周部の基板部分を埋め込み酸化膜よりも厚い絶縁体層で囲み、且つゲートに入力される信号がバックゲートバイアスで印加される構成により、駆動時には低い閾値により高い昇圧を実現し、停止時には高い閾値によりリーク電流を防止する。 （もっと読む）

【課題】
ボディ・コンタクトを半導体オン・インシュレータ・デバイスに設け、それにより、デバイスに寄生容量の低減をもたらすこと。
【解決手段】
１つの実施形態において、本発明は、絶縁層の上を覆うように配置された半導体層を含む基板であって、半導体層は、半導体ボディと、半導体ボディの外周の周りに存在する分離領域とを含む基板と、基板の半導体層の上を覆うゲート構造体であって、半導体ボディの上面の第１の部分上に存在するゲート構造体と、非シリサイド半導体領域によって半導体ボディの第１の部分から分離される半導体ボディの第２の部分と直接物理的に接触しているシリサイド・ボディ・コンタクトとを含む、半導体デバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 金属不純物に対して高いゲッタリング能力を有するＳＯＩウェーハを提供する。
【解決手段】ＳＯＩウェーハ１０において、支持基板１の上部に熱酸化によるＢＯＸ層２が形成されている。ＢＯＸ層２の直上に、酸素、酸素と炭素、酸素と窒素、酸素と炭素と窒素のいずれかの組み合わせを含むシリコンからなるゲッタリング層３が形成され、ゲッタリング層３の直上に、半導体素子を形成するための単結晶シリコンからなるＳ層４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコンを含む半導体基板の新たな作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】シリコン基板表面に炭化処理を施して炭化シリコン層を形成し、シリコン基板にイオンを添加することにより、シリコン基板中に脆化領域を形成し、シリコン基板とベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、シリコン基板を加熱して、脆化領域においてシリコン基板を分離することにより、ベース基板上に絶縁層を介して炭化シリコン層とシリコン層の積層構造を形成し、シリコン層を除去して炭化シリコン層の表面を露出させることにより半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置が有する集積回路の多機能化を図ること、又は、炭化シリコン基板を用いて集積回路を形成する場合であっても集積回路の大面積化を図ることを目的とする。
【解決手段】基板上に第１の絶縁層を介して設けられた島状の炭化シリコン層と、炭化シリコン層上に設けられた第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上に設けられ且つ炭化シリコン層と重畳する第１の導電層とを有する第１のトランジスタと、基板上に第２の絶縁層を介して設けられた島状の単結晶シリコン層と、単結晶シリコン層上に設けられた第２のゲート絶縁層と、第２のゲート絶縁層上に設けられ且つ単結晶シリコン層と重畳する第２の導電層とを有する第２のトランジスタを設ける。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ内にデバイス性能を改善するゲート構造体を提供する。
【解決手段】 基板のｐ型デバイス領域の上にＧｅ含有層を形成することを含む、半導体デバイスを形成する方法が提供される。その後、基板の第２の部分内に第１の誘電体層が形成され、基板の第２の部分内の第１の誘電層及び基板の第１の部分の上を覆うように、第２の誘電体層が形成される。次に、基板のｐ型デバイス領域及びｎ型デバイス領域の上にゲート構造体を形成することができ、ｎ型デバイス領域へのゲート構造体は希土類金属を含む。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリックス基板の製造方法及び有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１パターンでパターニングされた第１電極を形成する工程と、第１電極を覆うように、基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、一面に第１層が形成された半導体ウェーハを第１絶縁膜上に配置して、第１層を第１絶縁膜に密着させる工程と、第１層を第１絶縁膜上に転写して、第１絶縁膜上に半導体層を形成する工程と、半導体層の一部に不純物をドーピングし、かつパターニングして活性層を形成する工程と、活性層を覆うように、第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する工程と、第２絶縁膜上に、活性層の不純物でドーピングされた領域と電気的に連結された第２電極を形成する工程と、を含むアクティブマトリックス基板の製造方法及び有機発光表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製方法において、不純物元素を選択的に偏析させる方法を提供する。また、ディープサブミクロン領域の微細素子を形成することを可能とする。
【解決手段】シリコン基板上に形成された酸化珪素膜と、酸化珪素膜上に形成された単結晶シリコン層を有する半導体装置の作製方法であって、単結晶シリコン層に不純物元素を注入し、単結晶シリコン層に電気的に不活性な元素を注入し、単結晶シリコン層を熱酸化し、不活性な元素を注入した領域に選択的に酸化領域を形成し、酸化領域に不純物元素を偏析させる半導体装置の作製方法により、課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩウェーハを使用する集積化半導体装置の結晶欠陥の低減、耐圧向上、リーク電流の低減が要求されている。
【解決手段】 ＳＯＩウェーハにトレンチ１６を形成する時に、トレンチ１６の底に傾斜面１７を有するように半導体層１３を残存させる。この傾斜面１７に沿って厚いシリコン酸化膜（第２の絶縁膜）２５ａを形成する。この厚いシリコン酸化膜（第２の絶縁膜）２５ａによって埋込み絶縁層１２と半導体層１３との界面への酸素の侵入を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】絶縁表面を有する基板を用いる場合に生じうる課題を解決した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有するベース基板と、絶縁表面上の導電層と、導電層上の絶縁層と、絶縁層上の、チャネル形成領域、第１の不純物領域、第２の不純物領域、およびチャネル形成領域と第２の不純物領域の間の第３の不純物領域と、を有する半導体層と、半導体層を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、第１の不純物領域に電気的に接続された第１の電極と、第２の不純物領域に電気的に接続された第２の電極とを有し、導電層は所定の電位に保持される。 （もっと読む）

【課題】電流特性の低下を防ぐ半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎチャネル型の横型ＩＧＢＴ１０では、Ｎ-エピタキシャル層４とはｐベース１１を介在させて隔てられているＰ+拡散層１２と、エミッタ領域としてのＮ+拡散層１３とには、金属シリサイド層９ａが形成されている。一方、Ｎ-エピタキシャル層４との接合面がｐｎ接合面となるコレクタ領域としてのＰ+拡散層１４には、金属シリサイド層は形成されていない。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の半導体層に形成された部分空乏型のトランジスターにおいて、高いＯＮ／ＯＦＦ比と、安定動作を同時に実現できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢＯＸ層１上のＳＯＩ層２に形成された部分空乏型のトランジスター１０と、ダイオード２０とを備え、トランジスター１０は、ＳＯＩ層２上に絶縁膜１３を介して形成されたゲート電極１４と、ゲート電極１４の両側下のＳＯＩ層２に形成されたＮ型のソース１５ａ又はドレイン１５ｂとを有し、ダイオード２０は、ＳＯＩ層２の浅い部分に形成されたＰ型不純物層２１と、ＳＯＩ層２の深い部分に形成されたＮ型不純物層２２と、を有する。Ｐ型不純物層２１と、Ｎ型不純物層２２は深さ方向に積層されており、Ｐ型不純物層２１の側面とＮ型不純物層２２の側面はそれぞれトランジスター１０のボディ領域２に接している。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いて形成されたＴＦＴの製造歩留まりの向上や製造コスト低減、延いてはＴＦＴを用いた半導体回路や電気光学装置の歩留まり向上やコスト低減を課題とする。
【解決手段】単結晶シリコン基板の主表面に第１酸化物層を形成し、第１酸化物層を通して前記単結晶シリコン基板に水素を注入し、水素添加層を形成し、単結晶シリコン基板を、第２酸化物層を設けた支持基板と、第１酸化物層と第２酸化物層とで貼り合わせ、単結晶シリコン基板と支持基板に第１熱処理を行い、水素添加層にて単結晶シリコン基板を分断し、支持基板に単結晶シリコン薄膜を残存させ、支持基板と単結晶シリコン薄膜に第２熱処理を行い、支持基板と単結晶シリコン薄膜の貼り合わせ界面を安定化させ、支持基板上に、島状単結晶シリコン層を形成し、島状単結晶シリコン層に還元雰囲気で第３熱処理を９００℃〜１２００℃で行うＳＯＩ基板の作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】フローティングゲート電極を備えた不揮発性メモリ素子の駆動電圧を高くすることなく、不揮発性メモリ素子、および厚いゲート絶縁膜を備えた高耐圧型トランジスタを同一基板上に形成する。
【解決手段】不揮発性メモリ素子の島状半導体領域とフローティングゲート電極間、および、トランジスタの島状半導体領域とゲート電極間には、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の積層膜が形成されている。第１の絶縁膜はフローティングゲート電極と重なる部分が除去されており、島状半導体領域とフローティングゲート電極間の絶縁膜が、トランジスタのゲート絶縁膜よりも薄くされている。トランジスタはフローティングゲート電極と同じ層に形成されている導電膜と、コントロールゲート電極と同じ層に形成されている導電膜とを有し、これら２つの導電膜は電気的に接続され、トランジスタのゲート電極として機能する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体を含む半導体装置を提供すること、又は炭化珪素半導体を含む半導体装置の生産性の向上を図ることを目的とする。
【解決手段】半導体層若しくは半導体基板の少なくとも一部がエネルギーギャップの大きな半導体領域で構成する。該エネルギーギャップの大きな半導体領域は、好ましくは炭化珪素で形成され、少なくとも絶縁層を介して設けられるゲート電極と重なる位置に設けられる。該半導体領域がチャネル形成領域に含まれる構成することで絶縁破壊耐圧を向上させる。 （もっと読む）