【課題】基板設計や放熱手段の設計の自由度が増し、小型化が容易な電力変換装置、およびそれを備えた空気調和装置を得ること。
【解決手段】第１のパワーモジュール７，１０と、第１のパワーモジュール７，１０よりも高耐熱な第２のパワーモジュール８と、第１のパワーモジュール７，１０と第２のパワーモジュール８とが混載される基板と、第１のパワーモジュール７，１０および第２のパワーモジュール８が発する熱を放熱する放熱手段１５と、第１のパワーモジュール７，１０と放熱手段１５とを密着固定する固定手段２０と、を備え、第２のパワーモジュール８は、第１のパワーモジュール７，１０の放熱面と放熱手段１５とが固定手段２０により密着固定されることにより、第２のパワーモジュールの放熱面と放熱手段１５とが密着する。 （もっと読む）

【課題】受熱板とカバーケースの間に絶縁部材が設けられた電力変換装置において、受熱板とカバーケースを締結する締結部材の締結力の低下を防止する。
【解決手段】受熱板（１４）とケース（１９）との間に設けられた絶縁部材（２０）を備えた電力変換装置において、前記受熱板（１４）は、締結部材の軸部（１６ｂ）が挿通される挿通孔（１７）と、前記挿通孔の周囲において前記締結部材の前記軸部以外の一部（１６ａ）と接触して押圧される接触部（１４ｅ）とを備える。前記ケース（１９）は、前記受熱板の前記挿通孔（１７）に対向する凹部（２５）と、前記凹部に連通して前記締結部材の軸部（１６ｂ）が挿入される穴部（２１）とを備える。前記凹部（２５）は、前記受熱板（１４）の面（１４ｃ）に沿った方向において前記接触部（１４ｅ）よりも大きな断面を有する。 （もっと読む）

【課題】冷却流体の洩れを防止しうるとともに、冷却効率の低下を抑制しうるパワー半導体モジュール冷却装置を提供する。
【解決手段】ＩＰＭ冷却装置１は、内部に冷却流体通路５が設けられた冷却器２と、冷却器２に固定されかつＩＰＭIを冷却器に取り付ける取付器３とを備えている。冷却器２の内面が冷却流体通路５に臨んだ壁部分の外面全体のうち少なくとも一部に、ＩＰＭIを搭載する搭載部19を設ける。取付器３は、熱伝導性材料からなりかつ冷却器２の搭載部19に沿わされてろう付された伝熱板21と、伝熱板21よりも硬質の材料で形成された板状頭部23およびおねじ部24からなる。板状頭部23を、伝熱板21の下面21aに圧入することにより、下面21aに凹所28を形成する。凹所28内に、板状頭部23を、下面21aから冷却器２側に突出せずかつおねじ部24の軸線回りの回転が阻止されるように嵌め入れる。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールと冷却装置の間の熱抵抗の増加を防止することが可能な半導体装置を得る。
【解決手段】半導体モジュール１０を板バネ２０で加圧しながら冷却装置３０に固定する半導体装置において、半導体素子１２の上面の面積の少なくとも半分以上が板バネ２０の加圧部２４の外周２４ａ内に入るように配置し、半導体モジュール１０の上面１０ａから、熱抵抗変化への影響が大きい半導体素子１２上を重点的に加圧するようにした。これにより、半導体素子１２直下における半導体モジュール１０の変位を抑制することができ、半導体モジュール１０を冷却装置３０に安定して密着させることができる。その結果、半導体モジュール１０と冷却装置３０の間の熱抵抗の増加を防止することが可能である。 （もっと読む）

【課題】放熱特性を維持しながらも、金属層及び素子に静電気や電圧ショックなどが伝達されることを防止する放熱基板の製造方法を提供する。
【解決手段】放熱基板１００の製造方法は、（Ａ）金属層１１１の一面に絶縁層１１２を形成し、前記絶縁層１１２に回路層１１３を形成することで、ベース基板１１０を準備する段階、（Ｂ）前記ベース基板１１０に厚さ方向に加工部１４０を形成する段階、（Ｃ）前記金属層１１１の他面及び側面の少なくとも一方に陽極酸化層１５０を形成する段階及び（Ｄ）前記加工部１４０に連結手段１３０を挿入し、前記金属層１１１の前記他面に放熱層１２０を連結する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールから発生する熱と電磁ノイズの拡散を抑制することができる半導体モジュール取付構造及びその半導体モジュール取付構造を備えた空気調和装置の制御装置を得る。
【解決手段】半導体モジュール１０の放熱面１０ａに放熱板３０を密着固定すると共に、半導体モジュール１０を、電磁ノイズ遮蔽効果を有する電磁ノイズ遮蔽カバー２０で覆う。半導体モジュール１０は樹脂成形部１１の両側面から複数のリードピン１２が突出した構成を有し、樹脂成形部１１には半導体モジュール１０を放熱板３０に取付けるための取付穴１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】複数の冷却器を用いずに、簡素な構造で冷却性能を確保出来る電力変換装置を提供することである。
【解決手段】冷却器１０１と、冷却器１０１の主面１０３に並べられる半導体１０４と、半導体１０４が冷却器１０１と接する面と対向する面に接し、半導体１０４を覆うように設けられる断面がコの字型の放熱体１０５と、冷却器１０１の主面側１０３を覆うように設けられる冷却器１０１のカバー部材１０８と、カバー部材１０８と放熱体１０５との間に介在し、放熱体１０５と半導体１０４とを接触させる方向に付勢力Ｆａを付与するバネ部材１０９とを備え、少なくとも一部が冷却器１０１と放熱体１０５との端部とに接する弾性部材１１０とを更に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷却器の冷却性能を向上して半導体モジュールの発熱を効率よく放熱し、且つより低背化した半導体装置を得る。
【解決手段】半導体素子が樹脂封止された半導体モジュール、この半導体モジュールを塔載する塔載部を有すると共に内部に冷媒が通る流路と冷媒に熱を伝えるための冷却フィンを有する冷却器、この冷却器の搭載部に根元部を植え込むと共にネジ部を植立させた固定用ボルト、及び半導体モジュールに載置され塔載部に向かって半導体モジュールを押圧する押えバネを備え、搭載部と半導体モジュールと押えバネには、それぞれ貫通孔を設け、これらの貫通孔に固定用ボルトを貫挿し、この固定用ボルトとそのネジ部に螺入したナットによって半導体モジュールを冷却器に装着する。 （もっと読む）

【課題】モータ駆動用など大電力回路を形成するパワー回路基板において、熱伝導率が高く電気絶縁性を確保できる制御回路構造を提供する。
【解決手段】発熱素子を備える回路基板１と、この回路基板が取り付けられる放熱部材１０からなる制御回路構造において、放熱部材１０と、この放熱部材１０上に絶縁層３を介して設けられた回路部４と、この回路部４の上に設けられた被覆層５とを備えている。前記絶縁層３はＳi処理層３ｂ、アルマイト処理層３ｃおよびＤＬＣ処理層３aからなる。 （もっと読む）

【課題】放熱フィンの取り付け位置を選択可能とすることによって、樹脂封止型半導体装置を電子機器の基板などに取り付ける場合における実装の自由度を高くする。
【解決手段】半導体素子と半導体素子取り付け部とが樹脂により封止された本体２１０と、本体２１０から外部に向って所定方向に延出するアウターリード１２１〜１２４とを備えた樹脂封止型半導体装置２００Ａあって、本体２１０には、放熱フィンを本体２１０の背面又は上面に取り付けるための第１ネジ通し部３００及び第２ネジ通し部４００が本体２１０の異なる面に設けられている。 （もっと読む）

【課題】第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２１と、第一の金属板２２と、第二の金属板２３と、を備えたパワーモジュール用基板２０であって、第一の金属板２２は、銅又は銅合金で構成されており、第二の金属板２３は、耐力が３０Ｎ／ｍｍ^２以下のアルミニウムで構成されており、第二の金属板２３とセラミックス基板２１との接合界面には、Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｇａ，Ｌｉのうちのいずれか１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、第二の金属板２３のうち接合界面近傍における前記添加元素の濃度の合計が０．０１質量％以上５質量％以下の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品を両面から冷却する積層型冷却器において、組み立ての手間を省くとともに省スペース化を図る。
【解決手段】積層型冷却器１０は、電子部品１２を両面から挟持し、冷媒が流れる冷媒流路１４と、積層方向の一方側に延在し、各冷媒流路１４に冷媒を供給する供給ヘッダ部１６と、供給ヘッダ部１６と同じ方向に延在し、各冷媒流路１４から冷媒を排出する排出ヘッダ部１８とを有する。供給及び排出ヘッダ部１６，１８には、電子部品１２が冷媒流路１４から受ける圧力を保持する圧力保持構造３２が設けられる。この圧力保持構造３２が従来技術で採用されるばねの代替材となるので、組み立ての手間を省くとともに、そのばねのスペースを省くことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡易な方法で半導体パッケージ部と放熱フィンとの間の密着性を高め、放熱性を高めることができる半導体装置を提供する事を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、放熱フィン１３、１４と、放熱フィン１３、１４上面の一部を露呈して当該上面に接合された絶縁シート４と、絶縁シート４上に配置されたヒートスプレッダ２と、ヒートスプレッダ２上に配置されたパワー素子１と、放熱フィン１３、１４上面の一部を含む所定の面と、絶縁シート４と、ヒートスプレッダ２と、パワー素子１とを覆って形成されたトランスファーモールド樹脂８とを備え、放熱フィン１３、１４上面は、絶縁シート４の端部を拘束すべく形成された凸形状および／又は凹形状を有する。 （もっと読む）

【課題】母基板に実装される補助基板上に実装された発熱対象部品を、省スペースでかつ安価に絶縁距離を確保しながら放熱できる補助基板上の発熱部品の放熱構造を提供する。
【解決手段】補助基板上の発熱部品の放熱構造は、補助基板１３と、補助基板１３上に実装される放熱対象部品１１と、少なくとも放熱対象部品１１を覆い、絶縁および熱伝導を兼ねる樹脂製品２１と、樹脂部品２１を介して少なくとも放熱対象部品１１上の対向する面に置かれる放熱板１５とを有する補助基板回路部１０を備え、補助基板回路部１０を母基板７に実装する。 （もっと読む）

【課題】第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２１と、セラミックス基板２１の一方の面に接合された第一の金属板２２と、セラミックス基板２１の他方の面に接合された第二の金属板２３と、第二の金属板２３の他方の面側に接合されたヒートシンク１１と、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板１０であって、第一の金属板２２は、銅又は銅合金で構成され、この第一の金属板２２の一方の面が電子部品３が搭載される搭載面２２Ａとされており、第二の金属板２３は、耐力が３０Ｎ／ｍｍ^２以下のアルミニウムで構成され、ヒートシンク１１は、耐力が１００Ｎ／ｍｍ^２以上の金属材料で構成され、その厚さが２ｍｍ以上とされている。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増加させずに簡素な構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、ヒートシンク１と、ヒートシンク１上に配置された半導体チップ２と、半導体チップ２を封止する絶縁体３とを備えている。ヒートシンク１は、半導体チップ２が配置された方向に突出する突起部４を含んでいる。突起部４は、突起部４が突出する方向に沿って突起部４を貫通する取付孔５を有している。 （もっと読む）

【課題】簡易的な構成で複数の発熱部品の放熱を効果的に行う技術を提供する。
【解決手段】電子回路装置１には、発熱する複数の電子部品として第１のＩＣ５１と第２のＩＣ５２が備わる。そして、第１のＩＣ５１と第２のＩＣ５２には複合放熱板１０が共通に取りつけられ、ビス９１、９２によって基板８０に固定されている。なおここでは、第１のＩＣ５１の発熱量が第２のＩＣ５２の発熱量より多い。複合放熱板１０は、第１の放熱板２０と第２の放熱板３０とを備えており、それらは、熱分離部材４０を介して一体になっている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性基板の反りを抑制した高出力用半導体パッケージおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】ヒートシンク１１１上に配置され、高周波半導体装置２４を搭載する熱伝導性基板２００と、熱伝導性基板上に配置され、高周波半導体装置を囲む枠体１６と、枠体の上部開口を封止するキャップ１０と、枠体の外側の熱伝導性基板に対して垂直方向にヒートシンクまで貫通する複数のネジ穴５ａ〜５ｄと、ネジ穴開口部６ａ〜６ｄにおいて、枠体と反対方向の外側に形成されたテーパー状のネジ穴開口面７ａ〜７ｄと、複数のネジ穴に挿入されるネジ３０とを備え、ネジ穴にネジを挿入し、熱伝導性基板とヒートシンクの間を締め付けることによって、ネジ穴開口面にネジの頭部が接触し、テネジ穴開口面に垂直方向に圧力を加え、熱伝導性基板に外側方向に引っ張り応力を加えた高出力用半導体パッケージおよびその作製方法。 （もっと読む）

【課題】両面空冷方式の半導体装置を備えるインバータ回路ユニットについて、半導体装置の構造を活用した位置決め機構の実施により、組立て性及び製品性能を確保する。
【解決手段】インバータ回路ユニット３０は、半導体装置１０を収納するとともに、内部に配置された複数個の第１のフィン１１２に対して送風される空気の取り入れ口である複数個の通風口３２ｂを側面に形成する通風路形成部材３２，３３を備える。通風路形成部材３２，３３は、隣り合う通風口３２ｂを仕切る仕切り部３２ａと、内壁面から突出する凸部であって主面に平行な方向Ｘの外方に本体部２２６よりも突き出る部分における基板部１１０間の隙間１１０ＣＬに嵌まる第１の凸部３８と、を有する。仕切り部３２ａは、半導体モジュール２２を挟む基板部１１０間を外側から覆うとともに、内壁面側に第１の凸部３８が形成されている。 （もっと読む）