【課題】信頼性の高い半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体パッケージ１は、基板２１と、基板２１の一方の面側に設けられた第１導体パターン２２１と、基板２１の他方の面側に設けられ、第１導体パターン２２１と電気的に接続された第２導体パターン２２４とを備える配線基板２と、基板２１の一方の面に接合され、第１導体パターン２２１に電気的に接続される半導体素子３と、配線基板２に接合され、配線基板２よりも熱膨張係数の小さい金属製の補強部材４、５と、補強部材４の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６１と、補強部材５の表面の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁性樹脂層６２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の熱伝導性が高く、かつ絶縁層と導電層との接着性が高い積層体を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層体１は、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体２と、熱伝導体２の表面に積層されている第１の絶縁層３と、第１の絶縁層３の表面に積層されている第２の絶縁層４とを備える。積層体１は、第２の絶縁層３に導電層が積層されて用いられる。第１の絶縁層３が、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーを８６重量％以上、９７重量％未満で含み、かつ第２の絶縁層４が、無機フィラーを６７重量％以上、９５重量％未満で含む。第１の絶縁層３の硬化率が５０％以上であり、第２の絶縁層４の硬化率が８０％未満であり、かつ第１の絶縁層３の硬化率が第２の絶縁層４の硬化率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 良好な熱伝導性や難燃性を実現するために無機フィラーを多く添加しても、部品固定に際して部品の脱落が生じにくい優れた接着性を有する粘着剤組成物を提供する。
【解決手段】 （メタ）アクリレートを主たるモノマー成分とするアクリル系共重合体と、無機フィラーとを含有する粘着剤組成物であって、前記アクリル系共重合体がモノマー成分として炭素数が２以上の飽和炭化水素基を介してカルボキシ基を分子鎖末端に有する（メタ）アクリレートモノマーを含有し、前記無機フィラーの含有量が、アクリル共重合体１００質量部に対して２００質量部以上である粘着剤組成物により、多量の無機フィラーを添加した場合にも優れた接着性を実現でき、良好な難燃性や熱伝導性と、好適な接着性とを両立できる。 （もっと読む）

【課題】硬化反応速度が比較的速く、接着能力の長期持続性に優れた熱硬化性接着剤で絶縁樹脂層が形成された放熱用部材を提供し、放熱性に優れた半導体モジュールを容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】窒化ホウ素粒子（Ａ）とエポキシ樹脂（Ｂ）とフェノール樹脂（Ｃ）とを含有する熱硬化性接着剤からなる絶縁樹脂層１０を有し、絶縁樹脂層１０の一面側を被着体に接着硬化させて被着体の熱を絶縁樹脂層１０を通じて放熱する放熱用部材１で、窒化ホウ素粒子が４０体積％以上６５体積％以下の割合で含有し、エポキシ樹脂としては、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂が含有され、フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂の内の少なくとも１種が含有され、さらにテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートが含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導特性に優れた材料が、均一に分散した硬化性オルガノポリシロキサン組成物、及びその製造する方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）ケイ素原子に結合したアルケニル基を１分子中に２個以上有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）ケイ素原子に結合した水素原子を１分子中に２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、（Ｃ）融点が０〜７０℃のガリウム及び／又はその合金、（Ｄ）平均粒径が０．１〜１００μｍの熱伝導性充填剤、（Ｅ）白金系触媒、及び（Ｇ）下記一般式（１）


（式中、Ｒ¹は同一もしくは異種の一価の炭化水素基であり、Ｒ²はアルキル基、アルコキシル基、アルケニル基又はアシル基であり、ａは５〜１００の整数であり、ｂは１〜３の整数である。）で表されるポリシロキサンを含むグリース状又はペースト状の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。 （もっと読む）

【課題】 冷却能力の高いループ型ヒートパイプを小さなスペース内で形成することを課題とする。
【解決手段】 発熱体２０が基板１０に搭載される。発熱体２０は蒸発部３０に収容される。蒸発部３０に接続された蒸気流路４０が基板１０中に形成される。蒸発部３０に接続された液流路６０が基板１０中に形成される。蒸気流路４０と液流路６０との間に凝縮部５０が設けられる。蒸発部３０、蒸気流路４０、凝縮部５０，及び液流路６０は、密封された循環流路を形成し、循環流路に冷媒が封入される。 （もっと読む）

【課題】冷却部材と絶縁樹脂層との接合が強固で、冷却部材と絶縁樹脂層との間の熱抵抗が小さく、絶縁樹脂層の面内の膜厚分布が小さい半導体モジュールおよび製造方法を提供する。
【解決手段】表面に突起部１２が設けられた冷却部材１０と、突起部に囲まれた領域に形成された絶縁樹脂層１４と、絶縁樹脂層の表面に形成され、半導体素子１６を備える金属放熱板１８と、を有する半導体モジュールである。また、金属放熱板を前記絶縁樹脂層の表面に加圧加熱プレスする加圧加熱プレス工程と、を含む半導体モジュールの製造方法である （もっと読む）

【課題】温度変化に対する信頼性が高い半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、金属ベース１で形成された主面を有する冷却器１０１と、金属ベース１上に接合層２ａ，２ｂを介して固定された被接合層３ａ，３ｂと、被接合層３ａ，３ｂ上に固定された有機樹脂を母材とする絶縁層４ａ，４ｂと、絶縁層４ａ，４ｂ上に設けられた金属層５ａ，５ｂと、金属層５ａ，５ｂ上に設けられた半導体素子７ａ，７ｂ，７ｃとを備える。被接合層３ａ，３ｂ、絶縁層４ａ，４ｂ、金属層５ａ，５ｂを含む積層体は、１又は複数の半導体素子７ａ，７ｂ，７ｃ毎に分割され接合層２ａ，２ｂを介して金属ベース１上に固定される。 （もっと読む）

【課題】電子部品の冷却効率を十分に高めることが可能な電子部品用冷却装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】金属パイプ５０と、金属パイプ５０の外面上に配置された金属箔２０と、金属パイプ５０の外面と金属箔２０とを接着する熱硬化した樹脂層１０と、を有する電子部品用冷却装置１００である。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層上に配設され、焼成によって前記回路層表面に自然発生したアルミニウム酸化皮膜と反応して前記回路層と導通する導電接合層を形成することが可能な導電性組成物を提供する。
【解決手段】銀粉末と、ＺｎＯを含有する無鉛ガラス粉末と、樹脂と、溶剤と、を含有し、前記銀粉末及び前記無鉛ガラス粉末からなる粉末成分の含有量が、６０質量％以上９０質量％以下とされ、前記粉末成分中における前記銀粉末の重量Ａと前記無鉛ガラス粉末の重量Ｇの比Ａ／Ｇが、８０／２０から９９／１の範囲内に設定されており、焼成することにより生成される前記導電接合層が、前記無鉛ガラス粉末が軟化して形成される無鉛ガラス層と、前記無鉛ガラス層上に銀粉末が焼結されたＡｇ層と、を備えており、前記無鉛ガラス層内部に導電性粒子が分散されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保しつつ、ＩＣチップにノイズが侵入することを抑制できるＩＣパッケージ、ＩＣパッケージが配線基板に実装された回路基板、及び回路基板を備えた電子装置を提供すること。
【解決手段】電子装置１００は、ＩＣパッケージ１０と、配線基板３０と、ＩＣパッケージ１０及び配線基板３０が収納される金属製のケース４０とを備える。配線基板３０は、絶縁基材３１に設けられたグランド層３２に電気的に接続されたグランド用パターン３３及び迂回用パターン３５を備える。ＩＣパッケージ１０は、ＩＣチップ１１と、ＩＣチップ１１とケース４０とに熱的に接続された金属製の放熱板１７と、グランド用パターン３３とＩＣチップ１１とに電気的に接続されたグランド端子１５と、グランド用パターン３３と放熱板１７とに電気的に接続された迂回端子１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】大量のチップに放熱部を設けるに際してその生産性の向上を図るとともに、放熱効果の向上を図る半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１が、半導体基板１１と、絶縁膜１４の表面１４ｂに積層された封止層２６と、半導体基板１１の外周面１１ｃに設けられた第１の放熱部４０と、半導体基板１１の裏側の主面１１ｂに設けられた第２の放熱部３０と、を備える。第１の放熱部及び第２の放熱部は半導体ウエハのレベルで設け、それらをダイシングする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率を簡単に所望の値に設定することのできる接合層を備える接着体を提供すること。
【解決手段】接着体１は、金属材料で構成された第１の被着体２と、第２の被着体３と、第１の被着体２と第２の被着体３とを接着する接着剤４１を含む接着層４とを有している。また、接着剤４１は、高分子材料を含んでいる。また、接着層４の空隙率が０．１％以下である。また、第１の被着体２は、第２の被着体３から接着層４を介して伝達された熱を放熱する機能を有している。 （もっと読む）

【課題】積層型半導体装置の半導体素子の温度低減効果を高めること。
【解決手段】積層型半導体装置５０は、半導体パッケージ１の上に、半導体パッケージ５が接続端子８を介して積層されて構成され、マザー基板５１に３次元実装される。積層型半導体装置５０は、半導体パッケージ１，５の間に配置された放熱部材１０を備えている。放熱部材１０は、半導体パッケージ１，５の両方に熱的に接触する接触部１０ａと、半導体パッケージ１，５の外周縁部よりも外方に張り出す張り出し部１０ｂとを有している。放熱部材１０の接触部１０ａには、複数の接続端子８が貫通する開口部１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡単に放熱効果の高い半導体パッケージを得ることができるとともに、モールド成型と、ヒートスプレッダ取り付けが同時に行えるので、製造工程を減らし、コストを低減することができる半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体チップ２が搭載された基板と、前記基板の両側面に当接した側面部と、前記基板の上方を囲うとともに一部に開口部を有する上面部と、前記側面部の下端部から実装基板の長手方向に延び実装基板に接続された底面部を有する放熱板３と、前記基板と、前記放熱板に囲まれた空間に充填されたモールド樹脂とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線基板の変形を抑制し、信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】パッケージ基板１１の上に配置されるスティフナ１２に、その開口部１２ａを囲むように、パッケージ基板１１側と反対側に突出する突部１２ｂを設ける。このようなスティフナ１２を配置したパッケージ基板１１の上に、半導体チップ１３を配置する。電子装置内に、突部１２ｂを設けたスティフナ１２を用いることにより、パッケージ基板１１の変形を抑制する。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体素子の放熱のため接着する絶縁膜とヒートシンクを小型化し、放熱性を有しかつコスト低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のダイパッド１６ａ，１６ｂと第２のダイパッド１８ａ，１８ｂが一体的に形成されている。第１のダイパッド１６ａ，１６ｂ上に保護ダイオード２８ａ，２８ｂが接合されている。第２のダイパッド１８ａ，１８ｂ上にＩＧＢＴ３２ａ，３２ｂが接合されている。放熱性を有する絶縁膜４４を介して第２のダイパッド１８ａ，１８ｂの裏面にＡｌヒートシンク４６が接着されている。これらはモールド樹脂１０で封止されている。保護ダイオード２８ａ，２８ｂの動作温度の上限は、ＩＧＢＴ３２ａ，３２ｂの動作温度の上限より高い。Ａｌヒートシンク４６は、第１のダイパッド１６ａ，１６ｂには接着されていない。 （もっと読む）

【課題】 熱伝導部材の性能を簡易に評価することが可能な半導体パッケージ及びその評価方法、並びにその製造方法を提供するを目的とする。
【解決手段】 本半導体パッケージは、配線基板と、前記配線基板上に実装された半導体素子と、前記半導体素子上に設けられた導電性の熱伝導部材と、前記熱伝導部材の前記半導体素子側の面に接し、前記熱伝導部材と電気的に導通する検査用電極と、前記熱伝導部材の前記半導体素子側の面と反対側の面に接する導電性の放熱板と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
作業性、室温での保存性に優れ、かつ硬化物の弾性率が低く低応力性に優れ、接着特性が良好でリフロー剥離耐性に優れた樹脂組成物を提供し、更に該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペーストまたは放熱部材接着用材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】
構成単位として所定の一般式（１）で示される化合物を３０％重量以上含む重合体（Ａ）、充填材（Ｂ）、および所定の一般式（２）で示される化合物（Ｃ）を含む樹脂組成物であって、前記化合物（Ｃ）中、所定の一般式（２）におけるｎが４以上の化合物の割合をＸ％、前記化合物（Ｃ）に含まれる所定の一般式（３）で示される化合物の割合をＹ％とするとき、ＸとＹが以下の関係式１を満たすことを特徴とする樹脂組成物。
[関係式１] Ｙ＜−２．７ｘ１０^−３Ｘ＋０．８ （もっと読む）

【課題】銅ベース基板と冷却フィンの間の剥離を防止し、かつ熱抵抗の増加を防止することができる熱伝導シート、およびこれを用いた信頼性の高いパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】粒径１０μｍ以上３０μｍ以下の第１の熱伝導フィラーを４０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下、粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の第２の熱伝導フィラーを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下、夫々耐熱性エポキシ樹脂に充填した熱伝導層の少なくとも片面に、粒径０．１μｍ以上１０μｍ以下の第３の熱伝導フィラーを２０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下、耐熱性エポキシ樹脂に充填した接着層を積層し、加熱成型された熱伝導シートを用いて、銅ベース基板と冷却フィンを接着固定する。 （もっと読む）