【課題】冷却性能を維持する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体モジュール１と、半導体モジュール１の表面に設けられ、半導体モジュール１を冷却する冷却器２と、半導体モジュール１と前記冷却器２との間に設けられ、熱伝導性を有する伝熱部材とを備え、伝熱部材が設けられた領域の外側で、冷却器２と対向する半導体モジュール１の表面、又は、半導体モジュール１と対向する冷却器２の表面の少なくとも一方の表面に、凹部１６１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールにおける半導体素子の配置の自由度を向上すると共に、放熱性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体モジュール２と、冷却部３と、ボルト４とを有している。半導体モジュール２は、半導体素子２１を樹脂部２２内に封止すると共に放熱面２３２を露出させた状態で放熱板２３を上記樹脂部２２に保持してなる。放熱板２３は、ボルト４を螺合するボルト穴２３５を、放熱面２３２に開口するように形成してなる。冷却部３は、放熱面２３２に熱的に接触して半導体モジュール２を冷却するよう構成されると共に、ボルト４を挿通するボルト挿通穴３５を貫通形成してなる。半導体装置１は、ボルト４を上記冷却部３のボルト挿通穴３５に挿通すると共に、放熱板２３のボルト穴２３５に螺合することにより、半導体モジュール２と冷却部３とが互いに固定されている。 （もっと読む）

【課題】ＱＦＮパッケージを、基板上にはんだ接続してなる電子装置において、はんだの厚さを厚く確保するのに適した新規な構成を提供する。
【解決手段】ヒートシンク接続ランド２１０における周辺部に、ソルダーレジスト２３０がオーバーラップしており、ヒートシンク接続ランド２１０におけるソルダーレジスト２３０よりも内側の部位に、はんだ３００が存在しており、オーバーラップしたソルダーレジスト２３０を介して、モールドパッケージ１００とヒートシンク接続ランド２１０とが接触することで、モールドパッケージ１００と基板２００との間におけるはんだ３００の厚さが規定されている。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体モジュールを構成する部材に、熱膨張係数の異なる部材を用いて半田で接合した場合、温度上昇により半田にせん断応力が働いて半田に亀裂が生じ、熱抵抗が増大して端子の剥離や亀裂が生じる場合がある。
【解決手段】半導体チップを電極材や絶縁材を挟み込んで内部部品とし、その内部部品の上下面から突起部が設けられて板バネ特性を有する薄板を設ける。
この薄板と内部部品の側面をケースで被覆すると共に、冷却ブロックの内面側に冷却媒体の入出口と連通する流通用の溝を設け、この溝側を薄板の突起部側に向けて内部部品と一体的に形成してパワー半導体モジュールを構成する。 （もっと読む）

【課題】冷却性能の低下を抑制する冷却装置を提供する。
【解決手段】本発明における冷却装置は、発熱体が接続される蒸発部と、放熱部が接続される凝縮部と、蒸発部で気化し凝縮部で凝縮する冷媒とを有し、凝縮部は放熱部と熱的に接続する面に凹凸構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】素子で生じた熱を放出し易くでき、かつ、基板からの実装高さを低くすること。
【解決手段】一方主面２０ａと他方主面２０ｂと貫通孔２２とを有する基板２０と、貫通孔２２を塞ぐように配設され、基板２０の一方主面２０ａよりも他方主面２０ｂ側に凹む実装面２３２を有する熱伝導部２３０と、実装面２３２上に固定された素子４０とを備える。基板の一方主面に第２の配線２８が形成され、熱伝導部２３０は導電性を有しており、基板２２０の他方主面であって貫通孔の開口周縁部に、第２の配線に電気的に接続された介在配線２２９が形成され、熱伝導部２３０は、基板の他方主面側で貫通孔の開口を閉塞するように広がる板状の本体部２３４を有し、前記熱伝導部の本体部が、前記介在配線に電気的に接続された状態で、前記基板の他方主面であって前記貫通孔の開口部に配設されている。 （もっと読む）

【課題】
発熱開始時のオーバーシュートを抑制し、安定した沸騰開始を実現する沸騰冷却システムを提供する。
【解決手段】
発熱体と熱的に接触されるベースに金属からなる沸騰伝熱部を有し、前記沸騰伝熱部が液体冷媒と接している沸騰冷却システムであって、前記沸騰伝熱部は表面下に孔、または隙間によって外部と連通するトンネルを平行に複数設けてあり、前記トンネルと垂直な方向にすべてのトンネルを貫通するトンネル径より深い溝を備え、前記溝の上部に蓋板を備えている。 （もっと読む）

【課題】温度上昇を抑制可能な電子制御装置を提供する。
【解決手段】基板１０は、樹脂を含んで形成される。ＭＯＳ４０は、半導体チップ４１、モールド樹脂４３、端子４２および放熱板４４を有し、その端子４２が基板１０の表面の配線１４に実装される。ＭＯＳ４０の放熱板４４に接続される蓄熱体６０は、ＭＯＳ４０の生じる熱を蓄熱可能な熱容量を有する。絶縁シート７０は、蓄熱体６０に当接する。ヒートシンク２０は、絶縁シート７０に当接し、蓄熱体６０の熱を伝熱可能である。これにより、ＭＯＳ４０に短時間で大電流が流れた場合、放熱板４４とともに蓄熱体６０が熱貯めとなる。一方、ＭＯＳ４０に断続的に長時間電流が流れた場合、蓄熱体６０から絶縁シート７０を経由してヒートシンク２０に伝熱する。 （もっと読む）

【課題】基板に対する仮止め操作において、実装された電子部品に対して安定した押圧力を作用させ、基板との間で位置ずれが起きることのないヒートシンクを提供する。
【解決手段】本発明のヒートシンクは、基板５０の発熱部からの熱を放熱する平板部２を具備しており、平板部２には、基板に対して固定される基板係止部材１０と、基板の発熱部に対して平板部を押圧させる押圧係止部材２０が設けられている。基板係止部材１０は、基板側に突出して基板と係合すると共に、基板と平板部との間隔を維持する位置決め部を有し、押圧係止部材２０は、弾性を有する板材で構成されており、平板部２に面接固定される押圧部２１と、押圧部２１から平板部２の縁部外方に突出すると共に基板側に向けて屈曲形成され、基板に形成されている貫通孔に挿通、係止される連結部２２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性を更に高めること。さらに、アセンブリ時のシート厚の調整を容易に行えるとともに、コストの低減に寄与すること。
【解決手段】熱伝導シート１０は、第１の金属材１２と第２の金属材１６とがシート状に複合成形されている。第１の金属材１０はインジウムのシートであり、第２の金属材１６は、インジウムよりも高い熱伝導性及び高い融点を有する金属の粒粉である。この金属の粒粉１６は、インジウムのシート１２中に包含されている。金属の粒粉１６は、例えば、その表面に金層１５が被着された銅粒粉１４である。 （もっと読む）

【課題】面内方向と厚さ方向の両方で高い熱伝導率をもつ放熱基板を得る。
【解決手段】第１の黒鉛層１１と第２の黒鉛層１２とが積層された構造が用いられる。第１の黒鉛層１１において六角形環が広がる方向を水平方向とし、第２の黒鉛層１２において六角形環が広がる方向を鉛直方向とする。この積層構造における第１の黒鉛層１１側から、熱伝導率の高い金属をイオン注入する。これにより、第１の黒鉛層１１は、第１の金属拡散層２１となる。積層構造の全面に、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）膜２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子部品に対する良好な放熱特性を有し、基板に対する電子部品の接触圧を均一にでき、電子部品のメンテナンス性に優れた放熱構造を提供する。
【解決手段】放熱構造１０は、発熱部材１の放熱面１ｂに接触して配置された放熱シート１２と、この放熱シートの裏面１２ａに隙間を介して配置されたヒートシンク１４と、流動性を有する状態で放熱シートとヒートシンクの間の隙間に供給された伝熱材１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属ーセラミック基板と金属体との接合方法に関する。
【解決手段】少なくとも１つの面上にメタライゼーション１，４を有する金属−セラミック基板を、金属合金４によって金属体５に接合する方法であって、（ａ）厚みが１ｍｍ未満である金属体を使用し、（ｂ）（ｂ−１）アルミニウムを含み、（ｂ−２）液相温度が４５０℃より高い金属合金を、金属−セラミック基板と金属体との間に配置し、（ｃ）ステップ（ｂ）が提供する配置を４５０℃より高い温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を実現し得る半導体装置、及び、半導体素子が搭載される配線基板を提供する。
【解決手段】半導体装置は１０、絶縁性基板１２１と、縁性基板１２１の第１の主面１２１ａ上に形成される配線層１２２と、配線層１２２上に搭載される半導体素子１４と、を備える。この半導体装置１０において、配線層１２２は、銅と、銅より熱膨張係数が小さい金属とを含む第１の銅含有材料から構成されており、第１の銅含有材料の熱膨張係数は、銅の熱膨張係数より小さい。また、絶縁性基板１２１の第１の主面１２１ａと反対側の第２の主面１２１ｂ上に形成される放熱層１２３と、放熱層１２３を介して絶縁性基板１２１と接合されるヒートシンク１６とを備える。この放熱層１２３は、銅を含む第２の銅含有材料から構成される。 （もっと読む）

【課題】冷却システムにおいて、サーバラック等に搭載できる計算機の個数を増やすと共に、計算機を効率的に冷却すること。
【解決手段】電子機器２３が設置される機器設置エリア１２と、機器設置エリア１２内の空調を行う空調機２１と、電子機器２３内の発熱部品５７と熱的に接続した伝熱部材２５の先端部２５ｘが配置される冷却エリア１３と、機器設置エリア１２と冷却エリア１３とを分離する分離壁１１と、一端が先端部２５ｘに接続され、他端が冷却エリア１３から出た気流Aを外気Bと熱交換する熱交換器６０に接続されたドレインホース６３とを有し、先端部２５ｘに不織布６５又は多孔質材６５が配置される冷却システムによる。 （もっと読む）

【課題】異種材料で構成された基板とヒートシンクの間の接合部の信頼性向上。
【解決手段】本発明による半導体装置１，２，３は、放熱面４０ｂを有し、放熱面とは逆側に放熱面に略平行な接合面４０ａを備え、該接合面に凹部４６を備えたヒートシンク４０，４０’と、ヒートシンクに接合され、ヒートシンクの接合側とは逆側に半導体素子１０が配置された基板２０，２０’であって、ヒートシンクよりも熱膨張係数が小さく、接合面に平行な方向でヒートシンクの凹部４６に対して離間する態様で、ヒートシンクの凹部４６内に配置される基板２０，２０’と、凹部４６内に絶縁樹脂を充填して形成され、接合面に平行な方向で基板の側面２０ａとヒートシンクの凹部４６内の側面４６ａとの間に形成される絶縁樹脂部７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性のベース板に回路基板を接着固定して、回路部品をモールド樹脂で一体化した樹脂封止形電子制御装置の小型化を図る。
【解決手段】ベース２０は、第一の露出部２１ａ及び第二の露出部２１ｂと、中間窓穴２２ａに隣接した隣接平坦部２２ｂを有しており、背高の低発熱部品である第一の回路部品３１は、中間窓穴２２ａに配置されており、背低の高発熱部品である第二の回路部品３２は、隣接平坦部２２ｂに配置されている。背高の第一の回路部品３１の高さ寸法は、ベース板２０の厚さ寸法と重なっているので、全体としての厚さ寸法が抑制されるとともに、高発熱部品と低発熱部品とが分離配置されているので、低発熱部品の実装密度を高めて回路基板３０の面積を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】扇風モジュールのみを使い放熱させることによる、電子装置全体の放熱効果が不均一であるという問題を解決させる放熱装置と電子装置構造を提供する。
【解決手段】金属材質によって製造される放熱板を含み、放熱板が回路基板１１０の片側上を覆う時、放熱板と回路基板の片側の間には間隔３１０ができ、気流の通り道を構成させるため、回路基板の全体の放熱効果が高められる。放熱装置は電子装置の回路基板に適用され、回路基板は相対する第一面と第二面からなり、かつ回路基板は電気的に設置される複数個の電子部材１１０３を有する。放熱装置は金属材質によって製造される第一放熱板２１０をさらに含み、第一放熱板は回路基板の第一面上を覆い、かつ、第一放熱板と回路基板の第一面の間には気流の通り道として構成される間隔を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷却性に優れコンパクトな半導体装置の提供。
【解決手段】半導体チップ２の上面に形成された電極パッド３ａ、３ｂには、それぞれ金属ワイヤ４によってリード端子５ａおよび制御リード端子５ｂが接続されている。半導体チップ２の裏面電極３ｃには、はんだ６を介して導電性金属により形成されたダイパッド７が接合されている。ダイパッド７の下面には、セラミックス板により形成され、所定の強度と絶縁性を備えた絶縁板８が接合されている。この状態で合成樹脂材料が充填され、樹脂筐体９によって、半導体チップ２、電極パッド３ａ、３ｂ、裏面電極３ｃ、金属ワイヤ４、リード端子５ａ、制御リード端子５ｂ、ダイパッド７および絶縁板８が覆われる。ダイパッド７の下方に配置された絶縁板８の底面は、樹脂筐体９から露出している。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、セラミックス基板の割れを生じさせないように支持することができるピン状フィン一体型ヒートシンクを提供する。
【解決手段】ピン状フィン一体型ヒートシンク１は、金属材料からなる板状部２の一面側に、セラミックス基板を有する電子部品が搭載される平面状の上表面部２１が形成されるとともに、その上表面部２１と反対面側に、多数のピン状フィン３が立設された下表面部２２が形成されてなり、下表面部２２は、その周辺部の取付部７と、この取付部７の内縁から中心部に向かって厚みが漸次大きくなるように形成された中央部５と、その中央部５に立設された多数のピン状フィン３とにより形成されている。 （もっと読む）