【課題】 絶縁性能及び冷却性能を低下させることなく、パワーモジュールに冷却器を半田接合して構成される半導体装置を得る。
【解決手段】 ベース板２と、ベース板２の一方の主面上に設けられたパワー半導体素子３と、ベース板２の他方の主面にその一方の主面が固着された絶縁樹脂層４ａと、絶縁樹脂層４ａの他方の主面にその一方の主面が固着された金属層４ｂと、金属層４ｂの他方の主面が露出するようにベース板２、パワー半導体素子３及び絶縁樹脂層４ａを被覆して筐体を形成する樹脂筐体５とを有するパワーモジュール１と、一主面に少なくとも１つの凸状段差部７ｂが形成され、凸状段差部７ｂの少なくとも上面において金属層４ｂの露出面に半田により接合される冷却器７とを備えた半導体装置であって、凸状段差部７ｂの上面の面積が金属層４ｂの他方の主面の面積より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた安価な放熱板及びそれを用いる高放熱型半導体素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】放熱板１０は、Ｃｒ−Ｃｕ複合部材からなる平板状の第１の金属板１１と、この両主面に接合されるＣｕ板からなる平板状の第２の金属板１２、１２ａを有する。また、放熱板１０の上面に窓枠形状からなるセラミック枠体２２をろう付け接合して設け、放熱板１０の上面とセラミック枠体２２の内周側壁面で形成されるキャビティ部２３の放熱板１０の上面に直接保持して収納される半導体素子２１からの発熱を放熱板１０を介して放熱する高放熱型半導体素子収納用パッケージ２０であって、放熱板１０がＣｒ−Ｃｕ複合部材からなる平板状の第１の金属板１１の両主面にＣｕ板からなる平板状の第２の金属板１２、１２ａを接合して設けられている。 （もっと読む）

【課題】 樹脂シートを用いることなくヒートシンクに導電材料層が接合される半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明による半導体装置１，２は、ヒートシンク４０と、ヒートシンク４０上に直接、樹脂を含まない絶縁材料を溶射して形成した絶縁層３０と、絶縁層３０上に直接、導電材料を溶射して形成した導電材料層２０と、導電材料層２０上に設けられる半導体素子を含むチップ１０と、を備えることを特徴とする。絶縁材料は、好ましくは、ＡｌＮ、ＳｉＮ又はＡｌ_２Ｏ_３である。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの小型化及び薄型化を可能とする放熱部材及びその製造方法、並びに前記放熱部材を有する半導体モジュールを提供する。
【解決手段】本放熱部材は、基板上に装着され、前記基板上に実装された半導体部品の発する熱を拡散する放熱部材であって、金属体と、前記金属体と絶縁された状態で前記金属体上に搭載された電子部品と、前記金属体と絶縁された状態で前記金属体の内部に形成された配線と、を有し、前記配線は、前記電子部品と電気的に接続されており、かつ、前記基板と電気的に接続可能とされている。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率が小さく、かつ熱伝導率が大きいCr−Cu合金を用いて、製造プロセスが簡略で、経済的で生産性が高く、高精度の半導体用放熱部品および半導体用ケース，半導体用キャリア，パッケージを提供する。
【解決手段】粉末冶金法を適用して製造したCr−Cu合金に加工を施して得たCr−Cu合金板を冷間プレス加工した成形体であり、かつCr含有量が30質量％超え80質量％以下で残部がCuおよび不可避的不純物からなり、不可避的不純物がＯ：0.15質量％以下，Ｎ：0.1質量％以下，Ｃ：0.1質量％以下，Al：0.05質量％以下，Si：0.10質量％以下である半導体用放熱部品である。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールに対する冷却効率、冷却性能に優れた電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１、複数の半導体モジュール２と、半導体モジュール２を冷却する複数の冷却管（冷媒流路）８１とを交互に積層してなる。半導体モジュール２は、半導体素子３ａと、半導体素子３ａの積層方向Ｘの両側に配置されると共に半導体モジュール２の両主面２０１、２０２にそれぞれ放熱面２１１ａ、２２１ａを露出させた一対の放熱部２０ａと、半導体素子３ａ及び一対の放熱部２０ａを封止する封止部２００とを有する。一対の放熱部２０ａは、放熱面２１１ａ、２２１ａから半導体素子３ａまでの距離が近い側の近接放熱部２１ａと遠い側の遠隔放熱部２２ａとからなる。積層方向Ｘに隣り合う半導体モジュール２の半導体素子３ａ同士の間において、冷却管８１を挟んで積層方向Ｘに向かい合う放熱部２０ａ同士のうち、一方が遠隔放熱部２２ａである。 （もっと読む）

【課題】 冷却能力の高いループ型ヒートパイプを小さなスペース内で形成することを課題とする。
【解決手段】 発熱体２０が基板１０に搭載される。発熱体２０は蒸発部３０に収容される。蒸発部３０に接続された蒸気流路４０が基板１０中に形成される。蒸発部３０に接続された液流路６０が基板１０中に形成される。蒸気流路４０と液流路６０との間に凝縮部５０が設けられる。蒸発部３０、蒸気流路４０、凝縮部５０，及び液流路６０は、密封された循環流路を形成し、循環流路に冷媒が封入される。 （もっと読む）

【課題】放熱板に半導体素子が実装された半導体装置において、半導体素子と半導体素子及び放熱板を封止する封止樹脂との密着性を確保するとともに、封止樹脂により封止された半導体装置の逆反りを低減することを目的とする。
【解決手段】銅を主成分とする金属または銅からなる放熱板３の一方の面に半導体素子１が実装され、半導体素子１が封止樹脂８で樹脂封止され、封止樹脂８は、第１の封止樹脂８ａと、第１の封止樹脂８ａよりも大きな熱膨張係数を有する第２の封止樹脂８ｂとを含み、第１の封止樹脂８ａは半導体素子１を覆うように形成され、第２の封止樹脂８ｂは第１の封止樹脂８ａの外側に形成された。 （もっと読む）

【課題】隣接する放熱フィンの間に形成される溝部の流通抵抗を小さくすることができる発熱体冷却装置を提供する。
【解決手段】金属板の一方面に板状の放熱フィン２ａが所定の間隔で多数条形成され、放熱フィン２ａの隣接間に溝部２ｃを形成した放熱板２と、放熱フィン２ａを被冠する皿状のカバー３とを備え、放熱フィン２ａを冷却流体ＣＷによって冷却するように構成されている。放熱フィン２ａは複数列に分割され、各列の間を所定間隔に離間した隙間部２ｂが設けられ、カバー３の上面には、隙間部２ｂに対応する位置に各々設けられた複数の注入口７と、放熱フィン２ａの側方に対応する位置に設けられた排出口８とを備え、放熱フィン２ａの先端側と隙間部２ｂの両端側が封止されるとともに、放熱フィン２ａの側方が開放され、複数の注入口７から隙間部２ｂに向けて冷却流体ＣＷを各々注入し、この冷却流体ＣＷを溝部２ｃに流通させて排出口８から排出させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を高温で動作させても封止樹脂の剥離を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体素子１と、半導体素子１が実装された回路基板２と、回路基板２が実装された放熱性を有するベース板３と、ベース板３に設置され、かつ回路基板２を囲む空間４を有するケース材５と、ベース板３に設置され、空間４を回路基板２の配置された第１の領域Ｒ１とその他の第２の領域とを有するように区画する仕切り板６と、第１の領域Ｒ１においては半導体素子１を覆うように、仕切り板６で区画された第１および第２の領域の各々を封止する封止樹脂７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】放熱及び電磁シールドの機能を有する半導体装置を、部材数を抑えて実現する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、基板１１と、基板１１の上方に設けられた半導体素子１２を含み、更に、半導体素子１２を被覆し、且つ、基板１１に設けられた接続パッド１１ｂに接続された、はんだ材料からなる熱伝導材１５を含む。このような熱伝導材１５の上方に放熱体１７が設けられる。半導体素子１２と放熱体１７の間を熱的に接続する熱伝導材１５によって、半導体素子１２からの電磁的ノイズの放射や半導体素子１２への電磁的ノイズの入射を抑制する。 （もっと読む）

【課題】金型内の円滑な移動を妨げることなく、バリを生じさせないピン状フィン一体型ヒートシンクの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】多数の孔１２を有する成形ダイ１３と、成形ダイ１３上で金属材料を鍛造して各孔１２によりピン状フィンを成形するパンチと、孔１２内に挿入状態に収容され、鍛造時の圧力でピン状フィンの先端面を成形するとともに、成形後にピン状フィンを押して孔１２から抜き出すエジェクタ−ピン１５とを備え、孔１２は、鍛造時の圧力で押込まれる金属材料によりピン状フィンを成形するフィン成形部２３と、フィン成形部２３の先端で内径を縮小するテーパ部２２と、テーパ部２２から延びる小径のエジェクタ−ピンスライド部２４とからなり、エジェクタ−ピン１５の先端部には、テーパ部２２に面接触可能な逆円錐部３１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高く、軽量で低価格なインバータ装置用の電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、第１の導電体１０、第２の導電体２０、第１の半導体チップ４１、放熱板１、及び樹脂９を備える。第１の導電体は、第１の主面１１と第１の主面に対向する第２の主面１２とを有する第１の部分１０Ａを有し、第１の主面に直交する第３の主面１３と第３の主面に対向し第３の主面から離れながら第２の主面に連続する第４の主面１４とを有する第２の部分１０Ｂを有する。第２の導電体は、第５の主面２１と前記第５の主面に対向する第６の主面２２とを有する第３の部分２０Ａを有し、第５の主面に直交する第７の主面２３と第７の主面に対向し第７の主面から離れながら第６の主面に連続する第８の主面２４とを有する第４の部分２０Ｂを有する。第１の半導体チップは、第１の導電体の第３の主面と第２の導電体の第７の主面との間に挟まれる。 （もっと読む）

【課題】伝熱性及び放熱性に優れた放熱部品、及びそれを有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本放熱部品は、銅を主成分とする基材と、前記基材の表面の少なくとも一部を覆う電気アルミニウムめっき層と、前記電気アルミニウムめっき層の表面の一部が陽極酸化されたアルマイト層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】設置対象に効率よく放熱できる複合部材、この複合部材を用いた放熱部材、この放熱部材を具える半導体装置を提供する。
【解決手段】複合部材1aは、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとが複合された複合材料からなる基板2と、基板2の表面に形成された金属被覆層3,4とを具え、一面に半導体素子などが実装され、他面が冷却装置などの設置対象に固定されて、半導体素子の放熱部材として利用される。複合部材1aは、冷却側面及び素子側面の少なくとも一面が反った形状である。冷却側面の反りを押し潰すように複合部材1aを設置対象に固定する。この押圧力により、複合部材1aを設置対象に密着できる。従って、複合部材1aは、半導体素子などの熱を設置対象に効率よく放出でき、半導体装置の放熱部材に好適に利用できる。 （もっと読む）

【課題】炭素元素からなる線状構造体を用いた熱伝導度及び電気伝導度が極めて高いシート状構造体及びその製造方法、並びにこのようなシート状構造体を用いた高性能の電子機器を提供する。
【解決手段】互いに第１の間隙をもって配置された複数の炭素元素からなる線状構造体を含み、互いに第１の間隙よりも大きな第２の間隙をもって配置された複数の線状構造体束１２と、第１の間隙及び第２の間隙に充填され、複数の線状構造体束１２を保持する充填層１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高く且つ反りおよびそのばらつきが小さい金属−セラミックス接合基板、およびその金属−セラミックス接合基板を低コストで製造することができる、金属−セラミックス接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１２の一方の面に金属板１４が直接接合するとともに、他方の面に金属ベース板１０が直接接合した金属−セラミックス接合基板において、金属ベース板１０より強度が高い金属からなる強化部材１６が金属ベース板１０の内部を貫通して延びている。 （もっと読む）

【課題】カーボン材を使用した放熱板の機械的強度の向上と製造コストの低減を両立させる。
【解決手段】この発明の放熱板１１は、板状のカーボンベース体１、およびカーボンベース体１の周囲を覆った状態で密閉される高熱伝導性シール材２，３を有する。カーボンベース体１は、例えば、カーボン粒子を板状に圧縮固形化したものを好適に使用できる。高熱伝導性シール材２，３は、熱伝導率が高く、展性に優れた金属製の板金を好適に使用できる。このような金属としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銅または銅合金などが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの回路部から発生する熱を基板側へ効率よく放熱させることが可能な構成を有する半導体装置であって、半導体チップを基板上に搭載する際の回路部へのダメージが低減され、より信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板４５と、一方の主面に回路が形成された回路部１５を有する半導体チップ４３と、を備えた半導体装置１００であって、半導体チップ４３は、回路部１５がフレキシブル基板４５の表面と対向するように配置されており、回路部１５とフレキシブル基板４５との間の空間には、放熱用グリース４１が充填されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れるとともに、機械的強度の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 この発明の半導体装置１は、金属ベース板４，８上に樹脂絶縁層５，９および導体層６，１０が形成され導体層６，１０同士が対向して配置される一対の絶縁金属基板３，７と、両絶縁金属基板３，７の導体層６，１０に接続された半導体チップ２と、両絶縁金属基板３，７の導体層６，１０に接続されたリード１１〜１３と、を備える。 （もっと読む）