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Fターム[5F136FA03]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 放熱部材の材料 (10,071) | 金属 (3,956) | Cu、Cu合金 (1,467)

Fターム[5F136FA03]に分類される特許

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【課題】 本発明は、製造が容易で信頼性の高い小型ヒートシンク及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明によるヒートシンクは、冷媒流路となる一連の蛇行貫通孔を有する複数の金属薄板が積層され、両側に前記流路の封止面となる封止板が配置され、前記封止板あるいは前記金属薄板に前記冷媒流路とつながる冷媒流入出口が設けられたヒートシンクにおいて、前記金属薄板の各々には少なくとも片側表面全体に前記金属薄板より融点の低い低融点金属層が形成されており、さらに前記金属薄板の各々には片側が凹部かつ反対側が凸部となるエンボス部が前記貫通孔以外の複数箇所に形成されており、前記封止板にも片側が凹部かつ反対側が凸部形状で前記金属薄板上のエンボス部と嵌合可能な複数のエンボス部が設けてあり、前記封止板の各々と前記金属薄板同士がこれらエンボス部において嵌合結合され、前記低融点金属層の溶融により接合されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】セラミックス基板と第一の金属板及び第二の金属板との接合信頼性が高く、かつ、セラミックス割れの発生を抑制できるヒートシンク付パワーモジュール用基板、このヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板と、該第二の金属板の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンクとを備え、前記第一の金属板及び前記第二の金属板のうち前記セラミックス基板との界面近傍にはCuが固溶されており、前記第二の金属板及び前記ヒートシンクの接合界面近傍にはAgが固溶されている。 (もっと読む)


【課題】冷熱サイクル試験とパワーサイクル試験の双方を満足する絶縁基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板50は、第1配線層52と絶縁層54と第2配線層56を備えている。第1配線層52は、1又は複数の層で構成されている。第2配線層56は、1又は複数の層で構成されている。第1配線層52を構成する前記1又は複数の層のそれぞれの0.2%耐力と厚みの積の合計が、第2配線層56を構成する前記1又は複数の層のそれぞれの0.2%耐力と厚みの積の合計よりも小さい。これにより、絶縁基板50は、放熱器30側に向けて凸状に反っていることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】冷却機能を備えた電力変換装置において、小型化に繋がり、製品化の上で必要な信頼性の向上や生産性の向上に繋がること。
【解決手段】上アーム回路を構成する第1パワー半導体素子52,56と、下アーム回路を構成する第2パワー半導体素子62,66と、第1パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第1導体板534及び第2導体板584と、第2パワー半導体素子の一方の側及び他方の側に配置される第3導体板544及び第4導体板574とは、リカバリ電流が第1導体板534、第1パワー半導体素子52,56、第2導体板584、第3導体板544、第2パワー半導体素子62,66、第4導体板574の順に流れた時に、ループ形状のリカバリ電流経路を形成するように配置され、第1放熱板522と第2放熱板562には、ループ形状のリカバリ電流によって渦電流605,606が誘起されて、スイッチング動作時のインダクタンスを低減する。 (もっと読む)


【課題】放熱効率を向上させることのできる金属複合材料の製造方法、金属複合材料、放熱部品の製造方法及び放熱部品を提供する。
【解決手段】炭素材料と金属粉末とに対して、炭素材料が粉砕され得る強度の機械的衝撃力を加えることにより、金属粉末に炭素材料を凝着させる凝着工程(ステップS1)と、炭素材料が凝着された金属複合材料の表面の金属の一部を昇華させることにより、凝着された炭素材料を金属複合材料の表面の一部に露出させる昇華工程(ステップS2)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】複数の半導体チップを含む半導体装置であって、放熱性向上が図られた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、支持部材上方に、複数の半導体チップを並べて配置する工程と、支持部材上に配置された複数の半導体チップの少なくとも側面を覆って、第1熱伝導層を形成する工程と、複数の半導体チップの上方に、第1絶縁層を形成する工程とを有し、第1熱伝導層は、第1絶縁層よりも熱伝導率の高い材料で形成される。 (もっと読む)


【課題】パワーデバイス等の冷却に用いるヒートシンクは、従来アルミダイキャスト製やアルミ押出し型材製が多用されている。これらのヒートシンクは、その製造プロセスからヒートスプレッダー部に対してフィンはほぼ垂直に立っている。この製法とこの構造に立脚する限り、性能向上のために、フィンピッチを狭めたり、フィン高さを増やしたりするのが困難である。
【解決手段】1個のヒートスプレッダーと複数のフィンとを水平に配置し、それらの中間にスペーサーを設けて結合した積層構造のヒートシンクとした。こうすることで、容易にフィンピッチを狭めたり、フィン面積を拡大することができ、高性能なヒートシンクが簡単に得られる。また、拡散接合やビス留めといった従来用いられていない製造プロセスを適用できる。あるいは、部分的に熱伝導率や熱膨張率の異なる材料を用いることもできる。 (もっと読む)


【課題】適正な絶縁距離を確保しつつ、小型化を図り、かつ冷却フィンの着脱が容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース板1と、前記ベース板の一方の主面上に設けられ、絶縁基板3、半導体素子5及び外部端子7を含む回路基板2と、前記回路基板を取り囲むように配置された筐体9と、を備えた半導体装置であって、前記ベース板はその他方の面が前記半導体装置の冷却面に露出し、前記筐体には、その前記冷却面側に開口部を有し、側壁を有する取付け孔9aが設けられ、前記側壁面に開口部を有する溝9bが形成され、前記溝には弾性部材10が収納されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 冷却風を直線的に流通させて流通抵抗を小さくすることができ、しかも、各放熱フィン間の溝部を狭くしても、溝部内の空気を停滞させることなく排出することができる発熱体冷却装置を提供する。
【解決手段】 発熱体冷却装置1は、金属板の一方面に板状の放熱フィン2aが所定の間隔で多数条形成され、放熱フィン2aの隣接間に溝部2cを形成した放熱板2と、放熱フィン2aを被冠する皿状のカバー3とを備えている。放熱フィン2aの先端とカバー3の底面とを離間させることにより冷却風CWを流通させる流通路8が形成される。カバー3の流通路8の前方端8aと後方端8bに位置には、冷却風CWを直線的に流通させる開口3aが形成され、放熱フィン2aの端面の基端側に対応させた側壁にはスリット3bが形成される。放熱フィン2aは、板面が開口3aと平行に配列されるとともに、流通路8の前方端8aに対向する放熱フィン2aの少なくとも先端側が前方端側8aの開口3aに向けた斜面または円弧面2bが形成される。 (もっと読む)


【課題】 樹脂封止型の半導体装置であって、従前の構造に比して、冷却性能の向上が可能な新規な構造を提案すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置10は、半導体素子12とそれが接合された電極板14とが電気絶縁性樹脂から成るモールドM内に包含され封止され、モールドの外面に於いて、放熱用のコルゲート・フィン22が、モールドの外面の樹脂がコルゲート・フィンの一方の面の溝内に充填された状態にて接着され、且つ、コルゲート・フィンの一方の面の樹脂が充填された溝の幅w1がコルゲート・フィンの他方の面の樹脂が充填されていない溝の幅w2よりも広いことを特徴とする。これにより、電極板とコルゲート・フィンとの間の電気絶縁性を担保しながら、それらの間の距離hが短縮可能となり、冷却性能が向上される。 (もっと読む)


【課題】金属ブロックと半導体素子とのはんだ付け性及び金属ブロックと樹脂との密着性を確保すると共に、製造コストの上昇を抑えた半導体モジュール、及びその製造方法等を提供すること。
【解決手段】本半導体モジュールは、金属ブロックと、前記金属ブロックの一方の面に設けられた半導体素子設置領域にはんだ層を介して設置された半導体素子と、前記金属ブロック及び前記半導体素子に樹脂をモールドして形成されるモールド部と、を有し、前記金属ブロックの一方の面は、めっき領域と、粗化領域と、を含み、前記半導体素子設置領域は、前記めっき領域に設けられている。 (もっと読む)


【課題】パワーモジュールとヒートシンクをはんだ付けする場合、はんだの溶融時にはんだが外部に流出する恐れがあり、はんだが流出すると本来あるべきはんだ量が足りなくなるため、濡れ面積不足により放熱性能低下が問題となる。
【解決手段】電力用半導体素子1をモールド樹脂2で封入したパワーモジュール10と、パワーモジュールにはんだにより接合されたヒートシンク11とを有する電力用半導体装置において、ヒートシンクのパワーモジュール搭載面には、位置決め部12とはんだ流出止め部13とからなる突起部14を設け、突起部とパワーモジュールとヒートシンクで囲まれた空間であってはんだの周囲には、はんだの溶融時に膨張する体積分以上の容積で、その表面がはんだに濡れない材質で構成された溶融はんだの体積膨張吸収部15を形成した。 (もっと読む)


【課題】炭素系材料からなる熱拡散部材を用いつつ、接合界面の熱応力を抑制することができる熱拡散部材の接合構造、発熱体の冷却構造、及び熱拡散部材の接合方法を提供する。
【解決手段】炭素系材料を用いて板状に形成され、表面に金属薄膜を有し、板状の厚さ方向に熱を伝導させる熱拡散部材としての第1部材は、少なくとも第2部材との対向面に、金属薄膜を有する。そして、第1部材の金属薄膜形成面と第2部材における金属薄膜形成面の対向面との間に、接合部材として金属粒子の焼結体が介在されている。 (もっと読む)


【課題】金属板と一体化した絶縁層を有するタイプの半導体モジュールを備え、従来よりも製品の高信頼化を実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体モジュール101において露出する金属板5と冷却装置102とが接合材7にて接合され、金属板5は、接合される接合領域52と、接合しない非接合領域53とを有する。このような半導体装置110において、非接合領域、接合材の周囲領域54、及び冷却装置において接合された部分の周囲の接合周囲領域63に対してさらに樹脂剤9を備えた。 (もっと読む)


【課題】熱伝導シートを金属板の間に挟んで積層状に構成したコンパクトな積層体であって、層間の熱流動ネックを招くことなく積層体の全体に及ぶ良好な熱伝導を確保することができる簡易な構成の複合熱伝導部材を提供する。
【解決手段】複合熱伝導部材は、2枚の金属板(2,3)と、これら両金属板(2,3)間に密接挟着した熱伝導シート(4)とから積層状に構成され、上記熱伝導シート(4)に透孔(4a)を形成し、この透孔(4a)内で上記両金属板(2,3)の間に介設して一体に固定するための金属板固着部(6)を一方の金属板面に薄膜状に形成し、この金属板固着部(6)は、熱伝導シート(4)を両金属板(2,3)の間に圧接した押圧状態で固化形成したものである。 (もっと読む)


【課題】冷却部材と絶縁樹脂層との接合が強固で、冷却部材と絶縁樹脂層との間の熱抵抗が小さく、絶縁樹脂層の面内の膜厚分布が小さい半導体モジュールおよび製造方法を提供する。
【解決手段】表面に突起部12が設けられた冷却部材10と、突起部に囲まれた領域に形成された絶縁樹脂層14と、絶縁樹脂層の表面に形成され、半導体素子16を備える金属放熱板18と、を有する半導体モジュールである。また、金属放熱板を前記絶縁樹脂層の表面に加圧加熱プレスする加圧加熱プレス工程と、を含む半導体モジュールの製造方法である (もっと読む)


【課題】半導体素子が発する熱を拡散させるため、絶縁基板の回路パターンを厚くすると、エッチングに時間を要するうえ、加工精度が良くなかった。少ない工数で製造が可能で安価かつ放熱性に優れた絶縁基板を提供する。
【解決手段】絶縁層上に形成された回路パターン上に、はんだシートを介して金属ブロックを載置し、あるいは、予め金属ブロックをはんだ接合し、この金属ブロックの上面および側面を覆い、金属材料を直接積層した上積み回路パターンを形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、構成部材の簡素化とともに高温条件での温度サイクルによる回路基板の反りを低減し、接合部の接合信頼性,放熱性に優れた半導体モジュール用回路基板を提供することにある。
【解決手段】支持部材,接合層,絶縁基板,接合層,回路配線板の順に積層されている回路基板において、前記接合層は金属を含む焼結体であり、かつ前記絶縁基板は非酸化物系のセラミックスであり、該絶縁基板の両面には酸化物層が形成されていることを特徴とする回路基板。 (もっと読む)


【課題】電子部品からの発熱を効率的に放熱させることができる安価な電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】上面に光通信用の電子部品を搭載する長方形板状の基体11と、その上面に対して垂直に立設させ電子部品を収納するためのキャビティ部12を設ける枠体13を有する電子部品収納用パッケージ10において、基体11がFe−Ni−Co系合金金属板の枠体13を配設させる側となる一方の主面に第1のCu板15と、他方の主面に第1のCu板15の厚みより薄い第2のCu板15aを貼り合わせるクラッド材からなり、枠体13がFe−Ni−Co系合金、又はFe−Ni系合金からなる長方形筒状の金属製側壁体16と、その上方の一部を削除した切り欠き部17に設けるセラミックフィードスルー基板からなるセラミック製側壁体18の接合体からなる。 (もっと読む)


【課題】小型の冷却フィン一体型半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置10では、第1積層体11は矩形状の断面を有するn(n>1)個の導体12と両面に電極15、17が形成されたn−1個の半導体チップ13が、第1の方向に交互に接合されて形成されている。第2積層体14は、第1積層体11が第1の方向に直角な第2の方向にm(m>1)段積み重ねられて形成されている。 (もっと読む)


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