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Fターム[5F136FA03]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 放熱部材の材料 (10,071) | 金属 (3,956) | Cu、Cu合金 (1,467)

Fターム[5F136FA03]に分類される特許

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【課題】凹部を含む突起を有する構造において、凹部のエアー抜けを改善し、凹部にボイドを巻き込まない構造を備えた樹脂封止型半導体装置を提供することを第1の目的とする。また、凹部内にボイドを巻き込まない構造を備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを第2の目的とする。
【解決手段】ヒートシンク10は、当該ヒートシンク10の一面11のうち半導体素子30が実装される実装領域16において、一面11の面方向のうちの一方向に沿って形成された線状の凹部14と、凹部14の両側にそれぞれ位置する突起部15と、により構成された線状突起13を有している。これにより、接合層20は凹部14の延設方向である一方向に沿って濡れやすくなるので、凹部14に位置するエアーが抜けやすく、凹部14にボイドを巻き込まない構造とすることができる。 (もっと読む)


【課題】窒化アルミニウムを所望のサイズや密度で形成する。
【解決手段】マグネシウム16を第1の炉2に配置し、アルミニウム18を第2の炉3に配置し、第1の炉2内にてマグネシウム16を気化させてマグネシウム蒸気22を生成し、その生成したマグネシウム蒸気22をアルゴンガスの流れにより第1の炉2内から第2の炉3内へと供給し、第2の炉3内にてマグネシウム蒸気22と窒素ガスとを反応させて窒化マグネシウム24を生成し、アルミニウム18を窒化マグネシウム24により窒化させて窒化アルミニウム25を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの回路部から発生する熱を基板側へ効率よく放熱させることが可能な構成を有する半導体装置であって、半導体チップを基板上に搭載する際の回路部へのダメージが低減され、より信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板45と、一方の主面に回路が形成された回路部15を有する半導体チップ43と、を備えた半導体装置100であって、半導体チップ43は、回路部15がフレキシブル基板45の表面と対向するように配置されており、回路部15とフレキシブル基板45との間の空間には、放熱用グリース41が充填されている。 (もっと読む)


【課題】 冷却流体を直線的に流通させて流通抵抗を小さくすることができ、しかも、溝部内の熱を停滞させることなく排出することができる発熱体冷却装置および発熱体冷却方法を提供する。
【解決手段】 発熱体冷却装置1は、金属板の一方面に板状の放熱フィン2aが所定の間隔で多数条形成され、放熱フィン2aの隣接間に溝部2bを形成した放熱板2と、放熱フィン2aを被冠する皿状のカバー3とを備え、放熱フィン2aを冷却流体によって冷却するように構成している。放熱フィン2aの先端とカバー3の底面との間を離間させて冷却流体を流通させる流通路8が形成され、カバー3の流通路8の前方端8aと後方端8bの位置には、冷却流体を直線的に流通させる開口3aが形成され、放熱フィン2aは、板面が開口3と平行に配列させるとともに、板面に対して冷却流体を板面とほぼ直角に流通させるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】良好な放熱性を有し、かつ小型化・薄型化可能な電子デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、絶縁性基板10と、絶縁性基板10の上面にフリップチップ実装されたパワーアンプ20と、絶縁性基板10上に設けられ、パワーアンプ20を封止し、パワーアンプ20より高い熱伝導率を有する封止部材22と、絶縁性基板10を貫通し、封止部材22と接触し、絶縁性基板10より高い熱伝導率を有するビア配線16cと、を具備する電子デバイスである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、放熱効率を向上させ、複数のパワー素子を搭載することが可能な半導体装置を提供する。

【解決手段】一方の主面に制御素子を搭載する薄板部と一方の主面にパワー素子を搭載する厚板部とからなるリードフレームと、リードフレームの厚板部の一方の主面に対向する他方の主面に一方の主面を接合する放熱板と、リードフレームの端子部と放熱板の他方の主面を露出させ樹脂封止する樹脂封止体とを有する半導体装置において、リードフレームの一方の主面が端子部の一方の主面を含み平坦である平坦部と、厚板部は他方の主面に向かって幅が狭くなる傾斜部と、放熱板は一層の絶縁層で接続されている接続部を備える。また、放熱板は樹脂封止体の両端部に設けられたネジ止め部を除いた大きさの面積を有し、制御素子を搭載したリードフレームの薄板部の下部まで位置しており、薄板部と放熱板との間に樹脂封止体が介在していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
電子機器内で発生する単数または複数の局所的な高温部を冷却することができ、冷却対象となる部品の大きさや形状、そして周囲の構造物による搭載制限の影響を受けることなく使用できる、変形が可能な帯状の放熱板を提供する。
【解決手段】
基板上に搭載される1又は2以上の発熱部品を1つの放熱板により冷却する冷却構造であって、前記放熱板を、所定の曲げ形状を連続して繰り返して薄い帯状に形成し、前記放熱板の曲げ形状の一部を前記発熱部品に密接する。 (もっと読む)


【課題】エポキシ樹脂を封止材とした絶縁シート構造のパワーモジュールにおいて、吸湿による絶縁シートの絶縁性能低下を防止することにより、長期的信頼性を向上させる。
【解決手段】金属基板11と、絶縁シート2と、ヒートスプレッタ3と、半導体素子4と、リードフレーム5と、配線6と、封止樹脂7とを備え、金属基板11は、その端部が湾曲形状を有するとともに封止樹脂7内に封止される。これにより、外部から絶縁シート2までの水分浸入経路を長くすることができ、吸湿による絶縁シート2の絶縁性低下を防止して、パワーモジュールの長期信頼性を向上させることができる。 (もっと読む)


【目的】半導体パワーモジュールをヒートシンク上に設置し、半導体パワーモジュールとヒートシンクとが接する側のヒートシンク面内に溝を設け、この溝に伝熱管を埋設して、半導体パワーモジュールが発する熱をヒートシンクが吸収して外部に放熱する半導体パワーモジュールの冷却装置において、放熱効率の向上を図る。
【解決手段】伝熱管にヒートパイプを使用し、溝の断面形状に合わせて断面形状を変形させたヒートパイプを溝に埋設させることを特徴とした半導体パワーモジュールの冷却装置。 (もっと読む)


【課題】高い冷却性能を有し、外層を半導体素子に電圧を印加するための電極を兼ねた構成とすることができるヒートシンク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ヒートシンク100は、冷媒循環用の流路9aに設けられる積層体12を備え、積層体12は、金属から形成され、内側が流路9aとなる管体9と、管体9の外側に形成された絶縁層10と、絶縁層10の外側に形成され、表面に冷却対象の半導体素子1の電極、例えばエミッタ電極1bが接合される接合面である上面11aを有する導体11とを備える。 (もっと読む)


【課題】金属製材料によって形成され、その表面を過度に粗面化することなく樹脂との接着性を向上させ、かつ接着性の向上に伴う熱性能の低下を抑制した放熱装置を提供する。
【解決手段】通電されて発熱する電子部品6に熱伝達可能に接触してその熱を放熱あるいは拡散させるとともに、電子部品6が配設される基板5上に接着剤4を介して接合される接合面3を備えた放熱装置1において、接合面3は、凹凸が形成された下層と、その下層の上に直径が0.5〜1.0μmのニッケルの結晶粒子が形成された上層とを備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】放熱特性に優れた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ1は、ベース102上に配置され、第一の電極112を有する第一の半導体チップ101と、第一の電極の上部を含む第一の半導体チップ101の上部で、第一の半導体チップ101の上面から第一の半導体チップ101の厚さより短い距離に配置され、第一の半導体チップ101の上面全体に亘る大きさを有する第一の放熱ブロック108と、第一の放熱ブロック108を避けて第一の電極から第一の半導体チップ101の上部に向かって湾曲し、第一の電極に接続される第一の端部と、供給電源と接続される第二の端部とを有する端子リード105と、第一の半導体チップ101を覆い、第一の放熱ブロック108の上面及び端子リード105における供給電源と接続される端部が、半導体チップ101の上部方向に露出するように形成される樹脂部110とを備える。 (もっと読む)


【課題】パッケージの外面の切削又は研削加工によって放熱部材を露出させるものにあって、切削面における平面度の低下を抑える。
【解決手段】半導体装置21は、パッケージ22内に、2組の半導体チップ23及び金属ブロック体28を備え、下面に共通の放熱板24、上面に放熱板25、26を備える。放熱板24の露出面に、前後方向に延びる凹部24aを設ける。半導体装置21の製造にあたっては、半導体チップ23、金属ブロック体28、放熱板24、25、26等を接合し、エポキシ樹脂によりモールドしてパッケージ22を形成する。この後、パッケージ22の下面を、切削ラインCまで切削して放熱板24を露出させる。凹部24aによって放熱板24が分断されるので、放熱板24が深く切削されることを防止できる。 (もっと読む)


【課題】十分な熱拡散効果が得られるヒートスプレッダを提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダ6を、金属層6Aと、金属層6Aの少なくとも一の表面上に設けられ、表面に露出しているダイヤモンド片6Bとを備えるものとする。ヒートスプレッダ6のダイアモンド片6Bが露出している側の表面(底面)が半導体チップの表面に熱的に雪像されている。また、ダイアモンドは熱伝導率がきわめて高い。これにより、ヒートスプレッダ6の半導体チップに接続される側の表面で面内方向の熱伝導率が極めて高くなるため、充分な熱拡散効果が得られる。 (もっと読む)


【課題】放熱性が向上された回路装置を提供する。
【解決手段】本発明の混成集積回路装置10Aは、回路基板12と、回路基板12の上面に配置された制御素子23およびチップ素子24と、回路基板12を部分的に開口させた開口部18と、開口部18を下面から塞ぐ実装基板28と、実装基板28の上面に実装されたパワー素子22とを備えている。回路基板12よりも熱伝導性に優れる材料からなる実装基板28にパワー素子22を実装することにより、パワー素子22から発生した熱を実装基板28を経由して良好に外部に放出することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子と金属部材のはんだ接合部に生じる熱応力を低減することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置10は、はんだ17を介して接続された半導体素子11,12と少なくとも金属を含む金属部材16を有する。半導体素子11の一面には、はんだ17を取り囲むように所定厚さを有するはんだ形状制御部材21が設けられている。そして、はんだ形状制御部材21の内周面と、半導体素子11,12の一面とのはんだ17側でなす角度が90度未満となっている。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、製造が容易でモーター等に容易に取り付け可能な小型積層型ヒートシンク及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明によるヒートシンクは、冷媒流路となる貫通孔を有する複数の流路板が積層され、両側に前記流路の封止面となる封止板が配置され、前記封止板または前記流路板に冷媒流入出口が設けられたヒートシンクにおいて、前記流路板の各々は前記貫通孔が回転対称位置に形成されており、所定枚数ずつ対称回転角度分回転させて積層することにより前記貫通孔の一部が隣接する流路板の貫通孔と重複するよう配置されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、製造が容易で信頼性の高い小型ヒートシンク及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明によるヒートシンクは、冷媒流路となる一連の蛇行貫通孔を有する複数の金属薄板が積層され、両側に前記流路の封止面となる封止板が配置され、前記封止板あるいは前記金属薄板に前記冷媒流路とつながる冷媒流入出口が設けられたヒートシンクにおいて、前記金属薄板の各々には少なくとも片側表面全体に前記金属薄板より融点の低い低融点金属層が形成されており、さらに前記金属薄板の各々には片側が凹部かつ反対側が凸部となるエンボス部が前記貫通孔以外の複数箇所に形成されており、前記封止板にも片側が凹部かつ反対側が凸部形状で前記金属薄板上のエンボス部と嵌合可能な複数のエンボス部が設けてあり、前記封止板の各々と前記金属薄板同士がこれらエンボス部において嵌合結合され、前記低融点金属層の溶融により接合されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】セラミックス基板と第一の金属板及び第二の金属板との接合信頼性が高く、かつ、セラミックス割れの発生を抑制できるヒートシンク付パワーモジュール用基板、このヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板と、該第二の金属板の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンクとを備え、前記第一の金属板及び前記第二の金属板のうち前記セラミックス基板との界面近傍にはCuが固溶されており、前記第二の金属板及び前記ヒートシンクの接合界面近傍にはAgが固溶されている。 (もっと読む)


【課題】冷熱サイクル試験とパワーサイクル試験の双方を満足する絶縁基板を提供すること。
【解決手段】絶縁基板50は、第1配線層52と絶縁層54と第2配線層56を備えている。第1配線層52は、1又は複数の層で構成されている。第2配線層56は、1又は複数の層で構成されている。第1配線層52を構成する前記1又は複数の層のそれぞれの0.2%耐力と厚みの積の合計が、第2配線層56を構成する前記1又は複数の層のそれぞれの0.2%耐力と厚みの積の合計よりも小さい。これにより、絶縁基板50は、放熱器30側に向けて凸状に反っていることを特徴としている。 (もっと読む)


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