【課題】コイル導体の特性を考慮しつつ、ＩＣ素子およびコイル導体の放熱性を向上させること。
【解決手段】コイル内蔵基板１は、フェライト基体11と、フェライト基体11内に設けられたコイル導体12と、フェライト基体11の上面に設けられたＩＣ素子用導体層14と、ＩＣ素子用導体層14およびコイル導体12に熱的に結合されておりフェライト基体11の表面に熱を伝導するようにフェライト基体11内に設けられた熱伝導経路13とを含んでいる。熱伝導経路13は、フェライト基体11よりも低い比透磁率およびフェライト基体11よりも高い熱伝導率を有する材料を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の熱伝導性及び接着性が高いパワー半導体モジュール用部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るパワー半導体モジュール用部品１１の製造方法では、熱伝導体２と無機フィラーを含む第１，第２の絶縁層３，４とを備える積層体１であって、第１，第２の絶縁層３，４が、同一の硬化性組成物を用いて形成されており、第１，第２の絶縁層３，４がそれぞれ、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーを含み、第１の絶縁層３の硬化率が５０％以上であり、第２の絶縁層４の硬化率が８０％未満であり、上記硬化性組成物が、２５℃での粘度が１５０００ｍＰａ・ｓ以下である液状エポキシ化合物又は融点が１４０℃未満である結晶性エポキシ化合物を含む積層体１を用いる。 （もっと読む）

【課題】ケースを固定する接着剤の塗布量を抑え、なおかつパワーデバイスへのはみ出しを防止できるパワーモジュールを提供すること。
【解決手段】パワーデバイス３を載置した複数のベース板５を並べて配置し、これらのベース板５をケース７で囲んだパワーモジュール１において、前記ケース７は、複数の前記ベース板５の全てを囲む外囲壁２０と、隣り合う前記ベース板５同士の間に沿って配置される仕切壁２１と、を備え、前記外囲壁２０、及び前記仕切壁２１の底面２０Ａ、２１Ａが前記ベース板５の上面に接着剤４０で接着されるとともに、前記仕切壁２１の底面２１Ａには、前記ベース板５同士の間に沿って延在し、隣り合う前記ベース板５同士の間に塗布された接着剤４０を封じる溝５０を設けた。 （もっと読む）

【課題】素子で生じた熱を放出し易くでき、かつ、基板からの実装高さを低くすること。
【解決手段】一方主面２０ａと他方主面２０ｂと貫通孔２２とを有する基板２０と、貫通孔２２を塞ぐように配設され、基板２０の一方主面２０ａよりも他方主面２０ｂ側に凹む実装面３２を有する熱伝導部３０と、実装面３２上に固定された素子４０とを備えている。貫通孔２２に、内周配線２９が形成され、熱伝導部３０が貫通孔２２に挿入されることにより、内周配線２９に熱伝導部３０の側壁部３６が接触することで、熱伝導部３０が、側壁部３６を介して第２の配線２８に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 セラミック基板にクラックが発生するのを抑制することが可能な半導体モジュール基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体モジュール基板１は、矩形状のセラミック基板２と、セラミック基板２の上面に設けられた、半導体素子３が実装される第１金属板４と、セラミック基板２の下面に設けられた第２金属板５とを備え、第２金属板５の下面には、複数の同心円状の溝Ｄが設けられているとともに、複数の溝Ｄの最外周に位置する溝Ｄ１が、第２金属板５の外周の一部と重なって切欠きになっている。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性能を損なうことなく、冷却性能が向上したパワーモジュールを提供する。
【解決手段】 第１のヒートスプレッダ４と半導体チップ１，２と第２のヒートスプレッダ８とをこの順に重ね合わせ、第１のヒートスプレッダ４の一方の主面に第１の固定板１１と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第１の絶縁シート９を接着し、第２のヒートスプレッダ８の一方の主面に第２の固定板１２と一体化された未硬化の熱硬化性樹脂からなる第２の絶縁シート１０を接着することにより構成される構造体を形成する工程と、上記構造体をモールドプレスの金型のキャビティに収納する工程と、上金型１４と下金型１５を型締めする工程と、金型の温度を上げると共にキャビティに熱硬化性樹脂からなる未硬化のモールド樹脂を注入することにより、第１の絶縁シート９、第２の絶縁シート１０及びモールド樹脂を硬化させる工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱性を提供可能な構造の半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ１１はサブマウント７とヒートシンク９との間に設けられる。III族窒化物半導体レーザ１１はｐアップ形態でサブマウント７上に搭載されるので、レーザ導波路からの熱は、レーザ構造体１３を介してサブマウント７に伝わる。レーザ導波路からの熱は、高い温度のレーザ導波路からオーミック電極１５及びパッド電極４５を介して低い温度のヒートシンク９に伝わり、この熱は、オーミック電極１５から離れたヒートシンク端に向けてヒートシンク内を伝搬していき、ヒートシンク９の温度分布はレーザ導波路上の中央部からヒートシンク端に向けて低くなる。III族窒化物半導体レーザ１１の両端の近傍では、III族窒化物半導体レーザ１１の温度はヒートシンク９の温度より低いので、ヒートシンク９の熱はIII族窒化物半導体レーザ１１に伝搬する。 （もっと読む）

【課題】硬化反応速度が比較的速く、接着能力の長期持続性に優れた熱硬化性接着剤で絶縁樹脂層が形成された放熱用部材を提供し、放熱性に優れた半導体モジュールを容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】窒化ホウ素粒子（Ａ）とエポキシ樹脂（Ｂ）とフェノール樹脂（Ｃ）とを含有する熱硬化性接着剤からなる絶縁樹脂層１０を有し、絶縁樹脂層１０の一面側を被着体に接着硬化させて被着体の熱を絶縁樹脂層１０を通じて放熱する放熱用部材１で、窒化ホウ素粒子が４０体積％以上６５体積％以下の割合で含有し、エポキシ樹脂としては、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂が含有され、フェノール樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型フェノール樹脂の内の少なくとも１種が含有され、さらにテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートが含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一方の面に回路用の金属層が形成され、他方の面に放熱用フィンが形成されてなる放熱用フィン付き回路基板の製造で、製造効率を低下させることなく、薄く、高く、微小ピッチで放熱性に優れたフィンを有する、同回路基板を製造できるようにする。
【解決手段】セラミック基板１０の表裏両面に、アルミニウム板２１を接合して金属層を形成する。その後、回路用の金属層ではない方の金属層であるアルミニウム板２１の表面に、放熱用フィン形成用の金属部位４０を、コールドスプレーによって追加的に肉盛加工する。その後、この金属部位４０に、切り起こし法によってフィン４１を形成する。従来のように、フィンが別途製造された部品を、後でロウ付けするのでなく、一体形成された金属部位４０を切起こしてフィンを形成するものであるから、フィンに座屈等の変形を生じさせることなく、薄く、微小ピッチのフィン付きの回路基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】金属ヒートシンクの代替として用いる加工性、生産性、軽量性に優れた樹脂ヒートシンクを提供する。
【解決手段】合成樹脂と熱伝導性充填材とを含有してなり、熱伝導率が０．５［Ｗ／ｍＫ］以上である高熱伝導性樹脂組成物と、金属又はセラミックスの成形体である基材３とを一体化して成形した、高熱伝導性樹脂２を用いたヒートシンク１であって、ヒートシンク１は、熱源に対向する熱源対向面６を有し、熱源対向面６の少なくとも一部は、基材３によって直接形成されるか、あるいは、基材３との間に高熱伝導性樹脂が３ｍｍ以下の厚さで介在されている。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導性及び高電気絶縁性の材料を提供すること。
【解決手段】銅からなるコア粒子中に炭化ケイ素微粒子が含有されてなる複合銅粒子から構成される複合銅粉である。熱伝導率が２５℃・１気圧において１０Ｗ／ｍＫ以上であり、体積抵抗率が２５℃・１００ｆ／ｋｇにおいて１×１０⁵Ωｃｍ以上である。複合銅粒子においては、炭化ケイ素微粒子が、その表面の一部を露出してコア粒子の表面に包埋されていることが好適である。 （もっと読む）

【課題】従来の回路装置の製造工程において配線基板と一体化したケースに蓄熱材を流し込むには、配線基板およびケースを冶具で適切に支持した上で蓄熱材を流入しなければならず、製造工程が複雑であった。
【解決手段】蓄熱体は、電子回路の発熱により相変化し得る蓄熱材と、蓄熱材を内包する内包フィルムとを備える。電子機器は、電子回路と、電子回路の発熱により相変化し得る蓄熱材および蓄熱材を内包する内包フィルムを備える蓄熱体とを備え、蓄熱体は電子回路に貼り付けられている。 （もっと読む）

【課題】 セラミックス回路基板の回路パターン周縁部に発生する凹凸を生じにくいセラミックス回路基板用素材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、セラミックス基板上に形成された導電部を含んだ回路基板を形成するためのセラミックス回路基板用素材であって、前記導電部の所望の回路パターンを形成する際に、印刷マスクを用いて塗布されたエッチングレジスト膜の硬化後の回路パターン中央部の平均厚さを３０μｍ〜６０μｍとするとともに回路パターン周縁部の最大厚さを回路パターン中央部の平均厚さよりも５μｍ以上厚く形成したセラミックス回路基板用素材である。 （もっと読む）

【課題】小型で基板上の小さい面積部分でも実装が可能で、放熱効果および電気絶縁性も備えて、従来の金属製ヒートシンクの課題を解消したヒートシンクを提供する。
【解決手段】発熱性の電子部品１１０が載置される回路基板１００に実装されて放熱を促進するヒートシンク１であって、放熱性および電気絶縁性を備えた樹脂材により形成したブロック状の本体部１０と、板状の高熱伝導性材で形成した複数の脚部２０とを含み、前記脚部それぞれの一端は互いに間隔をもって前記本体部１０に埋設され、前記脚部２０それぞれの他端は前記回路基板１００に接触させるべく形成してある。 （もっと読む）

【課題】電子機器を配線基板に実装する際における電子機器と配線基板との隙間の不均一を抑制する。
【解決手段】
電子機器は、第１プレートと、前記第１プレート上に配置され、前記第１プレートと向かい合う面の反対面に複数の第１端子を有する配線基板と、前記配線基板上に配置され、前記配線基板と向かい合う面に複数の第２端子を有する電子部品と、前記配線基板と前記電子部品との間に配置され、前記第１端子と前記第２端子とを電気的に接続する接続手段と、前記電子部品上に配置された第２プレートと、前記電子部品の配置領域の外側の領域に配置され、前記第１プレートと前記第２プレートとの間隔を狭めるように前記第１プレート及び前記第２プレートに圧力を加える固定手段と、前記電子部品の配置領域の下方に配置され、前記配線基板を前記電子部品側に押し付ける押付手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性が高く、且つ応力緩和能が高い熱伝導部材を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体素子２０と放熱板３０との間に介在し、半導体素子２０と放熱板３０とを熱的に接続するとともに、半導体素子２０と放熱板３０とを接合する熱伝導部材４０を有する。この熱伝導部材４０は、金属箔５０と、半導体素子２０と放熱板３０との積層方向に延在し、金属箔５０上に平面方向に並んで設けられた第１及び第２柱状導体５１，５２とを有する金属層４１と、金属層４１を被覆する樹脂層４２とを有している。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクルにおける接合強度が高く、かつ冷却効率の高い放熱構造体、パワーモジュール、放熱構造体の製造方法およびパワーモジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】パワーモジュール１は、絶縁性を有するセラミックス基板１０と、該セラミックス基板１０の表面にろう材により接合された金属又は合金からなる金属部材５０と、該金属部材５０の表面に、金属又は合金からなる粉末をガスと共に加速し、表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させることによって形成された放熱部４０とを備え、放熱部４０内部にはヒートパイプ６０が埋設されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の冷却効率の向上を達成できる、半導体素子の冷却装置を提供する。
【解決手段】半導体素子３０の冷却装置１は、主表面１１を有する基板１０と、基板１０の主表面１１側に設けられたベース部材２０と、ベース部材２０の側面２２に取付けられた半導体素子３０と、ベース部材２０の上面２１に取付けられ、半導体素子３０の発熱を受けて放散する放熱部４０と、主表面１１に平行な方向に沿って放熱部４０に送風するファン５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の電気的絶縁特性が損なわれることなく、かつ良好な放熱性を確保する。
【解決手段】半導体チップ２０と、導電性を有しかつ帯板状に形成されて、その長手方向の一端部が半導体チップに電気接続されるリード３０と、半導体チップから生じる熱を放散する放熱部材４０と、少なくともリードの他端部が露出するように、リードの一端部及び半導体チップを封止するモールド樹脂５０とを備える。放熱部材４０は、半導体チップ及びリードにそれぞれ電気接続される金属箔４１、半導体チップから生じる熱を放散する放熱部４２、及び放熱部と金属箔との間に介装される絶縁層４３を有する。金属箔４１は、半導体チップが搭載されかつリードに電気接続されるチップ搭載部４１Ａと、半導体チップ及びリードにそれぞれ電気接続されるリード接続部４１Ｂに分離して形成される。 （もっと読む）

【課題】放熱特性を維持しながらも、金属層及び素子に静電気や電圧ショックなどが伝達されることを防止する放熱基板の製造方法を提供する。
【解決手段】放熱基板１００の製造方法は、（Ａ）金属層１１１の一面に絶縁層１１２を形成し、前記絶縁層１１２に回路層１１３を形成することで、ベース基板１１０を準備する段階、（Ｂ）前記ベース基板１１０に厚さ方向に加工部１４０を形成する段階、（Ｃ）前記金属層１１１の他面及び側面の少なくとも一方に陽極酸化層１５０を形成する段階及び（Ｄ）前記加工部１４０に連結手段１３０を挿入し、前記金属層１１１の前記他面に放熱層１２０を連結する段階を含む。 （もっと読む）