【課題】ＩＣチップのギャングボンディング方式の実装構造において、従来よりも放熱性能および実装接続品質を向上させて、長期信頼性的にも安定した特性品質を得られるＩＣチップの実装構造、およびこれを用いたフラットディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】プラズマディスプレイ装置において、ギャングボンディング方式によるアドレスドライバモジュール（ＧＢ−ＡＤＭ６０）におけるＩＣチップの実装構造は、テープ状で長尺に連続させた形で製造されたフレキシブル基板６１と、このフレキシブル基板６１上に搭載されたＩＣチップ６２と、フレキシブル基板６１上に搭載されたＩＣチップ６２上を覆い、少なくともＩＣチップ６２を保護する保護カバー６３とを有して構成される。そして、外形抜きにより、１個〜複数個のＩＣチップ６２を搭載した個々のＧＢ−ＡＤＭ６０に分離する。 （もっと読む）

【課題】集積回路の構成部品から発生する熱を効果的に放散させる境界材として使用するのに適する、圧縮性と熱伝導性に優れた材料を提供する。
【解決手段】熱伝導性粒子、及び非電気伝導性でエネルギーにより膨張可能な中空ポリマー粒子を含み、ポリテトラフルオロエチレンのマトリックスを有することを特徴とする熱伝導性の複合物品。好ましくは、熱伝導性粒子は、金属、金属酸化物、金属粉末、金属ビーズ、金属繊維、金属コーティングされた繊維、金属フレーク、金属コーティングされた金属などから選択され、シリコーンエラストマー材料をさらに含み、シリコーンエラストマー材料は不連続な状態で複合物品の中に配置される。また、好ましくは、この複合物品は、１．５ｇ／ｃｃ未満の密度を有し、３５未満のショアーＡ硬度を有する。 （もっと読む）

【課題】発熱するデバイスから熱を除去するための装置および方法を提供すること。
【解決手段】本発明による装置および方法は、好ましくは、機械的部品を移動させることなく、また、不快な電気的または音響上のノイズを生成することなく、さらには、信頼性を低下させることなく、高圧及び高流量を生成することが可能な電気浸透ポンプを使用する。これらの電気浸透ポンプは、好ましくは、現在利用可能なマイクロポンプに比較して性能、効率を改善し、重量及び製造コストを削減できる材料と構造で構成されている。また、これらの電気浸透ポンプは、好ましくは、発生ガスや沈殿材料を回収でき、長期にわたる閉ループ操作を可能とする。 （もっと読む）

【課題】高い放熱効率および耐久性を兼ね備え、搭載する半導体チップを大電力で動作させることのできる半導体モジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体チップとこの半導体チップの両面から放熱するための一対の放熱基板とを備えた半導体モジュールであって、前記放熱基板はセラミックス基板の両面に銅板もしくは銅合金板をろう材により接合してなり、前記放熱基板および前記半導体チップのほぼ全体がモールド樹脂で覆われている半導体モジュール。 （もっと読む）

【課題】回路層とパワー素子とをはんだ接合するのに無鉛系のはんだ材を採用しても、熱サイクル時にこのはんだ層でクラックが進展し易くなるのを抑える。
【解決手段】セラミックス板１１の表面に回路層１２がろう付けされてなり、回路層１２の表面にパワー素子１６がはんだ接合されるパワー素子搭載用基板１４であって、回路層１２は、全体の平均純度が９８．０ｗｔ％以上９９．９ｗｔ％以下のＡｌ合金により形成されるとともに、セラミックス板１１とのろう付け面１２ａ側に含まれるＦｅの濃度が０．１ｗｔ％未満とされ、かつこのろう付け面１２ａと反対の表面１２ｂ側に含まれるＦｅの濃度が０．１ｗｔ％以上とされている。 （もっと読む）

【課題】従来より大型化することなく簡単な構造で冷却能力が高い放熱器を提供する。
【解決手段】放熱器１０は、一つの面に形成された凹部１２ｃの底面に多数の略円錐台形状の柱状突起部１２ｄが一体に形成された第１の部材１２と、この第１の部材１２の凹部１２ｃの側に固定されて内部に空間を形成するとともに、第１の部材１２の多数の柱状突起部１２ｄの各々の先端面に当接する第２の部材とから構成され、第１の部材１２には、冷却剤を内部に供給するとともに内部から排出するために一対の貫通孔１２ｅが形成されている。 （もっと読む）

【課題】接合界面に不要な反応生成物を生成させ難く、その結果クラックなどの不具合を発生させ難いパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】２つの部品の間を、Ｂｉ系ハンダ材料により接合してなるパワー半導体モジュールであって、前記２つの部品のＢｉ系ハンダ材による被接合面にＣｕ層を備える。被接合部品である上記２つの部品は、半導体素子と絶縁部、又は絶縁部と放熱板の組み合わせである。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をはんだ接合により搭載するための銅または銅合金製の放熱板において、Ｐｂフリーはんだ使用時のＣｕ拡散に起因したボイドの形成や、はんだ濡れ性不良が安定して防止でき、パワーモジュールケースとの接合性の良いものを提供する。
【解決手段】半導体基板７をはんだ接合２により搭載するための銅または銅合金製の放熱板１において、半導体基板を搭載する面（基板搭載面）およびその反対側の面（裏面）にＮｉめっきが施されており、基板搭載面あるいはさらに裏面において、端面近傍と板面中央部を含めた５点のＮｉめっき厚さの変動幅が２.０μｍ以下である放熱板。特にＮｉめっきが施されていない端面を有するものが好適な対象となる。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板上に金属板からなる回路基板を接合し、該金属回路基板の所要箇所に半導体素子を装着する構成の半導体装置で、氷点下から100℃以上の高温ヒートサイクルにも耐える高耐熱性を有した構成の提供。
【解決手段】半導体素子３の直下にMo材４ａを配置しかつ当該素子の接合部にはCu材４ｂを配置した構成とすることで、金属回路基板２と半導体素子間において、Mo材は該素子に対してCu材の平面方向の膨張を抑制でき、接合面にはMo材に比べ柔らかいCu材があることで接合部に与える応力を緩和でき、高耐熱、高強度な実装が可能となり、また、同様の作用効果を有する応力緩和機構として、Mo材は該素子直下の接合部のCu材を拘束するように配置、筒形状のMo材を採用できる。 （もっと読む）

【課題】電子部品を搭載したセラミック基板をヒートシンク上に搭載し、これらをモールド樹脂にて封止してなる電子装置において、モールド樹脂の成型時にて、ヒートシンクの反りの影響を受けることなく、セラミック基板の反りを抑制する。
【解決手段】ヒートシンク１０の一面１１のうちセラミック基板２０が搭載される部位に、当該部位の一部を突出させた凸部１３を設け、セラミック基板２０を凸部１３上に支持し、セラミック基板２０とヒートシンク１０との間のうち凸部１３を除く部位に、モールド樹脂４０を充填した。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル寿命を低減させたり、外観品質を低下させたりすることなく、パワーモジュールのコンパクト化を図る。
【解決手段】セラミックス板１１の表面に、純Ａｌ若しくはＡｌ合金により形成された導体パターン１２が、Ａｌ−Ｓｉ系のろう材１３により接合され、この導体パターン１２の表面に半導体チップ１５が設けられるパワーモジュール用基板１４であって、セラミックス板１１の表面から立上がるこの導体パターン１２の側面１２ａは、セラミックス板１１の表面に対して略垂直に延在し、半導体チップ１５が設けられる導体パターン１２の表面において、少なくともその外周縁から内側に１ｍｍ以上離れた部分は、Ｓｉの含有量が３ｗｔ％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】 半導体モジュールに熱膨張による反りを生ずることなく優れた放熱性を有する電力用等の半導体装置を提供する。
【解決手段】 ヒートシンクと、ヒートシンク上に熱伝導グリスを介して配置された絶縁基板と、絶縁基板上に熱伝導グリスを介して配置された半導体モジュールとを含み、半導体モジュールで発生した熱を絶縁基板を通してヒートシンクから放出する半導体装置において、絶縁基板が半導体モジュールとは別体として設けられ、半導体モジュールと絶縁基板との間の距離、および／または絶縁基板とヒートシンクとの間の距離が、絶縁基板の中央部において周辺部より小さい。 （もっと読む）

【課題】冷却性能の優れた電力変換器としての半導体素子の冷却器を提供する。
【解決手段】冷却器は、電力変換器としての半導体素子１の一の面にはんだ１１で接合され、内部に冷媒が流れるように形成された冷媒流通管９と、半導体素子１の一の面と反対側の面にはんだ１１で凹部５ａが接合された熱伝導性の優れた材料で形成された冷却板５と、矢印４２に示すように冷却板の凹部５ａに向かって冷媒を噴出するための冷媒噴出装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】 セラミック粒体とアルミニウムまたはアルミニウム合金との充填密度を均一として性能のばらつきを抑えることができる複合材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 複合材１が、粒度が比較的大きなセラミック粒体４を４０〜８５容積％、アルミニウム５を１５〜６０容積％含み、セラミック粒体４間の間隙にアルミニウム５が連続相を形成し、かつ、セラミック粒体４とアルミニウム５との界面に隙間がないようにした本体部２と、この本体部２の厚さ方向の表面を高精度の平滑度で覆う熱伝導性に優れた被覆部３とを備えて構成され、本体部２を、アルミニウム５をキャビティの下方から真空で吸引するとともに当該キャビティの上方から圧力を付与しながらセラミック粒体４間に含浸させて形成し、被覆部３を、無電解メッキにより形成されたメッキ層で形成する。 （もっと読む）

【課題】 熱回収部材と熱電発電モジュールの受熱部との接触面を高い平面度に仕上げ、あるいはその接触面を圧接させることなく、長期にわたって極めて良好に熱回収部材から熱電発電モジュールの受熱部に熱伝導できる熱電発電装置を提供する。
【解決手段】 使用状態においてフィン部材２が高温となると、その凹部２Ｃに収容された低融点金属体５が溶融し、その盛上り部５Ａを覆う高融点金属被覆４が溶融した低融点金属体５の柔軟性により熱電発電モジュール１の受熱面１Ａ１に均一な面圧で密着する。その際、低融点金属体５の全面を覆っている保護膜７Ａ，７Ｂにより、溶融した低融点金属体５に高融点金属被覆４やフィン部材２の金属成分が溶解するのが未然に防止される。このため、低融点金属体５の融点などの物性の変化および高融点金属被覆４の損傷が長期にわたって防止される。 （もっと読む）

【課題】導電性接着剤のような導電性接合部材内部におけるフィラー間の接続にたよることなく、両被接続部材間の電気的および熱的な接続経路を適切に確保することの可能な導電性接合部材を提供する。
【解決手段】その両面３０ａ、３０ｂにて被接続部材との接続を行うシート状の導電性接合部材３０であって、両被接続部材間の電気的接続を行う金属層３２と機械的接続を行う樹脂層３１とを、導電性接合部材３０の厚さ方向に延びるように配置するとともに、当該厚さ方向と直交する方向に交互に積層させ、さらに、当該厚さ方向における金属層３２の一端部および樹脂層３１の一端部を導電性接合部材３０の一面３０ａに露出させ、当該厚さ方向における両層３１、３２の他端部を導電性接合部材３０の他面３０ｂに露出させている。 （もっと読む）

【課題】小型で熱交換特性がよい熱交換器を提供する。
【解決手段】発熱体からの熱を流体に伝える伝熱壁３、伝熱壁に対向して設置された非伝熱壁１１、非伝熱壁の両端であって伝熱壁と非伝熱壁との間に設置された側壁１２、および非伝熱壁の上に配置される板状の基板７と前記基板の上に設置された複数の突起６とを有し伝熱壁と非伝熱壁との間に設置される乱流促進体５を備え、伝熱壁と基板と側壁とで流体が流れる通流路を構成する熱交換器１であって、非伝熱壁は、基板に対向する面に突出する位置決め用突部８ａを有し、基板は、非伝熱壁に対向する面に位置決め用突部が収納されるように窪んだ位置決め用窪みを有する。 （もっと読む）

【課題】 冷却性能が高く、高密度実装を可能とするパワーモジュールを得る。
【解決手段】 本発明のパワーモジュールは、金属ベース基板11の上に実装された複数のパワー半導体素子12とこれらの電極を配線した配線回路とその一部を露出させた電極部を有する金属基板部と、一方の面にパワー半導体素子を制御する制御回路部品23,24を実装し、他方の面に制御回路部品の電極を配線した回路基板21とその一部を露出させた電極部を有する制御基板部と、金属基板部と制御基板部との間に、電極部同志を導通させる導通部32とパワー半導体素子を収納する部品収納孔34とを有する結合基板31とを備えたもので、この結合基板は金属ベース基板及び回路基板より少なくとも一部を突出させた拡張部35を設け、この拡張部に冷却手段４を取り付け可能にしたものである。 （もっと読む）

【課題】できる限り小さな押し付け力で冷却対象物の表面に満遍なく放熱部品を接触させ続けることができる冷却装置を提供する。
【解決手段】電子部品１９とヒートシンク１４との間には熱伝導性流動体２３が挟み込まれる。熱伝導性流動体２３は電子部品１９とヒートシンク１４との間で密着性を高めると同時に、その流動性に基づき所定の吸着力を発揮する。吸着力は、電子部品１９の表面に沿ってヒートシンク１４の横滑りを許容するものの、電子部品１９の表面に直交する垂直方向にヒートシンク１４の変位を規制する。ヒートシンク１４は大気圧で電子部品１９上に保持されることができる。ヒートシンク１４の横滑りは規制されることから、電子部品１９の傾斜や振動にも拘わらず、ヒートシンク１４と電子部品１９との間には十分な広がりで熱伝導性流動体２３は確保される。熱伝導性流動体２３は十分な吸着力を発揮し続ける。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用基板の高効率生産、および導体パターンの細線化を実現する。
【解決手段】導体パターン部材１４ｂの外周縁に沿った内面形状のガイド孔４１ａを有するテンプレート４１を、ガイド孔４１ａがこのセラミックス基板１２の表面において導体パターンが配置される位置に向けて開口するように、セラミックス基板１２の表面に対向させて配置した後に、このガイド孔４１ａに、裏面にろう材箔１５ａが配置された導体パターン部材１３ｂをこの裏面側から挿入して、ガイド孔４１ａの内周面に導体パターン部材１３ｂの外周縁を案内させながらセラミックス基板１２の表面にろう材箔１５ａと導体パターン部材１３ｂとをこの順に配置し、その後、セラミックス基板１２の裏面側および導体パターン部材１３ｂの表面を挟み込んだ状態でこれらを加熱しろう材箔１５ａを溶融させて、導体パターン部材１３ｂをセラミックス基板１２の表面に接合する。 （もっと読む）