【課題】従来の放熱基板１は、複数のリードフレーム３の間を狭くする（あるいは狭ギャップ化）ことが難しいため、その放熱効果に限度がある課題を有していた。
【解決手段】リードフレーム１４の上に、更にめっき電極部１５を形成し、これを絶縁樹脂層１６や伝熱樹脂層１３に埋め込むことで、見かけ上リードフレーム１４の間を狭くした（あるいは狭ギャップ化が可能となる）放熱配線板１１を提供することができ、パワー半導体や高輝度発光ダイオード、高輝度半導体レーザ等を実装した場合の放熱性を高められ、各種機器の小型化、光学系の低コスト化に貢献できる放熱配線板１１を提供する。 （もっと読む）

【課題】冷却性能や製造性を高めるとともに、使用条件に対応して重量軽減をも可能にするインバータ装置を提供する。
【解決手段】インバータ装置は、熱を放熱するための放熱部２２と、放熱部の表面に絶縁状態で接合された正側第１導体３３Ａと、正側第１導体に接合された正側第２導体３３Ｂと、放熱部の表面に絶縁状態で接合された負側第１導体３５Ａと、負側第１導体に接合された負側第２導体３５Ｂと、正側第２導体に正極側が接合されるとともに、負側第２導体に負極側が接合された半導体チップ１７Ａ、１７Ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】コストの増加を抑制して放熱特性を向上できる電子部品を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子等の回路素子７に接続された配線電極４が形成される回路基板３と、回路基板３の裏面に設けられるとともに回路素子７に熱接続された放熱部１２と、放熱部１２の裏面に固着材１９により固着される放熱板２０とを備えた電子部品１において、放熱部１２と放熱板２０との間に隙間を形成する熱良導体から成るスペーサ部１８を設け、固着材１９を該隙間に充填して放熱部１２と放熱板２０とを固着した。 （もっと読む）

【課題】樹脂積層体よりなる回路基板、およびかかる回路基板上に半導体チップを実装した半導体装置において、回路基板の力学的強度を補強し、かつ回路基板を介した放熱特性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】回路基板は、各々配線パターン４３を担持し、さらに前記配線パターンに接続されたビアプラグ４３を有する複数のビルドアップ樹脂層４１Ａ〜４１Ｅの積層よりなる樹脂積層体４１を備え、さらに前記樹脂積層体の上面および下面には、前記ビルドアップ層の弾性率よりも大きな弾性率を有する第１および第２のセラミック層４７、４８が、それぞれ形成されており、少なくとも前記第１および第２のセラミック層の一方は、凹凸断面を有する。 （もっと読む）

【課題】パッケージの放熱性及び変形防止の両方を満足する半導体装置用パッケージを提供する。
【解決手段】一種類の金属材料にて形成されるベース部１と、セラミック回路基板３と、上記ベース部と上記セラミック回路基板との間の接合層４に半田と共に設けられ、半田のみの場合に比べて上記接合層の厚みを拡大しかつ上記セラミック回路基板の熱を上記ベース部に伝導する接合層拡大部材５とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ロウ材の回り込みの発生を抑制したパワーモジュール用基板を提供すること。
【解決手段】セラミックス基板１１が、金属層１２や回路層１３それぞれの配置領域の外周縁を含む外側及び内側に該外周縁に沿って形成された粗面部１４ａ、１５ａと、前記配置領域において粗面部１４ａ、１５ａによって囲まれて粗面部１４ａ、１５ａよりも平滑な平滑部１４ｂ、１５ｂとを有しており、粗面部１４ａ、１５ａの算術平均粗さが、０．４μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板との熱サイクル時における接合信頼性を向上させることができるパワーモジュール用基板並びにパワーモジュールを提供することにある。
【解決手段】セラミックス基板の表面に純アルミニウムＡからなる金属板を接合したパワーモジュール用基板であって、前記金属板における前記セラミックス基板との接合界面近傍には、複数のＳｉ析出粒子２０が析出されており、前記Ｓｉ析出粒子２０は、その粒子径が３ｎｍ〜１７０ｎｍとされ、互いに隣り合う最も近傍に存在するＳｉ析出粒子２０同士の間の距離が１００ｎｍ〜９００ｎｍとされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた応力緩和機能を発揮しつつ、優れた放熱性能を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、セラミック基板１４の一面１４ａに半導体素子１２が結合され、他面１４ｂに金属層１６が接合されるとともに該金属層１６に板状の応力緩和部材２０を介してヒートシンク１３が接合されている。応力緩和部材２０において金属層１６に対向する第１の面２０ａには、その全面に亘って複数の応力緩和空間２１が設けられている。複数の応力緩和空間２１は、応力緩和部材２０の最も外寄りに位置する応力緩和空間２１の深さが最も深く、内寄りに向かうに従い応力緩和空間２１の深さが順次浅くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】フィンを狭ピッチ化しても製造が容易な冷却器を提供すること。
【解決手段】第１基板４及び第１基板４に突設された複数の第１凸部５を有する第１凸基板２と、第２基板６及び第２基板６に突設された複数の第２凸部７を有する第２凸基板３とを備え、第１及び第２凸基板２、３は、第１凸部５が第２基板６に向けて突出して第２凸部７が第１基板４に向けて突出すると共に、隣り合う２つの第１凸部５の間に少なくとも１つの第２凸部７が配置されるように対向配置されている。 （もっと読む）

【課題】簡単に製造することができるとともに、熱応力によるクラックや剥離の発生を抑制することができる半導体装置、及びその半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、セラミック基板１４の一面１４ａに半導体素子１２が熱的に結合されるとともに他面１４ｂに金属板１６を介してヒートシンク１３が熱的に結合されている。ヒートシンク１３と金属板１６の間には、板状をなし一面に金属板１６より面積の小さい第１接合面２０ａを備えるとともに他面に第２接合面２０ｂを備える応力緩和部材２０が介装されている。この応力緩和部材２０は、第１接合面２０ａが金属板１６の周縁１６ｃより内側に配置されて金属板１６に熱的に結合されているとともに第２接合面２０ｂがヒートシンク１３に熱的に結合されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁回路基板を高い位置精度で配置可能であると共に、設計の自由度を向上させたパワーモジュール用ユニットの製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミックス基板３１の一面に金属材料で構成された回路層３２を接合すると共にセラミックス基板３１の他面に回路層３２と同一の金属材料で構成されて内部に冷却水が流通する微細水路２１、２２が形成された多流路管１１、１２を接合するセラミックス基板接合工程と、微細水路２１、２２に冷却水を流通させるヘッダ１３、１４を、多流路管１１、１２の側縁の一部を挟持するように配置した状態で、多流路管１１、１２と接合するヘッダ接合工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンク等の材料となる複合材料に、熱伝導と対流熱伝達と輻射熱伝達の各機能を高いレベルで併せ持たせ、電気絶縁性も担保する。
【解決手段】複合材料を、樹脂と、樹脂中に分散された多数の中空発泡粒子３２とから構成し、樹脂は粒子３２間で連続相３１を形成し、粒子３２内には気体を封入した。この複合材料からヒートシンク等として用いる複合体３０を作製し、その放熱面を凹凸面３３とし、受熱面に金属またはセラミックスの単体層３４を積層した。受熱面の単体層３４は発熱体から受け取った熱をすばやく拡散し、粒子３２は、周りの連続相３１から送り込まれた熱を、封入気体の対流による熱移動、輻射による熱移動、および気体分子による熱伝導により、すばやく蓄熱して周りの連続相３１へ送り出し、凹凸面３３は表面積が大きいためすばやく放熱する。複合体３０は樹脂ベースであるため、電気絶縁性が良好であり、耐熱性、耐食性にも優れる。 （もっと読む）

【課題】厚さ方向の寸法精度を向上させることができる半導体素子のモジュール構造を提供する。
【解決手段】モジュール構造は、互いに対向する上部電極１０４０および下部電極１０３０と、上部電極１０４０および下部電極１０３０間に配置されたインバータ８２０と、上部電極１０４０および下部電極１０３０間に介在して上部電極１０４０および下部電極１０３０間に隙間を形成する櫛歯状の第一セラミックススペーサ１０１０および第二セラミックススペーサ１０２０と、上部電極１０４０および下部電極１０３０間の隙間を充填して櫛歯に入り込む封止樹脂１０５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンク等の材料となる複合材料に、熱伝導と対流熱伝達と輻射熱伝達の各機能を高いレベルで併せ持たせ、伝熱性能を向上させる。
【解決手段】複合材料を、金属と、金属中に分散された多数の中空発泡粒子３２とから構成し、金属は粒子３２間で連続相３１を形成し、粒子３２内は気体が封入されるようにした。この複合材料からヒートシンク等として用いる複合体３０を作製し、その放熱面を凹凸面３３とし、受熱面に金属またはセラミックスの単体層３４を積層した。受熱面の単体層３４は発熱体から受け取った熱をすばやく拡散し、粒子３２は、周りの連続相３１から送り込まれた熱を、封入気体の対流による熱移動、輻射による熱移動、および気体分子による熱伝導により、すばやく蓄熱して周りの連続相３１へ送り出し、凹凸面３３は表面積が大きいためすばやく放熱する。複合体３０内に熱伝導率の高いセラミックス粒子を分散させると、さらに伝熱性能が上がる。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導性を有し、ちょう度が高く塗布性が良好で、さらに高温における熱安定性に優れる高熱伝導性コンパウンドを提供する。
【解決手段】（Ａ）無機粉末充填剤を８５〜９７質量％、（Ｂ）基油を２〜１５質量％、及び（Ｃ）Ｙ−（−Ｒ_２−ＣＯＯ−）_ｎ−Ｒ_１−Ｘ(式中、Ｒ_１、Ｒ_２はそれぞれ炭素数１〜３６の直鎖または分岐鎖を有する２価の炭化水素基であり、ｎは１〜１５であり、Ｘ、Ｙはそれぞれカルボキシル基及びヒドロキシル基からなる群より選ばれる少なくとも1つの置換基又は水素原子であり、Ｘ及びＹのうち少なくとも１つはカルボキシル基またはヒドロキシル基であり、ｎが２〜１５の場合、一般式（１）の（−Ｒ_２−ＣＯＯ−）_ｎの部分はＲ_２が異なる２価の炭化水素基である２種以上の構成単位（−Ｒ_２−ＣＯＯ−）から構成される共重合体基であってもよい。)で表される化合物を０．００１〜１０質量%の割合で含有する高熱伝導性コンパウンド。 （もっと読む）

【課題】発熱体から発生する熱の効率的な放熱および移送を省スペースで可能にした熱伝導膜、熱伝導膜を備える半導体デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】熱伝導膜１は、C（炭素）を含む材料で、熱を膜内及び膜厚方向に伝導する第１の構成材料からなる熱伝導層２と、第１の構成材料のひずみを緩和する第２の構成材料からなるひずみ緩和層３とを積層してなる。第１の構成材料からなる熱伝導層２と熱伝導層２のひずみを緩和する第２の構成材料からなるひずみ緩和層３とを積層することで、第１の構成材料の結晶性が向上し、熱伝導層の膜内熱伝導率が向上する。これにより、非常に薄い膜で、膜内方向に非常に高い熱伝導性を有する熱伝導膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子が搭載されたセラミック基板と放熱板との位置ずれを防止するとともに、セラミック基板と放熱板との熱抵抗を低減させたことにより放熱効果の向上を実現する。
【解決手段】回路パターン１２１，１２２が固着された高熱伝導性のセラミック基板１３の回路パターン１２１，１２２に電気的に接続するとともに、セラミック基板１３にＬＥＤ素子１１を接続する。セラミック基板１３は放熱板１４に形成した凹部１６に接着剤１７を介して嵌合する。これにより、ＬＥＤ素子１３の位置ずれを防止して光学特性の劣化を防止するとともに、セラミック基板１３と放熱板１４の熱抵抗の低減を図り放熱効果の向上を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】温度サイクル試験や落下試験において、ＢＧＡの接続端子部に応力がかかり、接続電極の剥離や、ハンダボールにクラックが入るなどして動作不良になる。
【解決手段】本発明の電子装置は、少なくとも２つの電子部品と、少なくとも２つのヒートシンクと、二つの主面を有し、基体に関して対称となる位置に設けられたＢＧＡ１を搭載すべき電子部品搭載領域および電子部品搭載領域のそれぞれの周辺に設けられたヒートシンクを搭載すべきヒートシンク搭載領域を有する配線基板１１とを備え、ヒートシンク８、９は、電子部品搭載領域それぞれに搭載されたＢＧＡ１、２を覆うようにヒートシンク搭載領域にそれぞれ取り付けられている構成からなる。 （もっと読む）

【課題】ヒートパイプを利用した放熱機能の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チップユニット１０は、半導体チップ１１と、半導体チップを支持する金属配線２３と、金属配線２３を支持する配線支持基板２２と、配線支持基板２２に熱伝導可能に連結されたヒートシンク部材２１と、ヒートシンク部材２１に熱伝導可能に連結され、流路５１内で縦方向に蛇行するように形成されたヒートパイプ４０とを備えている。ヒートパイプ４０は、自然放熱領域からはみ出た領域まで延びており、ヒートシンク部材２１の放熱領域も拡大する。 （もっと読む）

本発明は、第１のワーク１の上面４及び／又は下面５の少なくとも１つの金属化された領域３において、第１のワーク１を選択的に表面処理するための方法であって、第１のワークに、少なくとも１つの別のワーク２を、前記上面及び下面の一方において、少なくとも部分領域で、外部に対してシールするように解離可能に互いに結合させ、１つの処理段階で、前記結合によりカバーされていない領域を選択的に表面処理する形式のものに関する。金属化された領域の改善された冷却及び容易な分配を得るために、少なくとも第１のワーク１を平板状に形成せず、少なくとも一方の側で、全面的に又は部分面的に、同様に又は異なるように金属化された又は金属化されていない領域３又は中空室又はこれらの組み合わせを設け、選択的表面処理の際に、少なくとも１つの別の金属的なコーティング又は別の金属的な被覆を取り付けることが提案される。
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