【課題】 セラミックス回路基板の回路パターン周縁部に発生する凹凸を生じにくいセラミックス回路基板用素材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、セラミックス基板上に形成された導電部を含んだ回路基板を形成するためのセラミックス回路基板用素材であって、前記導電部の所望の回路パターンを形成する際に、印刷マスクを用いて塗布されたエッチングレジスト膜の硬化後の回路パターン中央部の平均厚さを３０μｍ〜６０μｍとするとともに回路パターン周縁部の最大厚さを回路パターン中央部の平均厚さよりも５μｍ以上厚く形成したセラミックス回路基板用素材である。 （もっと読む）

【課題】 被覆ベースプレートを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は基板（１２２）に結合された半導体チップと基板（１２２）に結合されたベースプレートとを含む。ベースプレートは、第２の金属層（１０６）に接合する第１の金属層（１０８）クラッドを含む。第２の金属層（１０６）はピン−フィンまたはフィンの冷却構造（１１２）を設けるように変形される。第２の金属層（１０６）はピンもピン−フィンも有しない副層（１１３）を有する。第１の金属層（１０８）は第１の厚さ（ｄ１０８）を有し、副層（１１３）は第２の厚さ（ｄ１１３）を有する。第１の厚さ（ｄ１０８）と第２の厚さ（ｄ１１３）の比は少なくとも４：１である。 （もっと読む）

【課題】 蓋体部と、側壁部と、底板部とで構成され、内部に電子部品を冷却するための気体や液体等の流体を流すための流路を備えた流路部材において、熱交換効率の高い流路部材を提供する。
【解決手段】 本発明の流路部材１は、蓋体部１ａと、側壁部１ｃと、底板部１ｂとで構成され、内部に流体が流れる流路３を有する流路部材１であって、前記流路３を形成する面の少なくとも一部に流体が流れる方向に沿って延びる凹凸２を有していることにより、流路３と流体との接触面積が大きくなり、流路部材１との熱交換効率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性のベース板に回路基板を接着固定して、回路部品をモールド樹脂で一体化した樹脂封止形電子制御装置の小型化を図る。
【解決手段】ベース２０は、第一の露出部２１ａ及び第二の露出部２１ｂと、中間窓穴２２ａに隣接した隣接平坦部２２ｂを有しており、背高の低発熱部品である第一の回路部品３１は、中間窓穴２２ａに配置されており、背低の高発熱部品である第二の回路部品３２は、隣接平坦部２２ｂに配置されている。背高の第一の回路部品３１の高さ寸法は、ベース板２０の厚さ寸法と重なっているので、全体としての厚さ寸法が抑制されるとともに、高発熱部品と低発熱部品とが分離配置されているので、低発熱部品の実装密度を高めて回路基板３０の面積を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】素子において発生する熱による熱膨張及び熱収縮を抑えることのできるメタルベース及びその製造方法、並びにこれを用いた素子パッケージを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの素子１０が実装されるメタルベース１１０であって、素子１０が実装される実装部が一方の面に形成される第１のベース部材１１１と、第１のベース部材１１１よりも小さい熱膨張係数を有し、第１のベース部材１１１の他方の面に貼着されて第１のベース部材１１１の熱収縮及び熱膨張を拘束する第２のベース部材１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板を用いたＢＧＡ実装構造を有する気密半導体パッケージであって、半導体素子の放熱特性を向上させた半導体パッケージを得ること。
【解決手段】実施の形態の半導体パッケージ１００は、半導体素子５を直接上に搭載するヒートスプレッダ４と、前記ヒートスプレッダ４の周囲側面と接触して前記半導体素子５の気密性を保持する多層セラミック基板１と、前記ヒートスプレッダ４を下から支え、前記多層セラミック基板１の周囲側面と接触し前記多層セラミック基板１とほぼ同等の線膨張係数を持つ金属ブロック１５と、前記多層セラミック基板１および前記金属ブロック１５の下面に接合された複数のはんだボール９とを備える。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れた安価な放熱板及びそれを用いる高放熱型半導体素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】放熱板１０は、Ｃｒ−Ｃｕ複合部材からなる平板状の第１の金属板１１と、この両主面に接合されるＣｕ板からなる平板状の第２の金属板１２、１２ａを有する。また、放熱板１０の上面に窓枠形状からなるセラミック枠体２２をろう付け接合して設け、放熱板１０の上面とセラミック枠体２２の内周側壁面で形成されるキャビティ部２３の放熱板１０の上面に直接保持して収納される半導体素子２１からの発熱を放熱板１０を介して放熱する高放熱型半導体素子収納用パッケージ２０であって、放熱板１０がＣｒ−Ｃｕ複合部材からなる平板状の第１の金属板１１の両主面にＣｕ板からなる平板状の第２の金属板１２、１２ａを接合して設けられている。 （もっと読む）

【課題】
Ｃｕ−高融点金属の複合材料のヒートシンク用材料としての熱特性と機械的性質を原料粉末の複雑な前処理を必要とせず比較的簡単な方法で改善する。
【解決手段】
粉砕した原料粉末を冷間ＣＩＰプレスし、グリーン圧縮体を高純度Ａｒガス中で液相焼結し、得られた焼結複合体をＨＩＰ処理して得た、Ｃｕが１０〜４０質量％と高融点、低熱膨張性の硬質金属が９０〜６０質量％で、Ｃｕの一部を焼結体全量に対し、０．１質量％以下のＮｉと置換してなり、高融点金属はその粒子間はＣｕの液相ネットによって連結された、高融点金属粒子の外面にはＮｉとの金属間化合物層が形成されているヒートシンク用複合焼結体。 （もっと読む）

【課題】電子部品からの発熱を効率的に放熱させることができる安価な電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】上面に光通信用の電子部品を搭載する長方形板状の基体１１と、その上面に対して垂直に立設させ電子部品を収納するためのキャビティ部１２を設ける枠体１３を有する電子部品収納用パッケージ１０において、基体１１がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金金属板の枠体１３を配設させる側となる一方の主面に第１のＣｕ板１５と、他方の主面に第１のＣｕ板１５の厚みより薄い第２のＣｕ板１５ａを貼り合わせるクラッド材からなり、枠体１３がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、又はＦｅ−Ｎｉ系合金からなる長方形筒状の金属製側壁体１６と、その上方の一部を削除した切り欠き部１７に設けるセラミックフィードスルー基板からなるセラミック製側壁体１８の接合体からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ヒートサイクル試験の温度変化条件がより厳しい条件に移行しても、ヒートサイクルの信頼性寿命を維持可能な絶縁基板を用いた電力半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる絶縁基板は、セラミック基材２０２と、セラミック基材２０２の裏面に形成された裏面パターン２０３ａと、裏面パターン２０３ａと、接合部材としてのはんだ５を介して接合されたヒートシンク３とを備え、裏面パターン２０３ａは、はんだ５と接する面において、ディンプル２０４を有する。 （もっと読む）

【課題】放熱が良好で実装時の反りが小さい高周波半導体用パッケージおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】コンパウンド材からなる中間層と、中間層上に配置され、Ｃｕからなる熱伝導層とを有する導体ベースプレートを備える高周波半導体用パッケージおよびその作製方法。 （もっと読む）

【課題】良好な熱伝導性を有するとともに、熱膨張係数を電子部品等の熱膨張係数に近付けた放熱部材を用いた電子部品収納用パッケージを提供。
【解決手段】電子部品収納用パッケージおよび電子装置には、熱伝導率のよい第１金属層１１と、第１金属層１１より低熱膨張係数を有し厚さの薄い第２金属層１０とが交互に５層以上積層され、最下層および最上層には第１金属層１１ｃ，１１ｂが配されているとともに、内層に配される第１金属層１１ａの少なくとも１層の厚さが最下層および最上層に配される第１金属層１１ｃ，１１ｂの厚さよりも厚い放熱部材１が用いられている。また、第１金属層１１ａを挟んで上下に配された第２金属層１０の圧延方向が互いに直交するように配されている。 （もっと読む）

【課題】合せ材を用いなく、用いても層の中心部の基材にのみ用いることにして鋭意研究を重ねてきたもので、各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供する。
【解決手段】層厚の中心部となる基母材の両面に１以上の金属層をめっきにより上下対称の配置となるように形成することを特徴とする。
【効果】基母材以外では合せ金属材を用いなく、これを中心にめっきにより各金属層が不離一体に形成されるために、層間において剥離が生じなく、上下均等且つ対称を正確に形成した構造となることとも相まって、安定した放熱性および機械的強度を保持する信頼性の高い半導体搭載用放熱基板の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導部材が半導体素子から剥離することを抑制可能な放熱用部品及びそれを備えた半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】本放熱用部品は、基板上に実装された半導体素子上に、熱伝導部材を介して配置される放熱用部品であって、前記半導体素子に近い側に配置される第１層と、前記第１層上に積層され前記半導体素子から遠い側に配置される第２層と、を有し、前記第２層の熱膨張係数が、前記第１層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単に放熱体を形成することができ、放熱効率を高めることができるプリント基板を提供する。
【解決手段】電子部品１２を実装すべき基板ユニット４であって、板状の絶縁基材９と、該絶縁基材９の少なくとも一方の面上に形成され、前記電子部品１２とリード線１５を介して直接又は間接に接続された導体パターン１０とを有する基板ユニット４と、前記絶縁基材９の他方の面に重ね合わされた金属製の放熱板２と、前記電子部品１２と前記放熱板２とを熱的に接続する伝熱経路とを備え、前記伝熱経路は、該放熱板２と密着して固定され、前記電子部品１２と接着された金属製のピン３である。 （もっと読む）

【課題】水平方向の熱膨張を抑制することができるとともに、垂直方向の熱伝導を良好なものとすることができる金属積層構造体および金属積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンを含む第１の金属層は銅を含む第２の金属層の第１の表面上に設置され、タングステンを含む第３の金属層は第２の金属層の第１の表面とは反対側の第２の表面上に設置されており、第１の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第１の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶であり、第３の金属層に含まれるタングステンの結晶粒が第２の金属層の第２の表面に対して垂直方向に伸長する柱状結晶である金属積層構造体と金属積層構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】作動時に大量の熱を発する電子部品を収容しても熱伝導性に優れ、かつ電子部品の熱膨張係数と適合させることができる電子部品収納用パッケージおよび電子装置を提供する。
【解決手段】電子部品収納用パッケージおよび電子装置には、熱伝導率のよい第１金属層１１と、第１金属層１１より低熱膨張係数を有し厚さの薄い第２金属層１０とが交互に５層以上積層され、最下層および最上層には第１金属層１１ｃ，１１ｂが配されているとともに、内層に配される第１金属層１１ａの少なくとも１層の厚さが最下層および最上層に配される第１金属層１１ｃ，１１ｂの厚さよりも厚い放熱部材１が用いられている。また、放熱部材の外周部は、下方または上方に向かってだれるように変形している。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張性で、熱伝導性とくに厚み方向の熱伝導性に優れ、しかも全体の厚みも薄くて済む電子機器用放熱板を提供する。
【解決手段】Cuマトリックスと30質量％超え80質量％以下のCrを含有するCr−Cu合金板とCu板とを接合したのち、圧延を施して、Cr−Cu合金層とCu層との積層体とする。 （もっと読む）

【課題】電子装置における熱伝導特性を向上させること。
【解決手段】熱伝導部品１は、複合部材１１と、複数のビア１２と、金属層１３とを含んでいる。複合部材１１は、タングステンまたはモリブデンからなる多孔質体と、多孔質体に含浸されているとともにタングステンまたはモリブデンより熱伝導性の高い金属材料からなる含浸材とを含んでいる。複合部材１１は、上下方向に設けられた複数の貫通孔を有している。複数のビア１２は、複合部材１１の複数の貫通孔に設けられており、上記金属材料からなる。金属層１２は、上記金属材料からなり、複合部材１１の上面または下面に設けられているとともに、メッキによって複数のビア１２と一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導部品とセラミック基体との熱膨張率差による電子装置全体の変形を低減させること。
【解決手段】素子搭載用部品１は、複合部材１１および金属部材１２を含んでいる。複合部材１１は、タングステンまたはモリブデンからなる多孔質体と、多孔質体に含浸された含浸材とを含んでいる。含浸材は、タングステンまたはモリブデンより熱伝導性の高い金属材料からなる。金属部材１２は、複合部材１１に接合されているとともに、複合部材１１よりセラミックスに近い熱膨張係数を有している。 （もっと読む）