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Fターム[5F136GA40]の内容

半導体又は固体装置の冷却等 (35,223) | 放熱部材の製造方法 (2,487) | その他の製造方法 (256)

Fターム[5F136GA40]に分類される特許

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【課題】製造コストが安くできる沸騰冷却装置及びその装置の製造方法を実現する。
【解決手段】内部にウィック15が設置されるとともに、液相の冷媒が貯留され、外表面に発熱体30が取り付けられる冷媒槽本体10と、発熱体30の熱によって沸騰した冷媒を冷却して凝縮させた後に冷媒槽本体10に戻す放熱部20とを備える沸騰冷却装置において、ウィック15は、外表面に発熱体30が固定される冷媒槽本体10のベースプレート12の内面に配設され、かつ多孔質樹脂部材に金属メッキで形成された金属多孔質体よりなる。これにより、製造コストが安くできる。 (もっと読む)


【課題】回路層の表面に半導体チップをはんだ付けにより強固に接合できるとともに、金属層の表面にヒートシンクをろう付けにて強固に接合することができるパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス板11の一方の面11Aに回路層12が接合され、他方の面11Bに金属層13が接合されており、回路層12の表面に半導体チップ15がはんだ接合されるとともに金属層13の表面にヒートシンク17がろう付けされるパワーモジュール用基板10であって、回路層12の表面粗さが、金属層13の表面粗さよりも小さくなるように構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】熱源に均一度の高い面内温度分布をもたせることを可能とし、それと同時に、短時間に、且つ低コストで作製することを可能とした熱交換器とその製造方法を提供する。
【解決手段】熱交換器10は、上下方向に区画形成された少なくとも2つの流体チャネル領域12a,12bを有している。熱源30に間欠的に又は直接的に接触された流体チャネル領域12aには、流体の流通方向に区画形成された少なくとも2つの熱交換領域13a,13bが設けられている。流体チャネル領域12a,12bの入口25a,26aから流れる流体を1つの熱交換領域13a,13bを介して他の流体チャネル領域12b,12aの出口26b,25bへ流すように構成された流路20a,20bを有している。 (もっと読む)


【課題】可撓性を維持しつつ、放熱フィンにより放熱性を向上させた電子装置および当該電子装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る電子装置は、可撓性を有する薄膜装置1と、薄膜装置1に設けられ、互いに分離した複数の放熱フィン3と、を有する。各放熱フィン3は、テーパー状に成形されている。放熱フィン3と薄膜装置1との間には、熱伝導性の接着層2が介在している。接着層2は、基板上において複数に分割されている。または、接着層2は、シート状に成形され、複数の放熱フィンと薄膜装置1との間に介在している。 (もっと読む)


【課題】平面方向だけでなく厚さ方向の熱伝導性が優れた放熱構造を提供する。
【解決手段】放熱構造を、被放熱体(CPU)4に接触するように配置されたグラファイトシート3と、グラファイトシート3に食い込んだ錐形の突起群(突起)2dを有するヒートシンク部材2(ヒートシンク)とを備える構成とした。 (もっと読む)


【課題】従来の、PDP(プラズマディスプレイパネル)等の電源ユニットに使われるコイルは、そのインダクタンス値(L成分)が最大±20%ばらついてしまい、更にプラズマパネルの容量負荷(C成分)もばらついてしまうため、プラズマテレビの電力損の最小化に影響を与えるという課題を有していた。
【解決手段】一つ以上の孔15を有する金属板11の上に、一部がコイル13であるリードフレーム12を埋め込んだシート状の伝熱樹脂部10を固定し、前記コイル13の略中央部に形成した孔15にフェライトコア14を挿入し、フェライトコア14を回転させインダクタンス値(L成分)を調整することで、プラズマテレビの電力損を抑える。 (もっと読む)


【課題】超音波溶接を応用した熱伝導性、密閉性のよい平板式ヒートパイプの製造方法。
【解決手段】平板式ヒートパイプの製造方法において、熱伝導性の良い銅などからなる毛細構造体12を折り曲げてそれより粗い網目構造からなる熱伝導性のよい材質の支持体13を挟んで超音波接合により接合して一体化し、更にこれらを熱伝導性のよい金属からなる上下平板に超音波接合すると共に、上下平板を接合しても毛細構造体を密封して一体化する。 (もっと読む)


アンダーフィルド熱排出部(群)(46,46’, 78,78’)付き半導体デバイス(40,61−13,61−15,61−18,61−19)用の構造(40,61−13,61−15,61−18,61−19)及び方法(60−5...60−19,100,200)が提供される。デバイス(40,61−13,61−15,61−18,61−19)は、上側表面(37)及び下側表面(63,73)を有する基板(48,72)を備える。半導体(38,72)は、素子領域(26)を含む上側表面(37)に近接して位置する。素子領域(26)の下方に設けられる一つ以上の空洞(67,77)は、下側表面(63,73)から延びるように基板(48,72)内にエッチングにより形成される。高熱伝導率材料(68)は基板(48,72)において一つ以上の空洞(67)を充填し、そして素子領域(26)の下方の下側表面(63,73)の位置に、または下側表面(63,73)を超えた位置に露出表面(69,69’, 79,79’)を有する。これによりアンダーフィルド熱排出部(群)(46,46’, 78,78’)が形成される。複合基板(48)が好ましく、複合基板は、素子領域(26)を含む上側表面(37)にまで延びる第1半導体領域(38)と、下側表面(63)にまで延びる第2半導体領域(42)と、そして第1半導体領域と第2半導体領域との間の絶縁層(36)と、を有し、一つ以上の空洞(67)が下側表面(63)から絶縁層(36)にまで延び、そしてエッチング深さ(671)は自動的に決まる。
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【課題】
窒化アルミニウム粉を含有する熱伝導性樹脂組成物において、窒化アルミニウムの有する高い熱伝導率を活用し、高い熱伝導率を有する樹脂組成物、および、それを用いたシート等の高熱伝導性部材を提供する。
【解決手段】

重量基準で測定した粒径分布の最頻値が粒径の最大値であり、かつ形態が球状である窒化アルミニウム粉(A)、および合成樹脂(B)を含む樹脂組成物を含み、そのその厚みが、窒化アルミニウム粉(A)の粒径の最大値と実質的に等しいことを特徴とするシート。 (もっと読む)


【課題】セラミック基板に破壊を発生させることなく、必要な部位の銅板厚さを厚くして半導体素子からの発熱を速やかに放熱することができるパワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック基板11の一方の主面に半導体素子を搭載するためのマウント用銅板13を有する回路銅板12と、他方の主面に半導体素子からの発熱を放熱するためのベタ銅板14が接合されて有するパワーモジュール用基板10において、マウント用銅板13上にこれより外形の大きさが小さい第1の追加重ね銅板15、ベタ銅板14上にこれより外形の大きさが小さい第2の追加重ね銅板16が接合され、しかも、第1の追加重ね銅板15の外周囲とマウント用銅板13との間、及び第2の追加重ね銅板16の外周囲とベタ銅板14との間のそれぞれに階段17、17aを有する。 (もっと読む)


【課題】従来と比較して製造コストが低い窒化アルミニウム含有物の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ホウ素の粉末又は粒子20の上にアルミニウム片21を配置する工程と、窒化ホウ素20及びアルミニウム片21を5気圧以上30気圧以下の窒素雰囲気下で900℃以上1300℃以下に加熱して前記アルミニウム片を溶融することにより、窒化アルミニウムを含有する窒化アルミニウム含有物を生成する第1熱処理工程と、前記窒化アルミニウム含有物を冷却する工程と、前記窒化アルミニウム含有物を、5気圧以上30気圧以下の窒素雰囲気下で900℃以上1300℃以下に再加熱することにより、前記窒化アルミニウム含有物の窒化アルミニウム含有率を高くする工程とを具備する。 (もっと読む)


【課題】
電気的な絶縁性能、および、熱伝導性能が良好であることに加え、機械的にも強固な構造の電気絶縁部を形成して大電力に適用可能とした半導体装置を提供する。また、これら機能を実現するような半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
金属ブロック13の下面にエアロゾルデポジション法またはプラズマ溶射法により、複数のセラミクス微粒子を衝突させることにより接合されて形成されたセラミクス層を形成するる。 (もっと読む)


【課題】 高分子や有機系のシートやグリースを用いることなく、且つ熱抵抗となる隙間も生じさせることなく、被接触体に密着して取り付けることができ、熱の移動効率が高い新たな熱伝達子を備えた部材を提供する。
【解決手段】 熱伝達子として柱状体2の集合体を有する熱伝達子集合体部材であって、その柱状体2の全体/あるいは一部が保持体1に対して斜めに傾斜して被接触体と接し、柱状体2が被接触体との接触面の形状に沿って弾性変形及び/又は塑性変形することにより被接触体のうねりや粗さに沿って直接接触する。この柱状体2の集合体を介して、被接触体から伝わった熱を直ちに放熱させ、又は被接触体へ熱を直ちに与えるなど、熱を効率的に移動させることができる。 (もっと読む)


【課題】熱応力が低減された半導体装置及びその製造方法、並びに半導体装置用部材を提供する。
【解決手段】第1の主面に第1の電極46を有するサブマウント基板40と、前記第1の電極上に設けられ、3層以上のSn層31、33、35とAg層32とCu層34とを含む第1の金属積層体30と、を備え、前記Ag層はSn層に挟まれ、前記Cu層はSn層に挟まれたことを特徴とする半導体装置用部材100。 (もっと読む)


【課題】アルミニウムと窒化アルミニウムの複合物を半導体チップの放熱基板として利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム、アルミニウム、及び不可避的不純物によって構成された複合基板100と、複合基板100に接合され、シリコン基板を有する半導体チップ120とを具備し、複合基板100とシリコン基板120は、アルミニウムとシリコンそれぞれと共晶する共晶層110を介して互いに接合されている。なお、半導体チップ120の基板が化合物半導体基板である場合、複合基板100と半導体チップ120は、複合基板100上に形成された金属層と、前記金属層上に形成され、該金属層及び化合物半導体基板それぞれと共晶する共晶層とを介して互いに接合される。 (もっと読む)


【課題】アルミニウムと窒化アルミニウムの複合物を半導体チップの放熱基板として利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム、アルミニウム、及び不可避的不純物によって構成された複合基板100と、複合基板100に接合され、シリコン基板を有する半導体チップ120とを具備し、複合基板100とシリコン基板120は、アルミニウムとシリコンそれぞれと共晶する共晶層110を介して互いに接合されている。なお、半導体チップ120の基板が化合物半導体基板である場合、複合基板100と半導体チップ120は、複合基板100上に形成された金属層と、前記金属層上に形成され、該金属層及び化合物半導体基板それぞれと共晶する共晶層とを介して互いに接合される。 (もっと読む)


本発明は、流体を極めて急速に冷却又は加熱する熱交換器として使用され得るマイクロチューブを備える微小装置に関する。熱分解ポリマTDPと組み合わせてダマシン金属レベルを使用することは、単層の金属バリア材料のみにより分離されるマイクロチューブのコンパクトなシステムを製造することを可能にする。2つの別個のマイクロチューブの間の短い距離(すなわちバリアの厚み)により、マイクロチューブにおいて循環する2つの流体の非常に効率的な熱交換が可能にされる。
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【課題】ブロック本体とパイプ部のみの簡素な構成で量産性、汎用性に優れると共に、各種電子部品等の発熱体から発せられる熱を確実に受熱することができる熱伝達性に優れた受熱ジャケットとその製造方法及びそれを備えた冷却装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ブロック本体3と、ブロック本体3に貫穿された1乃至複数の直線状の貫通孔4と、貫通孔4に圧入又は拡径されて貫設されたパイプ部6と、を備え、パイプ部6の少なくとも貫通孔4に貫設された貫設部6aの長手方向と直交する断面形状が、長手方向のいずれの位置においても一様である構成を備えている。 (もっと読む)


【課題】 熱伝導性、耐熱性に優れるとともに、熱源に取り付ける際の作業性が良く破損し難い熱接合部材を提供すること。
【解決手段】 熱接合部材10を、アルミニウムホイル10aにしわ11を形成して構成した。そして、熱接合部材10を、光源25a側の吸熱部材22と、熱電モジュール23との間に設置して、光源25aの放熱を熱電モジュール23に伝導するために使用した。また、アルミニウムホイル10aへのしわ11の形成は、アルミニウムホイル10aの両面をプラスチックフィルム12a,12bで挟んだ状態で芯棒13に巻き付けたのちに芯棒13を抜き取って円筒体14にし、その円筒体14を一対のしわ形成部材15,16の間に設置し、しわ形成部材16をしわ形成部材15に対して移動させて円筒体14を転動させ、しわを形成する。 (もっと読む)


【課題】熱伝導率が高く、冷却効率に優れたヒートシンク、電子デバイス及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ヒートシンク20は、絶縁性を有する絶縁性ダイヤモンド基板で形成されたベース21部と、絶縁性ダイヤモンド基板で形成されベース部21上に配設された第1の圧接体221及び第2の圧接体222とを備える。電子デバイス1は、デバイス本体10の表面上にヒートシンク20を備え、発熱部12に第1の圧接体221を、非発熱部13に第2の圧接体222を圧接する。 (もっと読む)


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