【課題】本発明は、表面粗度が低い上記複合材料を基板として用いた場合にも、熱抵抗が小さい放熱構造を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る放熱構造は、少なくとも炭素及びアルミニウムを含む複合材料からなる基板と、該基板表面にウィスカーを主成分とする層が形成されていることを特徴とする。ウィスカーは炭化アルミニウムウィスカー又はアルミナウィスカーであり、基板表面から直接、外側に伸びるように成長していることが好ましい。基板は、Ａl-ＳiＣ、Ａl-炭素、又はＡl-ダイヤモンド系複合材料であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱や電気伝導の目的で使用されるシート状構造体に関し、熱伝導度及び電気伝導度が極めて高いシート状構造体及びその製造方法、並びにこのようなシート状構造体を用いた高性能の電子機器を提供する。
【解決手段】複数の炭素元素の線状構造体１２と、線状構造体１２間の間隙に充填され、複数の線状構造体１２を保持する充填層１６と、複数の線状構造体１２の少なくとも一方の端部に形成され、０．１Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱性能に優れた放熱構造をより安価に提供すべく、ＳiＣ基板以外
の金属基板上に、相手材に対して垂直に接触するカーボンナノチューブ層を形成して、放熱性能に優れた放熱構造の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る放熱構造の製造方法は、基板表面にカーボンナノチューブを主成分とするカーボンナノチューブ堆積層を形成する第一の工程と、少なくとも相手材に接触させる基板表面近傍のカーボンナノチューブの先端をカーボンナノチューブ堆積層から突出させ、かつ、カーボンナノチューブの長さ方向が基板面に垂直な方向に向くように配向させる第二の工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性充填剤の高充填が可能で、作業性に優れた熱伝導性グリース組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）２３℃における粘度が１０〜１０，０００ｍＰａ・ｓであり、−ＣＯＯＲ^１で表される基（Ｒ^１は、水素原子、または置換もしくは非置換の一価炭化水素基である。）、またはケイ素原子に結合したアルコキシ基、アルケノキシ基もしくはアシロキシ基のいずれかの官能基を分子鎖末端に有し、かつ主鎖に末端官能基数よりも多い個数のアルキレン基を有してなるオイル、および（Ｂ）熱伝導性充填剤を含有する。 （もっと読む）

マイクロ構造（１００）を作製するための方法が提案される。この方法は、主面を有するシリコン基板（１０２）を設けるステップで始まる。次に、主面からシリコン基板の中へ延びる多孔質シリコン層（１０３）が形成される。この方法は、多孔質シリコン層を選択的にエッチングすることによって継続し、多孔質シリコンの突出マイクロ素子（１１２）のセットを得る。各突出マイクロ素子は、シリコン基板（１０６）の残りの部分から突き出し、それによって、対応する外面を露出させる。次に、突出マイクロ素子を処理して、対応する導電性（１１５）または絶縁性（１１５’）マイクロ素子のセットを得る。各導電性または絶縁性マイクロ素子は、（対応する突出素子の中へ外面から延びる）多孔質シリコンの少なくとも主要部分を多孔質金属またはセラミックスにそれぞれ変換することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】電子部品に緊密に接触することができる放熱装置を提供する。
【解決手段】ベース２０及び前記ベース２０に設けられる複数の放熱フィン４２を含み、且つ電子部品から生じる熱を放熱する放熱装置において、前記ベース２０の前記電子部品と接触する表面は、ミリング加工によって滑らかな表面になることを特徴とする放熱装置を提供する。前記ベース２０は、前記電子部品に向かって突出する凸部を備え、前記凸部の表面が前記電子部品と接触することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作電圧を高くしても、高い出力を得ることを可能にする。
【解決手段】基板２上に形成された半導体膜３と、半導体膜のトランジスタ能動部形成領域となる第１領域上に離間して形成されたソース電極１０およびドレイン電極１２と、ソース電極とドレイン電極との間の第１領域上に形成されたゲート電極１４と、を有する電界効果トランジスタと、半導体膜、ソース電極、ゲート電極、およびドレイン電極を覆うように形成された絶縁膜８、１６と、ソース電極に接続し、ゲート電極を覆うようにゲート電極の上方にまで延在するように絶縁膜上に形成された放熱プレート１８と、放熱プレート上に形成された放熱部２２、２４と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】絶縁板と、ＳｉＣ−Ａｌ複合材と、フィンとを拡散接合にて一体に成形することにより、低熱膨張率と高熱導率をバランスよく機能させてなると共に、ＳｉＣ粉の表面をＡｌ粉でコーティングすることによりＳｉＣとＡｌの密着度を高めることができ、切欠部により歪の発生を抑え、フィンの通孔等により、より放熱効果（冷却効果）を向上させてなる半導体放熱用基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ、ＡｌＮ等による絶縁基板２と、ＳｉＣ−Ａｌ複合材からなる複合材４と、Ａｌ板によるフィン３とを拡散接合にて一体に成形してなる半導体放熱用基板であって、ＳｉＣ−Ａｌ複合材のＳｉＣを５０ｖｏｌ％以上８０ｖｏｌ％以下とすることを特徴とする半導体放熱用基板。 （もっと読む）

【課題】絶縁フィルム上の配線の変形もしくは断線を防止する半導体装置およびこの半導体素子を使用した表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁フィルム１の一方の面に設けられた配線上には半導体素子４が搭載されている。この絶縁フィルム１の他方の面の半導体素子４およびその周辺に相当する位置には熱伝導率の大きい板状の放熱部材７が設けられており、この放熱材７には熱膨張による応力を緩和するためのスリット８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】高い空孔率を有するヒートシンクなどの多孔質成形体を得る。
【解決手段】表面と内部に空孔１２を有し、表面積が大きいヒートシンク１１であって、複数本の銅線３１…が、焼結による結節部３２…で立体的に結合されて金属線３１…間に上記の空孔１２が形成されたヒートシンク１１である。表面積が広いことによる放熱と、内部を空気が流通して熱が奪われることによる放熱が良好で、きわめて良好な放熱性能を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】面内方向に極めて熱伝導率が高く、面内方向への熱拡散性、熱輸送性に優れた熱拡散性シートを簡易かつ高生産性のプロセスで実現する。
【解決手段】マトリクス材料（ａ）１００体積部および、メソフェーズピッチを原料とし、平均繊維径５〜２０μｍ、平均繊維径に対する繊維径分散の百分率（ＣＶ値）が５〜２０％、平均アスペクト比が２〜１００００であって、走査型電子顕微鏡での観察表面が実質的に平滑であり、かつ透過型電子顕微鏡での端面観察においてグラフェンシートが閉じている黒鉛化炭素短繊維フィラー（ｂ）１０〜３００体積部とからなり、層の面内の少なくとも一つの方向における面内方向熱伝導率が２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、面内方向熱伝導率と層厚との積が１０００Ｗ・μｍ／（ｍ・Ｋ）以上となる層厚を有する熱拡散層を、少なくとも構成要素の一つとして含む事を特徴とする熱拡散性シート。 （もっと読む）

【課題】 絶縁板と、Ｓｉ−Ａｌ複合材と、フィンとを拡散接合にて一体に成形することにより、低熱膨張率と高熱導率をバランスよく機能させてなると共に、Ｓｉ粉の表面をＡｌ粉でコーティングすることによりＳｉとＡｌの密着度を高めることができ、切欠部により歪の発生を抑え、フィンの通孔等により、より放熱効果（冷却効果）を向上させてなる半導体放熱用基板を提供する。
【解決手段】 ＳｉＣ、ＡｌＮ等による絶縁基板と、Ｓｉ−Ａｌ複合材からなる複合材と、Ａｌ板によるフィンとを拡散接合にて一体に成形してなる半導体放熱用基板であって、Ｓｉ−Ａｌ複合材のＳｉを５０ｖｏｌ％以上８０ｖｏｌ％以下とすることを特徴とする半導体放熱用基板。 （もっと読む）

【課題】金属基材から輻射体への熱抵抗を小さくし、輻射による放熱量を大幅に増加させた炭素被覆材の製造方法及び炭素被覆材を提供する。
【解決手段】炭素材料を噴き付けるエアロゾルデポジッション法により、エアロゾルデポジッション装置１のチャンバー２内に保持された金属製の基材５上に、エアロゾル供給装置７の生成容器７ａ内で生成した炭素材料の粉体と搬送流体から構成されるエアロゾロを噴きつけて、炭素被覆層を形成する。 （もっと読む）

本開示は、ヒートシンクを形成するために、ＴＰＧ要素が埋め込まれたアルミニウムおよび／または銅材料のブロックを作り出すことに関する。この金属ブロックは、向上した熱伝導性をＸ−Ｙ平面に有する。さらに、ＴＰＧ埋込みヒートシンクは、多くの様々な施設で様々な機械および機器を使用して実施できる方法を用いて作り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】発熱密度の高い半導体レーザ素子を強制的に冷却するための冷却装置、かかる冷却装置を備えた半導体レーザ光源装置と半導体レーザ光源ユニット、および固体レーザ装置を得る。
【解決手段】被冷却体を所定の端部に沿って接合させた金属からなる第１の板状部材と、冷却液を導入する入口開口部および前記入口開口部に接続され前記端部に対応する領域の一端に達するよう設けられた冷却液導入溝と冷却液を排出する出口開口部および前記出口開口部に接続され前記端部に対応する領域の他端に達するよう設けられた冷却液排出溝がそれぞれ形成された金属からなる第２の板状部材と、
前記端部に対応する領域に沿って形成され、かつ前記冷却液導入溝および前記冷却液排出溝に連通して前記被冷却体の長手方向に冷却液を流す少なくとも１以上の冷却用溝が設けられた金属からなる第３の板状部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】 耐薬品性及び絶縁特性に優れた絶縁膜を形成することによって、低コストで高い信頼性を有する電気回路用のメタルベース放熱基板を提供する。
【解決手段】 陽極酸化処理を用いて絶縁膜を形成したアルミニウム基板の表面に、気相成長法により金属シード層を形成した後、電気めっき法により金属皮膜を形成する電気回路用放熱基板の製造方法において、陽極酸化処理したアルミニウム基板を、樹脂量を１〜１０重量％に調整したポリイミドワニス溶液に５分以上浸漬することにより、絶縁膜のポア内にポリイミド樹脂を充填する。 （もっと読む）

【課題】冷却効率を向上させると共に、実装された半導体装置を小型化することが可能な半導体素子を提供すること。
【解決手段】素子内部に冷却媒体流路（２６）を有する半導体素子（１０）であって、前記冷却媒体流路を拡大又は収縮可能な高熱膨張材料層（２４）を備えることを特徴とする、半導体素子。高熱膨張材料層は、半導体素子を構成する半導体に比して熱膨張係数が高い材料、例えば銅やアルミニウムにより構成されると好適である。 （もっと読む）

【課題】被着体に対して、薄い接合膜を介して、高い寸法精度で強固にかつ低温下で効率よく接合することができ、これにより被着体が持つ熱を効率よく放熱させ得る接合膜付き放熱体、被着体が持つ熱が効率よく放熱されるように、被着体と放熱体とを接合する被着体と放熱体との接合方法、および、接合膜付き放熱体を備える信頼性の高い表示装置を提供すること。
【解決手段】接合膜付き放熱体１は、放熱体２と、この放熱体２上に設けられた接合膜３とを有しており、反射板４（被着体）に対して接合可能なものである。このような接合膜３は、シロキサン結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含む膜である。また、この接合膜３は、エネルギーを付与することにより、少なくとも表面付近に存在する脱離基がＳｉ骨格から脱離し、これにより接合膜３の表面に、反射板４との接着性が発現し得るものである。 （もっと読む）

【課題】冷媒が循環する流路を有し、かつ、複数の発熱体の各々に対応して設けられる受熱部どうしの間での熱の移動が抑制される冷却装置を提供する。
【解決手段】冷却装置１０は、冷媒３００が循環する流路１１０を内部に有しプレート状に形成された基体１００と、流路１１０に沿って冷媒３００を流すポンプ（流動機構）２００とを備える。基体１００は、第１の受熱部１０１と第２の受熱部１０２と放熱部１０４とが設けられている。第１の受熱部１０１は、第１の発熱体７１に熱的に接続されて第１の受熱区間１１１を有し、第２の受熱部１０２は、第２の発熱体７２に熱的に接続されて第２の受熱区間１１２を有する。放熱部１０４は、第１の放熱区間１１４と第２の放熱区間１１４を有する。第１の放熱区間は、第１の受熱区間１１１から第２の受熱区間１１２の間に位置し、第２の放熱区間は、第２の受熱区間１１２の下流に位置する。 （もっと読む）

【課題】各種電子機器内のＩＣチップ周辺などを局所的に冷却する冷却性能の優れた電子機器用冷却装置を提供する。
【解決手段】ＩＣチップなどの発熱源５０に直接又は間接的に接触させると共に、そのベース部２１に多数の冷却フィン２２を適宜間隔で平行に立設させてなるヒートシンク２０を用いた電子機器用冷却装置１０において、ヒートシンク２０の多数の冷却フィン２２の一方側に、多数の冷却フィン２２、２２間の間に冷風を送る冷却送風装置３０を設置させると共に、ヒートシンク２０の反対側の多数の冷却フィン２２側から、多数の冷却フィン２２、２２間の間に、板状圧電素子への交流電圧の印加により平板状の弾性金属板４３が振動する圧電ファン装置４０を挿入させた電子機器用冷却装置１０にあり、これらの配置構造により、各部品の冷却性能の相乗効果により、大きな冷却性能を得ることができる。 （もっと読む）