【課題】製造コストの増大を抑制でき、かつ、微細配線に対応可能な配線基板及びその製造方法並びに前記配線基板を有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本配線基板は、積層された複数のセラミック層及び内部配線を備え、前記内部配線と電気的に接続された電極が一方の面から露出しているセラミック基板と、主面に形成された配線パターンと、一端が前記配線パターンと電気的に接続され、他端が前記主面の反対面である裏面から露出しているビアフィルと、を含む配線層を備えたシリコン基板と、を有し、前記シリコン基板の前記ビアフィルは、金属層を介して、前記セラミック基板の前記電極と接合されている。 （もっと読む）

改善した熱管理を有する電気パッケージが提供される。電気パッケージは、露出された背面を有するダイを含む。パッケージは、パッケージから熱を分散するために背面から外側に延長する複数のフィンをさらに含む。ダイは、マルチダイ積層構造で配置され得る。他の実施形態において、電気パッケージの改善した熱管理のためのダイを形成する方法が提供される。
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【課題】絶縁性と放熱性を高めた絶縁層を備える配線基板を低コストで実現する。
【解決手段】配線基板１００を、基材となるベース金属部材１と、酸化アルミニウムを含むセラミックス微粒子を原料粉末としてベース金属部材の面に溶射して形成された絶縁層２とによって作製する。絶縁層のＸ線回折法の回折強度から求まる結晶変換指数が所定の値以上、好ましくは、０．６以上とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁性と放熱性を高めた半導体モジュールのパッケージを低コストで実現する。
【解決手段】酸化アルミニウムの粉末を溶射して、金属基材１の第１面１Ａに絶縁層７を形成する。この絶縁層７は熱処理によって熱伝導率が高められているか、六方晶系の結晶構造を有する。金属基材の第２面１Ｂには、直接的または間接的に接するように、半導体回路素子２が搭載される。 （もっと読む）

【課題】薄いフィンを用いる場合であっても、容易に内部に空間を形成できるようにしたヒートシンクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に下端部２２まで連続する溝２１を有する第一の立設要素２０ａと、これに密着される第二の立設要素２０ｂを貼り合わせてフィン２を構成し、このフィン２をベース部材３に設けられた穴部３３に挿入して立設させる。この溝２１を形成する場合、エッチングやブラスト加工、切削加工などによって形成し、平行溝２１ａの上端部分に、それぞれの平行溝２１ａを連結する連結溝２１ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】発光素子を備えた発光モジュールにおいて、放熱性を確保しつつ長期における信頼性を確保することは困難であった。
【解決手段】発光モジュール１０において、実装基板１４は、アルミナ、ＡｌＮ、またはＳｉにより形成され、半導体発光素子１２が実装される。放熱基板１６は、実装基板１４を支持する。放熱基板１６は、Ｃｕより熱膨張率の低い金属およびＣｕからなる複合材料により形成される。実装基板１４は、融点が４５０℃以下の金属接合材料であるはんだ１８によって放熱基板１６に接合される。放熱基板１６は、ＣｕとＭｏとを積層させたクラッド材、またはＭｏにＣｕを含浸させた複合材により形成される。 （もっと読む）

【課題】 部品点数を増加させることなく、複数の半導体装置の各々と放熱体との間に間隙が発生するのを回避し、複数の半導体装置を１つの放熱体で効率的に冷却することを可能にする。
【解決手段】 半導体モジュール１００は、配線基板１２０と、配線基板上に配置された複数の半導体装置１３０と、複数の半導体装置上に配置された放熱体１４０とを有する。放熱体１４０は、複数の半導体装置１３０に共通の本体１４１と、複数の半導体装置１３０に熱的に接触されるように本体１４１から複数の半導体装置１３０の側に突出した複数の突起部１５０とを含む。放熱体の本体１４１及び複数の突起部１５０は一体的に形成されている。各突起部１５０は、該突起部の底面が複数の半導体装置１３０のうちの対応する１つの上面に追従して変位することを可能にするように形成された１つ以上のスリット１５１を有する。 （もっと読む）

【課題】コストを低減した複合材料の製造方法および複合材料を提供する。
【解決手段】複合材料１０の製造方法は、以下の工程を備えている。開口部を有する表面を含む金属基材１１を準備する。２００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する熱伝導性粒子を含む粉末と、金属基材１１を構成する材料と異なる金属材料を含む金属粉末とを、金属基材１１の表面１１ａの開口部に供給する。粉末と、金属粉末と、金属基材１１とを摩擦攪拌することにより、複合材料部１２を形成する。複合材料１０は、表面１１ａを有する金属基材１１と、金属基材１１の表面１１ａに配置された複合材料部１２とを備えている。複合材料部１２は、２００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する熱伝導性粒子を含み、かつ金属基材１１を構成する金属材料を含む合金であり、熱伝導性粒子は、複合材料部において１０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下の体積含有率を有する。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ又はＳｉ_３Ｎ_４からなるセラミックス基板１１の表面に純アルミニウムからなる金属板１２、１３が接合されたパワーモジュール用基板であって、金属板１２、１３とセラミックス基板１１との接合界面には、Ｃｕ濃度が金属板１２、１３中のＣｕ濃度の２倍以上とされたＣｕ高濃度部３２が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被形成物に反りが発生しないようにしつつ、アンカー効果が十分得られるような凹凸を形成できるようにする。
【解決手段】粗面処理としてプレス加工を行い、プレス加工によって、ヒートシンク３の下面３ｂに凸部３ｃおよび凹部３ｄからなる凹凸を形成する。このように粗面処理をプレス加工によって行えば、ヒートシンク３の上面３ａおよび下面３ｂを挟み込むようにして力が加えられるため、ヒートシンク３が反らず、かつ、十分に力を加えられるため、アンカー効果を得るのに十分な大きさの凹凸を形成できる。また、プレス型によって決まった形状の凹凸を形成することになるため、粗面の面内バラツキやヒートシンク３間でのバラツキが発生しないようにできる。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる放熱部材を含む放熱器であって、放熱特性の良好な放熱器の製造方法を提供する。
【解決手段】放熱部材の少なくとも一部を遷移金属イオンを含む表面加工溶液に浸漬し、析出した遷移金属被膜を溶解することを備えた、放熱部材の表面の少なくとも一部を粗化する工程２０１と、粗化された表面を含む、放熱部材の少なくとも一部を水酸化ナトリウム溶液に浸漬１０９することを備えた、粗化された表面を溶解処理する工程２０２と、溶解処理された表面を含む、放熱部材の表面の少なくとも一部を陽極酸化することを備えた、被膜を形成する工程２０３とを有する。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクの露出側面の表面の凹凸による熱抵抗の増加を抑制することにより放熱性を高める。
【解決手段】ヒートシンク３に接合される絶縁シート材６について、溶射アルミナ膜６ｂの表面を直接露出させるのではなく、Ａｌ板６ａの裏面を露出させた構造とする。このＡｌ板６ａの裏面は平坦面となっているため、シリコングリースなどを介して冷却器の基台などに接続したときに、従来のように溶射アルミナ膜に接続する場合と比較して、Ａｌ板６ａとの接合箇所での接触熱抵抗を大幅に低下させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】炭素元素の線状構造体を用いた熱伝導度及び電気伝導度が極めて高いシート状構造体を提供する。
【解決手段】炭素元素により形成され、線状構造体群１６ａと、線状構造体群１６ａに隣接して設けられ、線状構造体群１６ａとは長さの異なる線状構造体群１６ｂとを含む複数の線状構造体１６と、複数の線状構造体１６間に形成された充填層２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】コストを低減した複合材料の製造方法および複合材料を提供する。
【解決手段】複合材料１０の製造方法は、熱伝導性粒子を含む相を金属基材１１の表面１１ａの開口部に供給する工程と、相と接触する金属基材１１と、相とを摩擦攪拌する工程とを備えている。複合材料１０は、表面１１ａを有する金属基材１１と、金属基材１１の表面１１ａに配置された金属基複合材料１２とを備えている。金属基複合材料１２は、金属基材１１を構成する金属材料と、５０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下の体積含有率を有する熱伝導性粒子とを含む。 （もっと読む）

【課題】回路層上に半導体素子をはんだ材を介して容易にかつ確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面に、コールドスプレー法によって形成された金属被膜３０が形成されており、金属被膜がＮｉ、Ｃｕ、Ａｇのいずれか一種からなることを特徴とする。また、金属被膜３０の表面を、電界放射型走査電子顕微鏡を用いて加速電圧３ｋＶ以下で観察した際に、粒径３μｍ以下の小粒子と、この小粒子が凝集して形成された粒径５μｍ以上２０μｍ以下の中粒子と、この中粒子が凝集して形成された粒径３０μｍ以上の大粒子と、が観察されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造の手間、製造時間及びコストを削減することができる熱輸送デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】平らなベース板に、プレス成形により複数の突起が形成される。複数の突起が形成されたベース板を所定の形状、例えば長方形にカットすることで上板２が形成される。毛細管部材８に向けて各突起が突出する向きで上板２が毛細管部材８に対面するように配置され、また、上板２に積層されるように、フレーム４及び下板６が順に配置される。そして、毛細管部材８がフレーム４内に配置されるように、上板２、フレーム４及び下板６が接合される。例えば、フレーム４の表面及び裏面にそれぞれ設けられた接合面４ｂ及び４ｃに、上板２及び下板６がそれぞれ接合される。 （もっと読む）

【課題】冷却性能の向上を図ることができるプレート積層型冷却装置を提供すること。
【解決手段】流路の対向する２つの側面を形成するスリット状の長孔２１が穿孔された放熱プレート１３と、この放熱プレート１３を挟むように積層方向上下に重ねられ流路の上面および下面を形成する上部プレート１２及び下部プレート１４と、流路の始端に接続されて冷媒を流路に流入する流入パイプ１５と、流路の終端に接続されて冷媒を流路から流出する流出パイプ１６とを備え、発熱体１１を上部プレート１２或いは下部プレート１４当接させるプレート積層型冷却装置において、長孔２１の側面に凹凸が形成されている。 （もっと読む）

【課題】プリント回路基板の主面に取付け可能な受熱面平行フィン型扁平状放熱構造のヒートシンクを提供する。
【解決手段】柱状部２の１つの側面を発熱体表面に相対する受熱面４とし、柱状部２の受熱面４と異なる柱状部２の２つの側面から、受熱面２に平行な板状放熱フィン３が、第１の方向と該第１の方向と逆方向である第２の方向にそれぞれ延伸した構造を有する受熱面平行フィン型放熱構造体１において、柱状部２の長軸方向３０に垂直な受熱面平行フィン型放熱構造体１の断面における前記受熱面に垂直な方向の該受熱面平行フィン型放熱構造体１の高さＨ（ｍｍ）と該受熱面に水平な方向の該受熱面平行フィン型放熱構造体の幅Ｗ（ｍｍ）が、Ｈ≦（Ｗ−４７）^0.5／０．６＋５、ただし、５≦Ｈかつ４７≦Ｗ（単位：ｍｍ）、の関係式で表されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易に、かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層１２が配設され、この回路層１２上にはんだ層２を介して半導体素子３が配設されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面には、ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層３０が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 曲げ加工性の低下や反りの発生を回避しつつ放熱性の向上を達成することを可能とした半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用テープキャリアは、絶縁性フィルム基材の片面に銅（Ｃｕ）または銅合金からなる配線パターンを有する半導体装置用テープキャリアであって、前記片面とは反対側の面に、蒸着により形成された金属膜を備えたことを特徴としている。また、その製造方法は、絶縁性フィルム基材の片面に銅（Ｃｕ）または銅合金からなる配線パターンを形成する工程を有する半導体装置用テープキャリアの製造方法であって、前記片面とは反対側の面に、蒸着法によって金属膜からなる放熱層を形成する工程を含むことを特徴としている。 （もっと読む）