【課題】 非対称型半導体デバイス、及びその製造の際にスペーサ・スキームを用いる方法を提供する
【解決手段】 高ｋゲート誘電体の表面上に配置された非対称型ゲート・スタックを含む半構造体が提供される。非対称型ゲート・スタックは、第１の部分と第２の部分とを含み、第１の部分は、第２の部分とは異なる閾値電圧を有する。本発明の非対称型ゲート・スタックの第１の部分は、下から上に、閾値電圧調整材料及び少なくとも第１の導電性スペーサを含み、本発明の非対称型ゲート・スタックの第２の部分は、ゲート誘電体の上の少なくとも第２の導電性スペーサを含む。幾つかの実施形態において、第２の導電性スペーサは、下にある高ｋゲート誘電体と直接接触しており、他の実施形態においては、第１及び第２の導電性スペーサは、前記閾値電圧調整材料と直接接触している。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物半導体（MOS）トランジスタとその形成方法を提供する。
【解決手段】 多重ゲートトランジスタは、基板、第１半導体材料で形成された中央フィン、及び中央フィンの対向側壁上の第１部分と第２部分を含み、第１半導体材料とは異なる第２半導体材料を包含する半導体層を含む基板上の半導体フィン、この半導体フィンの側壁の周囲を包むゲート電極、及び半導体フィンの対向端のソース領域とドレイン領域を含み、中央フィンと半導体層の各々は、ソース領域からドレイン領域に延伸する。 （もっと読む）

【課題】相異なるスレショルド電圧を有する電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ドープ半導体ウエル上に、複数種のゲート・スタック（１００〜６００）が形成される。ドープ半導体ウエル（２２、２４）上に、高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）ゲート誘電体（３０Ｌ）が形成される。一つのデバイス領域中に金属ゲート層（４２Ｌ）が形成され、他のデバイス領域（２００、４００、５００、６００）ではｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体は露出される。該他のデバイス領域中に、相異なる厚さを有するスレショルド電圧調整酸化物層が形成される。次いで、スレショルド電圧調整酸化物層を覆って導電性ゲート材料層（７２Ｌ）が形成される。電界効果トランジスタの一つの型は、ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体部分を包含するゲート誘電体を包含する。電界効果トランジスタの他の型は、ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体部分と、相異なる厚さを有する第一スレショルド電圧調整酸化物部分とを包含するゲート誘電体を包含する。相異なるゲート誘電体スタックと、同一のドーパント濃度を有するドープ半導体ウエルを用いることによって、相異なるスレショルド電圧を有する電界効果トランジスタが提供される。 （もっと読む）

【課題】high-kゲート誘電体のパターニングが不要な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の領域が第１の厚さに、第２の領域が第１の膜さよりも薄い第２の厚さになるようにゲート誘電体層２０４を半導体基板２０２上に形成し、ゲート誘電体層２０４上にhigh-kの原子の層２１２を形成し、熱処理を行って、第１の領域に第１の厚さ及び第１の組成のうち少なくとも一方を有するhigh-kゲート誘電体層２１６を形成し、第２の領域に第１の厚さよりも薄い第２の厚さ及び第２の組成のうち少なくとも一方を有するhigh-kゲート誘電体層２１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁ゲート電界効果トランジスタ（１１０，１１４又は１２２）のゲート誘電体層（５００，５６６又は７００）は、垂直濃度分布を有する窒素を含有している。
【解決手段】 該垂直濃度分布は、上側に位置しているゲート電極（５０２，５６８又は７０２）内のボロンが該ゲート誘電体層を介して下側のチャンネルゾーン（４８４，５５４又は６８４）内に著しく浸透することを防止し同時に該ゲート誘電体層から下側に存在する半導体ボディ内への窒素の移動を回避するために特別に調整されている。該チャンネルゾーン内の不所望のボロンから及び該半導体ボディにおける不所望の窒素から発生する場合がある損傷は実質的に回避される。 （もっと読む）

【課題】 拡張型ドレイン絶縁ゲート電界効果トランジスタ（１０４又は１０６）が、第１ウエル領域（１８４Ａ又は１８６Ａ）の一部によって構成されているチャンネル（３２２又は３６２）ゾーンによって横方向に分離されている第１及び第２ソース／ドレインゾーン（３２４及び１８４Ｂ又は３６４及び１８６Ｂ／１３６Ｂ）を包含している。
【解決手段】 ゲート誘電体層（３４４又は３８４）が該チャンネルゾーンの上側に存在している。該第１ソース／ドレインゾーンは、通常は、ソースである。通常はドレインである該第２Ｓ／Ｄゾーンは、少なくとも部分的には第２ウエル領域（１８４Ｂ又は１８６Ｂ）で構成されている。該半導体ボディのウエル分離部分（１３６Ａ又は２１２Ｕ／１３６Ｂ）が該ウエル領域の間を延在しており且つ各ウエル領域よりも一層軽度にドープされている。該ウエル領域の構成は、該半導体ボディのＩＧＦＥＴの部分における最大電界をして上部半導体表面の十分に下側、典型的には該ウエル領域同士が互いに最も近い箇所におけるか又はその近くで発生させる。該ＩＧＦＥＴの動作特性は動作時間と共に安定である。 （もっと読む）

【課題】 半導体ボディの上部表面に沿って設けられている非対称的絶縁ゲート電界効果トランジスタ（１００Ｕ又は１０２Ｕ）は、該トランジスタボディ物質のチャンネルゾーン（２４４又は２８４）によって横方向に分離された第１及び第２ソース／ドレインゾーン（２４０及び２４２又は２８０及び２８２）を包含している。
【解決手段】 ゲート電極（２６２又は３０２）がチャンネルゾーン上方でゲート誘電体層（２６０又は３００）の上側に位置している。該ボディ物質の横方向に隣接した物質よりも一層高度にドープした該ボディ物質のポケット部分（２５０又は２９０）が該Ｓ／Ｄゾーンの内のほぼ第１のもののみに沿って該チャンネルゾーン内に延在している。該ポケット部分の垂直ドーパント分布は、互いに離隔されている夫々の位置（ＰＨ−１乃至ＰＨ−３）において複数個の局所的最大（３１６−１乃至３１６−３）に到達すべく調節されている。該調節は、典型的に、該ポケット部分の垂直方向ドーパント分布が上部半導体表面近くで比較的平坦であるように実施される。その結果、該トランジスタのリーク電流は減少されている。 （もっと読む）

【課題】 混合信号適用例を含むアナログ及びデジタル適用例用のＩＧＦＥＴを与える半導体製造プラットフォームに適した対称的及び非対称的の両方の絶縁ゲート電界効果トランジスタ（「ＩＧＦＥＴ」）が、高性能を達成する上で空のウエル領域を使用する。
【解決手段】 各空のウエルの上部近くにおいては半導体ウエルドーパントが比較的少量である。各ＩＧＦＥＴ（１００，１０２，１１２，１１４，１２４又は２３６）は、空のウエル（１８０，１８２，１９２，１９４，２０４又は２０６）のボディ物質のチャンネルゾーンによって横方向に分離された一対のソース／ドレインゾーンを有している。ゲート電極が該チャンネルゾーン上方でゲート誘電体層の上側に位置している。各ソース／ドレインゾーン（２４０，２４２，２８０，２８２，５２０，５２２，５５０，５５２，７２０．７２２、７５２又は７５２）が主要部分（２４０Ｍ，２４２Ｍ，２８０Ｍ，２８２Ｍ，５２０Ｍ，５２２Ｍ，５５０Ｍ，５５２Ｍ，７２０Ｍ，７２２Ｍ，７５２Ｍ又は７５２Ｍ）及び一層軽度にドープした横方向延長部（２４０Ｅ，２４２Ｅ，２８０Ｅ，２８２Ｅ，５２０Ｅ，５２２Ｅ，５５０Ｅ，５５２Ｅ，７２０Ｅ，７２２Ｅ，７５２Ｅ又は７５２Ｅ）を有している。代替的に又は付加的に、該ボディ物質の一層高度にドープしたポケット部分（２５０又は２９０）が該ソース／ドレインゾーンの内の一方に沿って延在する。存在する場合には、該ポケット部分は典型的に該ＩＧＦＥＴを非対称的装置とさせる。 （もっと読む）

【課題】 一群の高性能同極性絶縁ゲート電界効果トランジスタ（１００，１０８，１１２，１１６，１２０及び１２４又は１０２，１１０，１１４、１１８，１１２及び１２６）が、アナログ及び／又はデジタル適用例用の広く多様なトランジスタを提供する半導体製造プラットフォームに適した横方向ソース／ドレイン延長部、ハローポケット、及びゲート誘電体厚さの選択可能な異なる構成を有している。
【解決手段】 各トランジスタは、一対のソース／ドレインゾーン、ゲート誘電体層、及びゲート電極を有している。各ソース／ドレインゾーンは主要部分及び一層軽度にドープした横方向延長部を有している。該トランジスタの内の一つのソース／ドレインゾーンの内の一つの横方向延長部が該トランジスタの別のもののソース／ドレインゾーンの内の一つの横方向延長部よりも一層高度にドープされており又は／及びそれよりも上部半導体表面下側により少ない深さに延在している。 （もっと読む）

【課題】半導体の酸化物を安定化させることができる上、欠陥密度が低くて電子移動度が高い誘電体層を得て、デバイスの信頼性及び性能を大幅に改善することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０内に設け、第１のゲルマニウムドープト領域を含む第１の電極と、第１の電極上に設け、半導体酸化物及び安定金属を含む第１の誘電体層２３と、第１の誘電体層２３上に設ける第２の電極とを備える。第１の電極及び第２の電極によりキャパシタを形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体構成体がバイポーラトランジスタ（１０１）及び間隔構成体（２６５−１又は２６５−２）を包含している。
【解決手段】 該トランジスタはエミッタ（２４１）、ベース（２４３）、コレクタ（２４５）を有している。該ベースはベースコンタクト部分（２４３−１）、該エミッタの下側で且つ該コレクタの物質上方に位置されているイントリンシックベース部分（２４３Ｉ−１）、該イントリンシックベース部分とベースコンタクト部分との間に延在しているベースリンク部分（２４３Ｌ−１）を包含している。該間隔構成体は、間隔コンポーネント及び上部半導体表面に沿って延在する分離用誘電体層（２６７−１又は２６７−２）を包含している。該間隔コンポーネントは、該ベースリンク部分の上方で該誘電体層上に位置されており、好適には多結晶半導体物質であるほぼ非単結晶の半導体物質の横方向間隔部分（２６９−１又は２６９−２）を包含している。該横方向間隔部分の両側の第１及び第２下部端部（３０５−１及び３０７−１）は該ベースリンク部分の両側の第１及び第２上部端部（２９７−１及び２９９−１）に対して横方向に適合し、その長さを決定し且つそれにより制御する。 （もっと読む）

平行伝導を改善する量子井戸デバイスを提供する方法及び装置の実施形態が主に記載される。その他の実施形態についても、記載及び特許請求される。 （もっと読む）

【課題】改善された特性と強化された機能とを備えたダイオード構造とその製造方法が望まれている。
【解決手段】ゲート・ダイオード構造及びＳＯＩ基板（ＳＯＩ）等の上にゲート・ダイオード構造を製造する方法であって、緩和下地層（３４‘）を用いる。緩和下地層は歪下地層（３４）から形成される。歪下地層（３４）は典型的にはゲート・ダイオード構造と同時に形成される電界効果型トランジスタに用いられる。緩和下地層は歪下地層（３４）のイオン注入処理のような処理により形成される。反応性イオンエッチング方法を用いてゲート・ダイオード構造から歪下地層を除去するときのゲート・ダイオードの損傷がないので、歪下地層に比較して、緩和下地層はゲート・ダイオード構造の理想値を改善する。 （もっと読む）

【課題】横方向の寸法の増大を抑制しつつ、横型二重拡散電界効果トランジスタのソースとドレインとの間の電界を緩和する。
【解決手段】Ｎ型ドリフト層１７には、埋込絶縁層１４下に配置されたＰ⁻ダンパ層１９を形成するとともに、Ｐ⁻ダンパ層１９を取り囲むように配置されたＮ⁻ダンパ層１８を形成し、Ｎ⁻ダンパ層１８およびＰ⁻ダンパ層１９にて埋込絶縁層１４下が空乏化されるように不純物濃度を設定する。 （もっと読む）

【課題】 フィン型ＦＥＴデバイス及びこれの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスは、基板を準備しそして基板上に半導体含有層を形成することにより形成される。次いで、複数個の開口を有するマスクが、半導体含有層上に形成され、ここでマスクの複数個の開口のうち互いに隣接する開口は、最小構造寸法だけ離されている。その後、半導体含有層の第１部分にドーパントを導入するために、角度付けしたイオン注入が行われ、ここでドーパントがほぼ存在しない残りの部分がマスクの下側に存在する。サブリソグラフィック寸法のパターンを形成するために、半導体含有層のうちドーパントを含む第１部分がこの半導体層のうちドーパントをほぼ含まない残りの部分に対して選択的に除去され、そしてサブリソグラフィック寸法のフィン構造を生じるために、パターンが基板に転写される。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体と絶縁性材料との界面に形成される界面準位が低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する３−５族化合物半導体と、３−５族化合物半導体の（１１１）面、（１１１）面と等価な面、または、（１１１）面もしくは（１１１）面と等価な面から傾いたオフ角を有する面に接する絶縁性材料と、絶縁性材料に接し、金属伝導性材料を含むＭＩＳ型電極とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

本発明はソース領域又はドレイン領域へのコンタクトに関する。コンタクトは導電性材料を有するが、その導電性材料は絶縁体によりソース領域又はドレイン領域から分離されている。
（もっと読む）

【課題】耐熱性の低い部分を有する基板に加熱処理をして半導体基板を製造する。
【解決手段】単結晶層を有し熱処理される被熱処理部と、熱処理で加えられる熱から保護されるべき被保護部とを備えるベース基板を熱処理して半導体基板を製造する方法であって、被保護部の上方に、ベース基板に照射される電磁波から被保護部を保護する保護層を設ける段階と、ベース基板の全体に電磁波を照射することにより被熱処理部をアニールする段階とを備える半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

開示の実施形態は、ＭＯＳチャネル領域に一軸性歪みを与える金属ソース／ドレイン及びコンフォーマル再成長ソース／ドレインを備えた、歪みトランジスタ量子井戸（ＱＷ）チャネル領域を含む。チャネル層の除去された部分が、チャネル材料の格子間隔とは異なる格子間隔を有するジャンクション材料で充填されることで、量子井戸の頂部バリア層及び底部バッファ層によってチャネル層に発生される二軸性歪みに加えて、一軸性歪みがチャネルに発生される。
（もっと読む）

【課題】耐熱性の低い部分を有する基板であっても加熱処理が可能となる、基板の熱処理方法を提供する。
【解決手段】熱処理される被熱処理部を備えるベース基板を熱処理して半導体基板を製造する方法であって、電磁波を吸収して熱を発生し、被熱処理部を選択的に加熱する被加熱部をベース基板上に設ける段階と、ベース基板に電磁波を照射する段階と、被加熱部が電磁波を吸収することにより発生する熱によって、被熱処理部の格子欠陥密度を低減する段階とを備える半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）