【課題】ゲート絶縁膜をＨｉｇｈ−ｋ材料で構成し、ゲート電極をメタル材料で構成するＨＫ／ＭＧトランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】素子分離部２で囲まれた活性領域１４に位置し、後の工程でコア用ｎＭＩＳのゲートＧが形成される領域Ｇａ１のみに、Ｎｃｈ用ゲートスタック構造ＮＧを構成する積層膜を形成し、上記領域Ｇａ１以外の領域ＮＧａ１には、Ｐｃｈ用ゲートスタック構造ＰＧを構成する積層膜を形成する。これにより、コア用ｎＭＩＳのゲートＧが形成される領域Ｇａ１へ素子分離部２から引き寄せられる酸素原子の供給量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＭＯＳトランジスタにおいて、ホットエレクトロンのゲート絶縁膜へのトラップによるトランジスタ特性の経時劣化を減少させる。
【解決手段】Ｎ−−型の半導体層１２の表面にボディ層１９が配置されている。ボディ層１９の表面にはＮ−型層２３を含むソース層が配置されている。Ｎ−−型の半導体層１２の表面には、Ｎ−型のドリフト層２１が形成されている。このドリフト層２１は、Ｎ型不純物濃度のピーク領域Ｐ１を有した第１の領域２１Ａと、この第１の領域２１Ａに隣接し、Ｎ型不純物濃度のピーク領域Ｐ１よりも深い位置にＮ型不純物濃度のピーク領域Ｐ２を有した第２の領域２１Ｂとにより構成されている。第２の領域２１Ｂの表面にはＮ＋型のドレイン層２５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面にシリサイド膜が形成された半導体装置において、ゲート電極パターンの粗密に関わらず、コンタクトの深さの差を緩和する。
【解決手段】半導体装置１００は、活性領域（１０４）に、表面にシリコン酸化膜１２２ａが選択的に形成されたシリサイド膜１２０ａを形成する工程と、その上に、シリコン酸化膜１２０ａとの間でエッチング選択比を有するライナー絶縁膜１２４を形成する工程と、その上に、ライナー絶縁膜１２４との間でエッチング選択比を有する絶縁膜（１２６）を形成する工程と、絶縁膜（１２６）、ライナー絶縁膜１２４、およびシリコン酸化膜１２２ａを貫通してシリサイド膜１２０ａに達する第１のコンタクトホール１４４を形成する工程と、により製造される。 （もっと読む）

【課題】好適な電界効果トランジスタ、その使用、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】窪み（７２）に沿ってドープチャネル領域が配置された半導体基板（１０）を有する、縦型電界効果トランジスタが説明される。「埋め込まれた」接続領域（１８、５４）は、半導体基板（１０）の表面に達する。第２の接続領域（１６）が、同一の表面の窪みの開口部の近傍内に配置される。好ましくは、分離窪み（７０、７４、７６）が、チャネル領域と導電性配線（５４）との間、および電界効果トランジスタと隣接する電気部品との間に製造される。電界効果トランジスタは優れた電気特性を有し、容易に製造される。 （もっと読む）

【課題】新規なＤＴＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１領域と、第１領域に接続しこれより幅狭の第２領域と、第２領域に接続しこれより幅狭の第３領域とを含む半導体領域の画定工程、半導体領域に第１導電型不純物でウェル領域を形成する工程、ウェル領域上へのゲート絶縁膜形成工程、第３領域を幅方向に横断する第１部と、第１部から第１領域上に延びた第２部とを含むゲート電極を形成する工程、ゲート電極側面に、第２領域の一部を覆い他の一部を露出させるサイドウォールを形成する工程、第１領域及び第２領域の他の一部にゲート電極及びサイドウォールをマスクとし第２導電型不純物を注入する工程、熱処理による第２導電型不純物拡散工程、サイドウォールの一部を薬液で除去する工程、第１領域及び第２領域の他の一部へのシリサイド層形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】サリサイドプロセスにより金属シリサイド層を形成した半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】部分反応方式のサリサイドプロセスによりゲート電極８ａ、８ｂ、ｎ^＋型半導体領域９ｂおよびｐ^＋型半導体領域１０ｂの表面に金属シリサイド層４１を形成する。金属シリサイド層４１を形成する際の第１の熱処理では、熱伝導型アニール装置を用いて半導体ウエハを熱処理し、第２の熱処理では、マイクロ波アニール装置を用いて半導体ウエハを熱処理することにより、第２の熱処理を低温化し、金属シリサイド層４１の異常成長を防ぐ。これにより金属シリサイド層４１の接合リーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】寄生動作を抑制し破壊耐量を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、半導体層と、第１導電形のソース領域と、第２導電形のバックゲート領域と、第１導電形のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを備えている。バックゲート領域のドレイン領域側の端が、ソース領域のドレイン領域側の端よりも、ドレイン領域側に位置する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の耐圧を向上させる。
【解決手段】半導体装置１０は、ｐ型半導体基板１、ｐ型半導体基板１内に設けられたｎ型ドリフト領域３、及びｎ型ドリフト領域３内に設けられたｐ型ボディ領域４を含む。ｐ型ボディ領域４の側面とｎ型ドリフト領域３とのｐｎ接合部２２の上方に、そのｐｎ接合部２２に沿って、環状のゲート電極６が設けられる。このゲート電極６の一部を挟んでｎ型ドリフト領域３内及びｐ型ボディ領域４内にそれぞれ、ｎ型ドレイン領域７及びｎ型ソース領域８が設けられる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの耐圧を向上し得る半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板１０内に形成された第１導電型の第１の不純物領域３２、４６と、半導体基板内に形成され、第１の不純物領域に隣接する第２導電型の第２の不純物領域３４、４８と、第２の不純物領域内に形成された第１導電型のソース領域３０ａ、４４ａと、第１の不純物領域内に形成された第１導電型のドレイン領域３０ｂ、４４ｂと、ソース領域とドレイン領域との間における第１の不純物領域内に、第２の不純物領域から離間して埋め込まれた、二酸化シリコンより比誘電率が高い絶縁層１４と、ソース領域とドレイン領域との間における第１の不純物領域上、第２の不純物領域上及び絶縁層上に、ゲート絶縁膜２２を介して形成されたゲート電極２４ａ、２４ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】縦型トランジスタの特性を悪化させることなく縦型トランジスタの設置面積を削減できる高集積化に適した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一定の間隔を空けて配置された複数のピラー３０が備えられ、複数のピラー３０が、縦型トランジスタＴのチャネルとして機能する半導体層からなるチャネルピラー１と、不純物拡散層からなり、前記チャネルピラー１の下部に接続されて縦型トランジスタＴの一方のソースドレインとして機能する下部拡散層４に電気的に接続された引き上げコンタクトプラグ２とを含む半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】移動体通信装置用半導体装置（ＲＦパワーモジュール）の電力付加効率を向上させる。
【解決手段】パワーＭＯＳＦＥＴのゲート電極７とｎ^＋型ドレイン領域１５との間に介在するオフセットドレイン領域を二重オフセット構造とし、ゲート電極７に最も近いｎ⁻型オフセットドレイン領域９の不純物濃度を相対的に低く、ゲート電極７から離間したｎ型オフセットドレイン領域１３の不純物濃度を相対的に高くする。これにより、オン抵抗（Ｒｏｎ）と帰還容量（Ｃｇｄ）を共に小さくすることができるので、増幅素子をシリコンパワーＭＯＳＦＥＴで構成したＲＦパワーモジュールの小型化と電力付加効率の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置は、面方位が（１１０）のシリコン基板１と、ｐＭＩＳ領域１Ｂに形成されたｐチャネル型電界効果トランジスタを有する。このｐチャネル型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜３を介して配置されたゲート電極ＧＥ２と、ゲート電極ＧＥ２の両側のシリコン基板１中に設けられた溝ｇ２の内部に配置され、Ｓｉより格子定数が大きいＳｉＧｅよりなるソース・ドレイン領域と、を有する。上記溝ｇ２は、ゲート電極ＧＥ２側に位置する側壁部において、第１の斜面と、第１の斜面と交差する第２の斜面と、を有する。このように、溝ｇ２の形状をΣ形状とすることで、ｐチャネル型電界効果トランジスタのチャネル領域に加わる圧縮歪みを大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置は、面方位が（１１０）のシリコン基板１と、ｐＭＩＳ領域１Ｂに形成されたｐチャネル型電界効果トランジスタを有する。このｐチャネル型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜３を介して配置されたゲート電極ＧＥ２と、ゲート電極の両側のシリコン基板１中に設けられた溝ｇ２の内部に配置され、Ｓｉより格子定数が大きいＳｉＧｅよりなるソース・ドレイン領域と、を有する。上記溝ｇ２は、ゲート電極側に位置する側壁部において、面方位が（１００）の第１の斜面と、第１の斜面と交差する面方位が（１００）の第２の斜面と、を有する。上記構成によれば、基板の表面（１１０）面と（１００）面とのなす角は４５°となり、比較的鋭角に第１斜面が形成されるため、効果的にｐチャネル型のＭＩＳＦＥＴのチャネル領域に圧縮歪みを印加することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極断線の確率を下げる。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、シリコン基板２の主面に絶縁体ピラー６を形成する工程と、絶縁体ピラー６の側面に保護膜１２を形成する工程と、シリコン基板２の主面にシリコンピラー４を形成する工程と、シリコンピラー４の側面にゲート絶縁膜１０を形成する工程と、それぞれシリコンピラー４及び絶縁体ピラー６の側面を覆い、互いに接する第１及び第２のゲート電極１１，１３を形成する工程とを備える。本製造方法によれば、ダミーピラーとしての絶縁体ピラー６の側面に保護膜１２を形成しているので、チャネル用のシリコンピラー４をトランジスタとして加工する際にダミーピラーが削られてしまうことが防止される。したがって、ゲート電極断線の確率を下げることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高性能・高信頼性の半導体装置を製造するための半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に保護膜を形成し、保護膜を介して不純物をイオン注入する。注入した不純物を活性化して不純物層を形成した後、保護膜を除去する。その後、不純物層の表面部の半導体基板を除去し、表面部を除去した半導体基板上に半導体層をエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅをチャネル材料に用いても、素子特性の劣化を抑制することを可能にする。
【解決手段】Ｇｅを含むｐ型半導体領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記半導体領域の、前記ゲート電極の両側に位置する第１および第２領域に、有機金属錯体および酸化剤を交互に供給して金属酸化物を堆積する工程と、前記金属酸化物の上に金属膜を堆積する工程と、熱処理を行うことにより、前記半導体領域および前記金属酸化物と、前記金属膜とを反応させて前記第１および第２領域に金属半導体化合物層を形成するとともに前記金属半導体化合物層と前記半導体領域との界面に金属偏析層を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴの耐圧を向上させる。
【解決手段】半導体基板上に形成された平面形状が円形の給電部１ｐと給電部１ｐを中心としたリング状のガードリング領域１ｇとの間に、給電部１ｐを中心として放射状に延在するゲート電極Ｇ１を給電部１ｐを中心とする円周上に並べて複数配置し、前記円周上で隣り合うゲート電極Ｇ１同士の間にソース領域Ｓ１またはドレイン領域Ｄ１を形成する。これにより、ゲート電極Ｇ１の下部のウエルとソース領域Ｓ１とドレイン領域Ｄ１との間に寄生バイポーラトランジスタが形成されることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】メタルゲートプロセスにおけるプリメタル層間絶縁膜の平坦性を向上できるようにする。
【解決手段】まず、半導体基板１の上に、ゲート絶縁膜３を介在させてゲート電極４を形成する。その後、半導体基板１にゲート電極４をマスクとしてソース・ドレイン領域を形成する。続いて、ゲート電極４を覆うように半導体基板１上の全面に第１の酸化シリコン膜１０を形成する。その後、ゲート電極４をストップ膜とするＣＭＰ法により、第１の酸化シリコン膜１０を平坦化する。続いて、ゲート電極４を含む第１の酸化シリコン膜１０の上に、第２の酸化シリコン膜１１を形成する。その後、ゲート電極４をストップ膜とするＣＭＰ法により、第２の酸化シリコン膜１０を平坦化する。さらに、ゲート電極４を含む第２の酸化シリコン膜１０の上に、第３の酸化シリコン膜１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域となるＳＯＩ構造を有する半導体線条突出部の形状のばらつきを抑制し、トランジスタ特性のばらつきを減少することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の素子分離用の溝に埋込み絶縁膜が埋め込まれてなる素子分離領域２と、素子分離領域２によって区画されてなり、素子分離用の溝を区画する側壁面と半導体基板の１一面とを有し、かつ側壁面には埋込み絶縁膜に向けて突出した半導体線条突出部１aが素子分離用の溝に沿って設けられてなる活性領域Ｔと、半導体線条突出部１aを残して活性領域Ｔを分断するように設けられたゲート電極用のゲート溝３と、ゲート溝３の内面に形成されたゲート絶縁膜４と、ゲート溝３に埋め込まれたゲート電極５と、ゲート電極５のゲート長方向両側の活性領域Ｔにそれぞれ形成され、半導体線条突出部１aによって連結される不純物拡散領域７と、を具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状を有しながらも応力分布のばらつきが少ない活性領域を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】一実施の形態による半導体装置は、素子分離領域を有する基板と、前記素子分離領域に分離された、不純物拡散領域を有する前記基板上の複数の四角形の活性領域と、前記複数の活性領域の集合からなり、段差を含む輪郭形状を有する大活性領域とを有する。前記複数の活性領域の前記不純物拡散領域のうち、前記素子分離領域を挟んで向かい合う不純物拡散領域は、電気的に接続される。 （もっと読む）