【課題】１０μｍを超える長さをもつ直線状の結晶粒が整列した、結晶方位がほぼ２軸揃った結晶粒からなる半導体薄膜を形成し、高移動度でかつ特性の均一な半導体デバイスを提供することができる半導体薄膜の製造方法、半導体デバイスおよび半導体薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】連続発振レーザー結晶化において、回折型レーザビームホモジナイザを用いることで、レーザースポットを直線状・矩形状にし、長い方向にほぼ均一なレーザー強度分布を形成する。このレーザースポットを、レーザースポットの短い方向に適切な間隔をおいて、２段以上並べる。この多段レーザースポットを、シリコン薄膜上に照射し、レーザースポットの短い方向に走査させて、シリコン薄膜を横方向結晶化（ラテラル結晶化）を行うことで、結晶方位がほぼ２軸揃った結晶粒からなる多結晶シリコン薄膜の形成を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコンＴＦＴの特性を大幅に向上させつつ、その製造プロセスにおける膜飛びを抑制する。
【解決手段】まず、基板１０上にゲート電極１１を形成する。次に、基板１０上に、ゲート電極１１を平面視で覆うゲート絶縁膜１２を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃとソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとを有する非晶質の半導体膜１３を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃを平面視で覆うチャネル保護層１４を形成する。次に、半導体膜１３とチャネル保護層１４とにレーザーを照射することにより、チャネル領域１３ｃを微結晶化する。次に、半導体膜１３上に、チャネル保護層１４を平面視で覆い、ソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとに平面視で重なる導電膜を形成する。次に、導電膜をエッチングしてソース電極１６ｓとドレイン電極１６ｄとを形成する。 （もっと読む）

【課題】連続発振型の半導体レーザ光を使用して、光エネルギーの損失を抑制し、短時間で安定した、効率のよい半導体材料の加熱方法及び加熱装置を提供するものである。
【解決手段】
半導体レーザ光１を、発熱層２に照射してこの発熱層２を発熱させ、この発熱層２と接する半導体材料４を熱処理する方法において、半導体レーザ光１を発熱層２上をスキャン操作を行わせ、半導体材料４を熱処理するに際し、半導体レーザ光１の折り返し操作が行われる部位Ｐに対応する発熱層２の表面に半導体レーザ光遮蔽板８を配置すると共に、半導体レーザ光遮蔽板８に於けるスキャンされる半導体レーザ光１と対向している端縁部９に沿ってテーパー部１０を設ける半導体材料の熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】チャネル保護層に対するソース、ドレイン電極及び不純物層のアライメントずれが生じた場合であっても、オン電流特性のばらつきを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。また、製品の歩留まりを向上させることができるとともに、良好な画質を有する発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層１４上に設けられるチャネル保護層１５と、ソース、ドレイン電極１８及び不純物半導体層１７との間に、カーボン絶縁膜１６が設けられている。半導体層１４は、例えば非晶質シリコンをレーザーアニール処理することにより結晶化された微結晶シリコンにより形成されている。カーボン絶縁膜１６は、このレーザーアニール処理において適用される光熱変換層であり、当該光熱変換層の一部を残したものである。 （もっと読む）

【課題】半導体膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、アライメントマークとして利用可能なマーク構造を、同一の露光工程において半導体膜に形成する。
【解決手段】この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造ＳＰと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造ＭＫと、を有することを特徴とする光変調素子３に関する。この光変調素子によれば、絶縁基板上に所定厚さに堆積された半導体膜の任意の位置に、結晶核を形成し、その結晶核から所定の方向に結晶を成長させるとともに、半導体膜の任意の位置にアライメントマークＡＭを、同一工程で形成できる。 （もっと読む）

【課題】導電層に均一な電界を形成し、良質の多結晶シリコン薄膜を形成することができる多結晶シリコン薄膜の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、チャンバーと；前記チャンバー内の下部に設置され、導電層を含む基板が位置する基板ステージと；前記チャンバー内の上部に設置され、前記導電層に電源を印加する電極端子を含む電源印加部と；前記電極端子と前記導電層との間に位置する導電性パッドと；を含む多結晶シリコン薄膜の製造装置及び製造方法に関する。
したがって、本発明は、導電層に均一な電界を形成し、良質の多結晶シリコン薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板上に薄膜トランジスタ及び配線を有する半導体装置を製造する方法において、ガラス基板上に下地絶縁層を形成する工程と、前記下地絶縁層上に下地バリア層を形成する工程と、前記下地バリア層上にシード層を形成する工程と、前記シード層を前記配線に対応する形状にパターニングしてシード層パターンを形成する工程と、前記シード層パターンの表面に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程と、前記銅配線層マスクとして前記下地バリア層をパターニングする工程と、前記銅配線層を被覆するように絶縁層を形成する工程とを備えたことを特徴する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 格子定数が異なる複数種類の半導体素子を同一の基板上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、シリコン基板２１の一部に絶縁膜２２を形成し、シリコン基板２１と絶縁膜２２上にアモルファスＳｉＧｅ層２３を形成し、シリコン基板を熱処理し、アモルファスＳｉＧｅ層２３を絶縁膜２２上に横方向に固相若しくは液相成長させて結晶化し、シリコン基板２２と絶縁膜２２上に格子定数が後に形成される材料層の格子定数に整合されたＳｉＧｅ層２３ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させ、かつトランジスタ特性が良好な逆スタガ構造の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる逆スタガ構造の薄膜トランジスタは、ソース領域４１、ドレイン領域４２、及びチャネル領域４３を有する結晶性半導体膜４０を備える。また、薄膜トランジスタは、チャネル領域４３上に形成された絶縁膜５と、ソース領域４１及びドレイン領域４２上に形成されたシリサイド層６１とを備える。そして、チャネル領域４３は、ソース領域４１及びドレイン領域４２における結晶粒よりも小さい結晶粒により構成される。 （もっと読む）

【課題】大粒径の結晶粒をち密に形成することができ、かつ低温処理の要求を満たすことができる結晶化方法を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体膜のレーザ光入射面上にキャップ膜を設け、単調増加と単調減少を繰り返す断面逆三角形状ピークパターンを有する光強度分布のレーザ光を非単結晶半導体膜に照射する。 （もっと読む）

【課題】 高移動度及び閾値電圧のばらつきの少ない大粒径多結晶半導体を用いた薄膜半導体装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁基板上に成膜された多結晶半導体薄膜に形成された薄膜半導体素子を具備する薄膜半導体装置であって、前記薄膜半導体素子は、ソース領域、ドレイン領域、及びこれらの間に介在するチャネル領域を具備し、前記チャネル領域に存在する多結晶半導体の結晶粒の主要な面方位は、半導体結晶の逆極点図において、｛１００｝、｛３１０｝、及び｛３１１｝により囲まれた領域内の面方位であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結像レンズがレーザー光を吸収して熱膨張することによる焦点位置の位置ずれを補正する。
【解決手段】基板の高さ変化量を換算して求めた結像レンズの位置ずれ量と、レーザー光の照射積算時間に基づいて求めた結像レンズの焦点の位置ずれ量とを加算して、結像レンズの熱膨張によるビーム集光位置の変動を補正するための補正移動量を算出し、この補正移動量を用いて結像レンズ移動部を駆動して結像レンズを移動することによって焦点位置の位置ずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】定常運転時とメンテナンス時とにかかわらずレーザが発振しているか否かを常に明示して作業者が現場で直接的に安全確認をすることができる発振レーザ明示機能を有する結晶化装置及び結晶化装置における発振レーザ明示方法を提供する。
【解決手段】レーザ光路を取り囲む周囲部材の表面にレーザ光またはレーザ光からの散乱光を受けて発光する蛍光体を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の初期伸縮状態が個体毎に異なる要因、およびレーザー光照射で基板が熱膨張する要因による、レーザー光の照射位置の位置ずれを抑制する。
【解決手段】結晶化装置は、レーザー光を照射する照明光学系と、レーザー光を所定の光強度分布の光線に変調する光変調素子と、変調光を基板上に結像させる結像光学系と、基板を支持すると共に基板上の二次元位置を定める基板ステージとを備え、基板に設けられた薄膜を変調光により溶融して結晶化させる。各基板が共通に備える熱膨張による位置ずれ量と各基板に固有の初期伸縮量とを用いて照射位置の座標値を補正する補正手段と、補正手段の補正座標値を用いて、基板ステージ上の照射位置を補正制御する制御手段とを備える。初期伸縮量に基づいてレーザー光の照射位置を位置補正して基板が固有に備える位置ずれを解消し、熱膨張を予測して照射位置毎に位置補正することで熱膨張による位置ずれを解消する。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴの作製に適用した場合に、ＴＦＴの移動度の向上およびＴＦＴ間の移動度の均一化を実現することのできる結晶化装置。
【解決手段】 光を位相変調する光変調素子（１）と、光変調素子により位相変調された光に基づいて、長辺同士が隣接する短冊状の繰返し領域に所定の光強度分布を形成する結像光学系（３）と、非単結晶半導体膜を保持するステージ（５）とを備え、非単結晶半導体膜に所定の光強度分布を有する光を照射して結晶化半導体膜を生成する。所定の光強度分布は、短冊状の繰返し領域の短辺方向の中心線に沿って下に凸で且つ短冊状の繰返し領域の長辺方向の中心線に沿って下に凸の分布を有する。短冊状の繰返し領域の中心から長辺方向の外側に向けて凸状に湾曲した等強度線を有し、該凸状に湾曲した等強度線のうち少なくとも１本の先端部の曲率半径は０．３μｍ以下である。短冊状の繰返し領域の短辺方向のピッチは２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】結晶化半導体層をチャネル領域に用いた薄膜トランジスタにおいて、トランジスタ特性の不均一性を低減すること。
【解決手段】本発明は、結晶化半導体層１３におけるドレイン電極１５ｂと接する端部からゲート電極１１のドレイン電極１５ａ側の端部と対応する位置までの距離をΔＬ１、結晶化半導体層１３におけるソース電極１５ｂと接する端部からゲート電極１１のソース電極１５ｂ側の端部と対応する位置までの距離をΔＬ２、ドレイン電極１５ａ側の不純物ドープ層１４ａにおける結晶化半導体層１３と接する長さをドレイン側コンタクト長ＣＴ１、ソース電極１５ｂ側の不純物ドープ層１４ｂにおける結晶化半導体層１３と接する長さをソース側コンタクト長ＣＴ２とした場合、ΔＬ２がΔＬ１より長く、ソース側コンタクト長ＣＴ２がドレイン側コンタクト長ＣＴ１より長い薄膜トランジスタ１である。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜の結晶化アニール工程の短縮化を図りながらも、オン電流が均一な薄膜トランジスタを得ることが可能で、これにより薄膜トランジスタに接続された発光素子の輝度ムラが防止された表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の各画素ａに形成される薄膜トランジスタＴｒ２のソースＳ／ドレインＤのレイアウトが、第１画素列Ａ１と第２画素列Ａ２とで画素ａの配列方向に反転するように、基板１上にゲート電極１４ｂを形成する。これを覆う状態で基板１上にゲート絶縁膜３１および非晶質の半導体薄膜３２をこの順に成膜する。画素列方向においてドレインＤ側からソースＳ側に向かう走査方向ｖ（−ｖ）となるようにレーザ光Ｌｈを走査させながら、ゲート電極１４ｂ上方における半導体薄膜３２に対してレーザ光Ｌｈを照射して半導体薄膜３２を結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域を微結晶化するトランジスタを有する装置において、周辺金属に影響を及ぼさないようにしつつ、トランジスタの特性を十分に確保できるようにすること。
【解決手段】本発明は、複数の画素部３０を備える表示領域１０と、表示領域１０の画素部３０に対応して設けられ、複数の駆動トランジスタ３１ａが表示領域１０の表示面に沿って並列に配置されてなる駆動部３１とを有する表示装置１である。また、駆動トランジスタ３１ａのチャネル領域を形成するにあたり、複数の駆動トランジスタ３１ａの並列となる方向に沿って固体レーザ光を走査して照射する表示装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】非耐熱性基板に悪影響を及ぼすことなしに、レーザー耐性を有する非晶質シリコン膜を形成するための脱水素化処理を提供すること。
【解決手段】非耐熱性の基板上に水素化非晶質シリコン膜を形成する工程、および、前記水素化非晶質シリコン膜に大気圧熱プラズマトーチを１ミリ秒以上５００ミリ秒以下の時間照射して、前記基板の表面を１０００℃以上２０００℃以下に加熱することにより、前記水素化非晶質シリコン膜から結合水素を除去する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の電極幅を広げることで寄生容量を増加させることなく、チャネル領域におけるチャネル長方向の結晶性が均一化された薄膜トランジスタを得ることが可能で、これにより薄膜トランジスタに接続された発光素子の輝度ムラが防止された表示特性の良好な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上にゲート電極１４ａを形成する工程と、ゲート電極１４を覆う状態でガラス基板１上にゲート絶縁膜３１および非晶質の半導体薄膜３２をこの順に成膜する工程と、少なくともゲート電極１４ａ上方における半導体薄膜３２に対して、ゲート電極１４ａの延設方向にレーザ光Ｌｈを走査させながら照射することにより、半導体薄膜３２を結晶化させる工程とを含んでガラス基板１上に複数の薄膜トランジスタを形成し、さらにこのガラス基板１上に、各薄膜トランジスタに接続された複数の発光素子を形成する表示装置の製造方法。 （もっと読む）