【課題】安価な、また、放熱特性に優れたＳｉ基板を用いて、良質なＧａＡｓ系の結晶薄膜を得る。
【解決手段】Ｓｉの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたＧｅ層と、Ｇｅ層の上に結晶成長され、Ｐを含む３−５族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。Ｇｅ層は、アニールした場合に、アニールの温度および時間において結晶欠陥が移動する距離の２倍を越えない大きさの島状に形成する。あるいはＧｅ層は、アニールした場合に、アニールの温度において基板であるＳｉとの熱膨張係数の相違によるストレスが剥離を発生させない大きさの島状に形成する。 （もっと読む）

【課題】安価な、また、放熱特性に優れたＳｉ基板を用いて、良質なＧａＡｓ系の結晶薄膜を得る。
【解決手段】Ｓｉの基板と、基板の上に形成され、結晶成長を阻害する阻害層とを備え、阻害層は、基板の一部を覆う被覆領域と、被覆領域の内部に基板を覆わない開口領域とを有し、さらに開口領域に結晶成長されたＧｅ層と、Ｇｅ層の上に結晶成長され、Ｐを含む３−５族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。当該半導体基板において、Ｇｅ層は、結晶欠陥が移動できる温度および時間でアニールされることにより形成されてよい。 （もっと読む）

【課題】複数の窒化物半導体層を含む発光素子構造を成長させるために望ましい窒化物半導体厚膜基板を提供し、ひいてはその基板を用いて優れた特性を有する窒化物半導体発光装置を提供する。
【解決手段】複数の窒化物半導体層を含む発光素子構造を成長させるための窒化物半導体厚膜基板であって、基板は対向する第１と第２の主面を有し、基板の第１主面は３×１０¹⁸ｃｍ^-3以上１×１０¹⁹ｃｍ^-3以下の高不純物濃度の第１の層領域で形成されており、基板は３×１０¹⁸ｃｍ^-3以下１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上でかつ第１層領域より低い低不純物濃度の第２の層領域をも少なくとも含み、基板の第１主面はその上に前記発光素子構造を成長させるための面であり、発光素子構造の形成後に第１主面の側で部分的に露出される基板の領域が電極を形成するための領域として使用されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法を提供する。
【解決手段】バンドギャップより高エネルギーの電磁波を薄膜に照射しながら熱処理を施す。成長時にドーピングされるｐ型不純物の量は、薄膜の固有抵抗と適正熱処理温度を変え、また電極との接触抵抗を改善する。これにより、MOCVDやHVPEなどの気相エピタキシ法で成長した化合物半導体薄膜の吸収波長の電磁波を照射して化合物半導体薄膜の固有抵抗を低下させたり、付随的に化合物半導体と電極との特性接触抵抗率を低下させる。また、化合物半導体薄膜の成長時、化合物半導体薄膜に注入されたｐ型不純物の量が増加すると、活性化工程の適正熱処理温度が低くなる。そこで、紫外線の照射なしにｐ型不純物のドーピング温度を高め、低温での熱処理だけで化合物半導体薄膜の固有抵抗を低下させる。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物半導体単結晶基板を簡易な方法で製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、エピタキシャル成長によって形成された第１のＧａＮ層１２１および第２のＧａＮ層１４１を層内で分離し、分離したＧａＮ層のうち表面状態のよい成長最表面側の第２のＧａＮ層１４１を種結晶として新たなＧａＮ層をエピタキシャル成長によって形成するという簡易な方法によって高品質なＧａＮ単結晶基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に大面積の単結晶の有機薄膜を形成することができる有機薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の有機分子からなる規則的な分子配列を有する第１の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層の上にエピタキシャル成長する第２の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層を昇華、蒸発あるいは溶解して前記第２の有機分子層から除去する工程を有する有機薄膜の製造方法。前記第１の有機分子がアントラセン、前記第２の有機分子がペンタセンであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】圧縮歪層と引張歪層とを利用して、ＩｎＰ系半導体デバイスを成長させるメタモルフィック基板の欠陥（例えば転位）の低減を可能にする。
【解決手段】ガリウムヒ素基板１００と、前記ガリウムヒ素基板１００上に形成されたバッファ層１０１と、前記バッファ層１０１上に、前記バッファ層１０１よりも面内方向の格子定数が小さい材料からなる引張歪層１０５ａと、前記バッファ層１０１よりも面内方向の格子定数大きい材料からなる圧縮歪層１０５ｂとを積層して形成された歪補償構造層１０５とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体からなる半導体装置の製造方法において、ｐ型のIII 族窒化物半導体の正孔濃度を減少しないようにすること。
【解決手段】III 族窒化物半導体からなる半導体素子の製造方法であって、ＭｇをドープしたIII 族窒化物半導体層の形成後に、４００度以上の温度での熱処理工程を複数有した半導体素子の製造方法において、最終以外の４００度以上の温度での熱処理工程では、アンモニア雰囲気中において熱処理を行い、最終の４００度以上の温度での熱処理工程では、窒素雰囲気中において熱処理を行う。このように熱処理を行えば、ｐ型のIII 族窒化物半導体層の正孔濃度を減少させずに半導体素子を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

絶縁体上窒化ガリウム半導体構造を製造する方法および装置が：透明基板に単結晶シリコン層を接合するステップ；および単結晶シリコン層上に単結晶窒化ガリウムを成長させるステップを用いる。
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量子井戸無秩序化(ＱＷＩ)の方法の実施形態は、それぞれがバリア層を有する上層エピタキシャル層(１３)及び下層エピタキシャル層(１０)並びに上層エピタキシャル層(１３)と下層エピタキシャル層(１０)の間に配された量子井戸層(１１)を有するウエハ(１)を提供する工程、上層エピタキシャル層に重ねて少なくとも１つの犠牲層(２１)を施す工程、及び犠牲層の一部に重ねてＱＷＩ強化層(３１)を施すことによってＱＷＩ強化領域及びＱＷＩ抑制領域を形成する工程を含み、ＱＷＩ強化層(３１)の下になる領域がＱＷＩ強化領域であり、他の領域はＱＷＩ抑制領域である。この方法はさらに、ＱＷＩ強化領域及びＱＷＩ抑制領域に重ねてＱＷＩ抑制層(４１)を施す工程、及び量子井戸層(１１)と上層エピタキシャル層(１３)及び下層エピタキシャル層(１０)のバリア層の間で原子の相互拡散をおこさせるに十分な温度でアニールする工程を含む。
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【課題】放熱性が極めて良好で、かつ、結晶性が良好なＧａＮ系材料を用いたデバイス、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法であって、シリコン基板６０の表面にダイヤモンド層６１を気相成長させるステップと、ダイヤモンド層６１の表面にＳＯＩ基板６２を圧着するステップと、ＳＯＩ基板６２を薄層化する薄層化ステップと、薄層化されたＳＯＩ基板６２上に、ＧａＮ層をエピタキシャル成長させるステップと、シリコン基板６０を除去するステップと、シリコン基板６０より熱伝導率の大きい材料をダイヤモンド層６１の裏面に圧着するステップとを含み、ＳＯＩ基板６２は、最表面層６２１とシリコン酸化層６２２とを有し、前記薄層化ステップにおいて、選択的にシリコン酸化層６２２までを除去し最表面層６２１のみを残してＳＯＩ基板６２を薄層化する。 （もっと読む）

本発明は、電子工学、光学、光電子工学または光起電力工学用の、基板(10)と前記基板(10)の一方の面上に材料を堆積させることにより形成された層(20)とを含む構造体(1)の製造方法に関し、この方法は、前記基板(10)の面(1B)が堆積した材料の層(20)により覆われ、前記基板の他の面(1A)が露出している前記構造体(1)を形成するように、−一方で前記基板(10)を、他方で残りの部分を画定する脆化区域を含む脆化された基板を形成する工程、−前記脆化された基板の2つの面のそれぞれの上に前記材料の層を堆積させる工程、−前記脆化された基板をへき開する工程を含むことを特徴とする。
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【課題】化合物半導体単結晶層に残留するキャリアを抑制することによって、高速および高耐電圧デバイスに好適な窒化物半導体単結晶層を有する化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶基板１上に、Ｂ，Ａｌ，Ｖ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｃｕのうちの少なくともいずれか１種の不純物元素を１０¹⁴〜１０²¹／ｃｍ³含む、厚さ０．０５〜２μｍの３Ｃ−ＳｉＣ単結晶バッファー層２と、Ｃ，Ｖ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｃｏ，Ｃｕのうちの少なくともいずれか１種の不純物元素を１０¹⁴〜１０²¹／ｃｍ³含む、厚さ０．０５〜５μｍのＧａＮ単結晶層３とが順次積層された構成とする。 （もっと読む）

【課題】ラマン分光法を用いた簡易な応力測定方法を見出し、これに基づいて、ＧａＮ活性層を有する化合物半導体基板において、バッファ層における応力を制御し、全体として応力フリーの化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】厚さ１００〜１０００μｍの六方晶ＳｉＣ、単結晶Ｓｉ、単結晶Ｓｉ上に立方晶ＳｉＣ層が形成されたもののうちのいずれかからなる台基板１上に、バッファ層２、厚さ０．５〜５μｍのＧａＮ活性層３を順次積層し、前記バッファ層２を、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶層（０．５＜ｘ≦１）２ａ‐１の上に、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_yＧａ_1-yＮ単結晶層（０．２≦ｙ≦０．３）２ｂ‐１が形成され、さらに、厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_xＧａ_1-xＮ単結晶層２ａ‐ｎおよび厚さ３〜２５０ｎｍのＡｌ_zＧａ_1-zＮ単結晶層（０≦ｚ＜０．５）２ｃ‐ｎの２層を１組としたものが１〜５００組積層されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の発生を低減すると共に反りの発生を防止することにより、品質と生産性に優れた窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮからなる基板１上に第一の窒化物半導体層１０を成長させ、その第一の窒化物半導体層１０に多数の微細なボイド２ａを有する多孔質層２を形成した後、その上に第二の窒化物半導体層を成長させ、上記基板１或いは上記基板１及びボイドを有する多孔質層２を剥離する窒化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

本発明は電子工学分野での応用を目的とする、少なくとも１つのＩＩＩ／Ｎ型窒化材料層を具備してなるハイブリッド基板の製造法であって；六方単結晶の結晶構造を有するＩＩＩ／Ｎ型窒化材料でできた原材基板（１）を選択する工程；前記基板内部に多数のナノ空隙（１２）を生じさせて活性層（１４）の境界となる脆弱領域（１３）を作ることを目的として、前記窒化材料の「ｃ」結晶軸に平行もしくは略平行な平面内にある「注入面」（１０）と呼ばれる面の一つを通して、１×１０^１６Ｈｅ^＋／ｃｍ^２から１×１０^１７Ｈｅ^＋／ｃｍ^２のヘリウムイオンＨｅ^＋を前記原材基板（１）に注入する工程；および、少なくとも前記ナノ空隙を空隙（１２’）へと成長させることが可能な熱授受を含む授受からなる、活性層（１４）を原材基板（１）から分離させることが可能な全エネルギー授受を施すことによって前記活性層（１４）を移設する工程；からなることを特徴とする製造法に関する。
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【課題】レーザダイオード、トランジスタ、光検出器などの半導体構造に使用され、相分離を抑制または解消するとともに発光効率を向上させるIII族窒化物４元及び５元材料系並びに方法を提供する。
【解決手段】典型的な実施形態では、半導体構造は、ほぼ相分離なく形成された第１導電型のBAlGaN材料系を用いた４元材料層と、ほぼ相分離のないBAlGaN材料系を用いた４元材料活性層と、ほぼ相分離なく形成された逆導電型のBAlGaN材料系を用いた別の４元材料層を備えている。 （もっと読む）

本発明は、結晶表面を有する結晶ベース基板の上に結晶ゲルマニウム層を形成する方法を提供する。この方法は、ベース基板を洗浄して表面から汚染物および／または自然酸化物を除去する工程と、水素プラズマ、Ｈ_２フラックス、またはＧｅＨ_４の分解で得られる水素のような水素源および／またはＮ_２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ、またはそれらの混合物のような非反応性ガス源にベース基板を露出させながら、ベース基板の表面上にアモルファスゲルマニウム層を形成する工程と、ベース基板をアニールしてアモルファスゲルマニウム層を結晶化して、結晶ゲルマニウム層を形成する工程と、を含む。また、この方法は、本発明の具体例にかかる方法を用いて光起電セルまたは光分解セルを形成する方法、またはＣＭＯＳデバイスを形成する方法、および本発明の具体例にかかる方法で形成した結晶ゲルマニウム層を含む基板を提供する。
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【課題】結晶性の良い窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板を用い裏面に電極を形成した発光素子、受光素子等の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体と異なる材料よりなる基板の上に、窒化物半導体を１００μｍ以上の膜厚で成長させ、前記基板を除去することによって得られた窒化物半導体基板であり、該窒化物半導体基板の表面の凹凸差が±１μｍ以下になるまで表面研磨した研磨面に成長される。好ましくは、前記表面の凹凸差が±０．５μｍ以下である。前記窒化物半導体基板はｎ型不純物がドープされている。 （もっと読む）