【課題】 支持基板上に歪みＩＩＩ族窒化物材料シード層を含む複合基板を作製する新規な方法を提供する。
【解決手段】 複合基板を作製する方法は、ＩＩＩ族窒化物材料において所望の格子歪みを発生させて、複合基板上に形成すべきデバイス構造の格子定数に実質的に適合する格子定数を得るステップを含む。ＩＩＩ族窒化物材料は、Ｇａ極性又はＮ極性で形成され得る。所望の格子歪みは、ＩＩＩ族窒化物材料と成長基板の間にバッファ層を形成するか、ＩＩＩ族窒化物材料中にドーパントを注入するかあるいは不純物を導入して、その格子定数を変化させるか、又は熱膨張係数（ＣＴＥ）を有するＩＩＩ族窒化物材料を異なるＣＴＥを有する成長基板上に形成することによって発生され得る。 （もっと読む）

【課題】１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度の領域でキャリア補償の影響を低減可能なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板Ｅは、窒化ガリウム基板１１及び窒化ガリウムエピタキシャル膜１３を備える。窒化ガリウム基板１１の主面１１ａにおいて、転位密度が１×１０^８ｃｍ^−２以下であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３中の電子トラップの密度が低減される。窒化ガリウム基板主面１１ａのオフ角が０．３度以上であるとき、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３は低い電子トラップの密度を有する。窒化ガリウムエピタキシャル膜１３が１×１０^１６ｃｍ^−３以下のドナー濃度及び３×１０^１５ｃｍ^−３以下のアクセプタ濃度を有するので、窒化ガリウムエピタキシャル膜１３における補償が低く、窒化ガリウムエピタキシャル膜に１×１０^１６ｃｍ^−３以下のキャリア濃度が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板と格子整合し、キュリー温度Ｔｃが室温であるＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族化合物磁性半導体材料で量子井戸層あるいは強磁性電極を構成した磁性半導体素子を提供する。
【解決手段】
磁性半導体素子１０は、ＩｎＰからなる基板１１と、Ｍｎが添加されたＺｎＳｎＡｓ_２からなりかつ基板１１の上に結晶成長された量子井戸層１３と、ＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｓからなり基板１１の上に結晶成長されかつ量子井戸層１３を挟持する一組の障壁層１２，１４と、を備える。障壁層１２，１４にＩｎＡｌＡｓを採用した場合、Ａｌ組成は０．４３〜０．５３％であることが好ましくは、ＩｎＧａＡｓを採用した場合、Ｇａ組成が０．４２〜０．５２％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】格子定数が広範囲にわたり可変であり、且つ結晶性に優れた基板およびその製造方法を提供する。また上記基板上に形成された半導体素子を提供する。
【解決手段】６回対称軸をを有する結晶からなる第１の層１１と、該結晶上に形成される金属酸窒化物結晶からなる第２の層１２を有し、第２の層１２が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＡｌからなる群から選択される少なくとも１つの元素と、ＮとＯとＺｎとを主要元素として含み、且つ第２の層１２が面内配向性を有する積層構造体を備えたウルツ鉱型結晶成長用基板。 （もっと読む）

半導体装置を製作する方法または構造体は、従順な材料の層の上に横たわっている半導体材料の構造体を形成することを含み、その後半導体材料構造体を緩和させる従順な材料の粘性を変えて、緩和した半導体材料の連続層を形成する際の種子層として、緩和した半導体材料構造体を利用する。ある実施形態では、半導体材料の層は、III-Vタイプ半導体材料（例えばインジウム窒化ガリウム）から成る。新しい中間構造体が、この種の方法の間、形成される。加工された基板は、緩和した格子の構造体を有する半導体材料の連続層を含む。
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【課題】比較的結晶欠陥の少ない窒化ガリウム系化合物半導体層を比較的低コストで得ることができる技術を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上に、ＳｉＯ_２層１３を形成し、層１３を部分的に除去してサファイア基板の露出部を形成し、露出部を持つサファイア基板上に、非晶質窒化ガリウム系化合物半導体を堆積し、層１３上の非晶質窒化ガリウム系化合物半導体を蒸発させ、サファイア基板の露出部上に非晶質窒化ガリウム系化合物半導体の核を形成し、核のサイズ増大、合体、結晶成長、層１３上への横方向結晶成長、平坦表面形成などを経て、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層２０を形成し、サファイア基板１０の露出部上の窒化ガリウム系化合物半導体層を除去して分離溝２５を形成する。サファイア基板上の窒化ガリウム系化合物半導体層２０は他の基板に移設される。 （もっと読む）

【課題】 ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を含む半導体素子において品質低下を防止可能であり、かつ製造効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体およびＩＩＩ族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】
下地層の上面にＩＩＩ族窒化物の非結晶層を形成する非結晶層形成工程（Ａ）と、
前記非結晶層の上面に保護層を形成する保護層形成工程（Ｂ）と、
前記非結晶層の一部をエッチングにより除去するエッチング工程（Ｃ）と、
前記保護層が形成された状態で前記非結晶層を熱処理して結晶化することによりＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層に変換する半導体結晶層形成工程（Ｄ）と、を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウエハの反りを極めて小さくしたウエハを提供する。
【解決手段】中間層２、バッファ層３、チャネル層４および障壁層５は、順に、エピタキシャル成長により、基板１に積層される。バッファ層３は、イオンを注入されて、イオン注入領域６を形成する。このイオン注入領域６の結晶性は、劣化されている。そして、バッファ層３は、基板１から受ける応力を断ち切って、ウエハの反りを緩和する。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く反りが小さくオン抵抗が低い半導体電子デバイスおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、該基板よりも格子定数が小さく熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第一半導体層と該第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第二半導体層とが交互に積層した２層以上の複合層を有するバッファ層と、前記バッファ層上に形成された、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層と、窒化物系化合物半導体からなり、前記バッファ層直下から前記電子走行層内部までのいずれかの位置に形成され、凹凸形状の境界面を有する下層領域と上層領域とを有し、該下層領域から該上層領域へ延伸する貫通転位が該境界面において屈曲している転位低減層と、を備える。 （もっと読む）

半導体材料の緩和した層を製造する方法は、従順な材料の層の上に横たわっている半導体材料の構造体を形成するステップを含み、その後、半導体材料の内でひずみを減らすために従順な材料の粘性を変える。従順な材料は、半導体材料の第２層の堆積の間、リフローされることができる。半導体材料の第２層が堆積するにつれて、従順な材料の粘性が、構造体の緩和を変えて伝えるように、従順な材料を選ぶことができる。ある実施形態では、半導体材料の層は、III-Vタイプ半導体材料（例えばインジウム窒化ガリウム）から成ることができる。半導体構造およびデバイスを製造する方法もまた開示される。新しい中間構造体は、かかる方法の間に形成される。加工された基板は、可変の粘性を呈する材料の層に堆積される半導体材料から成る複数の構造体を含む。
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【課題】Ｓｉ基板とその上に形成される窒化物半導体単結晶層との間に、ＳｉＮ_x層を生成することなく、低抵抗であり、窒化物半導体単結晶層の結晶性に優れた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板１上に、ＴｉおよびＶのいずれか１種以上からなる金属膜を形成する工程と、前記金属膜を窒化して、ＴｉＮ、ＶＮおよび両者の化合物のいずれか１種以上からなる窒化物中間層２を形成する工程と、前記窒化物中間層上に、ＧａＮ（０００１）、ＡｌＮ（０００１）およびＩｎＮ（０００１）のうちの少なくともいずれか１種以上からなる窒化物半導体単結晶層３を形成する工程とを経て、窒化物半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層の結晶性が高いＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０の一方の主表面２０ｍから所定の深さＤの領域に水素およびヘリウムの少なくともいずれかのイオンＩを注入する工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０の主表面２０ｍに異種基板１０を貼り合わせる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０をイオンＩが注入された領域２０ｉにおいて分離することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板１を得る工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板１を、窒素含有ガスＮの雰囲気下７００℃以上でアニールする工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】剥がれや破壊などを発生させずに、異種の基板を接合する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】室温よりも高い第１温度で、第１基板の第１主面と、前記第１基板とは熱膨張係数が異なる第２基板の第２主面と、を密着させ、前記第１主面と前記第２主面とを密着させたまま、前記第１温度よりも高い第２温度まで加熱して、前記第１基板と前記第２基板とを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】歪みが緩和されたバッファ層を形成し、そのバッファ層上に窒化ガリウム層を形成することにより、低コストで、反りやクラックの抑制された窒化ガリウム層を有する半導体基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】面方位が（１１１）のＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板を準備する工程と、ＳＯＩ基板のＳＯＩ層上にバッファ層を形成する工程と、形成されたバッファ層上に窒化ガリウム層を形成する工程とを含む半導体基板の製造方法であって、窒化ガリウム層を形成する工程より前に、ＳＯＩ基板のＳＯＩ層中にイオン注入により歪み緩衝層を形成する工程を有する半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】平面視したときに限定された範囲にｐ型領域が形成されているIII族窒化物系化合物半導体基板であり、ｐ型領域とその周囲の領域との間に段差がない基板を提供する。
【解決手段】 III族窒化物系化合物半導体下層６の表面にIII族窒化物系化合物半導体を結晶成長させるに先立って、ｐ型領域１２を形成したい範囲に相当する範囲内の下層６の表面近傍にマグネシウムとアルミニウムの双方を含ませておく。下層６の限られた範囲の表面近傍にマグネシウムとアルミニウムの双方が含まれていると、その上に上層１６を結晶成長したときに、結晶成長する上層１６の限られた範囲にマグネシウムが移動してｐ型領域１２になるともに、下層６に含まれているアルミニウムがマグネシウムの移動範囲を制約し、下層６におけるマグネシウムの含有範囲１０と上層１６におけるマグネシウムの含有範囲１２をよく一致させる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体デバイスのスイッチング速度等の性能を向上する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板の上に形成された絶縁膜であってシリコン基板に達する開口部を有する絶縁膜と、開口部に形成されたＧｅ結晶と、Ｇｅ結晶を核として成長された化合物半導体結晶であって絶縁膜の表面より凸に形成されたシード化合物半導体結晶と、シード化合物半導体結晶の特定面をシード面として、絶縁膜の上にラテラル成長されたラテラル成長化合物半導体層と、を備えた半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】第１３族元素窒化物の層から本質的に製造される高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）基板を提供する。
【解決手段】高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）基板は超臨界アンモニア法においてシードに対し、該シードの成長方向に垂直な方向の結晶成長により得られる単結晶ＧａＮから形成され、表面欠陥密度が約１０²／ｃｍ²であって、該基板上に形成されるトランジスタに対しW-CDMAバンド（約２ＧＨz）が５０Ｗより低くなく、そのゲインが６０Ｖで２５ｄBより低くない性能パラメータを付与する。 （もっと読む）

【課題】基板の主表面上に、基板の主表面を構成する材料の格子定数とは格子定数の異なる材料からなる薄膜を成膜することによりヘテロエピタキシャル膜を成膜させる際に、膜の界面付近において組成が急峻に変化していない遷移層が出現する。この遷移層が、ヘテロエピタキシャル膜の界面付近における結晶の特性を劣化させる。
【解決手段】成膜させたい薄膜を構成する材料の格子定数と、薄膜が成膜される基板の一方の主表面を構成する材料の格子定数とに応じて、主表面に沿った方向に対して基板を湾曲させる。そして、基板を湾曲させた状態で、その基板の一方の主表面上に薄膜を成膜させる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物単結晶自立基板を製造するためのベース基板として好適に使用できる、結晶レベルでの歪みが低減されており、クラックおよび反りの発生が抑制された自立基板製造用基板を提供する。
【解決手段】不活性ガス中１０００℃において分解しない無機物質であって、１０００℃以上１６００℃以下で還元性ガスと接触することにより分解して揮発性物質を生成する無機物質の単結晶からなるベース基板、ベース基板上に形成された、単結晶Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物、または単結晶Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物と非晶質Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物との混合物からなる厚さ３ｎｍ以上２００ｎｍ以下のＡｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層、Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層上に形成された、Ａｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層の厚さの１００倍以上の厚さを備えたＩＩＩ族窒化物非単結晶層、を備えて構成される積層体とし、ベース基板とＡｌ系ＩＩＩ族窒化物薄膜層との界面に複数の空隙を設ける。 （もっと読む）

【課題】結晶性のよい窒素化合物半導体層が得られ、しかも低コストで生産性のよい窒素化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定厚さの表面Ｓｉ層３と埋め込み絶縁層４とを有するＳｉ基板１を準備する工程と、上記Ｓｉ基板１を炭素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層３を単結晶ＳｉＣ層６に変成させる際に、上記埋め込み絶縁層４との界面８近傍のＳｉ層を残存Ｓｉ層５として残す工程と、表面の単結晶ＳｉＣに対してさらに窒素化合物半導体層１５をエピタキシャル成長させる工程とを行なう。 （もっと読む）