【課題】高い品質のＧａを含む化合物半導体層をより容易に形成できるようにする。
【解決手段】原料ガス供給部１０４が供給する原料ガスにガリウム（Ｇａ）を接触させるガリウム配置部１０５を備える。ガリウム配置部１０５は、例えば、原料ガス供給部１０４が供給する原料ガスを通過させる経路と、この経路に配置された金属Ｇａと、この金属Ｇａを加熱する加熱部とを備えるものである。従って、原料ガス供給部１０４より供給される原料ガスに含まれているＩｎ原料ガスは、ガリウム配置部１０５を通過することで、例えば５０℃に加熱された金属Ｇａに接触し、この後、基板Ｗの表面に供給されることになる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上に、ＡｌＮ及びＧａＮを成長させるにあたり、Ｓｉ基板の抵抗値の低下を抑制する。
【解決手段】成長装置内にシリコン基板を導入して、成長装置内でシリコン基板を水素雰囲気中でクリーニングする。次に、成長装置内を不活性ガス雰囲気にした後、成長装置内を減圧し、さらに、シリコン基板の温度を成長温度まで昇温する。次に、成長装置内に原料ガスを導入して、シリコン基板上に有機金属気相成長法によりバッファ層として窒化アルミニウム層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物の結晶体の基板を製造する際における剥離バッファー層をエッチングするための時間を短縮する方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板の上にバッファー層を形成するバッファー層形成工程Ｓ１と、バッファー層の上に、バッファー層の一部を覆うマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程Ｓ２と、バッファー層及びマスクパターンを覆うように、ＩＩＩ族窒化物の結晶体を成長させる成長工程Ｓ５と、マスクパターンの第１のエッチャントを用いてマスクパターンを選択的にエッチングすることにより、バッファー層の第２のエッチャントを供給するための経路を形成する経路形成工程Ｓ６と、経路を介して第２のエッチャントを供給してバッファー層を選択的にエッチングすることにより、結晶体を下地基板から分離する分離工程Ｓ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】複合半導体基板において、Ｓｉ基板とその上の窒化物系半導体層との応力を低減することにより、窒化物系半導体層中の欠陥密度を低くするとともに、複合半導体基板の反り量を小さくする。
【解決手段】複合半導体基板は、（１１１）面方位を有しかつ複数の凸部が形成された一主面を有するシリコン基板（１０１）と、その一主面を覆う窒化物系半導体層（１０２）とを含み、複数の凸部間に空隙（１０３）が存在していることを特徴としている。このような複合基板においては、異種材料のシリコンと窒化物系半導体を含むことによる応力を低減することができ、窒化物系半導体層中の欠陥密度を低く抑えることと複合基板の反りを小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】性能を確保しながらコストを低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通穴２が形成された基板１上にＡｌＮ層３、ＧａＮ層４、ｉ−ＡｌＧａＮ層５、ｎ−ＡｌＧａＮ層６及びｎ−ＧａＮ層７を形成する。更に、ソース電極９ｓ、ドレイン電極９ｄ及びゲート電極９ｇを形成し、半導体素子を形成する。その後、ＨＦ溶液中において、貫通穴２に向けて紫外線を照射することにより、ＡｌＮ層３を基板１から分離する。その後、ＡｌＮ層３を除去し、ＧａＮ層４の裏面に絶縁性の基板を貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ系基板上に結晶性の良いＳｉ系単結晶をエピタキシャル成長させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、酸化物からなる部材を備えたＳｉを主成分とする半導体基板の表面をＳｉおよびＧｅのうちの少なくともいずれか１つを含むハロゲン含有ガスに曝す工程と、前記半導体基板の前記表面をハロゲン含有ガスに曝し始めた後、前記表面をハロゲンを含まないＳｉ含有ガスおよびハロゲンを含まないＧｅ含有ガスのうち少なくともいずれか１つを含む雰囲気に曝し、前記表面にＳｉおよびＧｅのうち少なくともいずれか１つを含む結晶膜をエピタキシャル成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶層の結晶欠陥を少なくして、多層にしても電気的特性が安定化され、信頼性が向上された単結晶層含有基板、ＳＯＩ基板および半導体装置ならびにこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶層上に形成された層間膜９に前記単結晶層の一面を露出させるコンタクトホール３０が形成され、前記コンタクトホール３０の内壁面３ａおよび前記層間膜９の一面９ａを覆うように結晶欠陥の多い多欠陥単結晶層７、７０が形成され、前記コンタクトホール３０を埋めるとともに、前記層間膜９上の前記多欠陥単結晶層７０を覆うように、前記多欠陥単結晶層７０よりも結晶欠陥の少ない低欠陥単結晶層６、６０が形成されている単結晶層含有基板１１１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】次世代の光半導体デバイス開発の基礎になるものと期待されている、量子ドットの形成過程について、従来の静的な計算結果ではなく、動的過程を解明するための有効な計算方法を提供する。
【解決手段】対象を三領域に分割し、そのそれぞれで別系統の計算手法を適用することにより、マルチスケールかつハイブリッドな計算機シミュレーションの方法を実現している。それらのうち、最上部の表面層領域における原子拡散により引き起こされた歪みの効果を、中間部のサブメッシュ上の分離力学計算領域に伝え、この領域で緩和をおこなった結果を、下部領域にある有限要素法の計算部分に伝達することにより、隔たった領域間の歪みの相互作用の効果を、中間部を通じて表面領域にフィードバックさせるようなアルゴリズムが構成できる。また、そのアルゴリズムを実現するシステムを構築する。 （もっと読む）

【課題】薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、並びにそれらを歩留まり高く作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の表面に形成されるシリコンを主成分とする結晶粒と、ゲート絶縁膜及び結晶粒を覆うゲルマニウムを主成分とする半導体膜と、ゲルマニウムを主成分とする半導体膜に接するバッファ層とが重畳する薄膜トランジスタと、当該薄膜トランジスタを備えた表示装置である。 （もっと読む）

【課題】基板上に大面積の単結晶の有機薄膜を形成することができる有機薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の有機分子からなる規則的な分子配列を有する第１の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層の上にエピタキシャル成長する第２の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層を昇華、蒸発あるいは溶解して前記第２の有機分子層から除去する工程を有する有機薄膜の製造方法。前記第１の有機分子がアントラセン、前記第２の有機分子がペンタセンであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素を基板とする半導体素子において、基板の欠陥密度に関わらず、炭化珪素エピタキシャル層の非極性面上において、電極/炭化珪素界面、あるいは酸化膜(絶縁膜)/炭化珪素界面の電気的特性と安定性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極とを有する半導体素子。前記半導体基板表面の前記ゲート絶縁膜との接合面は、巨視的には非極性面に平行であり、かつ微視的には非極性面と極性面からなり、前記極性面ではSi面またはC面のいずれか一方の面が優勢である。炭化珪素からなる半導体基板と、前記半導体基板上に形成される電極とを有する半導体素子。前記半導体基板表面の前記電極との接合面は、巨視的には非極性面に平行であり、かつ微視的には非極性面と極性面からなり、前記極性面ではSi面またはC面のいずれか一方の面が優勢である。 （もっと読む）

半導体構造を製造する方法を開示する。方法は、誘電体層に少なくとも１つのトレンチを形成して、半導体基板の一部を露呈させる工程と、少なくとも１つのトレンチの少なくとも底部に、シリコンゲルマニウムバッファ層を形成する工程と、シリコンゲルマニウムバッファ層の上にゲルマニウムシード層を形成する工程と、ゲルマニウムシード層の上にゲルマニウム層を形成する工程とを備える。さらに半導体構造を開示する。半導体構造は、半導体基板と、半導体基板の上に形成される誘電体層と、誘電体層に形成されて、半導体基板の一部を露呈させる少なくとも１つのトレンチと、少なくとも１つのトレンチの少なくとも底部に形成されるシリコンゲルマニウムバッファ層と、シリコンゲルマニウムバッファ層の上に形成されるゲルマニウムシード層と、ゲルマニウムシード層の上に形成されるゲルマニウム層とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ガラスやプラスチックなどの単結晶でない基体上に単結晶半導体薄膜を形成することで、任意の基体上に十分に動作速度の速いトランジスタを作製することを可能とする。また、それにより任意の基体上に集積回路を形成することを可能にする。
【解決手段】 基体上に基体全面に渡って結晶方位が揃った配向中間層を形成し、その上にアモルファス状態もしくは多結晶状態の半導体薄膜を形成し、その半導体薄膜を適切な条件でアニールすることによって、基体全面に渡って結晶方位が揃った半導体薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコンで構成された薄膜トランジスタなどの半導体素子において結晶粒界の欠陥や結晶シリコン中に含まれる触媒金属や不純物の影響を受けない半導体薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第１の結晶シリコン層１０２が形成され、第１の結晶シリコン層１０２の上に第２の結晶シリコン層１０３が形成される半導体薄膜において、第２の結晶シリコン層１０３は、第１の結晶シリコン層１０２の結晶性を継承するようにエピタキシャル成長によって形成され、第２の結晶シリコン層１０３には、第１の結晶シリコン層１０２よりも、不純物の量が少なく、水素又はハロゲン元素が多く含まれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面が滑らか若しくは平面的な状態に保たれた密な一次元構造配列又はクロスバー構造を容易に作製できる方法を提供する。
【解決手段】一次元構造配列又はナノクロスバー構造を基板上で、以下のようにして作製する。(i) 基板をセット；(ii) 前記基板上に近接して、スリットを有するシャドーマスク５をセット；(iii) 前記基板上に、第一層を堆積させるための原料を供給； (iv)前記シャドーマスクを、前記基板との平行性を保ちながら、前記基板に対して所定の距離だけ、前記スリットの長さ方向に対する直角方向に移動； (v) 前記基板上に、第二層を堆積させるための別の原料を供給；(vi) 前記シャドーマスクを、前記基板との平行性を保ちながら、前記基板に対して所定の距離だけ、前記スリットの長さ方向に対する直角方向に移動；(vii) シャドーマスク又は基板の総移動距離がスリットピッチに達するまで、上記工程(iii)-(vi)を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ガラスなどの絶縁基板やその他半導体、金属などの基板上にＳｉ結晶半導体薄膜をＳｉの融点以下の温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＺｎ−Ｓｉ二元合金系を出発材料とし、その液体もしくは過冷却液体の状態から熱平衡状態でのＳｉの析出、残存Ｚｎの冷却固化、そしてエッチング等による該Ｚｎの除去を経て基板に支持されたＳｉ薄膜４−１が形成される。 （もっと読む）

【課題】 ２枚のウェーハの接合により、ＤＳＢ構造を有する半導体基板を製造する場合において、接合界面を半導体基板側に残さないことによって、接合界面のボイド発生に起因する素子の歩留まり低下を解消することを可能とする半導体基板の製造方法および半導体基板を提供する。
【解決手段】 第１の半導体ウェーハ１０２表面に非晶質（アモルファス）半導体層１２０を形成する工程と、第２の半導体ウェーハ１０４表面に多孔質半導体層１１８を形成する工程と、非晶質半導体層１２０と多孔質半導体層１１８を重ね合わせた状態で、第１の半導体ウェーハ１０２と第２の半導体ウェーハ１０４とを接合する工程と、非晶質半導体層１２０を単結晶化する熱処理工程と、接合する工程において形成された半導体基板１１４を、多孔質半導体層１１８において分離する工程を有することを特徴とする半導体基板の製造方法および半導体基板。 （もっと読む）

【課題】先端半導体素子用の、複雑な微小特徴部位形状及びプロファイルを、ボイドが発生しないように満たすために欠陥を減少させる新たなＳｉ及びＳｉＧｅプロセスを提供する。
【解決手段】微小特徴部位の底部にＳｉ又はＳｉＧｅシード層を形成する工程、及びそのＳｉ又はＳｉＧｅシード層上にＳｉ又はＳｉＧｅを選択成長することによって、下から上へ、少なくとも部分的に微小特徴部位を満たす工程を有する。一の実施例に従うと、Ｓｉ又はＳｉＧｅシード層は、パターニングされた基板上に等角性Ｓｉ又はＳｉＧｅ層を堆積する堆積し、フィールド領域からＳｉ又はＳｉＧｅ層を除去し、Ｓｉ又はＳｉＧｅ層の少なくとも一部をその微小特徴部位の側壁から底部へ移動させるように、Ｈ_２ガスの存在下でそのＳｉ又はＳｉＧｅ層を熱処理する熱処理し、かつ、そのフィールド領域及びその側壁からＳｉ又はＳｉＧｅ残余物をエッチングすることによって形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘電体層及びシリコン薄層を支持するシリコン支持体を備えるＳＯＩ基板の薄層において、シリコンベース領域及びＧａＡｓベース材料領域を関連付けるＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】２°から１０°の角度で不整合にされたシリコン支持体と、例えば（００１）面に対して平行に配向させたシリコンベース薄層とを備えたＳＯＩ基板を提供する段階、シリコンベースの薄層の少なくとも一つの領域を保存する段階と、誘電体層が露出されるまでシリコンの薄層の少なくとも一つの保存されない領域を除去する段階、シリコン支持体が露出されるまで保存されない領域において誘電体層に開口部を設ける段階、エピタキシによって、開口部によって露出された支持体のシリコンから、露出された誘電体層上に、不整合にされたゲルマニウムを成長させる段階、得られた不整合にされたゲルマニウムからＧａＡｓベースの材料を成長させる段階を備える。 （もっと読む）