半導体ウエハ容器を洗浄し乾かすための装置は、汚れた容器を受け入れて、デッキアセンブリにそれを供給する、固定具を備えたロードポートを含んでいる。キャリアーは、さらにハンドリングのために容器を受け入れる。第１先端部を備えたロボットは、容器のドアを外し、キャリアーの一部にそれを置く。ロボットは、キャリアーに係合し、処理室内への挿入のためキャリアー及び容器を持ち上げる第２先端部を含んでいる。処理室は、少なくとも一つのレセプタクルを備えたローターを含んでいる。スピニングローターは、高圧及び低圧領域の両方を作成する。処理液は、容器とキャリアーに供給される。すすぎ工程後、ローターが回転している間、容器及びキャリアーが乾かされる。その後、ロボットは、処理室から容器及びキャリアーの両方を取り除き、容器にドアを再び組み立てる。
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超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス過酸化物を含有するプロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。この過酸化水素ベースの成分が開始剤とともに使用される。ここで、開始剤は、プロセス過酸化物のラジカルの生成を促進する。
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基板エッジ領域を隔離して処理するための方法及び装置である。装置は、ドライ化学法によって基板のエッジ領域を含む基板の一部を隔離して処理するためのアイソレータを有する。アイソレータは、反応種の流れを基板のエッジ領域に供給するためのノズルと、基板をチャック上で回転させながら反応種の流れを排気プレナムに向けてバイアスさせるためのパージプレナムと、を有する。調節されたフロー制御により、反応種と反応副生成物が処理領域から移動することを防止する。アイソレータを使用して基板を処理するための方法は、反応種の流れを角度をなして基板のエッジ領域に供給しながら、パージプレナム及び排気プレナムによる流れ制御によって処理領域の周囲に境界を形成することを含む。
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硬化フォトレジスト、エッチング後フォトレジスト、および／または下層反射防止コーティングをマイクロエレクトロニクス素子から除去するための方法および組成物が記載される。組成物は、濃厚流体、例えば、超臨界流体と、補助溶媒と、任意にフッ化物供給源と、任意に酸を含有する濃厚流体濃縮物とを含有することができる。濃厚流体組成物は、後続の加工前に汚染残渣および／または層を前記マイクロエレクトロニクス素子から実質的に除去し、したがって前記マイクロエレクトロニクス素子のモルフォロジー、性能、信頼性および収量を改善する。
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化学機械研磨（ＣＭＰ）後残渣、エッチング後残渣及び／又は汚染物を、その上に前記残渣及び汚染物を有するマイクロエレクトロニクス素子から洗浄するためのアルカリ性水性洗浄組成物及びプロセス。アルカリ性水性洗浄組成物は、アミンと、不活性化剤と、水とを含む。組成物は、残渣及び汚染物物質のマイクロエレクトロニクス素子からの高度に効果的な洗浄を達成する一方で、同時に金属配線材料の不活性化を達成する。
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本発明は、少なくとも1X10^-6の水性酸解離定数を持つ一種以上のカルボン酸成分が、酸化物（二酸化ケイ素もしくはドープした二酸化ケイ素など）のエッチングの間に利用される方法を含む。二種以上のカルボン酸も利用できる。カルボン酸の例としては、トリクロロ酢酸、マレイン酸、クエン酸を含む。 （もっと読む）

本発明は、マイクロエレクトロニクス基板を洗浄するための洗浄組成物を提供し、これは、本質的に完全にかかる基板を洗浄し、金属腐食を防止し、または本質的にそのような基板の金属元素の腐食をもたらさず、先行技術のアルカリ含有洗浄組成物で必要とされる洗浄時間と比較して、比較的短い洗浄時間および比較的低い温度でこれらを行うことができる。本発明は、マイクロエレクトロニクス基板を洗浄するための、マイクロエレクトロニクス基板の金属元素の有意な腐食をもたらさない、そのような洗浄組成物の使用方法も提供する。本発明の洗浄組成物は、（ａ）少なくとも１種の有機溶媒、（ｂ）少なくとも１種の中和されていない無機リン含有酸、および（ｃ）水を含む。本発明の洗浄組成物には、場合により、例えば界面活性剤、金属錯体化またはキレート化剤、腐食阻害剤などの他の成分が組成物中に存在してもよい。本発明の洗浄組成物は、無機リン含有酸成分を中和する有機アミン類、ヒドロキシルアミン類またはアンモニウム塩基などの他の強塩基が存在しないことを特徴とする。本発明の洗浄および残渣除去組成物は、アルミニウム、チタンおよびタングステンを含有するマイクロエレクトロニクスの基板の洗浄に特に適する。 （もっと読む）

本発明のフォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、電子デバイスの表面の異なるタイプの金属の重層構造に使用したときに電気化学的腐食に耐性である、非水性かつ非腐食性の洗浄組成物により提供される。そのような非水性フォトレジスト剥離剤および洗浄組成物は、（ａ）少なくとも１種の極性有機溶媒、（ｂ）少なくとも１個の第一級アミン基および１個またはそれ以上の第二級および／または第三級アミン基の両方を有し、下式［式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４およびＲ_５は、Ｈ、ＯＨ、ヒドロキシアルキルおよびアミノアルキル基から独立して選択されてよく；Ｒ_６およびＲ_７は、各々独立してＨまたはアルキル基であり、ｍおよびｎは、各々独立して１またはそれ以上の整数であり、但し、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４およびＲ_５は、少なくとも１個の第一級アミン基および少なくとも１個の第二級または第三級アミン基が化合物中に存在するように選択される］を有する少なくとも１種のジまたはポリアミン、および、（ｃ）８−ヒドロキシキノリンおよびその異性体、ベンゾトリアゾール、カテコール、単糖、並びに、マンニトール、ソルビトール、アラビトール、キシリトール、エリスリトール、アルカンジオールおよびシクロアルカンジオールから選択される多価アルコールから選択される少なくとも１種の腐食阻害剤を含む。
【化１】

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シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低ｋ材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、クロロトリメチルシラン（ＴＭＣＳ）、トリクロロメチルシラン（ＴＣＭＳ）およびそれらの組み合わせなど、５炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。このプロセス成分はフルオロケイ酸を有する。
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少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素および少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を含む除去化学薬品溶液について本明細書で説明する。除去化学薬品溶液は、フッ化水素ガスと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物も含む。少なくとも１つの気体状低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法を本明細書で説明する。少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、除去化学薬品溶液を生成するために少なくとも１つの低Ｈ_２Ｏ含有率フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に混合するステップとを含む、除去化学薬品溶液を生成する方法も説明する。除去化学薬品溶液を生成する追加の方法は、少なくとも１つの気体状無水フッ素ベース構成要素を提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するために少なくとも１つの無水フッ素ベース構成要素を少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。また本明細書で説明するように、除去化学薬品溶液を生成する方法は、フッ化水素ガスを提供するステップと、少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物を提供するステップと、溶液を生成するためにフッ化水素ガスを少なくとも１つの溶媒または溶媒混合物中に通気させるステップとを含む。 （もっと読む）

フォトレジスト、ポリマー材料、又は残留物を基板から除去するために使用される組成物は、水-混和性有機溶剤、水、少なくとも１つの有機アミン、及び２又は３以上の水-混和性有機溶剤において溶解性である没食子酸の誘導体である防蝕剤を含む。組成物は、更に界面活性剤を含み得る。この組成物の使用により、レジスト再付着が低減され、腐蝕が低減され、及び剥離性が改良される。 （もっと読む）