【課題】硬化層が形成されたレジストを、基層にダメージを与えないように除去する。
【解決手段】レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。レジストには、１×１０^１４〜５×１０^１５個／ｃｍ^２のイオンが注入されており、前記照射工程における紫外光の照射量を少なくとも１８００ｍＪ／ｃｍ^２とし、前記除去工程では、６０℃以上に加熱された前記アルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる （もっと読む）

【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面上に形成された金属ゲート構造の周囲からポストエッチング洗浄工程中にポリマ残渣を除去するためのシステム及び方法は、金属ゲート構造に及び除去されるべきポリマ残渣に関連する複数のプロセスパラメータを決定することを含む。１又は複数の製造層が、金属ゲート構造を画定し、プロセスパラメータは、これらの製造層の及びポリマ残渣の特性を定める。第１及び第２の洗浄化学剤が特定され、プロセスパラメータに基づいて、第１及び第２の洗浄化学剤に関連する複数の適用パラメータが定められる。ゲート構造の構造的完全性を維持しつつポリマ残渣を実質的に除去するために、第１及び第２の適用化学剤は、適用パラメータを使用して制御方式で順次適用される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の一実施形態によると、腐食防止剤と、可溶化剤と、脱酸素剤と、ｐＨ調整剤としても機能する錯化剤とを含む洗浄溶液が提供されている。本発明の別の実施形態では、ｐＨ調整剤と、随意的な錯化剤と、腐食防止剤とを含む洗浄溶液が提供されている。洗浄溶液は、可溶化剤を随意的に有してもよく、界面活性剤を随意的に有してもよく、誘電体エッチャントを随意的に有してもよい。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度を低減した処理液で基板を処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに対向する基板対向面３４を有し、基板対向面３４の周囲からスピンチャック３に向かって突出した周壁部３２が形成された遮断板６と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する第１上側処理液供給管３５とを備えている。第１上側処理液供給管３５には、第２上側処理液供給管３８を介して第１配管内調合ユニット５１から薬液が供給される。この薬液は、薬液原液と、不活性ガス溶存水生成ユニット５０によって純水中の酸素が脱気され、当該純水中に不活性ガスが添加されて生成された不活性ガス溶存水とが第１混合部５９内で混合されることにより調合されたものである。 （もっと読む）

【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面を、銅配線の腐食を引き起こすことなく、有機物汚染、パーティクル汚染を、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、シクロヘキシル基を有する化合物を含有する半導体表面用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池の光吸収層などに使用することができ、しかも高い変換効率を有する硫化物系化合物半導体を提供すること。
【解決手段】Ｎａ共存下において、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体を製造し、極性溶媒を用いて前記硫化物系化合物半導体を洗浄することにより得られる硫化物系化合物半導体。極性溶媒は、水が好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の品質への悪影響を抑制しつつ、再付着の発生を有効に抑制することが可能な半導体基板等の洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１は、半導体または半導体を含む素材からなる被洗浄物であるＳｉＣ基板５０を洗浄する洗浄装置であって、洗浄液１６を保持する洗浄槽１１と、洗浄槽１１の内部に配置され、ＳｉＣ基板５０を保持する基板ホルダ１２と、洗浄液１６に対して磁界を加える電磁石コイル１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の品質への悪影響を抑制しつつ、再付着の発生を有効に抑制することが可能な半導体基板等の洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１は、半導体または半導体を含む素材からなる被洗浄物であるＳｉＣ基板５０を洗浄する洗浄装置であって、洗浄液１６を保持する洗浄槽１１と、洗浄槽１１の内部に配置され、ＳｉＣ基板５０を保持する基板ホルダ１２と、洗浄液１６の温度を調整することにより、洗浄液１６を対流させるヒータ１３と、ＳｉＣ基板５０から脱落した付着物を捕集するフィルター１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を低温、短時間で完全に除去でき、配線上部のバリアメタル上に粒状の異物が付着するのを抑制するレジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体素子や液晶パネル素子の製造工程において、ドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を剥離する際、フッ素化合物と1，10−フェナントロリン一水和物、1，10−フェナントロリン無水物、2，2’−ビピリジン、1，2，3−ベンゾトリアゾール、ピリジン、3，5−ジメチルピラゾール、ニトリロ三酢酸、プロピオン酸、および酢酸から選択される１種以上の水溶性化合物を含有することを特徴とするレジスト剥離液組成物で洗浄する（接触処理する）。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜上に仕事関数制御金属導体を堆積した構造の半導体において、素子を劣化させることなく微細加工を施す。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成されたＨｆあるいはＺｒを含む絶縁膜１０２、該絶縁膜上に形成されたＴｉあるいはＴａあるいはＲｕを含む導体膜１０３を有し、該導電膜上に形成したレジスト１０７を用いて、プラズマ雰囲気中で前記導電膜を加工する半導体加工方法において、前記レジスト１０７を、水素を含み酸素を含まないガスのプラズマ雰囲気中で除去する。 （もっと読む）

【課題】フッ素化合物を用いて高度な洗浄効果が得られるようにした洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともフッ素化合物を含有する洗浄液（フッ素系溶剤）３に、被洗浄物１を浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、浸漬工程における、洗浄液３の温度ｔが、洗浄液３に含まれるフッ素化合物の１気圧における標準沸点または１００℃のいずれか低い方の温度以上であり、かつ雰囲気圧力が温度ｔにおいてフッ素化合物が液体状態となる圧力であることを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜のアッシング条件に依存せず、かつコロージョンの発生を抑制する洗浄方法が望まれている。
【解決手段】 半導体基板上に、アルミニウムを含む導電膜(45)を形成する。導電膜の上に、レジストパターン(48)を形成する。レジストパターンをマスクとして、ハロゲンを含むガスを用いて導電膜をエッチングすることにより、配線(45a,45b)を形成する。配線の形成後、レジストパターンを除去する。レジストパターンの除去後、配線が形成されている表面を薬液(62)で処理することにより、レジストパターン除去後の残渣物を除去する。薬液による処理後、４０℃以上の温水(63)を用いて、基板表面を水洗する。 （もっと読む）

【課題】１３０ｎｍ、９０ｎｍおよび６５ｎｍテクニカル・ノードのプロセス等に適用されるＣｕ-ＣＭＰ工程においては、Ｃｕ配線の腐食を防止する目的で防食剤を添加したスラリが主流となっている。ところが、防食剤を添加したスラリを用いたＣｕ-ＣＭＰ工程について、本願発明者らが検討したところによると、防食剤はＣｕと錯体を形成する場合が多く、異物としてウェハ上に多量に残留し歩留の低下や、Ｃｕ配線におけるＴＤＤＢ特性といった信頼度を劣化させる要因となることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ポストＣＭＰ洗浄において、ウエハのデバイス面をほぼ水平上向きで、当該面に薬液又は純水等の洗浄液体を供給するとともに、ウエハを水平面内で、ほぼその中心の周りで自転させながらウエット洗浄するときに、その自転速度をデバイス面上における洗浄液体の厚さがほぼ均一になる程度に低速にするものである。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等の残留物を選択的に除去し、かつこの組成物にさらされる場合がある高誘電率の誘導性材料、低誘電率の誘導性材料、及び／又は範囲の金属領域の望ましくない攻撃をすることなく、基板から残留物を処理することができる組成物を提供すること。
【解決手段】製品から残留物を除去するための組成物であって、当該組成物が、グリコールエーテルを含む１種以上の水溶性有機溶媒；水；フッ化物含有化合物がアンモニウムフルオライドである場合に、追加のフッ化物含有化合物を当該組成物に添加しないことを条件とするフッ化物含有化合物；そして随意選択的な第４級アンモニウム化合物；
を含む、残留物を除去するための組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、NiSi(ニッケルシリサイド)を有する半導体デバイスの製造プロセスにおいて、ドライプロセス後の残渣を効果的に除去することが可能な残渣除去液を提供する。
【解決手段】ニッケルシリサイド（NiSi）を含む半導体基板をドライエッチング及び／又はアッシングした後に存在する残渣の除去液であって、（ａ）pKaが10以上のアミンのフッ化物塩、及びフッ化テトラアルキルアンモニウムを含むテトラアルキルアンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも1種、（ｂ）酸、及び（ｃ）水を含み、該（ａ）の濃度が１５重量％以上であり、ｐＨが６〜９である残渣除去液に関する。 （もっと読む）

【課題】特に表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染やパーティクル汚染を銅配線の腐蝕を引き起こすことなく効果的に除去しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、下記一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＶ）から選ばれる少なくとも１種のアミノポリカルボン酸を含有することを特徴とする洗浄剤、及びこれを用いた洗浄方法。
（もっと読む）

【課題】基板上における気流の乱れを抑制または防止できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷを所定の回転軸線Ｃ１まわりに回転させる基板回転手段と、基板回転手段により回転されるウエハＷの主面に向けて、かつ基板回転手段によるウエハＷの回転方向下流側に向けて、気体を吐出し、ウエハＷの主面上にウエハＷの回転方向に沿う気流を形成するための複数の気体吐出ノズルとを含む。ウエハＷ上に形成される気流の流速は、ウエハＷの回転軸線Ｃ１からの距離が異なる各位置において、ウエハＷの周速と一致されている。 （もっと読む）