【課題】
多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。
【解決手段】
処理対象の層を変更し、基板処理液を変更するごとに基板の回転数を増加させながらエッチングすることで、外周のエッチング領域を外側に狭めていくエッチング処理が出来、周辺部の庇の発生を防止し、汚染拡散のない周辺洗浄が可能となる。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象物への好ましくない影響を低減できる洗浄装置、及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】純水にオゾンガスを溶解させたオゾン水を洗浄対象物１５に向けて噴射する第１の噴射手段（１１ａ、１２ａ、１３ａ）と、純水に水素ガスを溶解させた水素水を洗浄対象物１５に向けて噴射する第２の噴射手段（１１ｂ、１２ｂ、１３ｂ）と、第１の噴射手段、及び第２の噴射手段を制御して、オゾン水、及び水素水の噴射態様を制御する制御手段１２ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって：ハフニウムおよび／またはジルコニウムを含む第１の酸化物材料を含む高誘電体層と；前記高誘電体層の上部に蒸着され、ランタン、ランタニド、および／または、アルミニウムを含む第２の酸化物材料を含むキャップ層と、を備えたスタックを準備する工程と；酸化剤を含む水溶液である液体Ａを前記半導体ウエハの表面に供給する工程ＳＡと；工程ＳＡの後に、６未満のｐＨ値の液体である液体Ｂを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＢと；工程ＳＢの後に、少なくとも１０ｐｐｍのフッ素濃度の酸性水溶液である液体Ｃを前記半導体ウエハの前記表面に供給する工程ＳＣとを備える方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハを処理するための方法であって：酸化ランタンまたは酸化ランタニド（例えば、Ｄｙ₂Ｏ₃、Ｐｒ₂Ｏ₃、Ｃｅ₂Ｏ₃）を含む層を準備する工程と；炭酸水である水溶液を供給することにより、酸化ランタンまたは酸化ランタニドを含む層を特定の領域で除去して、酸化ランタンまたは酸化ランタニドを含む層が上に蒸着された表面を露出させる工程とを備える方法が開示されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のリンス処理時に、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜の膜減りを抑制する。
【解決手段】半導体基板(Ｗ)上には、希土類酸化物およびアルカリ土類酸化物のうちの少なくとも一種を含む酸化膜が形成されている。半導体基板（Ｗ）に対するリンス処理において、アルカリ性薬液または有機溶剤からなるリンス液が用いられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、材料、粒子、または化学物質を基板から除去するためのブラシまたはパッドを作製する方法および材料を提供する。
【解決手段】ブラシまたはパッドは、多孔性パッド材料を支持するための回転可能ベースを含む。ベースは、内表面および外表面を含み、かつ多孔性パッド材料をベースと互いにかみ合わせるための複数のチャネルをベースに含む。多孔性パッド材料は、ベースの外表面の少なくとも一部を覆い、材料を様々な基板から除去するために使用される。多孔性パッド材料は、ベースのチャネルの１つまたは複数を充填し、多孔性パッド材料をベースと互いにかみ合わせる。チャネルは、ベースの前記内表面を外表面と流体接続し、多孔性パッド内における多孔性パッドノードの位置合わせおよび流体の分布を補助することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電気特性の悪化を抑制するとともに、ＰＬ特性の悪化を抑制することができるＩｎＰ基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＩｎＰ基板およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板の製造方法は、以下の工程（ステップ）を備えている。ＩｎＰインゴットを準備するＳ１。このインゴットは、ＩｎＰからなっていてもよく、Ｆｅ、Ｓ、Ｓｎ、およびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも一種の物質よりなるドーパントを含んでいてもよい。次に、準備したインゴットからＩｎＰ基板をスライス加工した後Ｓ２、ＩｎＰ基板を、研磨剤、化学研磨液などを用いて研磨しＳ３、ＩｎＰ基板を準備する。次に、研磨したＩｎＰ基板を前処理するＳ４。前処理により、研磨剤、化学研磨液などを除去する。続いてＩｎＰ基板を硫酸過水で洗浄しＳ５、この後、ＩｎＰ基板をリン酸で洗浄するＳ６。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含んだ二酸化炭素を超臨界状態の洗浄剤として、この洗浄剤を洗浄チャンバー内に配された被洗浄物に接触させることにより、前記被洗浄物の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置において、洗浄時間の短縮化を図ること。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤と超臨界状態の二酸化炭素を混合し、混合流体を被洗浄物に接触させて洗浄する洗浄方法において、前記混合を管内混合手段で行い、該管内混合手段の直後に被洗浄物を配置するとともに、前記混合流体においての重量割合は、二酸化炭素に占める有機溶剤の重量割合を２０％以下とし、かつ界面活性剤の重量比率を有機溶剤と略同重量としたことを特徴とする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不揮発性記憶装置の表面に形成された壁体間に残留する液体の表面張力の影響を抑制することができるとともに、ガルバニック腐食を抑制することができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記憶層を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、壁体が形成された基体の表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記基体の洗浄を行う工程を有すること、を特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】Ｗｅｔ処理中のみならず、Ｗｅｔ処理後においても基板へのイオンコンタミネーションを防止する。
【解決手段】薬液に由来して処理チャンバ内に拡散するイオンを検出し、検出されたイオンの量が予め設定した数値範囲内にあるかどうかを判定し、検出されたイオンの量が該数値範囲の上限を超える場合に、処理チャンバ内への吸気量および処理チャンバからの排気量を調整することにより処理チャンバ内のイオンを排出する。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中に、チャンバの構成部品の表面上にもポリマー堆積物が形成され、時間が経つと、剥離、剥がれ落ちて、パーティクル汚染源となる。そのパーティクルを低減できるプラズマ反応室の構成部品を提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに用いられる構成部品を、洗浄し、ポリマーの付着を促進する表面粗さに粗面化し、セラミック又は高温ポリマー等の被覆材料３２を構成部品の面上にプラズマ溶射する。構成部品としては、チャンバ壁、チャンバライナ３０、バッフルリング、ガス供給板２２、プラズマ閉じ込めリング１４及びライナ支持体が含まれる。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルを低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び／又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】種々の被エッチング材料、プロセス条件に対応可能なエッチング特性分布調整手段を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に静磁場を生成する磁場生成用コイル１８，１９と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、直線偏波のマイクロ波を円偏波のマイクロ波に変換するマイクロ波回転発生器２２を備え、前記磁場生成用コイルに励磁電流を供給する励磁回路には励磁電流を反転して供給する手段３３を備えた。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスデバイスまたはナノエレクトロニクスデバイスを洗浄するための洗浄組成物であって、組成物中の唯一の酸および唯一のフッ化物化合物としてのＨＦと、スルホンおよびセレノンからなる群から選択された少なくとも１種の第一の溶媒と、金属イオン錯化または結合部位を有する、ポリヒドロキシルアルキルアルコールまたはポリヒドロキシルアリールアルコールの少なくとも１種の共溶媒と、水と、任意選択で少なくとも１種のホスホン酸腐食防止剤化合物とを含み、アミン、塩基、およびその他の塩を含まない洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を検査する検査治具のプローブ端子を損傷することなく、低接触抵抗値を維持し、信頼性の高いプローブカードの洗浄方法を得る。
【解決手段】ウエハ一括コンタクトボード６０を構成するニッケル（Ｎｉ）からなる半球状のバンプ（プローブ端子）２２を備えたバンプ付きメンブレンリング１０を、フッ素濃度が１ｗｔ％未満の酸性フッ化アンモン水溶液に浸漬する。これにより、半導体素子を検査した時にアルミニウムパッドから剥がれてバンプ２２に付着したアルミニウムや酸化アルミニウムを、バンプ２２を損傷することなく除去することが可能である。また、バンプ２２を構成するニッケル（Ｎｉ）を溶解すること無く、バンプの表面に形成されたニッケル酸化物（ＮｉＯ）を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ後洗浄組成物およびそれを含む方法を提供すること。
【解決手段】洗浄組成物において、その組成物のｐＨが９．５〜１１．５の範囲にあり、水、有機塩基、ならびにアミノポリカルボン酸およびヒドロキシルカルボン酸を含む複数のキレート剤を含むように構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面における有機物汚染やパーティクル汚染を、銅配線の腐食を引き起こすことなく除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ポリカルボン酸およびジエチレントリアミン五酢酸を含有し、ＳｉＯＣを構成成分として含有する誘電率が３．０以下の絶縁膜上に銅拡散防止用バリア膜及び銅配線を備える半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも水溶性アミン、水溶性有機溶媒及び脱イオン水を含むＣＭＰ後洗浄用の組成物に直接的に関連する。本発明の組成物は、研磨後のウェーハの表面に残留する汚染物質を効果的に除去でき、効果のある時間内に、銅含有半導体ウェーハに接触した後、ウェーハの欠陥数が減少する。
本発明はまた、ＣＭＰの後のウェーハ上から残留汚染物質を除去する効果のある時間の持続中に、ＣＭＰに用いるウェーハと、少なくとも水溶性アミン、少なくとも水溶性有機溶媒、及び脱イオン水を含む組成物とを接触させる工程を有するＣＭＰ後洗浄方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｐｔ残留物、Ｐｔ汚染物あるいはＰｔ膜を効果的にエッチングし、且つ、エッチング装置の金属部材の腐食進行を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンを含む半導体基板１上または半導体基板１上に形成されたシリコンを含む導電膜４上に、貴金属膜または貴金属を含む金属膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後、半導体基板１に対して熱処理を行い、半導体基板１上または導電膜４上に貴金属を含むシリサイド膜７を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、第１の薬液を用いて未反応の貴金属を活性化する工程（ｃ）と、第２の薬液を用いて工程（ｃ）で活性化された未反応の貴金属を溶解する工程（ｄ）とを行う。工程（ｄ）は、工程（ｃ）から３０分以内に行う。 （もっと読む）

【課題】ＣｏＷＰが露出したパターン化ウェハを、ＣｏＷＰの完全性を維持したままで洗浄することのできる優れた湿式洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＣｏＷＰフィーチャーを有する半導体基板から発生するエッチング後残渣および灰化後残渣を除去するための湿式洗浄処方物であって、脱イオン水；有機酸；アミンおよび／または水酸化４級アンモニウム；からなり、前記処方物はＣｏＷＰフィーチャーと適合性があり、かつ、（ａ）アミンおよび／または水酸化４級アンモニウムの有機酸に対するモル比によってｐＨが７〜１４の値をとる；あるいは、（ｂ）前記処方物は腐食防止剤を含む、のいずれかであることを特徴とする。前記処方物を使用した方法についても記載する。 （もっと読む）