【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）ポリカルボン酸またはヒドロキシカルボン酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）カルボン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第１の処理液を供給し、供給した第１の処理液により基板の裏面を処理する第１の工程Ｓ１１を有する。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素非芳香族環状化合物とを含有し、実質的に中性に調整された半導体基板用洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板に疎水化剤が供給され、当該基板の表面が疎水化される（Ｓ１０４，Ｓ１０８）。その後、基板が乾燥される（Ｓ１１０）。処理対象の基板は、疎水化されてから乾燥するまで水が接触しない状態に保たれる。 （もっと読む）

【課題】 レジストの水による物性変化（膨潤性等）を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル３をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 （もっと読む）

【課題】ポストエッチング後に有機および無機の残留物およびフォトレジストを半導体基材にダメージを与えることなく除去する処方の提供
【解決手段】アセタールまたはケタール溶媒、水、多価アルコール、および少なくとも７かそれより大きなｐＨを有するように調整するｐＨ調整剤を含み、さらには共溶媒としての水溶性の有機溶媒、腐食防止剤およびフッ化物を随意的に含む。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水に、洗浄剤と、塩基性化合物と、酸性有機化合物とを含有させ、実質的に中性に調整された洗浄組成物であって、さらに高分子化合物を含有させた洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの凹部表面にチタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を有するウェハ（金属系ウェハ）のパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】金属系ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値が０．００１〜１０であり炭素数が６〜１８の炭化水素基を含む疎水部を有する界面活性剤と、水を含み、薬液中の前記界面活性剤の濃度が、該薬液の総量１００質量％に対して０．００００１質量％以上、飽和濃度以下であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面の微細な凹凸パターンの少なくとも一部にチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハのパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの洗浄時に、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が非水溶性の界面活性剤であることを特徴とするウェハの撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた２剤型半導体基板用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に混合して使用する、発泡剤成分と発泡助剤成分とを有する２剤型半導体基板用洗浄剤であって、前記発泡剤成分が炭酸塩を含有し、前記発泡助剤成分が酸性化合物を含有し、さらに、前記発泡剤成分および／または前記発泡助剤成分が界面活性剤を含有し、前記発泡剤成分と前記発泡助剤成分との混合液のｐＨが７．５未満となる、２剤型半導体基板用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた半導体基板の洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発泡剤成分および発泡助剤成分を半導体基板に供給して、前記発泡剤成分と前記発泡助剤成分との混合液中で半導体基板を洗浄する、半導体基板の洗浄方法であって、前記発泡剤成分が炭酸塩を含有し、前記発泡助剤成分が酸性化合物を含有し、前記混合液のｐＨが７．５未満である、半導体基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】異種金属が露出した基板表面の洗浄において卑金属の溶解を防止する。。
【解決手段】基板保持台２６に保持された基板２４表面の周縁部の上方にノズル２１を配置し、カーボン電極２３Ａを通じて電圧発生装置２９により電圧を印加された薬液２１３をノズル２１から基板２４表面の周縁部に供給する。次に、薬液２１３をノズル２１から供給しながら、基板２４表面の中央部の上方にノズル２１を移動させた後、薬液２１３をノズル２１から基板２４表面の中央部に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を荒らすことなく微小な傷を除去することができる基板裏面平坦化方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面における傷Ｓの位置や大きさが検出され、位置や大きさが検出された傷Ｓへ選択的に多数のガス分子２８が集合して形成されたガス分子２８のクラスター２９が吹き付けられ、ウエハＷの表面に塗布されたフォトレジスト３０が露光される。 （もっと読む）

【課題】ＩＬＤ材料に対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜及び下層反射防止膜の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、４級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水と、無機塩基とを含有する。水溶性有機溶剤は、双極子モーメントが３．０Ｄ以上である高極性溶剤と、グリコールエーテル系溶剤と、多価アルコールとを含み、上記高極性溶剤とグリコールエーテル系溶剤との合計含有量が、全量に対して３０質量％以上である。 （もっと読む）

本発明は、切り換え可能な疑中性ビームシステムを用いてリアルタイムで基板を処理して、フォトレジスト層のエッチング耐性を改善する装置及び方法を供してよい。それに加えて、前記の改善されたフォトレジスト層は、エッチング処理において、ゲート及び/又はスペーサの限界寸法(CD)のより正確な制御、ゲート及び/又はスペーサのCD均一性の正確な制御、並びに、ライン端部粗さ(LER)及びライン幅粗さ(LWR)の除去に用いられてよい。
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【課題】
【解決手段】基板の表面から金属キャッピング層の腐食生成物を洗浄するための方法およびシステムが提供されている。一実施形態によると、処理溶液は、界面活性剤、錯化剤、および、ｐＨ調整剤を含む。界面活性剤は、ウエハ表面を湿潤を改善し、キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成される。錯化剤は、基板表面から脱着した金属イオンと結合するよう構成される。ｐＨ調整剤は、基板表面からの腐食生成物の脱着を促進するために、ｐＨを所望のレベルに調整するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】有機および無機汚染物質を半導体ウェハから清浄化すると同時に、半導体ウェハをマイクロエッチングする方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハをインゴットから薄く切り出した後に、切断流体、並びに切断プロセスにおいて使用されるソウから汚染される金属および金属酸化物を、１種以上の水酸化第四級アンモニウムと、１種以上の水酸化アルカリと、１種以上のミッドレンジアルコキシラートとを、含むアルカリ水溶液により清浄化し、同時にマイクロエッチングする。 （もっと読む）

マスキング材料、例えば、フォトレジストを除去するための方法、およびマスキング材料を除去することによって形成される電子デバイスが示される。例えば、マスキング材料を除去するための方法は、マスキング材料を、セリウムおよび少なくとも１つの追加的な酸化剤を含む溶液と接触させる工程を含む。セリウムは塩に含まれてもよい。塩は硝酸セリウムアンモニウムであってもよい。少なくとも１つの追加的な酸化剤は、マンガン、ルテニウムおよび／またはオスミウム含有化合物であってもよい。
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【課題】 活性状態とされた酸素による処理をした後でも、金よりなる構造体の表面に、ボンディングワイヤーの形成や電着膜の形成が正常に行えるようにする。
【解決手段】 制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に残渣するカーボン系汚染物（有機物）を除去するために、これらの酸素プラズマが照射された状態とする。次に、この酸素プラズマによる処理がなされた基板１０１を、例えば、真空、不活性、もしくは還元性の雰囲気において加熱処理する。この加熱処理により、金からなる制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に、酸素を含むプラズマが照射されたことにより形成された酸化金が、除去されるようになる。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象物への好ましくない影響を低減できる洗浄装置、及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】純水にオゾンガスを溶解させたオゾン水を洗浄対象物１５に向けて噴射する第１の噴射手段（１１ａ、１２ａ、１３ａ）と、純水に水素ガスを溶解させた水素水を洗浄対象物１５に向けて噴射する第２の噴射手段（１１ｂ、１２ｂ、１３ｂ）と、第１の噴射手段、及び第２の噴射手段を制御して、オゾン水、及び水素水の噴射態様を制御する制御手段１２ｃと、を備える。 （もっと読む）