【課題】
本発明の目的は、半導体基板に用いられる配線材料、特に銅またはタングステンを腐食することなく窒化チタンをエッチングすることができる洗浄用組成物を提供することである。
【解決手段】
過酸化水素、水酸化４級アンモニウムおよびタングステンの防食剤を含有し、ｐＨが７以上１０以下である配線基板の処理液であって、タングステンの防食剤が４級アンモニウムおよびその塩、４級ピリジニウムおよびその塩、４級ビピリジニウムおよびその塩、並びに４級イミダゾリウムおよびその塩、からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする洗浄用組成物を用いることで銅またはタングステンを腐食することなく窒化チタンを効果的にエッチングできることを見出し、本発明に到達した。 （もっと読む）

【課題】厚さが異なる２種類以上のゲート絶縁膜を有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に形成された酸化シリコン膜６の上層に酸化シリコン膜７を形成し、次いで厚いゲート絶縁膜を形成する領域Ａを覆ったフォトレジストパターン８をマスクとして、薄いゲート絶縁膜を形成する領域Ｂの酸化シリコン膜６，７を除去した後、フォトレジストパターン８および酸化シリコン膜７を除去し、続いて熱酸化処理を半導体基板１に施すことによって、厚さの異なるゲート絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】レジストアッシング工程後の残留物を効果的に除去すると同時に、ウエハ上に留めたい緻密構造を侵食したり潜在的に劣化させることがない化学配合物を提供する。
【解決手段】フッ化物源を１〜２１重量％と、有機アミンを２０〜５５重量％と、含窒素成分（例えば含窒素カルボン酸またはイミン）を０．５〜４０重量％と、水を２３〜５０重量％と、金属キレート剤を０〜２１重量％とを含む半導体ウエハ洗浄配合物。 （もっと読む）

【課題】不純物の取り込みや平坦性の悪化を抑制できる酸化物基板の清浄化方法、及び該方法によって清浄化された基板を用いた酸化物薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】真空雰囲気中に置いた酸化物基板を加熱することなしに、その表面に原子状水素および原子状重水素のうち少なくとも一方を接触させて該酸化物基板の表面を清浄化処理することを特徴とする酸化物基板の清浄化方法。この酸化物基板の清浄化方法によって酸化物基板の表面を清浄化する工程と、清浄化した酸化物基板の表面に酸化物半導体結晶を成長させて酸化物半導体薄膜を得る工程とを有することを特徴とする酸化物半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】デバイス基板の洗浄において、配線や絶縁膜、容量膜等のデバイス材料の腐食や溶解を防止しつつ、基板上のパーティクル等の汚染を効果的に除去することができるデバイス基板用の洗浄組成物、洗浄方法、洗浄装置の提供。
【解決手段】１分子中に少なくとも１つの水酸基を有し、ＨＬＢが１２以上２０以下の非イオン界面活性剤と、ベンゾトリアゾール又はその誘導体と、を含有し、２５℃における水素電極基準の酸化還元電位が略−１２００ｍＶ以上１００ｍＶ以下または略４００ｍＶ以上１２００ｍＶ以下の塩基性水溶液を用いて基板を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク用途に使用することもできる、水晶のような基材表面の前処理ステップにおいて使用する、様々なｐＨ領域と伝導度を持つアルカリ性ベースの組成物を用いる方法を提供する。
【解決手段】ＮＨ_４ＯＨ：Ｈ_２Ｏ_２：Ｈ_２Ｏが、容積比で１：２：２００〜１：１：１００となる希釈比で、水酸化アンモニウム、過酸化水素及び脱イオン水を含有する、ｐＨが８〜１２の_ｕｄＳＣ１組成物を用いて基材表面を処理し、次いで、ノニオン系洗浄剤と脱イオン水を容積比で１〜１００となる希釈比で含有し、ｐＨが８〜１１のノニオン系洗浄剤組成物を用いて前記基材の表面を処理する基材表面の洗浄方法。前記_ｕｄＳＣ１のｐＨが、前記ノニオン系洗浄剤組成物のｐＨより高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基材から不要な有機および無機の残渣および汚染物質を除去するのに用いられる半水性の洗浄組成物を提供する。
【解決手段】この洗浄組成物は、ｐＫａ値が約５〜約７の少なくとも３つのカルボン酸基を有する多塩基酸を含む緩衝系を含んでなる。この洗浄組成物はまた、グリセロールなどの多価溶媒を含む。フッ化物イオン源が本発明の洗浄組成物にさらに含まれ、主として基材からの無機残渣の除去に関与する。本発明の洗浄組成物は毒性が低く、環境にやさしい。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウェーハ内部の金属系不純物を簡便にしかも高効率に除去する。
【解決手段】 ステップＳ１工程で、表面が露出したシリコンウェーハに第１の洗浄を施す。ここで、シリコンウェーハ表面は清浄化される。次に、ステップＳ２工程で、上記シリコンウェーハを、室温近くの温度の空気雰囲気中で例えば２００時間〜８００時間の間、常温保管し放置する。この工程により、シリコンウェーハの内部の金属原子は外方拡散してシリコンウェーハ表面に出てその表面部に凝集する。次に、ステップＳ３工程で、シリコンウェーハに対して第２の洗浄を施し上記シリコンウェーハ表面部に凝集した金属系不純物を除去する。このようにして、シリコンウェーハ内部の金属系不純物が簡便にしかも高効率に除去される （もっと読む）

【課題】半導体ウェハー基板上に形成されたシリコン含有有機膜を除去するリワークプロセスにおいて、シリコン化合物残渣が発生し、この除去が困難であった。
【解決手段】半導体ウェハー基板上に形成されたシリコン含有有機膜を除去した表面を、アンモニア水溶液により洗浄処理を行う第１のステップと、希釈フッ酸水溶液により洗浄処理を行う第２のステップを少なくとも有する方法で処理する。アンモニア水溶液中のアンモニア濃度は、０．０１重量パーセント以上、３０重量パーセント以下であることが好ましい。希釈フッ酸水溶液中のフッ酸濃度は、０．０１重量パーセント以上、２．０重量パーセント以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】選択エピタキシャル成長プロセスの特性を改良する方法を提供する。
【解決手段】選択エピタキシャル成長工程を用いた半導体装置の製造方法であって、少なくとも、半導体基板を供給する工程と、半導体基板の上に絶縁性材料のパターンを形成し、これによりカバーされおよびカバーされない表面を形成する工程と、形成された絶縁性材料のパターンを有する半導体基板の、カバーされたおよびカバーされない表面を洗浄する工程と、絶縁性材料のパターンを有する基板をエピタキシャルリアクタの反応チャンバ中に入れる工程と、可能であれば少なくとも１つの第１キャリアガスと共に、少なくとも１つの半導体ソースガスを、エピタキシャルリアクタの反応チャンバ中に導入する工程を含む選択エピタキシャル成長を開始する工程とを含み、選択エピタキシャル成長を開始する工程に先立って、反応チャンバ中で、可能であれば第２キャリアガスと共に、ハロゲン含有エッチングガスを導入して、基板の表面にその場前処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 マイクロエレクトロニクス基板の洗浄のためのマイクロエレクトロニクス洗浄組成物、特にＡｌまたはＡｌ（Ｃｕ）金属被覆基板と同様に、二酸化珪素、高感度低κおよび高κの誘電体、および、銅、タングステン、タンタル、ニッケル、金、コバルト、パラジウム、白金、クローム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ハフニウム、チタン、モリブデン、錫、及びその他の金属被覆が特色であり、かつ相互接続技法が進んだものである、マイクロエレクトロニクス基板との適合性を改良した、それらの洗浄に有用な洗浄組成物を提供する。
【解決手段】 ハロゲン酸素酸、それらの塩および誘導体を含むマイクロエレクトロニクス洗浄組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】キャッピング層及び絶縁層のマイクロ電子デバイスからの除去に関する改良された組成物を提供する。
【解決手段】シリコン含有層を、かかる層をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する除去組成物及び方法を開示する。除去組成物は、次のものに限定されないが、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート（Ｐ−ＴＥＯＳ）、ボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、プラズマエンハンスド酸化物（ＰＥＯＸ）、高密度プラズマ酸化物（ＨＤＰ）、ホスホシリケートガラス（ＰＳＧ）、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機／無機材料類、有機シリケートガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化シリケートガラス（ＦＳＧ）、半球状グレイン（ＨＳＱ）、炭素ドープされた酸化物（ＣＤＯ）ガラス、及びこれらの組み合わせを含む総を、下部電極、デバイス基板、及び／又はエッチストップ層の材料に対して、選択的に除去する。 （もっと読む）

残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、溶媒としてのアセタールまたはケタール、水およびｐＨ調整剤を含む処方について説明する。
【解決手段】これらの消泡は少なくとも７またはそれより大きいｐＨを有さなければならない。本発明における処方は共溶媒としての水溶性の有機溶媒、腐食防止剤およびフッ化物を随意的に含むことが可能である。本発明における処方は、ポリマー性残留物だけでなく、ポストエッチングした有機および無機の残留物も半導体基材から除去するために使用可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の導電パターンを形成するための研磨工程の後に実施する洗浄工程における洗浄効率の向上、生産コストの軽減、及び研磨装置の活用性の改善を可能にする半導体素子の導電パターン形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体素子の導電パターン形成方法は、トレンチが形成された層間絶縁膜（１１）を提供するステップと、前記トレンチを埋め込むように導電物質を形成するステップと、前記層間絶縁膜（１１）が露出するように導電物質を研磨するステップと、混合洗浄液（ＢＯＥ＋有機酸）を用いて導電物質を含む構造物全体を洗浄するステップ（１６）とを含む。 （もっと読む）

【課題】表面洗浄を含む半導体素子製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にコンタクトホールを持つ絶縁層を形成し、コンタクトホールに露出された表面の自然酸化物汚染物を、アルコール類有機化合物、例えば、グリコール類有機化合物またはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に分散されたふっ素（Ｆ）を含む化学種を含むエッチング液（ｅｔｃｈａｎｔ）を用いて、好ましくは１．０以下の低選択比（ｌｏｗ ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）で洗浄する。その後、コンタクトホールを導電層で埋め込んで連結コンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】汚染および表面分解を最小限に抑えるための層間絶縁膜の表面改質
【解決手段】半導体システムは、誘電体層（１０４）を提供することと、誘電体層（１０４）内に、誘電体層（１０４）の上部に露出される導体（１０８）を提供することと、露出された導体（１０８）をキャッピングすることと、誘電体層（１０４）の表面を改質することであって、導体（１０８）を低ｐＨ溶液に溶解させて誘電体層（１０４）から導体（１０８）イオンを洗浄すること、導体（１０８）イオン下方の誘電体層（１０４）を溶解させること、機械的に強化された洗浄を行うこと、または誘電体層（１０４）上に疎水性層（８００）を化学吸着させることを含むことと、を含む。 （もっと読む）

有機アミン及び/又は４級アンモニウム水酸化物を含む少なくとも２つの塩基性化合物、少なくとも１つの有機酸化合物、及び材料の腐食を防止する腐食剤化合物を含むアルカリ性のＣＭＰ後洗浄溶液が提供される。防止剤化合物は、好ましくは、メルカプタン化合物である。１つの具体例では、洗浄溶液は、少なくとも２つの有機アミンを含むが、４級アンモニウム水酸化物は含まない。洗浄溶液は、好ましくは、約７〜約１２の範囲のｐＨを有する。 （もっと読む）