【課題】ユーザの作業負担を増加させることなく、レシピの最適化を自動的に行い、基板の処理品質の低下やばらつきを防止できるレシピ最適化方法及び基板処理システムを提供する。
【解決手段】複数の候補レシピをデータベース部３１に記憶させ、各候補レシピを順次に使用して、基板Ｗの処理および検査を行う。レシピ最適化装置３０は、基板検査装置２０から送信された品質パラメータＱＰに基づいて、複数の候補レシピの中から仮最良レシピを選択する。また、レシピ最適化装置３０は、仮最良レシピに基づいて新たに複数の候補レシピを作成する。このような候補レシピの作成と、基板Ｗの処理及び検査とを、品質パラメータが所定の基準値以上となるまで繰り返し、最良レシピを得る。これにより、ユーザの作業負担を増加させることなくレシピを自動的に最適化でき、基板の処理品質の低下やばらつきを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 ベースから基板が落下することを低減し、十分な洗浄ができる基板の製造方法、を提供することを目的とする。
【解決手段】 ベース２に接着されたブロック１と、アルカリ液４と、を準備する工程と、ベース２に接着されたブロック１をスライスし、ベース２に接着された基板列とする工程と、基板列をアルカリ液４により洗浄する工程と、基板列をベース２から剥離し複数の基板１ａとする工程と、を有し、アルカリ液はＢｒｉｘ値で管理される。 （もっと読む）

【課題】トッププレートで基板の上方を覆う基板処理装置において、基板処理装置の小型化や処理能力の向上を図るとともに、基板を良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置において、基板の下方に回動自在に配置され、前記基板を保持するターンテーブルと、前記ターンテーブルを回転させる回転駆動機構と、前記基板の上方に回動自在に配置され、前記基板の上方を覆うトッププレートと、前記ターンテーブルと前記トッププレートとの間に形成された処理流体流路に処理流体を供給する処理流体供給手段と、前記処理流体流路を挟んで前記ターンテーブル及び前記トッププレートそれぞれに非接触状態で引き合うように設けた磁石とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送時間を十分に短縮できる基板処理装置およびその方法ならびに基板搬送装置を提供する。
【解決手段】インデクサブロックおよび処理ブロックからなる基板処理装置において、インデクサブロックと処理ブロックとの間で、基板ＷがインデクサロボットＩＲにより搬送される。インデクサロボットＩＲは上下に並ぶように設けられた複数のハンド要素２６０を備える。ハンド要素２６０間の距離は、インデクサブロックに搬入される基板Ｗが収納されたキャリアの基板収納溝間の距離と等しい。また、インデクサブロックおよび処理ブロック間に設けられる基板載置部ＰＡＳＳ２の上下に隣接する支持板５１ａ間（および支持板５２ａ間）の距離は、ハンド要素２６０間の距離の２倍である。 （もっと読む）

【課題】枚葉方式で基板を薬液処理した後にリンス処理し乾燥処理する場合に、スループットおよびメンテナンス性を向上させることができるシステムを提供する。
【解決手段】基板Ｗを１枚ずつ薬液およびリンス液で処理する薬液処理部３８およびリンス処理部４０を連接して処理ユニット１４ａ〜１４ｃを構成し、１つの装置ベース上に複数の処理ユニット、基板搬送部２２および乾燥ユニット１６を設ける。処理ユニット１４ａ〜１４ｃにおいて基板Ｗを薬液処理部３８で薬液処理した後にリンス処理部４０でリンス処理する一連の処理を処理単位とし、１枚の基板に対し一連の処理を複数回行うときは、１つの処理ユニットから別の処理ユニットへ基板を順次搬送して、処理ユニットの設置数に対応する回数以内で適宜必要とする回数だけ処理単位を繰り返してから、基板を乾燥ユニット１６へ搬送して乾燥処理する （もっと読む）

【課題】液交換予定を柔軟に配置することにより、ライフタイムの無駄を抑制して処理液の利用効率を向上することができる。
【解決手段】制御部は、まずライフタイムＴ１がアップする時点ｔ１，ｔ３で薬液処理部ＣＨＢ１のリソースを使用する液交換予定ｅｘを配置する。次に、配置した液交換予定ｅｘに対して、各ロットの各リソースの使用タイミングを配置してゆく。そして、液交換予定ｅｘと薬液処理部ＣＨＢ１のリソースの使用タイミングｔ２ａとの間に待機時間ｗｔが生じている場合には、その液交換予定ｅｘを薬液処理部ＣＨＢ１のリソースの使用タイミングｔ２ａに合わせて後ろにずらすように位置を調整する。よって、液交換が終わった直後に薬液処理部ＣＨＢ１でロットの処理が行われるので、ライフタイムに無駄が生じることがなく、処理液の利用効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】基板の端部の必要な部分を効果的に清浄にすることが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【解決手段】洗浄ブラシ５３１は、鉛直方向に延びるブラシ軸５４０を有する。ブラシ軸５４０の外周面を覆うように円筒状の緩衝部材５４２が取り付けられ、緩衝部材５４２の外周面を覆うように円筒状の洗浄部材５４３が取り付けられている。緩衝部材５４２および洗浄部材５４３の下端部はブラシプレート５４１に固定されている。ブラシプレート５４１上における洗浄部材５４３の外側の領域には、環状の洗浄部材５４４が取り付けられている。本実施の形態では、洗浄部材５４３として比較的硬質で柔軟性が低い材料が用いられ、緩衝部材５４２および洗浄部材５４４として比較的軟質で柔軟性が高い材料が用いられる。 （もっと読む）

【課題】処理液の再利用を好適に図ることができ，しかも排気量を低減させることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハＷを洗浄するウェハ洗浄装置５であって，ＡＰＭ及び純水を供給する供給ノズル３４と，ウェハＷを保持するスピンチャック３１と，スピンチャック３１を収納する容器３０とを備え，容器３０は内処理室４２と外処理室４３を備え，スピンチャック３１に対して容器３０を昇降自在に構成し，内処理室４２にＡＰＭ及び室内雰囲気を排出する第１の排出回路５０を接続し，外処理室４３に純水及び室内雰囲気を排出する第２の排出回路５１を接続し，ＡＰＭを供給ノズル３４から再びウェハＷの表面に供給するように構成した。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法による研磨によりポリシリコン膜等が半導体基板上に表出する場合であっても、信頼性や製造歩留まりの低下を防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】化学的機械的研磨法により研磨を行う工程であって、半導体基板上にポリシリコン膜が表出した状態になる工程と；半導体基板を洗浄する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板を洗浄する工程は、酸性の第１の洗浄液を用いて洗浄を行う第１の工程Ｓ１０と；第１の工程の後に、第２の洗浄液を用いて超音波洗浄を行う第２の工程Ｓ１２と；第２の工程の後に、アルカリ性の第３の洗浄液を用いて洗浄を行う第３の工程Ｓ１３とを有している。 （もっと読む）

【課題】露光前のウェハの裏面全面を効率よく洗浄する。
【解決手段】処理容器１１０の一の側面には、搬送機構１０１の搬送アーム１２０に保持されたウェハＷを搬入出させる搬入出口１１１が形成されている。処理容器１１０内には、搬送アーム１２０に保持されたウェハＷの裏面の付着物を静電気によって捕集するために帯電可能な帯電部材１３０と、当該ウェハＷの裏面に気体を噴射できる気体噴射ノズル１４０が設けられている。処理容器１１０の底面であって、帯電部材１３０の周囲には、処理容器１１０内の雰囲気を排気する排気口１５０が形成されている。処理容器１１０内であって、搬入出口１１１側の内側面には、ウェハＷの裏面の付着物を検査する検査機構１６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数の流体を精度よく基板に供給することができるとともに製造が容易でかつ小型化が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓ、スピンモータ２００、回転軸２１０およびプレート支持部材５１０に挿通されている。流体供給管４００の鉛直方向に延びる直管部の湾曲部近傍には、第１フランジＦＲ１が一体形成されている。第１フランジＦＲ１がモータ支持部材２００ｓに固定される。これにより、流体供給管４００は、モータ支持部材２００ｓを介してスピンモータ２００に固定される。流体供給管４００は、ステンレス製のガイド管４１０の内部に樹脂製の気体供給管４２０および複数本の樹脂製の洗浄液供給管４３０が収容された構造を有する。ガイド管４１０の内部において、１本の気体供給管４２０は複数本の洗浄液供給管４３０により取り囲まれるように配置される。 （もっと読む）

【課題】複数の処理チャンバ全体を積層方向に関して小型化できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ハウジング２の内部の収容空間に、第１処理チャンバ１０、第２処理チャンバ２０および第３処理チャンバ３０が、下方から順に積層されている。第１処理チャンバ１０の上方には、第１蓋１１を介して、第２処理チャンバ２０が積層されている。第１蓋１１および第２処理チャンバ２０が、一体的に、第１処理チャンバ１０に対して相対的に昇降する。第２処理チャンバ２０の上方には、第２蓋２１を介して、第３処理チャンバ３０が積層されている。第２蓋２１および第３処理チャンバ３０が、一体的に、第２処理チャンバ２０に対して相対的に昇降する。 （もっと読む）

【課題】基板の外周端部の全体を洗浄することが可能な基板保持回転装置、それを備えた基板洗浄装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗのベベル洗浄処理時には、マグネットプレート６１４ａが下方位置に配置され、マグネットプレート６１４ｂが上方位置に配置される。この場合、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１においては各チャックピン６１５が閉状態となり、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２においては各チャックピン６１５が開状態となる。すなわち、各チャックピン６１５の保持部６１５ｃは、マグネットプレート６１４ａの外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート６１４ｂの外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板処理装置及びその製造方法を開示し、工程設備の工程ユニットをモジュール化し、モジュール化された工程ユニットをメインフレームに脱着可能に設置することを特徴とする。
【解決手段】工程設備の製造に必要とする作業時間及び作業量を減少させることができるだけでなく、各工程ユニットの維持補修をより容易に実施できる基板処理装置及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】隣接する処理室への処理液（ミスト）の侵入をより確実に防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｓに薬液処理を施すウエット処理部２と、その前処理としてドライ洗浄等の処理を基板Ｓに施す前処理部１とを有する。各処理部１，２のチャンバ１０，２０は開口部１１ａを介して連通しており、この開口部１１ａは、前処理部１側に設けられるシャッタ装置１４と、ウエット処理部２側に設けられるシャッタ本体２５とにより開閉可能に設けられている。また、前処理部１のチャンバ１０内には、開口部１１ａの開放中、ウエット処理部２側に向かって開口部１１ａにエアを吐出するエアノズル１９ａ，１９ｂが配備されている。 （もっと読む）

【課題】 複数の処理液を用いる枚葉式のウエット処理装置において、高揮発性や反応性等の処理液について、その処理液及び処理液から発生するミストや気体の流出、及び、他の処理液の流入を防止することが可能なウエット処理装置を提案する。
【解決手段】第一のチャンバ１と、第一のチャンバ１の上方又は下方に位置する第二のチャンバ２とを備え、両チャンバ１，２には互いに対向する位置に開口部１ａ，２ａが設けられており、第一のチャンバ１と第二のチャンバ２の間にて二つの開口部１ａ，２ａを介して保持手段３を昇降させる昇降手段４と、第一のチャンバ１の開口部１ａを開閉する開閉手段１ｂと、第一のチャンバ１内に位置した保持手段３に保持される被処理物Ｗに処理液を供給する第一の供給手段６と、第二のチャンバ２内に位置した保持手段３に保持される被処理物Ｗに処理液を供給する第二の供給手段７とを備える。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内およびドレンボックス内の圧力を調整することにより、処理槽からの迅速な排水を実現できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部７１は、チャンバ２３内を大気圧よりも高い第１の圧力まで加圧させるように不活性ガス供給源４５および不活性ガス弁４７を制御し、処理槽１内の純水をドレンボックス５３に排出させるまでに、ドレンボックス５３内の圧力を大気圧以下の第２の圧力に調整するように第２真空ポンプ６５を制御し、チャンバ２３内が陽圧、ドレンボックス５３内が負圧となり、その後にＱＤＲ弁５５および排液弁５７を開放するので、その圧力差によって処理槽１内の純水が排出管５１を通してドレンボックス５３に迅速に排出することができ、しかも処理槽１内の液残りも低減できる。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度の低減処理を効率的に行うことにより、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部６７は、基板Ｗに対して処理液による処理を行わせた後、窒素ガスを供給させるとともに、排気ポンプ２８ｂを操作して排気を行わせてチャンバ２７内の酸素濃度を低減させ、所定時間が経過した時点で排気及び不活性ガスの供給を停止させ、溶剤ノズル３３から溶剤蒸気を供給させてチャンバ２７内を溶剤雰囲気にさせた後に乾燥処理を行わせる。窒素ガスでの酸素の追い出しだけでなく、排気ポンプ２８ｂでの気体の排出を併用するので、チャンバ２７内の酸素濃度を急速に低減させることができる。したがって、基板Ｗを乾燥位置へ引き上げるまでの時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理速度を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、垂直姿勢で水平方向に積層された複数枚の基板Ｗに対して一括して処理を施す基板処理部２と、基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２と基板処理部２との間で複数枚の基板Ｗを一括搬送する主搬送機構３と、フープＦに対して複数枚の基板Ｗを一括して搬出入するとともに、その複数枚の基板Ｗを水平姿勢と垂直姿勢との間で一括して姿勢変換させる搬出入機構４と、移載機構５と、第１および第２水平搬送機構６，７とを備えている。移載機構５は、移載位置Ｐ３において、搬出入機構４との間で基板Ｗを授受し、第１および第２水平搬送機構６，７との間で基板Ｗを授受する。第１および第２水平搬送機構は、それぞれ基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２で、主搬送機構３との間で基板Ｗを授受し、移載位置と基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２との間で基板Ｗを搬送する。 （もっと読む）

【課題】ウォータマークを発生させず，レジストの溶解もなく安全に処理することができる，基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽６０の下部から第１の処理液を供給して、処理槽６０内において第１の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０の下部から第１の処理液よりも比重が重い第２の処理液を供給しつつ、処理槽６０の上部から第１の処理液を排液して、処理槽６０内の第１の処理液を第２の処理液に置換し、処理槽６０内において第２の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０内から処理槽６０の上方に設けられた乾燥室に基板Ｗを引き上げる工程を有している。 （もっと読む）