【課題】基板の周縁部を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 周縁部９８１に凝固対象液としてのＤＩＷが付着した基板Ｗを略水平に保持しながら回転し、基板Ｗの周縁部９８１に、凝固手段３５から凝固用気体である窒素ガスを供給して基板Ｗの周縁部９８１に付着するＤＩＷを凝固し、凝固手段３５から窒素ガスが供給されているとは離間した位置に、融解手段４１から融解液であるＤＩＷを供給してＤＩＷの凝固体を融解する。これにより、基板Ｗを回転しながら連続して凝固対象液の凝固と融解を行うことが可能となり、処理に要する時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態を実現するために必要な圧力よりも低い圧力環境下で、基板Ｗに設けられたパターンを倒壊させることなく基板Ｗを乾燥できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】乾燥処理ユニット３０は、主に、乾燥処理チャンバ３１、二酸化炭素供給機構３２、第１窒素供給機構３３、液体窒素供給機構３４、第２窒素供給機構４４、及び排出機構３５を備える。置換液であるＩＰＡ液で覆われた基板Ｗが乾燥処理チャンバ３１内に保持された状態で、液体二酸化炭素が基板Ｗの表面を覆う。乾燥処理チャンバ３１内が、液体窒素供給機構３４により冷却されることで液体二酸化炭素は固体二酸化炭素へと凝固する。そして排出機構３５により、乾燥処理チャンバ３１内を大気圧に戻すとともに、第１窒素供給機構３３が気体窒素を供給することで昇温され、基板Ｗ表面の液体は昇華する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１の剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを剥離する剥離装置３０と、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間で被処理ウェハＷを搬送する第２の搬送装置３２と、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。第２の搬送装置３２は、被処理ウェハＷの接合面を支持し、且つ被処理ウェハの接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板２３０と、被処理ウェハＷの非接合面を保持するベルヌーイチャック２３１とを有し、支持板２３０とベルヌーイチャック２３１で支持された被処理ウェハＷの表裏面を反転自在になっている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行う。
【解決手段】剥離装置３０は、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４を備え、且つ当該被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１を備え、且つ当該支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、第１の鉛直移動部１５１と第２の鉛直移動部１５２とを備えた移動機構１５０とを有している。第１の鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離するように、第２の保持部１１１の外周部を保持して鉛直方向に移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンへのダメージを抑制しながら基板表面を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、洗浄液としてのＤＩＷの液膜が形成された基板Ｗの表面Ｗｆに対し、媒介液供給機構５５から媒介液としてのトルエンを供給し、ＤＩＷの液膜の上にトルエンの液膜を更に形成する。その後、超音波付与機構５１によりトルエンを介してＤＩＷに超音波を付与しながら、凝固手段３１から基板表面Ｗｆに凍結用の窒素ガスを吐出し、ＤＩＷを凝固させる。これにより、結晶サイズの小さいＤＩＷの凝固体を形成し、その後のリンス工程で短時間に解凍することを可能とし、リンス液中に遊離するＤＩＷの結晶を減少し、パターンへのダメージを防止する。 （もっと読む）

【課題】基板の回転速度にかかわらず、基板の表面に供給した処理液を良好に回収できるようにすること。
【解決手段】本発明では、回転する基板（２）に処理液を供給して前記基板（２）の処理を行う基板液処理装置（１）において、前記基板（２）を水平に保持しながら回転させるための回転テーブル（２８）と、前記基板（２）に供給された処理液を回収するために前記基板（２）の外周下方に配置した環状の回収カップ（３９）と、前記回収カップ（３９）の内周壁（４３）と外周壁（４２）との間に形成した回収溝（４４）と、前記回収カップ（３９）の内周壁（４３）に配置し、前記回収溝（４４）に向けて内側へ傾斜状に張出したカップカバー（４７）とを有することにした。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にパーティクルが形成されることを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、処理液を貯留して、複数の基板Ｗを処理する処理槽１１と、処理槽１１に対して昇降自在に設けられ、基板Ｗを保持して処理液に浸漬させる基板保持部１２とを有する処理部１０と、処理部１０の上方に設けられ、処理槽１１に気体を供給する気体供給部４０と、基板の空き状態を検出する検出部７０とを備えている。処理槽１１を収容する収容ケース３０の下部に、気体供給部４０から供給された気体を排気する排気部３１が設けられている。制御部６０は、検出部７０により検出された基板Ｗの空き状態に基づいて、気体供給部４０から排気部３１に流れる気体の流量調整するように、気体供給部４０および排気部３１を制御する。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】液槽３２は、被処理基板Ｗを液体に浸漬した状態で保持し、処理容器３１では、この液槽３２を内部の処理空間３１０に配置し、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換して被処理基板を乾燥する処理を行う。移動機構３５２、３５３は、液槽３２を、前記処理容器３１内の処理位置と当該処理容器の外部の準備位置との間で移動させ、当該処理容器３１に設けられた加熱機構３１２は、前記流体を超臨界状態としたり、その超臨界状態を維持する一方、冷却機構３３４、３３５は、前記処理容器３１の外部の準備位置に移動した液槽３２を冷却する。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】載置部４２には、パターンの形成された面を上面として、当該上面が液体により濡れた状態で被処理基板Ｗが横向きに載置され、基板搬送機構４１は、載置台４２からこの被処理基板Ｗを受け取って、液槽３２内の液体中に浸漬するにあたり、前記パターンの形成領域の上端が当該液体に接触した時点において、このパターン形成領域の上端の板面に液体が残るように当該被処理基板Ｗを縦向きの状態に変換してから液体に浸漬する。処理容器３１では、この液槽３２を内部に格納した状態で、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換することにより、被処理基板Ｗを乾燥する処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】基板の上面側からガスを供給するとともに基板の下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する液処理装置において、トッププレートの位置を精度良く位置決めすることができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの上面側からガスを供給するとともに基板Ｗの下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板Ｗの下面を処理する液処理装置２２において、上面に開口１０５を有する処理容器１００と、処理容器１００内に設けられ、基板Ｗの周縁部ＷＥを支持する支持部７０、７２と、昇降可能に設けられ、下降した状態で開口１０５を塞ぐ天板部１１０と、天板部１１０が下降する際に、処理容器１００に対する天板部１１０の相対位置を所定の位置に位置決めする位置決め機構１３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板保持部３４は液体により表面が濡れた状態の被処理基板Ｗを横向きに保持した状態で処理容器３１内に搬入し、このとき前記基板保持部３４と一体に形成され蓋部材３４１が処理容器３１の開口部３１１を塞ぐ。雰囲気形成部７１１、３９は前記処理容器内を超臨界流体の雰囲気とした後、姿勢変換機構６が処理容器３１の姿勢を変換して、当該処理容器３１内の被処理基板Ｗを縦に向ける。これにより被処理基板Ｗの上面の液体が流下して排出部から排出され、その後、排気部７３１より超臨界流体を排出することにより処理容器３１内を減圧して当該超臨界流体を気体とし、乾燥された被処理基板を得る。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器３１内では、被処理基板Ｗが縦向きの状態で液体内に浸漬されており、この液体を超臨界状態の置換流体により押し出して処理容器３１より排出する。しかる後、液体と置換された後の置換流体を処理容器３１から排出して当該処理容器３１内を減圧し、この置換流体を超臨界状態から気体に遷移させることにより被処理基板Ｗを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する基板処理方法および装置において、パーティクル等の除去効率をさらに高める。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、所定のパターンＦＰが形成され液体としてのＤＩＷが付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し、第一処理液供給手段２５から第一処理液としてのＨＦＥ液を供給し、パターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを残留させながら液体を基板表面から除去するとともに処理液の液膜を形成する。その後、凝固手段３１から基板裏面Ｗｂに凍結用の窒素ガスを吐出して、パターンＦＰの間隙内部に残留させたＤＩＷを凝固させ、パターンＦＰの間隙内部に凝固体を形成する。その状態で、第一処理液であるＨＦＥ液の液膜の上に第二処理液としてのＤＩＷの液膜を形成し、ＤＩＷの液膜に対し超音波洗浄手段１７により超音波振動を付与して洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の清浄度を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】第１処理室８および第２処理室９は、それぞれ、第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２を区画している。第２処理空間Ｓ２は、第１処理空間Ｓ１内に設けられ、第１処理空間Ｓ１に通じている。スピンチャック１０に保持された基板Ｗは、チャック昇降機構３６によって第１処理空間Ｓ１または第２処理空間Ｓ２に配置される。処理液供給機構１２は、第２処理空間Ｓ２で基板Ｗに処理液を供給する。第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２の気圧は、排気機構２３およびＦＦＵ２４によって、第１処理空間Ｓ１の気圧が第１処理空間Ｓ１の外の気圧よりも高く、第２処理空間Ｓ２の気圧が第１処理空間Ｓ１の気圧よりも低くなるように制御されている。 （もっと読む）

【課題】基板の被洗浄面の半径方向に沿った各位置（領域）における洗浄強度を考慮して、基板の全被洗浄面をより均一な洗浄強度でスクラブ洗浄できるようにする。
【解決手段】ロール状洗浄部材２４の外周面を回転中の基板Ｗの被洗浄面に所定の接触幅で接触させて該被洗浄面をスクラブ洗浄する基板洗浄方法であって、洗浄部材２４によるスクラブ洗浄中の全過程の少なくとも一部において、洗浄部材２４の軸線Ｏ_５が基板Ｗの回転中心線Ｏ_４から接触幅の０．１４〜０．５倍離れたオフセット洗浄位置に該洗浄部材２４を配置してスクラブ洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】供給ノズルから大流量及び小流量で供給する処理液の流量を精度よく制御でき、小流量で処理液を供給するときの流量変動を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理液を供給するノズル部４５と、ノズル部４５に処理液を供給する供給系７０とノズル部４５とを接続する供給流路６８ａを絞る絞り部１３２ａと、絞り部１３２ａの両側の供給流路６８ａ内の圧力を計測する圧力計測部１３２ｂと、供給流路６８ａ上に設けられた流量制御弁１３３と、流量制御弁１３３を制御する流量制御部１３４とを有する。流量制御部１３４は、第１の流量Ｆ１で処理液を供給するときは、絞り部１３２ａの両側の圧力差に基づいて流量制御弁１３３を制御し、第１の流量Ｆ１よりも小さい第２の流量Ｆ２で処理液を供給するときは、絞り部１３２ａの片側の圧力に基づいて流量制御弁１３３を制御する。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図り、不具合が発生した場合でも、装置全体の稼働率の低下を抑えることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】キャリアＣに対してウエハの受け渡しを行う搬入出アームＢを備えた基板搬入ブロックの後段側に、第１の処理ブロック３１と第２の処理ブロック３２と第３の処理ブロック３３とを順に配置する。基板搬入ブロックに、前記搬入出アームＢから第１の処理ブロック３１にウエハを受け渡すための受け渡しステージ（２１ａ ２１ｂ）と、第２の処理ブロックにウエハを受け渡すための受け渡しステージ２２と、第３の処理ブロックにウエハを受け渡すための受け渡しステージ２３と、を設け、受け渡しステージ２２上のウエハを第１直接搬送機構Ａ１により第２の処理ブロック３２に直接搬送し、受け渡しステージ２３上のウエハを第２直接搬送機構Ａ２により第３の処理ブロック３３に直接搬送する。 （もっと読む）

【課題】搬送レシピ設定を簡略化することができ、最適な搬送ルートで被処理基板を搬送することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】フープに対するウエハの搬入出を行う搬入出用搬送機構を有する搬入出部と、ウエハに対して所定の処理を行う複数の処理ユニットを有し、これら処理ユニットに対するウエハの搬送を行う主搬送機構を有する処理部と、搬入出部と処理部との間でウエハの受け渡しを行う複数の受け渡しユニットと、搬入出用搬送機構および主搬送機構によるウエハの搬送フローを制御する搬送フロー制御部と、搬入用および搬出用のフープの選択ならびに使用する処理ユニットの選択を行う選択部と、選択部で選択された搬入用および搬出用のフープならびに処理ユニットに応じて、使用する受け渡しユニットを自動的に選択し、ウエハの搬送ルートを自動的に生成する搬送レシピ作成部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の上端部に付着した水が被処理基板表面を流れることを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な洗浄・乾燥処理方法、洗浄・乾燥処理装置、および記録媒体を提供する。
【解決手段】まず、洗浄槽５２内に収容された洗浄液ＤＩＷに被処理基板Ｗを接触させて洗浄処理する。次に被処理基板Ｗを洗浄槽５２内から乾燥室１０内に移動し、乾燥室１０内の被処理基板Ｗの上端部Ｔを加熱装置１３によって乾燥する。その後、乾燥室１０内の被処理基板Ｗに向けて乾燥ガスＧ１を供給することにより、乾燥ガスＧ１を被処理基板Ｗに接触させ、被処理基板Ｗ表面の洗浄液ＤＩＷを除去する。 （もっと読む）