【課題】乾燥ガスが光透過部材から被処理基板上に滴下することを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な乾燥室、洗浄・乾燥処理装置、被処理基板を乾燥する乾燥処理方法、および記録媒体を提供する。
【解決手段】乾燥室１０は、被処理基板Ｗを収容する乾燥室本体１１と、乾燥室本体１１の内壁１１ａに設けられた光透過部材１２と、乾燥室本体１１の内壁１１ａと光透過部材１２との間に設けられた加熱用光源１３とを備えている。光透過部材１２の下方には、光透過部材１２側に向けて乾燥ガスを供給するガス供給部１４が設けられている。光透過部材１２の内面１２ａは、乾燥ガスがこの光透過部材１２の内面１２ａに液膜として付着するように表面処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】異常により所定の処理が停止しても、リトライ処理を行うことで、ウェハ回収作業等の実施に起因する装置稼働率の低下を抑止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェハ１を搬送する搬送手段と、前記搬送手段を制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記搬送手段が、前記基板を搬送中にエラーが発生して一時停止したときに、前記制御手段は、所定回数のリトライ処理を前記搬送手段に実施させても前記エラーが解消されない場合、前記搬送手段を待機状態（コマンド入力待ち状態）に移行させる。 （もっと読む）

【課題】液処理部等を含むあるエリアにおいて発生したミスト又はパーティクルが、搬送部又は他の処理部等を含む他のエリアに流出することを防止できる液処理システムを提供する。
【解決手段】薬液を用いて基板を液処理する液処理部ＣＯＴと、基板を液処理部ＣＯＴに搬入出する搬送部８と、液処理部ＣＯＴと搬送部８との間を仕切るとともに、搬送部８が基板Ｗを液処理部ＣＯＴに搬入出するための開口部５１が設けられた仕切板５０とを備え、仕切板５０に、液処理部ＣＯＴが設けられた空間２７の雰囲気を排気する排気孔５２が設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

物体の統合されたクリーニングのための方法及び装置は、同じプロセスチャンバにおける一連の湿式クリーニング及び真空乾燥を含む。本発明の統合されたクリーニングプロセスは、部材の移動を排除することができ、システム信頼性を高める。クリーニングされた物体を脱気及び汚染除去するために、真空汚染除去を提供することができる。１つの実施の形態において、クリーナシステムは、例えばスループットを高めるために、様々な移動を、ロボットによって行われる統合された移動に組み合わせる。例えば、統合されたロボット移動は、閉鎖された容器をインプットロードポートから取り上げ、蓋及び本体を一緒に移動させ、次いで、本体及び蓋を別々に、クリーニングされるためにクリーナの適当な位置へ配置することを含む。
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【課題】 基板の搬送処理を良好に実行できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 制御部２５、４５は、それぞれ基板搬送ユニット２０、４０により実行される搬送処理を制御する。制御部３０、５０は、それぞれ処理ユニットＣ００〜Ｃ０８、および処理ユニットＣ０９〜Ｃ１５で実行される基板処理を制御する。制御部２５、４５は、基板の受け渡しと略同期して受け渡された基板情報データ６０の処理フローデータに基づいて、次に搬送すべき処理ユニットＣ００〜Ｃ１５を決定する。 （もっと読む）

【課題】スケジュールに基づいて処理が実行中であっても、最優先で処理を行う必要があるロットを他のロットよりも優先的に処理できるようにスケジュールを再作成できる。
【解決手段】スケジュールに基づいて処理が実行されている時に、最優先で処理を行う必要があるロットの処理命令が入った場合、制御部は、処理命令が入った時刻において、処理中のロットについては安全に待機可能なリソース以降のスケジュールを一旦削除し、処理が開始されていないロットについてはスケジュールをすべて一旦削除し、削除によりできた空きスケジュールに優先で処理すべきロットのスケジュールをハードリンクで追加し、一旦削除したロットのスケジュールを加えて再スケジューリングを行う。これにより、処理中のロットの基板処理に影響を与えることなく、最優先で処理を行う必要があるロットを優先的に処理できるようにスケジュールを再作成できる。 （もっと読む）

【課題】液交換処理を伴うスケジュールであっても稼働率を向上させることができる。
【解決手段】液交換処理を開始する際には、液交換情報を薬液処理部ＣＨＢ２から制御部３１の液交換時間算出部３７に出力し、制御部３１の液交換時間算出部３７が最新液交換時間を算出する。この算出された最新液交換時間を考慮して、制御部３１のスケジューリング機能部３３が第１の再スケジュールを行い、さらに、実際に液交換処理が開始されて液交換処理が実際に完了した時点で、制御部３１のスケジューリング機能部３３が第２の再スケジュールを行う。したがって、液交換の態様により時間的に前後する、液交換処理の実際の時間を考慮して再スケジューリングを行うことができるので、液交換処理を伴うスケジュールであっても稼働率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ表面の酸化銅の除去および層間絶縁膜に付着したＣｕ含有物残渣の除去を効率良く確実に行うことができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上のＣｕ配線構造におけるＣｕ表面の酸化銅膜および層間絶縁膜に付着したＣｕ含有物残渣を有機酸含有ガスを用いて除去するにあたり、基板温度が相対的に低温の第１の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給してＣｕ含有物残渣のエッチング除去を行う第１工程と、基板温度が前記第１の温度よりも高温の第２の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給して前記Ｃｕ表面の酸化銅膜を還元を主体とする反応により除去する第２工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板の一括搬送および１枚の基板の枚葉搬送の切り換えに要する時間を短縮することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、バッチハンド２４によりフープ保持部に保持されたフープに対して複数枚の基板Ｗを一括して搬入および搬出するバッチ式の第１搬出入機構４と、第１および第２枚葉ハンド４５，４６によりそれぞれバッチハンド２４およびフープに対して１枚の基板Ｗを搬入および搬出する枚葉式の第２搬出入機構５とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を収容した搬送容器が載置されるロードポートと、搬送容器を保管する容器保管部と、を備えた基板処理装置において、ロードポートにおける搬送容器の受け渡し回数の増大を図ることができ、これにより基板を高いスループットで処理することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】横方向の位置が互いに異なる第１の搬送路１０２Ａ及び第２の搬送路１０２Ｂの各々に沿って、複数枚の基板を収容した搬送容器１０を搬送する第１の搬送装置１０４Ａ及び第２の搬送装置１０４Ｂを利用し、第１の搬送装置１０４Ａにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第１のロードポート２１と、この第１のロードポート２１に対して階段状に設けられ、前記第２の搬送装置１０４Ｂにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第２のロードポート２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】誤った処理液が基板に供給されることを効果的に抑制する技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、ボトル７０を設置するキャビネット６０を備える。キャビネット６０は、フレーム６１により、Ｙ軸方向に沿って複数の設置区画に区分されており、各設置区画には処理液を収容した収容容器７０が設置される。また、設置区画には読取部８１が埋設されており、ボトル７０の底面には内容物に関するボトル情報を記憶したＩＣタグシール８２が貼付されている。基板処理装置１００は、ボトル７０が設置区画に設置された状態で、読取部８１によりＩＣタグシール８２からボトル情報を読み取る。そして、基板処理装置１００は、取得したボトル情報を、各設置区画に設置されるべきボトル７０について、予め登録されている情報と照合することにより、設置されているボトル７０の適否を判定する。 （もっと読む）

【課題】基板処理部に対する処理液の供給流量を調整するときの調整時間を短縮することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを処理液で処理するための処理ユニット６と、処理ユニット６に処理液を供給するための処理液供給配管１４と、処理液供給配管１４に介装され、開度を変更するためのモータ２４を有するニードルバルブ１５とを備えている。処理液供給配管１４およびニードルバルブ１５は、流体ボックス７内に収容されており、この流体ボックス７によってニードルバルブ１５全体が覆われている。制御部８がモータ２４を制御してニードルバルブ１５の開度を変更することによって、処理ユニット６に対する処理液の供給流量が変更される。 （もっと読む）

【課題】基板の一方の面と端面部分（エッジ部分）を液体により処理をする際に、他方の面側への液体の回り込みを防ぐことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、回転する基板Ｗに対して処理用の液体２８を供給して基板Ｗの処理をする際に、基板Ｗの一方の面３１と基板Ｗの端面部分３３に対して処理用の液体２８を供給する物理洗浄ツール１５と、基板Ｗの他方の面３２に対して保護用の流体５５を供給して基板の他方の面側に処理用の液体が回り込むのを防止する回り込み防止用供給ノズル５３と、を備え、回り込み防止用供給ノズル５３は、基板Ｗの回転方向において少なくとも一か所に固定されている。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄プロセスにおける金属汚染物質を除去する方法を提供する。
【解決手段】ウェット・センド・インデクサ・ステーション１１０では、基板の表面状態が、疎水性から親水性に変化させられる。このプロセス・ステップにおいて表面金属汚染の増加なしに基板の表面状態を変化させるよう、本発明を使用する。これを行うには、クエン酸・過酸化水素溶液に基板を浸漬させる。前記溶液のｐＨレベルは、水酸化アンモニウムとコリンおよびテトラメチル水酸化アンモニウムから選択された塩基混合物の添加により約６．５ないし１４に調整される。両面ブラシスクラバに関して説明される。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗの中央部上方に配置され、気体吐出口５５から基板Ｗに沿って窒素ガスを放射状に吐出して、基板Ｗを覆うための窒素ガスの流れを形成する気体吐出ノズル６とを含む。 （もっと読む）

【課題】最外周誘導壁によって容器の開口部を開閉することにより、占有面積の小型化、及び処理の短時間化を実現する。
【解決手段】回転式処理装置１に、容器１Ａ、回転保持機構７、処理液吐出アーム３０、誘導壁１６，１７、及びエアシリンダ２２，２３を設けた。回転保持機構７は、容器１Ａの開口部３７から搬入された被処理基板３を水平に保持して回転させる。誘導壁１６，１７は、回転保持機構７の外周側に同心状に配置され、処理液吐出アーム３０から吐出された処理液の廃液を分別して排液する。エアシリンダ２２，２３は、誘導壁１６，１７のそれぞれを上端部が回転保持機構に保持された被処理基板３よりも上方に位置する回収位置と下方に位置する退避位置との間で昇降させる。誘導壁１６，１７のうち最外周誘導壁１７は、回収位置で開口部３７を閉鎖し、退避位置で開口部３７を開放する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を処理する基板処理装置及び該基板の搬送方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は受け取り部材、搬送部材及び制御部を備える。搬送部材は受け取り部材に基板を載置又はピックアップする複数の搬送アームを備える。制御部は搬送アームの速度を調整して同時に駆動される搬送アームが目標地点に同時に到達するように制御する。これによって、搬送部材は複数の基板を受け取り部材に一度に載置又は取り出すことができるので、基板処理装置は搬送時間を短縮させ、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング後の所定の膜の表面に残存するエッチング残渣またはアッシング残渣をその膜にダメージを与えずに確実に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板にドライエッチングを施した後に所定の膜の表面に残存するエッチング残渣、またはエッチング残渣をアッシングした後にその膜の表面に残存するアッシング残渣を除去する基板処理方法は、基板表面に液体状の有機酸を形成し、液体状の有機酸によりＣＦポリマーを分解するとともに液体状の有機酸にその分解物を溶解させる第１工程と、その後、基板をアニールして、有機酸および有機酸に溶解したＣＦポリマーの溶解物を気化させて基板から除去する第２工程とを有する。 （もっと読む）