液処理システム
【課題】液処理部等を含むあるエリアにおいて発生したミスト又はパーティクルが、搬送部又は他の処理部等を含む他のエリアに流出することを防止できる液処理システムを提供する。
【解決手段】薬液を用いて基板を液処理する液処理部ＣＯＴと、基板を液処理部ＣＯＴに搬入出する搬送部８と、液処理部ＣＯＴと搬送部８との間を仕切るとともに、搬送部８が基板Ｗを液処理部ＣＯＴに搬入出するための開口部５１が設けられた仕切板５０とを備え、仕切板５０に、液処理部ＣＯＴが設けられた空間２７の雰囲気を排気する排気孔５２が設けられたことを特徴とする。
【解決手段】薬液を用いて基板を液処理する液処理部ＣＯＴと、基板を液処理部ＣＯＴに搬入出する搬送部８と、液処理部ＣＯＴと搬送部８との間を仕切るとともに、搬送部８が基板Ｗを液処理部ＣＯＴに搬入出するための開口部５１が設けられた仕切板５０とを備え、仕切板５０に、液処理部ＣＯＴが設けられた空間２７の雰囲気を排気する排気孔５２が設けられたことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を液処理する液処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程では、半導体基板（以下、「基板」又は「ウェハ」という。）の表面を疎水化処理した後、ＢＡＲＣ（Bottom Anti-Reflective Coating）を塗布処理及び加熱処理し、レジストを塗布処理及び加熱処理し、露光処理し、可溶化された部分を現像処理して除去することにより、微細なレジストパターンを形成している。
【０００３】
上述した塗布処理は、通常、カップ内に設けられ、ウェハを回転可能に保持するスピンチャック、及び薬液を供給するノズルを備えた塗布処理部において、スピンチャックに保持したウェハを回転させた状態で、ウェハ表面にノズルから薬液を供給することによって行われている。
【０００４】
また、上述した加熱処理は、通常、熱板を備えたオーブン等の加熱処理部において、所望の熱処理温度に維持された熱板上にウェハを載置することによって行われている。
【０００５】
また、塗布処理が行われたウェハが加熱処理される場合には、塗布処理部及び加熱処理部に隣接し、塗布処理部及び加熱処理部に進退自在に設けられたウェハ搬送アームを備えた搬送部により、塗布処理が行われたウェハが塗布処理部から加熱処理部へと搬送される。
【０００６】
このようにウェハに塗布処理を行う場合、塗布処理部で薬液を用いてウェハに塗布処理を行う際に、高速で回転するウェハ表面に供給された薬液が、ウェハ表面からミストとして飛散する場合がある。また、塗布処理されたウェハを搬送する場合には、搬送部には、搬送アームを伸縮駆動、上下駆動等するための駆動機構が設けられているため、駆動機構からパーティクルが発生する場合がある。
【０００７】
ここで、搬送部が設けられた搬送室と、塗布処理部が設けられた処理室とは、ミスト又はパーティクルが相互に拡散しないように、個別に仕切られている場合がある。例えば、シャッターが設けられ、処理容器（処理室）に搬送部がアーム（ウェハ搬送アーム）を侵入させるための搬送口にシャッターを設けた基板処理装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に開示される例では、搬送口を挟むようにしてガス供給手段を設け、シャッターが開くとガス吐出孔からパージガスを供給し、パーティクルの拡散バリアとして機能する気流カーテンを形成する。
【０００８】
また、特許文献１に開示される例では、搬送部の昇降機構の外装体をなす筐体を第１の部屋と第２の部屋に区分けし、第２の部屋にファンを設け、第１の部屋内の雰囲気を吸引させ、搬送部の昇降時に発生するパーティクルを第２の部屋から排出するようにされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−２１７２６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、上記した液処理システム（基板処理装置）において薬液を用いて基板を液処理する場合、次のような問題がある。
【００１１】
特許文献１に開示される例では、搬送部を駆動する際に発生するパーティクルが塗布処理部に流出することを防止できる。しかし、塗布処理部で発生するミストが搬送部に流出することを防止できない場合がある。
【００１２】
塗布処理部でウェハ表面に薬液を供給して塗布処理を行う場合、ウェハ表面にパーティクル等が存在すると、塗布膜均質性又は表面平坦性を低下させる。従って、処理室内の雰囲気に含まれる塵埃を極力少なくすることが好ましく、処理室内の圧力が搬送室の圧力よりも高くなるようにする、すなわち処理室内を搬送室内に対して陽圧にする場合があるため、シャッターが開く際に、処理室内の雰囲気に含まれるミストが搬送口を通って搬送室側に流出する場合がある。
【００１３】
このような場合、ガス吐出孔からパージガスを供給する方法では、処理室内からミストが搬送室側に流出することを十分に防止できない場合がある。
【００１４】
また、シャッターが駆動機構を有するため、シャッターが開閉動作する際に、駆動機構からパーティクルが発生する場合がある。
【００１５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、液処理部等を含むあるエリアにおいて発生したミスト又はパーティクルが、搬送部又は他の処理部を含む他のエリアに流出することを防止できる液処理システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１７】
本発明に係る液処理システムは、薬液を用いて基板を液処理する液処理部と、前記基板を前記液処理部に搬入出する搬送部と、前記液処理部と前記搬送部との間を仕切るとともに、前記搬送部が前記基板を前記液処理部に搬入出するための開口部が設けられた仕切板とを備え、前記仕切板に、前記液処理部が設けられた空間の雰囲気を排気する排気孔が設けられたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、液処理部等を含むあるエリアにおいて発生したミスト又はパーティクルが、搬送部又は他の処理部等を含む他のエリアに流出することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの概略平面図である。
【図２】第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの概略正面図である。
【図３】第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの概略背面図である。
【図４】第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部、塗布処理部及び加熱処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【図５】第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの仕切板の構成を示す正面図及び側面図である。
【図６】第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの仕切板の構成を示す断面図である。
【図７】第１の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの仕切板の構成を示す正面図及び側面図である。
【図８】第１の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの仕切板の構成を示す断面図である。
【図９】第２の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び塗布処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【図１０】第２の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び塗布処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【図１１】第３の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び加熱処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【図１２】第３の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び加熱処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
（第１の実施の形態）
始めに、図１から図８を参照し、第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムについて説明する。
【００２１】
図１は、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの概略平面図、図２は、レジスト塗布現像処理システムの概略正面図、図３は、レジスト塗布現像処理システムの概略背面図である。
【００２２】
レジスト塗布現像処理システム１は、図１に示すように、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部からレジスト塗布現像処理システム１に対して搬入出すると共に、カセットＣに対してウェハＷを搬入出するカセットステーション２と、このカセットステーション２に隣接して設けられ、塗布現像工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェース部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２３】
カセットステーション２は、カセット載置台５上の所定の位置に、複数のカセットＣを水平のＸ方向に一列に載置可能となっている。また、カセットステーション２には、搬送路６上をＸ方向に沿って移動可能なウェハ搬送アーム７が設けられている。ウェハ搬送アーム７は、カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセスできるように構成されている。
【００２４】
また、ウェハ搬送アーム７は、Ｚ軸を中心としてθ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーション３側の第３の処理ユニット群Ｇ３に属するトランジション装置ＴＲＳに対してもアクセスできるように構成されている。
【００２５】
処理ステーション３は、複数の処理ユニットが多段に配置された、例えば５つの処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。図１に示すように、処理ステーション３の正面側には、カセットステーション２側から第１の処理ユニット群Ｇ１、第２の処理ユニット群Ｇ２が順に配置されている。また、処理ステーション３の背面側には、カセットステーション２側から第３の処理ユニット群Ｇ３、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理ユニット群Ｇ３と第４の処理ユニット群Ｇ４との間には、第１の搬送部８が設けられている。第１の搬送部８は、第１の処理ユニット群Ｇ１、第３の処理ユニット群Ｇ３及び第４の処理ユニット群Ｇ４に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送するように構成されている。第４の処理ユニット群Ｇ４と第５の処理ユニット群Ｇ５との間には、第２の搬送部９が設けられている。第２の搬送部９は、第２の処理ユニット群Ｇ２、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送するように構成されている。
【００２６】
第１の処理ユニット群Ｇ１には、図２に示すように、ウェハＷに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニット、例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットＣＯＴ、露光時の光の反射を防止するための反射防止膜を形成するボトムコーティングユニットＢＡＲＣが下から順に５段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２には、液処理ユニット、例えばウェハＷに現像処理を施す現像処理ユニットＤＥＶが下から順に５段に重ねられている。また、第１の処理ユニット群Ｇ１及び第２の処理ユニット群Ｇ２の最下段には、各処理ユニット群Ｇ１及びＧ２内の前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室ＣＨＭがそれぞれ設けられている。
【００２７】
一方、第３の処理ユニット群Ｇ３には、図３に示すように、下から順に、温調ユニットＴＣＰ、ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置ＴＲＳ及び精度の高い温度管理下でウェハＷを加熱処理する熱処理ユニットＵＬＨＰが９段に重ねられている。
【００２８】
第４の処理ユニット群Ｇ４では、例えば高精度温調ユニットＣＰＬ、レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキングユニットＰＡＢ及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニットＰＯＳＴが下から順に１０段に重ねられている。
【００２９】
第５の処理ユニット群Ｇ５では、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理ユニット、例えば高精度温調ユニットＣＰＬ、露光後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットＰＥＢが下から順に１０段に重ねられている。
【００３０】
また、第１の搬送部８のＸ方向正方向側には、図１に示すように、複数の処理ユニットが配置されており、例えば図３に示すように、ウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニットＡＤ、ウェハＷを加熱する加熱ユニットＨＰが下から順に４段に重ねられている。また、第２の搬送部９の背面側には、図１に示すように、例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニットＷＥＥが配置されている。
【００３１】
インターフェース部４は、図１に示すように、処理ステーション３側から順に第１のインターフェース部１０と、第２のインターフェース部１１とを備えている。第１のインターフェース部１０には、ウェハ搬送アーム１２が第５の処理ユニット群Ｇ５に対応する位置に配設されている。ウェハ搬送アーム１２のＸ方向の両側には、例えばバッファカセット１３（図１の背面側）、１４（図１の正面側）が各々設置されている。ウェハ搬送アーム１２は、第５の処理ユニット群Ｇ５内の熱処理装置とバッファカセット１３、１４に対してアクセスできる。第２のインターフェース部１１には、Ｘ方向に向けて設けられた搬送路１５上を移動するウェハ搬送アーム１６が設けられている。ウェハ搬送アーム１６は、Ｚ方向に移動可能で、かつθ方向に回転可能であり、バッファカセット１４と、第２のインターフェース部１１に隣接した図示しない露光装置に対してアクセスできるようになっている。したがって、処理ステーション３内のウェハＷは、ウェハ搬送アーム１２、バッファカセット１４、ウェハ搬送アーム１６を介して露光装置に搬送でき、また、露光処理の終了したウェハＷは、ウェハ搬送アーム１６、バッファカセット１４、ウェハ搬送アーム１２を介して処理ステーション３内に搬送できる。
【００３２】
次に、図４を参照し、レジスト塗布現像処理システムの搬送部、塗布処理部及び加熱処理部について説明する。図４は、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部、塗布処理部及び加熱処理部の構成を模式的に示す断面図である。なお、図４には、排気される気体の流れを矢印で示している。
【００３３】
なお、図４に示す搬送部は、図３に示す第１の搬送部８、第２の搬送部９に相当する。また、図４に示す塗布処理部は、図３に示すレジスト塗布ユニットＣＯＴ、ボトムコーティングユニットＢＡＲＣに相当する。また、図４に示す加熱処理部は、図３に示す温調ユニットＴＣＰ、熱処理ユニットＵＬＨＰ、高精度温調ユニットＣＰＬ、プリベーキングユニットＰＡＢ、ポストベーキングユニットＰＯＳＴ、及び加熱ユニットＨＰに相当する。ここでは、以後、図４に示す搬送部を、図３に示す第１の搬送部８、図４に示す塗布処理部を、図３に示すレジスト塗布ユニットＣＯＴ、図４に示す加熱処理部を、図３に示すプリベーキングユニットＰＡＢとした例について説明する。
【００３４】
図４において、搬送部８、塗布処理部ＣＯＴ、加熱処理部ＰＡＢは、同一の高さに設けられているが、同一の高さに設けられる場合に限定されるものではなく、搬送アームがＺ方向（上下方向）に移動して塗布処理部ＣＯＴ、加熱処理部ＰＡＢにウェハＷを搬送できるのであれば、異なる高さに設けられていてもよい。
【００３５】
また、図４において、塗布処理部ＣＯＴ、搬送部８、加熱処理部ＰＡＢは、水平方向一直線に配列して図示されているが、説明を容易にするためのものであり、図１に示す例のように、平面視において塗布処理部ＣＯＴ、搬送部８、加熱処理部ＰＡＢがＬ字状に並んで配置していてもよい。
【００３６】
なお、図４に示す加熱処理部として、プリベーキングユニットＰＡＢに代え、加熱ユニットＨＰとすることもでき、この場合には、塗布処理部ＣＯＴ、搬送部８、加熱処理部ＨＰは、Ｘ方向一直線に配列する。
【００３７】
搬送部８は、ウェハを搬送するウェハ搬送アーム２１を複数（図４に示す例では３つ）有する。ウェハ搬送アーム２１は、スライド機構２２によって平面内に進退自在に移動することができ、Ｚ軸移動機構２３によってＺ方向に移動することができ、回転機構２４によって回転軸２５の周りに回転することができる。従って、搬送部８は、ウェハ搬送アーム２１を、搬送部８が設けられている空間（搬送室）から、塗布処理部ＣＯＴが設けられている空間（塗布処理室）又は加熱処理部ＰＡＢが設けられている空間（加熱処理室）へウェハを搬入出することができる。
【００３８】
なお、ウェハ搬送アーム２１内には、例えば冷媒が通流する図示しない冷却管が内蔵されていてもよい。この場合、ウェハ搬送アーム２１内は、所定の冷却温度例えば２３℃に維持される。また、ウェハ搬送アーム２１には、図示しないスリットが形成されていてもよい。この場合には、ウェハ搬送アーム２１が塗布処理部ＣＯＴのカップ３１上に移動したときに図示しない支持ピンに衝突しないように、又はウェハ搬送アーム２１が加熱処理部ＰＡＢの熱板４１上に移動したときに熱板に設けられた図示しない支持ピンに衝突しないようにすることができる。
【００３９】
搬送部８は、搬送室２６に収容されている。搬送室２６は、搬送部８の上方、下方、及び４方の側方を取り囲むように形成されている。搬送室２６と塗布処理部ＣＯＴを収容する後述する塗布処理室２７との間は、第１の仕切板５０により仕切られており、搬送室２６と加熱処理部ＰＡＢを収容する加熱処理室２８、２９との間は、第２の仕切板６０により仕切られている。第１の仕切板５０には塗布処理部ＣＯＴへウェハＷを搬入出するための第１の開口部５１が形成されており、第２の仕切板６０には加熱処理部ＰＡＢへウェハＷを搬入出するための第２の開口部６１、６２が形成されている。
【００４０】
塗布処理部ＣＯＴは、カップ３１、スピンチャック３２、ノズル３３を有する。
【００４１】
カップ３１は、塗布処理部ＣＯＴの中央部に配置され、環状形状を有する。スピンチャック３２は、カップ３１の内側に配置され、真空吸着によってウェハＷを固定保持した状態で図示しない例えばモータよりなる回転駆動手段によって、回転駆動される。スピンチャック３２は、図示しない例えばエアシリンダよりなる昇降駆動手段によって、上下動駆動される。また、スピンチャック３２は、ウェハＷを受け渡すために上下動可能な図示しない支持ピンを有している。
【００４２】
ノズル３３は、ウェハＷの表面に薬液を供給する。ノズル３３は、図示しない薬液供給管を介して図示しない薬液供給源に接続され、薬液供給源から薬液を供給される。ノズル３３はノズルスキャンアーム３４の先端部に着脱可能に取り付けられている。ノズルスキャンアーム３４は、塗布処理部ＣＯＴの底板の上に水平面一方向に敷設された図示しないガイドレール上で水平移動可能な垂直支持部材３５の上端部に取り付けられている。
【００４３】
また、塗布処理部ＣＯＴには、ノズル３３、ノズルスキャンアーム３４、垂直支持部材３５よりなる組が、例えばレジスト、ＢＡＲＣ、ＴＡＲＣ（Top Anti-Reflective Coating）、ＳＯＧ（Spin On Glass）等の使用する薬液の種類に対応して複数組設けられてもよく、必要に応じてそれら複数の種類の薬液のうち１種類を選択して用いることができる。
【００４４】
塗布処理部ＣＯＴは、塗布処理室２７に収容されている。塗布処理室２７は、塗布処理部ＣＯＴの上方、下方を取り囲み、塗布処理部ＣＯＴの４方の側方のうち３方を取り囲み、一方には開口部５１が形成されている。開口部５１が形成されている一方は、後述する第１の仕切板５０により、搬送室２６と仕切られている。
【００４５】
また、塗布処理室２７には、後述する第１の仕切板５０とは別に、図示しない排気口が設けられ、塗布処理室２７の内部の雰囲気は、図示しないレジスト塗布現像処理装置内部又は外部の設けられた排気系により、図示しない排気口に接続した排気流路を介して、排気されてもよい。
【００４６】
加熱処理部ＰＡＢは、熱板を有する。ここでは、加熱処理部ＰＡＢが上下に重ねて２つ設けられた例を示し、それぞれ熱板４１、４２を有する。熱板４１、４２は、レジスト、ＢＡＲＣ、ＴＡＲＣ、ＳＯＧ等の各薬液が塗布されたウェハＷを載置して所定温度例えば１３０℃に加熱する。熱板４１、４２は、例えば厚みのある円盤形状を有し、熱板４１、４２内には、図示しない例えばヒータが内蔵されている。このヒータにより、熱板４１、４２は、所定の加熱温度例えば１３０℃に昇温できる。
【００４７】
熱板４１、４２の中央付近には、複数例えば３個の図示しない貫通孔が形成されており、各貫通孔には、上下動可能に設けられた図示しない支持ピンが設けられ、この支持ピンによって、熱板４１、４２上でウェハＷを昇降し、熱板４１、４２と搬送部８のウェハ搬送アーム２１との間でウェハＷの受け渡しを行うようにしてもよい。
【００４８】
加熱処理部ＰＡＢの熱板４１、４２は、上下に重ねて２つ設けられた加熱処理室２８、２９のそれぞれに収容されている。加熱処理室２８、２９は、それぞれ熱板４１、４２の上方、下方を取り囲み、熱板４１、４２の４方の側方のうち３方を取り囲み、一方にはそれぞれ開口部６１、６２が形成されている。開口部６１、６２が形成されている一方は、後述する第２の仕切板６０により構成されている。その結果、熱板４１、４２を含む加熱処理部ＰＡＢは、後述する第２の仕切板６０により、搬送部８が設けられている搬送室２６と仕切られている。
【００４９】
また、加熱処理室２８、２９の一部には、排気口が設けられ、その内部の雰囲気は、図示しないレジスト塗布現像処理装置内部又は外部の設けられた排気系により、排気口に接続した排気流路４３、４４を介して、排気されてもよい。
【００５０】
また、熱板４１、４２は、例えば上下動自在な蓋体と、蓋体の下方に位置し蓋体と一体となって熱板４１、４２と共働して処理容器を形成するサポートリングとにより構成された処理容器によって囲まれていてもよい。この場合には、処理容器の外側を囲み、加熱処理室とすることもできる。
【００５１】
次に、図４を参照し、第１の仕切板５０及び第２の仕切板６０について説明する。
【００５２】
前述したように、搬送室２６と塗布処理室２７とは、第１の仕切板５０により仕切られ、第１の仕切板５０には、搬送部８がウェハ搬送アーム２１によりウェハＷを塗布処理室２７に搬入出するための第１の開口部５１が形成されている。図４に示すように、第１の仕切板５０には、塗布処理部ＣＯＴが設けられた空間である塗布処理室２７の雰囲気を排気するための第１の排気孔５２が設けられている。第１の排気孔５２は、第１の開口部５１の周辺に設けることができ、特に、第１の開口部５１の内周面に設けることができる。また、第１の排気孔５２は、第１の仕切板５０の塗布処理部ＣＯＴ側の面及び搬送部８側の面に設けることができる。
【００５３】
第１の仕切板５０の内部には、第１の排気孔５２と、塗布処理部ＣＯＴが設けられた空間である塗布処理室２７及び搬送部８が設けられた空間である搬送室２６を排気する排気系と、を接続する第１の排気流路５３が設けられている。これにより、第１の開口部５１の周辺において、薬液のミストを、第１の仕切板５０の内部に形成された第１の排気流路５３内に吸引することができる。
【００５４】
また、図４に示すように、第２の仕切板６０には、加熱処理部ＰＡＢが設けられた空間である加熱処理室２８、２９の雰囲気を排気するための第２の排気孔６３が設けられている。第２の排気孔６３は、第２の開口部６１、６２の周辺に設けることができ、特に、第２の開口部６１、６２の内周面に設けることができる。また、第２の排気孔６３は、第２の仕切板６０の加熱処理部ＰＡＢ側の面及び搬送部８側の面に設けることができる。
【００５５】
第２の仕切板６０の内部には、第２の排気孔６３と、加熱処理部ＰＡＢが設けられた空間である加熱処理室２８、２９及び搬送部８が設けられた空間である搬送室２６を排気する排気系と、を接続する第２の排気流路６４が設けられている。これにより、第２の開口部６１、６２の周辺において、薬液のミストを、第２の仕切板６０の内部に形成された第２の排気流路６４内に吸引することができる。
【００５６】
また、図４に示すように、搬送室２６の床下には、搬送室２６の床面である第３の仕切板７０により仕切られた第３の排気流路７１が設けられる。第３の仕切板７０には、搬送室２６内の雰囲気を第３の排気流路７１を介して排気するための第３の排気孔７２が設けられている。また、第１の排気流路５３は、排気系との間において、第３の排気流路７１を介して第２の排気流路６４と合流し、加熱処理室２８、２９等の下に設けられた排気流路室３０に設けられたファン３０ａにより排気され、更に排気系へと排気される。排気流路室３０は、レジスト塗布現像処理システム１の背面側にあるため、搬送室２６等の下部を通り、レジスト塗布現像処理システム１背面側へと排出される。
【００５７】
次に、図５及び図６を参照し、第１の仕切板、第２の仕切板及び第３の仕切板の構造を説明する。
【００５８】
図５は、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの仕切板の構成を示す正面図及び側面図であり、図６は、その断面図である。図５は、紙面右側に第１の仕切板を塗布処理部の方向から視たときの正面図を示し、紙面左側に第１の仕切板を塗布処理部の方向と水平面内において直交する方向から視たときの側面図を示す。また、図６は、図５の正面図及び側面図のそれぞれに対応する断面図であり、紙面右側に図５の側面図におけるＡ−Ａ´線に沿う断面図を示し、紙面左側に図５の正面図におけるＢ−Ｂ´線に沿う断面図を示す。なお、図５及び図６には、排気される気体の流れを矢印で示している。
【００５９】
図５に示すように、第１の仕切板５０は、中央部分に矩形形状を有する第１の開口部５１が形成されている。第１の開口部５１は、搬送部８がウェハ搬送アーム２１によりウェハＷの表面が水平面に平行になるように保持しながら塗布処理部ＣＯＴに搬入出するためのものであるため、横方向の開口幅寸法が縦方向の開口幅寸法よりも小さい。具体的には、例えば横方向の開口幅寸法を３５０ｍｍとし、縦方向の開口幅寸法を３０ｍｍとすることができる。なお、ウェハ搬送アーム２１が保持するウェハＷの表面は、水平面と平行にならず、水平面と垂直であってもよく、又は水平面と所定の角度を有していてもよい。その場合、保持されるウェハＷの形状に対応して、矩形形状を有する第１の開口部５１の長辺の水平面からの傾き角を決定してもよい。
【００６０】
また、本実施の形態では、第１の仕切板５０は、複数の部分に分割され、分割された各部分ごとに異なる排気流路が設けられている。それに伴って、第１の排気流路５３は、第１の仕切板５０が分割された各部分に対応し、複数の排気流路に分割されている。
【００６１】
図５及び図６に示す例では、第１の仕切板５０は、矩形形状を有する第１の開口部５１の内周面のうち、上面５１ａ、下面５１ｂ、第１の側面５１ｃ、第２の側面５１ｄに対応し、４つの部分である第１の部分５０ａ、第２の部分５０ｂ、第３の部分５０ｃ、及び第４の部分５０ｄに分割されている。それに伴って、第１の排気流路５３は、第１の開口部の内周面のうち、上面５１ａ、下面５１ｂ、第１の側面５１ｃ、第２の側面５１ｄに対応し、４つの部分である第１の流路部分５３ａ、第２の流路部分５３ｂ、第３の流路部分５３ｃ、及び第４の流路部分５３ｄに分割されている。第１から第４の流路部分５３ａ〜５３ｄは、それぞれ第１から第４の接続流路５４ａ〜５４ｄを介して第３の排気流路７１に接続されて合流する。
【００６２】
第１の排気孔５２の形状及びサイズは、特に限定されるものではないが、例えば第１の仕切板５０の表面に縦横５０ｍｍ間隔で形成された３ｍｍ径の円形形状の孔、又は縦横５０ｍｍ間隔で形成された５ｍｍ角の矩形形状の孔を用いることができる。また、第１の排気流路５３の排気流量を５００Ｌ／ｍｉｎとすることができる。
【００６３】
また、第１の排気流路の内部に、ケミカルフィルタ等のフィルタを設けてもよい。
【００６４】
上記した第１の仕切板５０の形状及び構造は、第２の仕切板６０についても同様である。すなわち、矩形形状を有する第２の開口部６１、６２が、加熱処理部ＰＡＢに対応して形成されている。第２の開口部６１、６２も、搬送部８がウェハ搬送アーム２１によりウェハＷの表面が水平面に平行になるように保持しながら加熱処理部ＰＡＢに搬入出するためのものであるため、横方向の開口幅寸法が縦方向の開口幅寸法よりも小さい。具体的には、第１の仕切板５０と同様に、例えば横方向の開口幅寸法を３５０ｍｍとし、縦方向の開口幅寸法を３０ｍｍとすることができる。また、ウェハ搬送アーム２１が保持するウェハＷの表面は、水平面と平行にならず、水平面と垂直であってもよく、又は水平面と所定の角度を有していてもよいのは、第１の仕切板５０と同様である。
【００６５】
また、第２の仕切板６０も、複数の部分に分割され、分割された各部分ごとに異なる排気流路が設けられていてもよい。また、第２の排気流路６４も、第２の仕切板６０が分割された各部分に対応し、複数の排気流路に分割されていてもよい。例えば、矩形形状を有する第２の開口部６１、６２の内周面のうち、上面、下面、第１の側面、第２の側面に対応する４つの部分に分割されていてもよい。また、第２の排気孔６３の形状及びサイズも、第１の排気孔５２の形状及びサイズと同様にすることができる。更に、第３の排気孔７２の形状及びサイズも、第１の排気孔５２の形状及びサイズと同様にすることができる。
【００６６】
また、第２の排気流路の内部にも、ケミカルフィルタ等のフィルタを設けてもよい。
【００６７】
本実施の形態によれば、搬送室２６と塗布処理室２７との間に、第１の開口部５１が形成された第１の仕切板５０が設けられ、第１の開口部５１の周辺例えば第１の開口部５１の内周面に第１の排気孔５２が形成される。
【００６８】
塗布処理部ＣＯＴでウェハＷの表面に薬液を供給して塗布処理を行う際に、高速で回転するウェハＷの表面に供給された薬液が、ウェハＷの表面からミストとして飛散する場合がある。この場合、ウェハ搬送アーム２１を搬送室２６から塗布処理室２７に進出させ、塗布処理が行われたウェハＷを、ウェハ搬送アーム２１により塗布処理部ＣＯＴから搬出しようとするときに、塗布処理室２７内の雰囲気に含まれる薬液のミストがウェハ搬送アーム２１の水平面内での動きに伴って、塗布処理室２７から搬送室２６に流出する場合がある。
【００６９】
しかし、本実施の形態では、第１の開口部５１の周辺に第１の排気孔５２を形成し、第１の仕切板５０の内部に設けられた第１の排気流路５３により排気を行う。従って、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って塗布処理室２７内から搬送室２６内に流出しようとするミストは、第１の開口部５１を横切る際に、第１の開口部５１の周辺に形成された第１の排気孔５２により吸引され、第１の排気流路５３を通って排気される。従って、薬液のミストが塗布処理部ＣＯＴを含むエリア（塗布処理室２７）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【００７０】
また、塗布処理室２７内の塵埃を極力少なくするために、塗布処理室２７内の圧力を搬送室２６の圧力よりも高くなるようにした場合でも、塗布処理室２７内から搬送室２６内へ圧力差により移動しようとする薬液のミストが、第１の開口部５１により吸引されるため、薬液のミストが塗布処理部ＣＯＴを含むエリア（塗布処理室２７）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【００７１】
また、本実施の形態では、第１の排気孔５２から排気されたミストは、第１の排気流路５３を通って搬送室２６等の床下に設けられた第３の排気流路７１を通り、加熱処理室２８、２９の下に設けられた排気流路室３０に設けられたファン３０ａにより排気され、更に排気系へと排気される。従って、いったん第１の排気流路５３を通って排気されたミストが搬送室２６等の床面から塗布現像処理システムの他の処理室内に戻ることがない。
【００７２】
また、本実施の形態では、第１の排気流路５３が複数に分割されており、分割された各部分の間で排気が合流することがないため、第１の排気流路５３の内部で薬液のミストが逆流したり拡散することを防止できる。そのため、ウェハＷを塗布処理部ＣＯＴから搬送部８のウェハ搬送アーム２１に受け渡し、ウェハＷを塗布処理部ＣＯＴから搬出する際に、塗布処理室２７から搬送室２６に薬液のミスト等が流出するおそれを更に低減することができる。また、処理室内を搬送室内に対して陽圧にする陽圧調整を行わなくてもよいか、あるいはその陽圧調整を行ったとしても精密に行わなくてもよい。
【００７３】
また、本実施の形態では、第１の仕切板５０に駆動機構を有するシャッターが設けられていない。従って、シャッターが開閉動作する際にパーティクルを発生させることもない。
【００７４】
更に、本実施の形態によれば、搬送室２６と加熱処理室２８、２９との間にも、第２の開口部６１、６２が形成された第２の仕切板６０を設け、第２の開口部６１、６２の周辺例えば第２の開口部６１、６２の内周面に第２の排気孔６３を形成し、第２の仕切板６０の内部に設けられた第２の排気流路６４により排気を行う。従って、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って搬送室２６内から加熱処理室２８、２９内に流出しようとするミストは、第２の開口部６１、６２を横切る際に、第２の開口部６１、６２の周辺に形成された第２の排気孔６３により吸引され、第２の排気流路６４を通って排気される。従って、塗布処理室２７で発生した薬液のミストの一部が搬送室２６に流出した場合でも、薬液のミストが塗布処理部ＣＯＴを含むエリア（塗布処理室２７）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）を介して加熱処理部ＰＡＢを含むエリア（加熱処理室２８、２９）に流出することを防止できる。
【００７５】
また、本実施の形態では、第２の仕切板６０に駆動機構を有するシャッターが設けられていない。従って、シャッターが開閉動作する際にパーティクルを発生させることもない。
【００７６】
また、本実施の形態に係る塗布処理部は、本発明における液処理部に相当し、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムは、本発明に係る液処理システムに相当する。本発明における液処理部及び液処理システムは、ミスト又はパーティクルが発生するおそれがある処理装置を含むものであればよい。例えば、スピンコータ、ディップコータ等を含み、レジスト、ＢＡＲＣ、ＴＡＲＣ、ＳＯＧ等の薬液を用いてウェハを塗布処理する塗布処理装置を含むものであってもよい。また、ディベロッパ等の現像液、酸を含む溶液等の薬液を用いてウェハを現像処理又は酸処理する液処理装置を含むものであってもよい。あるいは、スピンリンスプロセスステーション、プリポストイマーションリンスステーション等のウェハを洗浄処理する洗浄処理装置を含むものであってもよい。
（第１の実施の形態の変形例）
次に、図７及び図８を参照し、第１の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムについて説明する。
【００７７】
図７は、本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの仕切板の構成を示す正面図及び側面図であり、図８は、その断面図である。図７は、紙面右側に第１の仕切板を塗布処理部の方向から視たときの正面図を示し、紙面左側に第１の仕切板を塗布処理部の方向と水平面内において直交する方向から視たときの側面図を示す。また、図８は、図７の正面図及び側面図のそれぞれに対応する断面図であり、紙面右側に図７の側面図におけるＡ−Ａ´線に沿う断面図を示し、紙面左側に図７の正面図におけるＢ−Ｂ´線に沿う断面図を示す。なお、図７及び図８には、排気される気体の流れを矢印で示している。また、以下の文中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある（以下の実施の形態及び変形例についても同様）。
【００７８】
本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムは、仕切板が複数の部分に分割されていない点で、第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムと相違する。
【００７９】
本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの、仕切板の分割方法以外の構成方法については、第１の実施の形態において図１から図４を用いて説明した液処理システム、搬送部、液処理部及び加熱処理部と同様にすることができる。また、第１の仕切板の中央部分に矩形形状を有する第１の開口部が形成されていることも、第１の実施の形態と同様にすることができる。
【００８０】
一方、本変形例では、図７及び図８に示すように、第１の仕切板５０には、複数の部分に分割されず、同一の排気流路５３が設けられている。第１の実施の形態において、第１の排気流路が第１から第４の部分に分割されていたのと相違し、本変形例では、第１の開口部５１のうち、上面５１ａ、下面５１ｂ、第１の側面５１ｃ、第２の側面５１ｄは、全て第１の仕切板５０の内部に設けられた第１の排気流路５３を介して連通している。第１の排気流路５３は、第１から第４の流路５４ａ〜５４ｄに分散して第３の排気流路７１に接続されるが、第３の排気流路７１に接続されて再び合流する。
【００８１】
また、第２の仕切板６０も、複数の部分に分割されず、同一の排気流路が設けられていてもよい。
【００８２】
本変形例でも、第１の排気流路５３が分割されていないものの、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って塗布処理室２７内から搬送室２６内に流出しようとするミストは、第１の開口部５１を横切る際に、第１の開口部５１の周辺に形成された第１の排気孔５２により吸引され、第１の排気流路５３を通って排気される。従って、薬液のミストが塗布処理部ＣＯＴを含むエリア（塗布処理室２７）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【００８３】
また、第１の実施の形態と同様に、本変形例に係る塗布処理部及びレジスト塗布現像処理システムも、本発明における液処理部及び液処理システムのそれぞれに相当し、各種の薬液を用いてウェハを塗布処理する塗布処理装置、各種の薬液を用いてウェハを現像処理又は酸処理する液処理装置、及び各種の洗浄液を用いてウェハを洗浄処理する洗浄処理装置を含むものであってもよい。
（第２の実施の形態）
次に、図９を参照し、第２の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムについて説明する。
【００８４】
図９は、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び塗布処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【００８５】
本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムは、仕切板が、搬送室と加熱処理室との間に設けられていない点で、第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムと相違する。
【００８６】
本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムは、図１から図３を用いて説明した液処理システムと同様にすることができる。ただし、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムには、加熱処理部ＰＡＢを設けなくてもよい。また、第１の仕切板５０の中央部分に矩形形状を有する第１の開口部５１が形成されていることも、第１の実施の形態と同様にすることができる。
【００８７】
一方、本実施の形態では、図９に示すように、搬送室と加熱処理室とは仕切板で仕切られておらず、搬送室２６と塗布処理室２７とが仕切板で仕切られる。従って、第１の実施の形態における第１の仕切板５０、及び第３の仕切板７０のみが設けられ、第１の排気流路５３は、排気系との間において、搬送室２６の床下に設けられた第３の排気流路７１を介し、搬送室２６及び塗布処理室２７以外の部分に設けられたファン３０ａにより排気され、更に排気系へと排気される。第３の排気流路７１が、搬送室２６の床板である第３の仕切板７０により搬送室２６と仕切られ、搬送室２６の雰囲気を排気するための第３の排気孔７２が設けられているのは、第１の実施の形態と同様である。
【００８８】
本実施の形態でも、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って塗布処理室２７内から搬送室２６内に流出しようとするミストは、第１の開口部５１を横切る際に、第１の開口部５１の周辺に形成された第１の排気孔５２により吸引され、第１の排気流路５３を通って排気される。従って、薬液のミストが塗布処理部ＣＯＴを含むエリア（塗布処理室２７）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【００８９】
また、第１の実施の形態と同様に、本実施の形態に係る塗布処理部及びレジスト塗布現像処理システムも、本発明における液処理部及び液処理システムのそれぞれに相当し、各種の薬液を用いてウェハを塗布処理する塗布処理装置、各種の薬液を用いてウェハを現像処理又は酸処理する液処理装置、及び各種の洗浄液を用いてウェハを洗浄処理する洗浄処理装置を含むものであってもよい。
（第２の実施の形態の変形例）
次に、図１０を参照し、第２の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムについて説明する。
【００９０】
図１０は、本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び塗布処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【００９１】
本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムは、第１の仕切板の搬送部側の面に排気孔が設けられていない点で、第２の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムと相違する。
【００９２】
本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムも、図１から図３を用いて説明した液処理システムと同様にすることができる。また、第１の仕切板５０の中央部分に矩形形状を有する第１の開口部５１が形成されていることも、第１の実施の形態と同様にすることができる。
【００９３】
一方、本変形例では、図１０に示すように、第１の仕切板５０の搬送部８側の面に排気孔が設けられていない。また、搬送室２６の床面に排気孔が設けられていない。従って、本変形例では、第１の開口部５１の内周面及び第１の仕切板５０の塗布処理部ＣＯＴ側の面に、第１の排気孔５２が設けられる。
【００９４】
本変形例でも、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って塗布処理室２７内から搬送室２６内に流出しようとするミストは、第１の開口部５１を横切る際に、第１の開口部５１の内周面に形成された第１の排気孔５２により吸引され、第１の排気流路５３を通って排気される。また、第１の仕切板５０の塗布処理部ＣＯＴ側の面に第１の排気孔５２が形成されていることにより、第１の開口部５１の周辺においても薬液のミストが第１の仕切板５０の内部に形成された第１の排気流路５３に吸引されるため、薬液のミストが塗布処理部ＣＯＴを含むエリア（塗布処理室２７）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【００９５】
また、第２の実施の形態と同様に、本変形例に係る塗布処理部及びレジスト塗布現像処理システムも、本発明における液処理部及び液処理システムのそれぞれに相当し、各種の薬液を用いてウェハを塗布処理する塗布処理装置、各種の薬液を用いてウェハを現像処理又は酸処理する液処理装置、及び各種の洗浄液を用いてウェハを洗浄処理する洗浄処理装置を含むものであってもよい。
（第３の実施の形態）
次に、図１１を参照し、第３の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムについて説明する。
【００９６】
図１１は、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び加熱処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【００９７】
本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムは、仕切板が、搬送室と塗布処理室との間に設けられていない点で、第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムと相違する。
【００９８】
本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムは、図１から図３を用いて説明した液処理システムと同様にすることができる。ただし、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムには、塗布処理部ＣＯＴを設けなくてもよい。また、第２の仕切板６０に第２の開口部６１、６２が形成されていることは、第１の実施の形態と同様にすることができる。
【００９９】
一方、本実施の形態では、図１１に示すように、搬送室と塗布処理室とは仕切板で仕切られておらず、搬送室２６と加熱処理室２８、２９とが仕切板で仕切られる。従って、第１の実施の形態における第２の仕切板６０のみが設けられ、第２の排気流路６４は、搬送室２６及び加熱処理室２８、２９以外の部分に設けられたファン３０ａにより排気され、更に排気系へと排気される。
【０１００】
加熱処理部ＰＡＢでウェハＷを熱板４１、４２に載置して加熱処理を行う際に、ウェハＷの表面に供給された薬液がウェハＷの表面からミスト又はパーティクルとして飛散する場合がある。この場合、ウェハ搬送アーム２１を搬送室２６から加熱処理室２８、２９に進出させ、加熱処理が行われたウェハＷを、ウェハ搬送アーム２１により加熱処理部ＰＡＢから搬出しようとするときに、加熱処理室２８、２９内の雰囲気に含まれるミスト又はパーティクルがウェハ搬送アーム２１の水平面内での動きに伴って、加熱処理室２８、２９から搬送室２６に流出する場合がある。
【０１０１】
しかし、本実施の形態では、第２の開口部６１、６２の周辺に第２の排気孔６３を形成し、第２の仕切板６０の内部に設けられた第２の排気流路６４により排気を行う。従って、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って加熱処理室２８、２９内から搬送室２６内に流出しようとするミストは、第２の開口部６１、６２を横切る際に、第２の開口部６１、６２の周辺に形成された第２の排気孔６３により吸引され、第２の排気流路６４を通って排気される。従って、ミスト又はパーティクルが加熱処理部ＰＡＢを含むエリア（加熱処理室２８、２９）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【０１０２】
また、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムは、本発明における液処理システムに相当する。また、本実施の形態に係る加熱処理部は、熱板に載置して加熱処理する加熱処理部、加熱ランプ等によりウェハを加熱処理する加熱処理部その他の広範な種類の方法を用いてウェハを加熱処理する加熱処理部であってもよい。
（第３の実施の形態の変形例）
次に、図１２を参照し、第３の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムについて説明する。
【０１０３】
図１２は、本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び加熱処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【０１０４】
本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムは、第２の仕切板の搬送部側の面に排気孔が設けられていない点で、第３の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムと相違する。
【０１０５】
本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムも、図１から図３を用いて説明した液処理システムと同様にすることができる。また、第２の仕切板に矩形形状を有する第２の開口部が形成されていることも、第２の実施の形態と同様にすることができる。
【０１０６】
一方、本変形例では、図１２に示すように、第２の仕切板６０の搬送部８側の面に排気孔が設けられていない。従って、本変形例では、第２の開口部６１、６２の内周面及び第２の仕切板６０の加熱処理部ＰＡＢ側の面に、第２の排気孔６３が設けられる。
【０１０７】
本変形例でも、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って加熱処理室２８、２９内から搬送室２６内に流出しようとするミスト又はパーティクルは、第２の開口部６１、６２を横切る際に、第２の開口部６１、６２の内周面に形成された第２の排気孔６３により吸引され、第２の排気流路６４を通って排気される。また、第２の仕切板６０の加熱処理部ＰＡＢ側に第２の排気孔６３が形成されていることにより、第２の開口部６１、６２の周辺においても薬液のミストが第２の仕切板６０の内部に形成された第２の排気流路６４に吸引されるため、薬液のミストが加熱処理部ＰＡＢを含むエリア（加熱処理室２８、２９）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【０１０８】
また、第３の実施の形態と同様に、本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムも、本発明における液処理システムに相当する。また、本変形例に係る加熱処理部は、熱板に載置して加熱処理する加熱処理部、加熱ランプ等によりウェハを加熱処理する加熱処理部その他の広範な種類の方法を用いてウェハを加熱処理する加熱処理部であってもよい。
【０１０９】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１１０】
また、本発明に係る液処理システムは、ミスト又はパーティクルを発生させる装置を含む処理システムであれば、レジスト塗布現像処理装置のみならず、基板洗浄装置、成膜装置、エッチング装置その他の各種装置を含む処理システムに適用することが可能である。すなわち、本発明は、基板を処理する処理部と、前記基板を前記処理部に搬入出する搬送部と、前記処理部と前記搬送部との間を仕切るとともに、前記搬送部が前記基板を前記処理部に搬入出するための開口部が設けられた仕切板とを備え、前記仕切板に、前記処理部が設けられた空間の雰囲気を排気する排気孔が設けられたことを特徴とする処理システムに適用することが可能である。
【０１１１】
更に、本発明は、半導体基板、ガラス基板その他の各種基板を搬送する工程を含む装置に適用することが可能である。
【符号の説明】
【０１１２】
８ 第１の搬送部（搬送部）
２６ 搬送室
２７ 塗布処理室（空間）
２８、２９ 加熱処理室
５０ 第１の仕切板（仕切板）
５１ 第１の開口部（開口部）
５２ 第１の排気孔
５３ 第１の排気流路
６０ 第２の仕切板
７０ 第３の仕切板
ＣＯＴ 塗布処理部（液処理部）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を液処理する液処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程では、半導体基板（以下、「基板」又は「ウェハ」という。）の表面を疎水化処理した後、ＢＡＲＣ（Bottom Anti-Reflective Coating）を塗布処理及び加熱処理し、レジストを塗布処理及び加熱処理し、露光処理し、可溶化された部分を現像処理して除去することにより、微細なレジストパターンを形成している。
【０００３】
上述した塗布処理は、通常、カップ内に設けられ、ウェハを回転可能に保持するスピンチャック、及び薬液を供給するノズルを備えた塗布処理部において、スピンチャックに保持したウェハを回転させた状態で、ウェハ表面にノズルから薬液を供給することによって行われている。
【０００４】
また、上述した加熱処理は、通常、熱板を備えたオーブン等の加熱処理部において、所望の熱処理温度に維持された熱板上にウェハを載置することによって行われている。
【０００５】
また、塗布処理が行われたウェハが加熱処理される場合には、塗布処理部及び加熱処理部に隣接し、塗布処理部及び加熱処理部に進退自在に設けられたウェハ搬送アームを備えた搬送部により、塗布処理が行われたウェハが塗布処理部から加熱処理部へと搬送される。
【０００６】
このようにウェハに塗布処理を行う場合、塗布処理部で薬液を用いてウェハに塗布処理を行う際に、高速で回転するウェハ表面に供給された薬液が、ウェハ表面からミストとして飛散する場合がある。また、塗布処理されたウェハを搬送する場合には、搬送部には、搬送アームを伸縮駆動、上下駆動等するための駆動機構が設けられているため、駆動機構からパーティクルが発生する場合がある。
【０００７】
ここで、搬送部が設けられた搬送室と、塗布処理部が設けられた処理室とは、ミスト又はパーティクルが相互に拡散しないように、個別に仕切られている場合がある。例えば、シャッターが設けられ、処理容器（処理室）に搬送部がアーム（ウェハ搬送アーム）を侵入させるための搬送口にシャッターを設けた基板処理装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に開示される例では、搬送口を挟むようにしてガス供給手段を設け、シャッターが開くとガス吐出孔からパージガスを供給し、パーティクルの拡散バリアとして機能する気流カーテンを形成する。
【０００８】
また、特許文献１に開示される例では、搬送部の昇降機構の外装体をなす筐体を第１の部屋と第２の部屋に区分けし、第２の部屋にファンを設け、第１の部屋内の雰囲気を吸引させ、搬送部の昇降時に発生するパーティクルを第２の部屋から排出するようにされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−２１７２６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、上記した液処理システム（基板処理装置）において薬液を用いて基板を液処理する場合、次のような問題がある。
【００１１】
特許文献１に開示される例では、搬送部を駆動する際に発生するパーティクルが塗布処理部に流出することを防止できる。しかし、塗布処理部で発生するミストが搬送部に流出することを防止できない場合がある。
【００１２】
塗布処理部でウェハ表面に薬液を供給して塗布処理を行う場合、ウェハ表面にパーティクル等が存在すると、塗布膜均質性又は表面平坦性を低下させる。従って、処理室内の雰囲気に含まれる塵埃を極力少なくすることが好ましく、処理室内の圧力が搬送室の圧力よりも高くなるようにする、すなわち処理室内を搬送室内に対して陽圧にする場合があるため、シャッターが開く際に、処理室内の雰囲気に含まれるミストが搬送口を通って搬送室側に流出する場合がある。
【００１３】
このような場合、ガス吐出孔からパージガスを供給する方法では、処理室内からミストが搬送室側に流出することを十分に防止できない場合がある。
【００１４】
また、シャッターが駆動機構を有するため、シャッターが開閉動作する際に、駆動機構からパーティクルが発生する場合がある。
【００１５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、液処理部等を含むあるエリアにおいて発生したミスト又はパーティクルが、搬送部又は他の処理部を含む他のエリアに流出することを防止できる液処理システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１７】
本発明に係る液処理システムは、薬液を用いて基板を液処理する液処理部と、前記基板を前記液処理部に搬入出する搬送部と、前記液処理部と前記搬送部との間を仕切るとともに、前記搬送部が前記基板を前記液処理部に搬入出するための開口部が設けられた仕切板とを備え、前記仕切板に、前記液処理部が設けられた空間の雰囲気を排気する排気孔が設けられたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、液処理部等を含むあるエリアにおいて発生したミスト又はパーティクルが、搬送部又は他の処理部等を含む他のエリアに流出することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの概略平面図である。
【図２】第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの概略正面図である。
【図３】第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの概略背面図である。
【図４】第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部、塗布処理部及び加熱処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【図５】第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの仕切板の構成を示す正面図及び側面図である。
【図６】第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの仕切板の構成を示す断面図である。
【図７】第１の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの仕切板の構成を示す正面図及び側面図である。
【図８】第１の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの仕切板の構成を示す断面図である。
【図９】第２の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び塗布処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【図１０】第２の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び塗布処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【図１１】第３の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び加熱処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【図１２】第３の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び加熱処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
（第１の実施の形態）
始めに、図１から図８を参照し、第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムについて説明する。
【００２１】
図１は、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの概略平面図、図２は、レジスト塗布現像処理システムの概略正面図、図３は、レジスト塗布現像処理システムの概略背面図である。
【００２２】
レジスト塗布現像処理システム１は、図１に示すように、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部からレジスト塗布現像処理システム１に対して搬入出すると共に、カセットＣに対してウェハＷを搬入出するカセットステーション２と、このカセットステーション２に隣接して設けられ、塗布現像工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられている露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェース部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２３】
カセットステーション２は、カセット載置台５上の所定の位置に、複数のカセットＣを水平のＸ方向に一列に載置可能となっている。また、カセットステーション２には、搬送路６上をＸ方向に沿って移動可能なウェハ搬送アーム７が設けられている。ウェハ搬送アーム７は、カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセスできるように構成されている。
【００２４】
また、ウェハ搬送アーム７は、Ｚ軸を中心としてθ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーション３側の第３の処理ユニット群Ｇ３に属するトランジション装置ＴＲＳに対してもアクセスできるように構成されている。
【００２５】
処理ステーション３は、複数の処理ユニットが多段に配置された、例えば５つの処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。図１に示すように、処理ステーション３の正面側には、カセットステーション２側から第１の処理ユニット群Ｇ１、第２の処理ユニット群Ｇ２が順に配置されている。また、処理ステーション３の背面側には、カセットステーション２側から第３の処理ユニット群Ｇ３、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理ユニット群Ｇ３と第４の処理ユニット群Ｇ４との間には、第１の搬送部８が設けられている。第１の搬送部８は、第１の処理ユニット群Ｇ１、第３の処理ユニット群Ｇ３及び第４の処理ユニット群Ｇ４に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送するように構成されている。第４の処理ユニット群Ｇ４と第５の処理ユニット群Ｇ５との間には、第２の搬送部９が設けられている。第２の搬送部９は、第２の処理ユニット群Ｇ２、第４の処理ユニット群Ｇ４及び第５の処理ユニット群Ｇ５に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送するように構成されている。
【００２６】
第１の処理ユニット群Ｇ１には、図２に示すように、ウェハＷに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニット、例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニットＣＯＴ、露光時の光の反射を防止するための反射防止膜を形成するボトムコーティングユニットＢＡＲＣが下から順に５段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ２には、液処理ユニット、例えばウェハＷに現像処理を施す現像処理ユニットＤＥＶが下から順に５段に重ねられている。また、第１の処理ユニット群Ｇ１及び第２の処理ユニット群Ｇ２の最下段には、各処理ユニット群Ｇ１及びＧ２内の前記液処理ユニットに各種処理液を供給するためのケミカル室ＣＨＭがそれぞれ設けられている。
【００２７】
一方、第３の処理ユニット群Ｇ３には、図３に示すように、下から順に、温調ユニットＴＣＰ、ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置ＴＲＳ及び精度の高い温度管理下でウェハＷを加熱処理する熱処理ユニットＵＬＨＰが９段に重ねられている。
【００２８】
第４の処理ユニット群Ｇ４では、例えば高精度温調ユニットＣＰＬ、レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキングユニットＰＡＢ及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキングユニットＰＯＳＴが下から順に１０段に重ねられている。
【００２９】
第５の処理ユニット群Ｇ５では、ウェハＷを熱処理する複数の熱処理ユニット、例えば高精度温調ユニットＣＰＬ、露光後のウェハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットＰＥＢが下から順に１０段に重ねられている。
【００３０】
また、第１の搬送部８のＸ方向正方向側には、図１に示すように、複数の処理ユニットが配置されており、例えば図３に示すように、ウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニットＡＤ、ウェハＷを加熱する加熱ユニットＨＰが下から順に４段に重ねられている。また、第２の搬送部９の背面側には、図１に示すように、例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニットＷＥＥが配置されている。
【００３１】
インターフェース部４は、図１に示すように、処理ステーション３側から順に第１のインターフェース部１０と、第２のインターフェース部１１とを備えている。第１のインターフェース部１０には、ウェハ搬送アーム１２が第５の処理ユニット群Ｇ５に対応する位置に配設されている。ウェハ搬送アーム１２のＸ方向の両側には、例えばバッファカセット１３（図１の背面側）、１４（図１の正面側）が各々設置されている。ウェハ搬送アーム１２は、第５の処理ユニット群Ｇ５内の熱処理装置とバッファカセット１３、１４に対してアクセスできる。第２のインターフェース部１１には、Ｘ方向に向けて設けられた搬送路１５上を移動するウェハ搬送アーム１６が設けられている。ウェハ搬送アーム１６は、Ｚ方向に移動可能で、かつθ方向に回転可能であり、バッファカセット１４と、第２のインターフェース部１１に隣接した図示しない露光装置に対してアクセスできるようになっている。したがって、処理ステーション３内のウェハＷは、ウェハ搬送アーム１２、バッファカセット１４、ウェハ搬送アーム１６を介して露光装置に搬送でき、また、露光処理の終了したウェハＷは、ウェハ搬送アーム１６、バッファカセット１４、ウェハ搬送アーム１２を介して処理ステーション３内に搬送できる。
【００３２】
次に、図４を参照し、レジスト塗布現像処理システムの搬送部、塗布処理部及び加熱処理部について説明する。図４は、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部、塗布処理部及び加熱処理部の構成を模式的に示す断面図である。なお、図４には、排気される気体の流れを矢印で示している。
【００３３】
なお、図４に示す搬送部は、図３に示す第１の搬送部８、第２の搬送部９に相当する。また、図４に示す塗布処理部は、図３に示すレジスト塗布ユニットＣＯＴ、ボトムコーティングユニットＢＡＲＣに相当する。また、図４に示す加熱処理部は、図３に示す温調ユニットＴＣＰ、熱処理ユニットＵＬＨＰ、高精度温調ユニットＣＰＬ、プリベーキングユニットＰＡＢ、ポストベーキングユニットＰＯＳＴ、及び加熱ユニットＨＰに相当する。ここでは、以後、図４に示す搬送部を、図３に示す第１の搬送部８、図４に示す塗布処理部を、図３に示すレジスト塗布ユニットＣＯＴ、図４に示す加熱処理部を、図３に示すプリベーキングユニットＰＡＢとした例について説明する。
【００３４】
図４において、搬送部８、塗布処理部ＣＯＴ、加熱処理部ＰＡＢは、同一の高さに設けられているが、同一の高さに設けられる場合に限定されるものではなく、搬送アームがＺ方向（上下方向）に移動して塗布処理部ＣＯＴ、加熱処理部ＰＡＢにウェハＷを搬送できるのであれば、異なる高さに設けられていてもよい。
【００３５】
また、図４において、塗布処理部ＣＯＴ、搬送部８、加熱処理部ＰＡＢは、水平方向一直線に配列して図示されているが、説明を容易にするためのものであり、図１に示す例のように、平面視において塗布処理部ＣＯＴ、搬送部８、加熱処理部ＰＡＢがＬ字状に並んで配置していてもよい。
【００３６】
なお、図４に示す加熱処理部として、プリベーキングユニットＰＡＢに代え、加熱ユニットＨＰとすることもでき、この場合には、塗布処理部ＣＯＴ、搬送部８、加熱処理部ＨＰは、Ｘ方向一直線に配列する。
【００３７】
搬送部８は、ウェハを搬送するウェハ搬送アーム２１を複数（図４に示す例では３つ）有する。ウェハ搬送アーム２１は、スライド機構２２によって平面内に進退自在に移動することができ、Ｚ軸移動機構２３によってＺ方向に移動することができ、回転機構２４によって回転軸２５の周りに回転することができる。従って、搬送部８は、ウェハ搬送アーム２１を、搬送部８が設けられている空間（搬送室）から、塗布処理部ＣＯＴが設けられている空間（塗布処理室）又は加熱処理部ＰＡＢが設けられている空間（加熱処理室）へウェハを搬入出することができる。
【００３８】
なお、ウェハ搬送アーム２１内には、例えば冷媒が通流する図示しない冷却管が内蔵されていてもよい。この場合、ウェハ搬送アーム２１内は、所定の冷却温度例えば２３℃に維持される。また、ウェハ搬送アーム２１には、図示しないスリットが形成されていてもよい。この場合には、ウェハ搬送アーム２１が塗布処理部ＣＯＴのカップ３１上に移動したときに図示しない支持ピンに衝突しないように、又はウェハ搬送アーム２１が加熱処理部ＰＡＢの熱板４１上に移動したときに熱板に設けられた図示しない支持ピンに衝突しないようにすることができる。
【００３９】
搬送部８は、搬送室２６に収容されている。搬送室２６は、搬送部８の上方、下方、及び４方の側方を取り囲むように形成されている。搬送室２６と塗布処理部ＣＯＴを収容する後述する塗布処理室２７との間は、第１の仕切板５０により仕切られており、搬送室２６と加熱処理部ＰＡＢを収容する加熱処理室２８、２９との間は、第２の仕切板６０により仕切られている。第１の仕切板５０には塗布処理部ＣＯＴへウェハＷを搬入出するための第１の開口部５１が形成されており、第２の仕切板６０には加熱処理部ＰＡＢへウェハＷを搬入出するための第２の開口部６１、６２が形成されている。
【００４０】
塗布処理部ＣＯＴは、カップ３１、スピンチャック３２、ノズル３３を有する。
【００４１】
カップ３１は、塗布処理部ＣＯＴの中央部に配置され、環状形状を有する。スピンチャック３２は、カップ３１の内側に配置され、真空吸着によってウェハＷを固定保持した状態で図示しない例えばモータよりなる回転駆動手段によって、回転駆動される。スピンチャック３２は、図示しない例えばエアシリンダよりなる昇降駆動手段によって、上下動駆動される。また、スピンチャック３２は、ウェハＷを受け渡すために上下動可能な図示しない支持ピンを有している。
【００４２】
ノズル３３は、ウェハＷの表面に薬液を供給する。ノズル３３は、図示しない薬液供給管を介して図示しない薬液供給源に接続され、薬液供給源から薬液を供給される。ノズル３３はノズルスキャンアーム３４の先端部に着脱可能に取り付けられている。ノズルスキャンアーム３４は、塗布処理部ＣＯＴの底板の上に水平面一方向に敷設された図示しないガイドレール上で水平移動可能な垂直支持部材３５の上端部に取り付けられている。
【００４３】
また、塗布処理部ＣＯＴには、ノズル３３、ノズルスキャンアーム３４、垂直支持部材３５よりなる組が、例えばレジスト、ＢＡＲＣ、ＴＡＲＣ（Top Anti-Reflective Coating）、ＳＯＧ（Spin On Glass）等の使用する薬液の種類に対応して複数組設けられてもよく、必要に応じてそれら複数の種類の薬液のうち１種類を選択して用いることができる。
【００４４】
塗布処理部ＣＯＴは、塗布処理室２７に収容されている。塗布処理室２７は、塗布処理部ＣＯＴの上方、下方を取り囲み、塗布処理部ＣＯＴの４方の側方のうち３方を取り囲み、一方には開口部５１が形成されている。開口部５１が形成されている一方は、後述する第１の仕切板５０により、搬送室２６と仕切られている。
【００４５】
また、塗布処理室２７には、後述する第１の仕切板５０とは別に、図示しない排気口が設けられ、塗布処理室２７の内部の雰囲気は、図示しないレジスト塗布現像処理装置内部又は外部の設けられた排気系により、図示しない排気口に接続した排気流路を介して、排気されてもよい。
【００４６】
加熱処理部ＰＡＢは、熱板を有する。ここでは、加熱処理部ＰＡＢが上下に重ねて２つ設けられた例を示し、それぞれ熱板４１、４２を有する。熱板４１、４２は、レジスト、ＢＡＲＣ、ＴＡＲＣ、ＳＯＧ等の各薬液が塗布されたウェハＷを載置して所定温度例えば１３０℃に加熱する。熱板４１、４２は、例えば厚みのある円盤形状を有し、熱板４１、４２内には、図示しない例えばヒータが内蔵されている。このヒータにより、熱板４１、４２は、所定の加熱温度例えば１３０℃に昇温できる。
【００４７】
熱板４１、４２の中央付近には、複数例えば３個の図示しない貫通孔が形成されており、各貫通孔には、上下動可能に設けられた図示しない支持ピンが設けられ、この支持ピンによって、熱板４１、４２上でウェハＷを昇降し、熱板４１、４２と搬送部８のウェハ搬送アーム２１との間でウェハＷの受け渡しを行うようにしてもよい。
【００４８】
加熱処理部ＰＡＢの熱板４１、４２は、上下に重ねて２つ設けられた加熱処理室２８、２９のそれぞれに収容されている。加熱処理室２８、２９は、それぞれ熱板４１、４２の上方、下方を取り囲み、熱板４１、４２の４方の側方のうち３方を取り囲み、一方にはそれぞれ開口部６１、６２が形成されている。開口部６１、６２が形成されている一方は、後述する第２の仕切板６０により構成されている。その結果、熱板４１、４２を含む加熱処理部ＰＡＢは、後述する第２の仕切板６０により、搬送部８が設けられている搬送室２６と仕切られている。
【００４９】
また、加熱処理室２８、２９の一部には、排気口が設けられ、その内部の雰囲気は、図示しないレジスト塗布現像処理装置内部又は外部の設けられた排気系により、排気口に接続した排気流路４３、４４を介して、排気されてもよい。
【００５０】
また、熱板４１、４２は、例えば上下動自在な蓋体と、蓋体の下方に位置し蓋体と一体となって熱板４１、４２と共働して処理容器を形成するサポートリングとにより構成された処理容器によって囲まれていてもよい。この場合には、処理容器の外側を囲み、加熱処理室とすることもできる。
【００５１】
次に、図４を参照し、第１の仕切板５０及び第２の仕切板６０について説明する。
【００５２】
前述したように、搬送室２６と塗布処理室２７とは、第１の仕切板５０により仕切られ、第１の仕切板５０には、搬送部８がウェハ搬送アーム２１によりウェハＷを塗布処理室２７に搬入出するための第１の開口部５１が形成されている。図４に示すように、第１の仕切板５０には、塗布処理部ＣＯＴが設けられた空間である塗布処理室２７の雰囲気を排気するための第１の排気孔５２が設けられている。第１の排気孔５２は、第１の開口部５１の周辺に設けることができ、特に、第１の開口部５１の内周面に設けることができる。また、第１の排気孔５２は、第１の仕切板５０の塗布処理部ＣＯＴ側の面及び搬送部８側の面に設けることができる。
【００５３】
第１の仕切板５０の内部には、第１の排気孔５２と、塗布処理部ＣＯＴが設けられた空間である塗布処理室２７及び搬送部８が設けられた空間である搬送室２６を排気する排気系と、を接続する第１の排気流路５３が設けられている。これにより、第１の開口部５１の周辺において、薬液のミストを、第１の仕切板５０の内部に形成された第１の排気流路５３内に吸引することができる。
【００５４】
また、図４に示すように、第２の仕切板６０には、加熱処理部ＰＡＢが設けられた空間である加熱処理室２８、２９の雰囲気を排気するための第２の排気孔６３が設けられている。第２の排気孔６３は、第２の開口部６１、６２の周辺に設けることができ、特に、第２の開口部６１、６２の内周面に設けることができる。また、第２の排気孔６３は、第２の仕切板６０の加熱処理部ＰＡＢ側の面及び搬送部８側の面に設けることができる。
【００５５】
第２の仕切板６０の内部には、第２の排気孔６３と、加熱処理部ＰＡＢが設けられた空間である加熱処理室２８、２９及び搬送部８が設けられた空間である搬送室２６を排気する排気系と、を接続する第２の排気流路６４が設けられている。これにより、第２の開口部６１、６２の周辺において、薬液のミストを、第２の仕切板６０の内部に形成された第２の排気流路６４内に吸引することができる。
【００５６】
また、図４に示すように、搬送室２６の床下には、搬送室２６の床面である第３の仕切板７０により仕切られた第３の排気流路７１が設けられる。第３の仕切板７０には、搬送室２６内の雰囲気を第３の排気流路７１を介して排気するための第３の排気孔７２が設けられている。また、第１の排気流路５３は、排気系との間において、第３の排気流路７１を介して第２の排気流路６４と合流し、加熱処理室２８、２９等の下に設けられた排気流路室３０に設けられたファン３０ａにより排気され、更に排気系へと排気される。排気流路室３０は、レジスト塗布現像処理システム１の背面側にあるため、搬送室２６等の下部を通り、レジスト塗布現像処理システム１背面側へと排出される。
【００５７】
次に、図５及び図６を参照し、第１の仕切板、第２の仕切板及び第３の仕切板の構造を説明する。
【００５８】
図５は、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの仕切板の構成を示す正面図及び側面図であり、図６は、その断面図である。図５は、紙面右側に第１の仕切板を塗布処理部の方向から視たときの正面図を示し、紙面左側に第１の仕切板を塗布処理部の方向と水平面内において直交する方向から視たときの側面図を示す。また、図６は、図５の正面図及び側面図のそれぞれに対応する断面図であり、紙面右側に図５の側面図におけるＡ−Ａ´線に沿う断面図を示し、紙面左側に図５の正面図におけるＢ−Ｂ´線に沿う断面図を示す。なお、図５及び図６には、排気される気体の流れを矢印で示している。
【００５９】
図５に示すように、第１の仕切板５０は、中央部分に矩形形状を有する第１の開口部５１が形成されている。第１の開口部５１は、搬送部８がウェハ搬送アーム２１によりウェハＷの表面が水平面に平行になるように保持しながら塗布処理部ＣＯＴに搬入出するためのものであるため、横方向の開口幅寸法が縦方向の開口幅寸法よりも小さい。具体的には、例えば横方向の開口幅寸法を３５０ｍｍとし、縦方向の開口幅寸法を３０ｍｍとすることができる。なお、ウェハ搬送アーム２１が保持するウェハＷの表面は、水平面と平行にならず、水平面と垂直であってもよく、又は水平面と所定の角度を有していてもよい。その場合、保持されるウェハＷの形状に対応して、矩形形状を有する第１の開口部５１の長辺の水平面からの傾き角を決定してもよい。
【００６０】
また、本実施の形態では、第１の仕切板５０は、複数の部分に分割され、分割された各部分ごとに異なる排気流路が設けられている。それに伴って、第１の排気流路５３は、第１の仕切板５０が分割された各部分に対応し、複数の排気流路に分割されている。
【００６１】
図５及び図６に示す例では、第１の仕切板５０は、矩形形状を有する第１の開口部５１の内周面のうち、上面５１ａ、下面５１ｂ、第１の側面５１ｃ、第２の側面５１ｄに対応し、４つの部分である第１の部分５０ａ、第２の部分５０ｂ、第３の部分５０ｃ、及び第４の部分５０ｄに分割されている。それに伴って、第１の排気流路５３は、第１の開口部の内周面のうち、上面５１ａ、下面５１ｂ、第１の側面５１ｃ、第２の側面５１ｄに対応し、４つの部分である第１の流路部分５３ａ、第２の流路部分５３ｂ、第３の流路部分５３ｃ、及び第４の流路部分５３ｄに分割されている。第１から第４の流路部分５３ａ〜５３ｄは、それぞれ第１から第４の接続流路５４ａ〜５４ｄを介して第３の排気流路７１に接続されて合流する。
【００６２】
第１の排気孔５２の形状及びサイズは、特に限定されるものではないが、例えば第１の仕切板５０の表面に縦横５０ｍｍ間隔で形成された３ｍｍ径の円形形状の孔、又は縦横５０ｍｍ間隔で形成された５ｍｍ角の矩形形状の孔を用いることができる。また、第１の排気流路５３の排気流量を５００Ｌ／ｍｉｎとすることができる。
【００６３】
また、第１の排気流路の内部に、ケミカルフィルタ等のフィルタを設けてもよい。
【００６４】
上記した第１の仕切板５０の形状及び構造は、第２の仕切板６０についても同様である。すなわち、矩形形状を有する第２の開口部６１、６２が、加熱処理部ＰＡＢに対応して形成されている。第２の開口部６１、６２も、搬送部８がウェハ搬送アーム２１によりウェハＷの表面が水平面に平行になるように保持しながら加熱処理部ＰＡＢに搬入出するためのものであるため、横方向の開口幅寸法が縦方向の開口幅寸法よりも小さい。具体的には、第１の仕切板５０と同様に、例えば横方向の開口幅寸法を３５０ｍｍとし、縦方向の開口幅寸法を３０ｍｍとすることができる。また、ウェハ搬送アーム２１が保持するウェハＷの表面は、水平面と平行にならず、水平面と垂直であってもよく、又は水平面と所定の角度を有していてもよいのは、第１の仕切板５０と同様である。
【００６５】
また、第２の仕切板６０も、複数の部分に分割され、分割された各部分ごとに異なる排気流路が設けられていてもよい。また、第２の排気流路６４も、第２の仕切板６０が分割された各部分に対応し、複数の排気流路に分割されていてもよい。例えば、矩形形状を有する第２の開口部６１、６２の内周面のうち、上面、下面、第１の側面、第２の側面に対応する４つの部分に分割されていてもよい。また、第２の排気孔６３の形状及びサイズも、第１の排気孔５２の形状及びサイズと同様にすることができる。更に、第３の排気孔７２の形状及びサイズも、第１の排気孔５２の形状及びサイズと同様にすることができる。
【００６６】
また、第２の排気流路の内部にも、ケミカルフィルタ等のフィルタを設けてもよい。
【００６７】
本実施の形態によれば、搬送室２６と塗布処理室２７との間に、第１の開口部５１が形成された第１の仕切板５０が設けられ、第１の開口部５１の周辺例えば第１の開口部５１の内周面に第１の排気孔５２が形成される。
【００６８】
塗布処理部ＣＯＴでウェハＷの表面に薬液を供給して塗布処理を行う際に、高速で回転するウェハＷの表面に供給された薬液が、ウェハＷの表面からミストとして飛散する場合がある。この場合、ウェハ搬送アーム２１を搬送室２６から塗布処理室２７に進出させ、塗布処理が行われたウェハＷを、ウェハ搬送アーム２１により塗布処理部ＣＯＴから搬出しようとするときに、塗布処理室２７内の雰囲気に含まれる薬液のミストがウェハ搬送アーム２１の水平面内での動きに伴って、塗布処理室２７から搬送室２６に流出する場合がある。
【００６９】
しかし、本実施の形態では、第１の開口部５１の周辺に第１の排気孔５２を形成し、第１の仕切板５０の内部に設けられた第１の排気流路５３により排気を行う。従って、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って塗布処理室２７内から搬送室２６内に流出しようとするミストは、第１の開口部５１を横切る際に、第１の開口部５１の周辺に形成された第１の排気孔５２により吸引され、第１の排気流路５３を通って排気される。従って、薬液のミストが塗布処理部ＣＯＴを含むエリア（塗布処理室２７）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【００７０】
また、塗布処理室２７内の塵埃を極力少なくするために、塗布処理室２７内の圧力を搬送室２６の圧力よりも高くなるようにした場合でも、塗布処理室２７内から搬送室２６内へ圧力差により移動しようとする薬液のミストが、第１の開口部５１により吸引されるため、薬液のミストが塗布処理部ＣＯＴを含むエリア（塗布処理室２７）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【００７１】
また、本実施の形態では、第１の排気孔５２から排気されたミストは、第１の排気流路５３を通って搬送室２６等の床下に設けられた第３の排気流路７１を通り、加熱処理室２８、２９の下に設けられた排気流路室３０に設けられたファン３０ａにより排気され、更に排気系へと排気される。従って、いったん第１の排気流路５３を通って排気されたミストが搬送室２６等の床面から塗布現像処理システムの他の処理室内に戻ることがない。
【００７２】
また、本実施の形態では、第１の排気流路５３が複数に分割されており、分割された各部分の間で排気が合流することがないため、第１の排気流路５３の内部で薬液のミストが逆流したり拡散することを防止できる。そのため、ウェハＷを塗布処理部ＣＯＴから搬送部８のウェハ搬送アーム２１に受け渡し、ウェハＷを塗布処理部ＣＯＴから搬出する際に、塗布処理室２７から搬送室２６に薬液のミスト等が流出するおそれを更に低減することができる。また、処理室内を搬送室内に対して陽圧にする陽圧調整を行わなくてもよいか、あるいはその陽圧調整を行ったとしても精密に行わなくてもよい。
【００７３】
また、本実施の形態では、第１の仕切板５０に駆動機構を有するシャッターが設けられていない。従って、シャッターが開閉動作する際にパーティクルを発生させることもない。
【００７４】
更に、本実施の形態によれば、搬送室２６と加熱処理室２８、２９との間にも、第２の開口部６１、６２が形成された第２の仕切板６０を設け、第２の開口部６１、６２の周辺例えば第２の開口部６１、６２の内周面に第２の排気孔６３を形成し、第２の仕切板６０の内部に設けられた第２の排気流路６４により排気を行う。従って、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って搬送室２６内から加熱処理室２８、２９内に流出しようとするミストは、第２の開口部６１、６２を横切る際に、第２の開口部６１、６２の周辺に形成された第２の排気孔６３により吸引され、第２の排気流路６４を通って排気される。従って、塗布処理室２７で発生した薬液のミストの一部が搬送室２６に流出した場合でも、薬液のミストが塗布処理部ＣＯＴを含むエリア（塗布処理室２７）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）を介して加熱処理部ＰＡＢを含むエリア（加熱処理室２８、２９）に流出することを防止できる。
【００７５】
また、本実施の形態では、第２の仕切板６０に駆動機構を有するシャッターが設けられていない。従って、シャッターが開閉動作する際にパーティクルを発生させることもない。
【００７６】
また、本実施の形態に係る塗布処理部は、本発明における液処理部に相当し、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムは、本発明に係る液処理システムに相当する。本発明における液処理部及び液処理システムは、ミスト又はパーティクルが発生するおそれがある処理装置を含むものであればよい。例えば、スピンコータ、ディップコータ等を含み、レジスト、ＢＡＲＣ、ＴＡＲＣ、ＳＯＧ等の薬液を用いてウェハを塗布処理する塗布処理装置を含むものであってもよい。また、ディベロッパ等の現像液、酸を含む溶液等の薬液を用いてウェハを現像処理又は酸処理する液処理装置を含むものであってもよい。あるいは、スピンリンスプロセスステーション、プリポストイマーションリンスステーション等のウェハを洗浄処理する洗浄処理装置を含むものであってもよい。
（第１の実施の形態の変形例）
次に、図７及び図８を参照し、第１の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムについて説明する。
【００７７】
図７は、本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの仕切板の構成を示す正面図及び側面図であり、図８は、その断面図である。図７は、紙面右側に第１の仕切板を塗布処理部の方向から視たときの正面図を示し、紙面左側に第１の仕切板を塗布処理部の方向と水平面内において直交する方向から視たときの側面図を示す。また、図８は、図７の正面図及び側面図のそれぞれに対応する断面図であり、紙面右側に図７の側面図におけるＡ−Ａ´線に沿う断面図を示し、紙面左側に図７の正面図におけるＢ−Ｂ´線に沿う断面図を示す。なお、図７及び図８には、排気される気体の流れを矢印で示している。また、以下の文中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある（以下の実施の形態及び変形例についても同様）。
【００７８】
本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムは、仕切板が複数の部分に分割されていない点で、第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムと相違する。
【００７９】
本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの、仕切板の分割方法以外の構成方法については、第１の実施の形態において図１から図４を用いて説明した液処理システム、搬送部、液処理部及び加熱処理部と同様にすることができる。また、第１の仕切板の中央部分に矩形形状を有する第１の開口部が形成されていることも、第１の実施の形態と同様にすることができる。
【００８０】
一方、本変形例では、図７及び図８に示すように、第１の仕切板５０には、複数の部分に分割されず、同一の排気流路５３が設けられている。第１の実施の形態において、第１の排気流路が第１から第４の部分に分割されていたのと相違し、本変形例では、第１の開口部５１のうち、上面５１ａ、下面５１ｂ、第１の側面５１ｃ、第２の側面５１ｄは、全て第１の仕切板５０の内部に設けられた第１の排気流路５３を介して連通している。第１の排気流路５３は、第１から第４の流路５４ａ〜５４ｄに分散して第３の排気流路７１に接続されるが、第３の排気流路７１に接続されて再び合流する。
【００８１】
また、第２の仕切板６０も、複数の部分に分割されず、同一の排気流路が設けられていてもよい。
【００８２】
本変形例でも、第１の排気流路５３が分割されていないものの、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って塗布処理室２７内から搬送室２６内に流出しようとするミストは、第１の開口部５１を横切る際に、第１の開口部５１の周辺に形成された第１の排気孔５２により吸引され、第１の排気流路５３を通って排気される。従って、薬液のミストが塗布処理部ＣＯＴを含むエリア（塗布処理室２７）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【００８３】
また、第１の実施の形態と同様に、本変形例に係る塗布処理部及びレジスト塗布現像処理システムも、本発明における液処理部及び液処理システムのそれぞれに相当し、各種の薬液を用いてウェハを塗布処理する塗布処理装置、各種の薬液を用いてウェハを現像処理又は酸処理する液処理装置、及び各種の洗浄液を用いてウェハを洗浄処理する洗浄処理装置を含むものであってもよい。
（第２の実施の形態）
次に、図９を参照し、第２の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムについて説明する。
【００８４】
図９は、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び塗布処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【００８５】
本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムは、仕切板が、搬送室と加熱処理室との間に設けられていない点で、第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムと相違する。
【００８６】
本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムは、図１から図３を用いて説明した液処理システムと同様にすることができる。ただし、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムには、加熱処理部ＰＡＢを設けなくてもよい。また、第１の仕切板５０の中央部分に矩形形状を有する第１の開口部５１が形成されていることも、第１の実施の形態と同様にすることができる。
【００８７】
一方、本実施の形態では、図９に示すように、搬送室と加熱処理室とは仕切板で仕切られておらず、搬送室２６と塗布処理室２７とが仕切板で仕切られる。従って、第１の実施の形態における第１の仕切板５０、及び第３の仕切板７０のみが設けられ、第１の排気流路５３は、排気系との間において、搬送室２６の床下に設けられた第３の排気流路７１を介し、搬送室２６及び塗布処理室２７以外の部分に設けられたファン３０ａにより排気され、更に排気系へと排気される。第３の排気流路７１が、搬送室２６の床板である第３の仕切板７０により搬送室２６と仕切られ、搬送室２６の雰囲気を排気するための第３の排気孔７２が設けられているのは、第１の実施の形態と同様である。
【００８８】
本実施の形態でも、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って塗布処理室２７内から搬送室２６内に流出しようとするミストは、第１の開口部５１を横切る際に、第１の開口部５１の周辺に形成された第１の排気孔５２により吸引され、第１の排気流路５３を通って排気される。従って、薬液のミストが塗布処理部ＣＯＴを含むエリア（塗布処理室２７）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【００８９】
また、第１の実施の形態と同様に、本実施の形態に係る塗布処理部及びレジスト塗布現像処理システムも、本発明における液処理部及び液処理システムのそれぞれに相当し、各種の薬液を用いてウェハを塗布処理する塗布処理装置、各種の薬液を用いてウェハを現像処理又は酸処理する液処理装置、及び各種の洗浄液を用いてウェハを洗浄処理する洗浄処理装置を含むものであってもよい。
（第２の実施の形態の変形例）
次に、図１０を参照し、第２の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムについて説明する。
【００９０】
図１０は、本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び塗布処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【００９１】
本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムは、第１の仕切板の搬送部側の面に排気孔が設けられていない点で、第２の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムと相違する。
【００９２】
本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムも、図１から図３を用いて説明した液処理システムと同様にすることができる。また、第１の仕切板５０の中央部分に矩形形状を有する第１の開口部５１が形成されていることも、第１の実施の形態と同様にすることができる。
【００９３】
一方、本変形例では、図１０に示すように、第１の仕切板５０の搬送部８側の面に排気孔が設けられていない。また、搬送室２６の床面に排気孔が設けられていない。従って、本変形例では、第１の開口部５１の内周面及び第１の仕切板５０の塗布処理部ＣＯＴ側の面に、第１の排気孔５２が設けられる。
【００９４】
本変形例でも、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って塗布処理室２７内から搬送室２６内に流出しようとするミストは、第１の開口部５１を横切る際に、第１の開口部５１の内周面に形成された第１の排気孔５２により吸引され、第１の排気流路５３を通って排気される。また、第１の仕切板５０の塗布処理部ＣＯＴ側の面に第１の排気孔５２が形成されていることにより、第１の開口部５１の周辺においても薬液のミストが第１の仕切板５０の内部に形成された第１の排気流路５３に吸引されるため、薬液のミストが塗布処理部ＣＯＴを含むエリア（塗布処理室２７）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【００９５】
また、第２の実施の形態と同様に、本変形例に係る塗布処理部及びレジスト塗布現像処理システムも、本発明における液処理部及び液処理システムのそれぞれに相当し、各種の薬液を用いてウェハを塗布処理する塗布処理装置、各種の薬液を用いてウェハを現像処理又は酸処理する液処理装置、及び各種の洗浄液を用いてウェハを洗浄処理する洗浄処理装置を含むものであってもよい。
（第３の実施の形態）
次に、図１１を参照し、第３の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムについて説明する。
【００９６】
図１１は、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び加熱処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【００９７】
本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムは、仕切板が、搬送室と塗布処理室との間に設けられていない点で、第１の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムと相違する。
【００９８】
本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムは、図１から図３を用いて説明した液処理システムと同様にすることができる。ただし、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムには、塗布処理部ＣＯＴを設けなくてもよい。また、第２の仕切板６０に第２の開口部６１、６２が形成されていることは、第１の実施の形態と同様にすることができる。
【００９９】
一方、本実施の形態では、図１１に示すように、搬送室と塗布処理室とは仕切板で仕切られておらず、搬送室２６と加熱処理室２８、２９とが仕切板で仕切られる。従って、第１の実施の形態における第２の仕切板６０のみが設けられ、第２の排気流路６４は、搬送室２６及び加熱処理室２８、２９以外の部分に設けられたファン３０ａにより排気され、更に排気系へと排気される。
【０１００】
加熱処理部ＰＡＢでウェハＷを熱板４１、４２に載置して加熱処理を行う際に、ウェハＷの表面に供給された薬液がウェハＷの表面からミスト又はパーティクルとして飛散する場合がある。この場合、ウェハ搬送アーム２１を搬送室２６から加熱処理室２８、２９に進出させ、加熱処理が行われたウェハＷを、ウェハ搬送アーム２１により加熱処理部ＰＡＢから搬出しようとするときに、加熱処理室２８、２９内の雰囲気に含まれるミスト又はパーティクルがウェハ搬送アーム２１の水平面内での動きに伴って、加熱処理室２８、２９から搬送室２６に流出する場合がある。
【０１０１】
しかし、本実施の形態では、第２の開口部６１、６２の周辺に第２の排気孔６３を形成し、第２の仕切板６０の内部に設けられた第２の排気流路６４により排気を行う。従って、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って加熱処理室２８、２９内から搬送室２６内に流出しようとするミストは、第２の開口部６１、６２を横切る際に、第２の開口部６１、６２の周辺に形成された第２の排気孔６３により吸引され、第２の排気流路６４を通って排気される。従って、ミスト又はパーティクルが加熱処理部ＰＡＢを含むエリア（加熱処理室２８、２９）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【０１０２】
また、本実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムは、本発明における液処理システムに相当する。また、本実施の形態に係る加熱処理部は、熱板に載置して加熱処理する加熱処理部、加熱ランプ等によりウェハを加熱処理する加熱処理部その他の広範な種類の方法を用いてウェハを加熱処理する加熱処理部であってもよい。
（第３の実施の形態の変形例）
次に、図１２を参照し、第３の実施の形態の変形例に係るレジスト塗布現像処理システムについて説明する。
【０１０３】
図１２は、本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムの搬送部及び加熱処理部の構成を模式的に示す断面図である。
【０１０４】
本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムは、第２の仕切板の搬送部側の面に排気孔が設けられていない点で、第３の実施の形態に係るレジスト塗布現像処理システムと相違する。
【０１０５】
本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムも、図１から図３を用いて説明した液処理システムと同様にすることができる。また、第２の仕切板に矩形形状を有する第２の開口部が形成されていることも、第２の実施の形態と同様にすることができる。
【０１０６】
一方、本変形例では、図１２に示すように、第２の仕切板６０の搬送部８側の面に排気孔が設けられていない。従って、本変形例では、第２の開口部６１、６２の内周面及び第２の仕切板６０の加熱処理部ＰＡＢ側の面に、第２の排気孔６３が設けられる。
【０１０７】
本変形例でも、ウェハ搬送アーム２１の動きに伴って加熱処理室２８、２９内から搬送室２６内に流出しようとするミスト又はパーティクルは、第２の開口部６１、６２を横切る際に、第２の開口部６１、６２の内周面に形成された第２の排気孔６３により吸引され、第２の排気流路６４を通って排気される。また、第２の仕切板６０の加熱処理部ＰＡＢ側に第２の排気孔６３が形成されていることにより、第２の開口部６１、６２の周辺においても薬液のミストが第２の仕切板６０の内部に形成された第２の排気流路６４に吸引されるため、薬液のミストが加熱処理部ＰＡＢを含むエリア（加熱処理室２８、２９）から搬送部８を含むエリア（搬送室２６）に流出することを防止できる。
【０１０８】
また、第３の実施の形態と同様に、本変形例に係るレジスト塗布現像処理システムも、本発明における液処理システムに相当する。また、本変形例に係る加熱処理部は、熱板に載置して加熱処理する加熱処理部、加熱ランプ等によりウェハを加熱処理する加熱処理部その他の広範な種類の方法を用いてウェハを加熱処理する加熱処理部であってもよい。
【０１０９】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１１０】
また、本発明に係る液処理システムは、ミスト又はパーティクルを発生させる装置を含む処理システムであれば、レジスト塗布現像処理装置のみならず、基板洗浄装置、成膜装置、エッチング装置その他の各種装置を含む処理システムに適用することが可能である。すなわち、本発明は、基板を処理する処理部と、前記基板を前記処理部に搬入出する搬送部と、前記処理部と前記搬送部との間を仕切るとともに、前記搬送部が前記基板を前記処理部に搬入出するための開口部が設けられた仕切板とを備え、前記仕切板に、前記処理部が設けられた空間の雰囲気を排気する排気孔が設けられたことを特徴とする処理システムに適用することが可能である。
【０１１１】
更に、本発明は、半導体基板、ガラス基板その他の各種基板を搬送する工程を含む装置に適用することが可能である。
【符号の説明】
【０１１２】
８ 第１の搬送部（搬送部）
２６ 搬送室
２７ 塗布処理室（空間）
２８、２９ 加熱処理室
５０ 第１の仕切板（仕切板）
５１ 第１の開口部（開口部）
５２ 第１の排気孔
５３ 第１の排気流路
６０ 第２の仕切板
７０ 第３の仕切板
ＣＯＴ 塗布処理部（液処理部）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬液を用いて基板を液処理する液処理部と、
前記基板を前記液処理部に搬入出する搬送部と、
前記液処理部と前記搬送部との間を仕切るとともに、前記搬送部が前記基板を前記液処理部に搬入出するための開口部が設けられた仕切板と
を備え、
前記仕切板に、前記液処理部が設けられた空間の雰囲気を排気する排気孔が設けられたことを特徴とする液処理システム。
【請求項２】
前記開口部の内周面に、前記排気孔が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の液処理システム。
【請求項３】
前記仕切板の前記液処理部側の面に、前記排気孔が設けられたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液処理システム。
【請求項４】
前記仕切板の内部に、前記排気孔と連通する排気流路が設けられたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の液処理システム。
【請求項５】
前記仕切板は複数の部分に分割され、
分割された各部分ごとに異なる前記排気流路が設けられたことを特徴とする請求項４に記載の液処理システム。
【請求項６】
前記排気流路にケミカルフィルタが設けられたことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の液処理システム。
【請求項７】
基板を熱板に載置して加熱処理する加熱処理部と、
前記基板を前記加熱処理部に搬入出する搬送部と、
前記加熱処理部と前記搬送部との間を仕切るとともに、前記搬送部が前記基板を前記加熱処理部に搬入出するための開口部が設けられた仕切板と
を備え、
前記仕切板に、前記加熱処理部が設けられた空間の雰囲気を排気する排気孔が設けられたことを特徴とする液処理システム。
【請求項１】
薬液を用いて基板を液処理する液処理部と、
前記基板を前記液処理部に搬入出する搬送部と、
前記液処理部と前記搬送部との間を仕切るとともに、前記搬送部が前記基板を前記液処理部に搬入出するための開口部が設けられた仕切板と
を備え、
前記仕切板に、前記液処理部が設けられた空間の雰囲気を排気する排気孔が設けられたことを特徴とする液処理システム。
【請求項２】
前記開口部の内周面に、前記排気孔が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の液処理システム。
【請求項３】
前記仕切板の前記液処理部側の面に、前記排気孔が設けられたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液処理システム。
【請求項４】
前記仕切板の内部に、前記排気孔と連通する排気流路が設けられたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の液処理システム。
【請求項５】
前記仕切板は複数の部分に分割され、
分割された各部分ごとに異なる前記排気流路が設けられたことを特徴とする請求項４に記載の液処理システム。
【請求項６】
前記排気流路にケミカルフィルタが設けられたことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の液処理システム。
【請求項７】
基板を熱板に載置して加熱処理する加熱処理部と、
前記基板を前記加熱処理部に搬入出する搬送部と、
前記加熱処理部と前記搬送部との間を仕切るとともに、前記搬送部が前記基板を前記加熱処理部に搬入出するための開口部が設けられた仕切板と
を備え、
前記仕切板に、前記加熱処理部が設けられた空間の雰囲気を排気する排気孔が設けられたことを特徴とする液処理システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１１−４４５９７（Ｐ２０１１−４４５９７Ａ）
【公開日】平成２３年３月３日（２０１１．３．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１９２１００（Ｐ２００９−１９２１００）
【出願日】平成２１年８月２１日（２００９．８．２１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月３日（２０１１．３．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年８月２１日（２００９．８．２１）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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