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Fターム[5F157AB90]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 処理槽(室)内での洗浄時の運動 (1,468) | 回転運動 (1,212) | 垂直軸 (1,082)

Fターム[5F157AB90]に分類される特許

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【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む1つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面102を有する隔壁板102であって、隔壁板102の下側表面106と半製品と間の距離は隔壁板102の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板102と、隔壁板102の下側表面106と流れが連通するように隔壁構造14内に設けられた吸引通路であって、隔壁板102の下側表面106上の液体を隔壁板102の下側表面106上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板102の下側表面106上の液体が隔壁板102の下側106から吸引されて抜き取られるように構成した。 (もっと読む)


【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション5は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄するウェハ洗浄部141と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査するウェハ検査部142と、ウェハ洗浄部141とウェハ検査部142との間でウェハWを搬送する搬送手段143を有している。ウェハ洗浄部141、ウェハ検査部142及び搬送手段143は、筐体140の内部に設けられている。 (もっと読む)


【課題】液処理工程中に基板を上方から支持する基板支持部、あるいは基板とともに回転する天板を基板へ供給されるリンス液を用いて洗浄する。
【解決手段】液処理装置100はウエハWを上方から支持する回転自在の基板支持部10と、基板支持部10の回転中心に設けられ少なくともリンス液をウエハWに対して供給するトッププレートノズル10nとを備えている。トッププレートノズル10nは基板支持部10に対して上下方向に移動可能となっており、トッププレートノズル10nを基板支持部10から離間した状態でトッププレートノズル10nからリンス液をウエハWに対して供給する。トッププレートノズル10nを基板支持部10に接近させた状態で、トッププレートノズル10nからリンス液を基板支持部10の下面に供給して洗浄する。 (もっと読む)


【課題】洗浄時間を低減しつつ基板表面全体で所望のパーティクル除去率を達成できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄部の周縁領域での第1の移動速度と基板の第1の回転速度とを決定する予備工程S51、S52と、基板の周縁領域より中心側で第1の移動速度よりも速い移動速度で移動するように第1の移動速度を基準に洗浄部の移動速度を決定する移動速度決定工程S53と、基板の周縁領域より中心側で基板の第1の回転速度よりも速い回転速度で回転するように第1の回転速度を基準に基板の回転速度を決定する回転速度決定工程S54と、移動速度決定工程にて決定した洗浄部の移動速度に従って基板の中心側から周縁領域まで洗浄部を移動させながら、回転速度決定工程で決定した基板の回転速度に従って基板回転速度を変化させ、洗浄部により基板を洗浄する洗浄工程S56と、を含む基板洗浄方法である。 (もっと読む)


【課題】基板を液層に浸漬して洗浄した後、回転して液膜処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体を貯留し、液層を形成する貯留槽と、基板を回転可能に水平に支持し、前記貯留槽に対する離間距離を増減可能な基板支持部と、前記貯留槽の外周側に設けられ、前記基板支持部が前記貯留槽から離間した位置において前記基板を回転することにより前記基板から振り払われる液体を受けるカップ部とを備える基板処理装置により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】基板を液層に浸漬して液処理した後、その液層を排出することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の下方に設けられた貯留槽と、前記貯留槽の外周側に該貯留槽を囲むように設けられた環状のカップ部と、を有し、前記貯留槽は、前記基板支持部により支持される前記基板の下面に対向するように設けられた円形の底部と、前記底部の外周部に該底部を囲むように設けられた周壁を含む堰部と、を含み、前記底部と前記堰部との相対的な位置関係を変化させることによって、前記貯留槽に液体を貯留し又は前記貯留槽の液体を排出し、前記カップ部は、前記排出された液体を収容することを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】1つの液処理装置にて異なる種類の液処理を行うにあたって、各液処理時に基板の周辺の処理液由来の雰囲気が拡散することを防止ないし抑制しつつ、クロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板(W)を水平に保持して回転させる基板保持部と、基板に対して第1の処理液および第2の処理液をそれぞれ第1処理液供給ノズルおよび第2処理液供給ノズルと、基板に供給された後の処理液を受けるための液受けカップ(40,42,44)と、液受けカップの周囲に配設され、その上端が前記液受けカップの上方にある上昇位置と、前記上昇位置よりも下方に位置する下降位置との間で昇降自在な、上部に上部開口(50n)が形成された筒状の第1カップ外周筒(50A)と、その外側の第2カップ外周筒(50B)を備えている。使用される処理液に応じて、カップ外周筒50A、50Bを使い分ける。 (もっと読む)


【課題】基板の被処理面の背面に使用済みの処理液等の回り込みを防止する。
【解決手段】基板の被処理面を水平に支持した状態で当該被処理面と平行に回転するテーブルを有し、このテーブルに支持された当該基板Wの被処理面に所定の処理液を供給した後、この処理液を当該基板Wの外周方向に払拭することにより基板処理を行う装置の当該テーブルに、当該基板Wを着脱自在に嵌装するための基板装着部を形成しておく。この基板装着部に嵌装された基板Wをベルヌーイ吸着させるために当該基板Wの被処理面の背面に向けてN2ガス等を噴出供給して、このベルヌーイ吸着により生じる当該基板Wの変位力により、当該処理液の払拭路と当該被処理面の背面を通過した気体の排出路とを遮へいする。 (もっと読む)


【課題】フットプリントや洗浄時間を増大させることなく、スクラブ洗浄部材への負荷を低減させ、研磨後の基板表面の研磨性能を向上させた洗浄を行う。
【解決手段】移動アーム48を移動させて、基板Wのエッジ上方の退避位置に位置するスクラブ洗浄部材40を基板Wのセンタ上方のスクラブ洗浄位置に移動させ、移動アーム48の移動に伴って、2流体ノズル70を該2流体ノズル70から回転中の基板Wの表面に向けて流体を噴出させて該表面の2流体ジェット洗浄を行いながら移動させ、2流体ノズル70からの流体の噴出を停止させた後、スクラブ洗浄部材40を基板Wの表面に接触させてスクラブ洗浄を行う。 (もっと読む)


【課題】処理工程全体の処理時間の短縮を図る。
【解決手段】本発明による液処理方法は、第1ノズル31Aを用い第1処理液をウエハWに供給するとともに、第1処理液を第1排出路46aから排出して第1気液分離器48aへ導く第1処理工程と、第2ノズル31Bを用い第2処理液をウエハWに供給するとともに、第2処理液を第2排出路46bから排出して第2気液分離器48bへ導く第2処理工程とを備えている。第2処理工程が開始される前に、第1ノズル31Aから第2ノズル31Bへのノズル切換作業と、案内カップ44を上下させて第1排出路46bから第2排出路46bへ切換える排出機構切換作業が行なわれる。切換作業に要する時間のうち最長となる時間を最大準備時間として、第1処理工程の終了時から最大準備時間以上早めた時間から上記切換作業が開始される。 (もっと読む)


【課題】薬液処理後の雰囲気の置換効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置10は、基板Wを水平に保持する基板保持部21と、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆い、基板保持部21に保持された基板を覆う処理空間30を形成する天板32と、を備えている。処理空間30においては、薬液ノズル82aにより、基板保持部21に保持された基板Wに対して薬液が供給され、置換ノズル82cにより、処理空間30の雰囲気を置換するための置換ガスが処理空間30に供給されるようになっている。また、置換ノズル82cは、処理空間30内に進出した進出位置と処理空間30から外方に退避した退避位置との間で水平方向に移動する置換ノズル支持アーム82rによって支持されると共に、置換ガスを上方に吐出するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】被処理物に形成された凸パターンに対する超音波洗浄時のダメージを抑え、かつ凹パターンの底部及び側壁部も十分に洗浄し得る超音波処理技術を提供する。
【解決手段】被処理物を超音波により洗浄処理する超音波処理装置を、超音波振動を放射する超音波振動部と、前記超音波振動部に電力を印加する発振部と、前記被処理物と該被処理物を処理する処理液を収容する収容部を有し該収容部内へ前記処理液を供給する処理液供給部とを備えるように構成し、前記処理液供給部が、前記収容部内へ供給される前の前記処理液を脱気する。 (もっと読む)


【課題】液体が付着した板状物を短時間で乾燥することができる乾燥装置を提供する。
【解決手段】板状物に付着した液体を除去して乾燥するための乾燥装置であって、板状物を保持する保持面を有する保持テーブルと、保持テーブルに超音波振動を付与する超音波振動付与手段とを具備し、超音波振動付与手段を作動して保持テーブルに超音波振動を付与し、保持テーブルに保持された板状物に超音波振動を付与することにより、板状物に付着した液体を微粒子にして飛散せしめる。 (もっと読む)


【課題】液滴が衝突する基板内の衝突位置での膜厚のばらつきを低減することにより、処理の均一性を向上させること。
【解決手段】洗浄ノズル5は、複数の噴射口31が形成された噴射部6と、吐出口36が形成された吐出部7とを含む。複数の噴射口31は、複数の液滴がそれぞれ基板W内の複数の衝突位置P1に衝突するように形成されている。吐出口36は、各衝突位置P1からの距離Dが等しい基板W内の着液位置P2に保護液が着液するように形成されている。洗浄ノズル5は、吐出口36から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板Wに複数の噴射口31から噴射された複数の液滴を衝突させる。 (もっと読む)


【課題】雰囲気が置換される空間の体積を減少させることができ、基板のエッチング量を面内全域で低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、内部空間S1を有するチャンバー2と、チャンバー2内で基板Wを保持して回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック3と、チャンバー2内で基板Wの上面に対向する遮断板4と、遮断板4と基板Wとの間に不活性ガスを供給するガス供給機構5と、基板Wに対して傾いた方向に処理液を吐出することにより、基板Wの上面中央部に斜めに処理液を供給する処理液ノズル29と、処理液ノズル29に供給される処理液から酸素を脱気する脱気手段とを含む。 (もっと読む)


【課題】枚葉型の基板処理装置に適したスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラムを提供する。
【解決手段】スケジュール作成方法は、基板を一枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットSPIN1〜SPIN12を有する基板処理装置の動作を時系列に従って規定するスケジュールを前記基板処理装置に備えられた制御部21が作成するための方法である。この方法は、制御部21が、各基板に対する処理内容を規定するブロックを時系列に従って結合した仮タイムテーブルを作成するステップと、制御部21が、複数枚の基板に関する前記仮タイムテーブルからブロックを取得し、時系列に従って配置することにより、全体スケジュールを作成するスケジューリングステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止するとともに、処理液と他の液体との混合による悪影響を防止する。
【解決手段】基板処理装置1では、除電液供給部6により、SPM液よりも比抵抗が大きい除電液が基板9上に供給され、基板9の上面91全体が除電液にてパドルされることにより、基板9が比較的緩やかに除電される。続いて、基板回転機構5により基板9が回転することにより、基板9上から除電液が除去された後、処理液供給部3により基板9上にSPM液が供給されてSPM処理が行われる。これにより、SPM処理の際に、基板9からSPM液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板9の損傷を防止することができる。また、除電液とSPM液との混合による悪影響(例えば、除電液中の水とSPM液中の硫酸との反応熱による基板9の損傷)を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置1では、二酸化炭素溶解ユニット62により純水に対する二酸化炭素の溶解量を制御することにより除電液の比抵抗が目標比抵抗とされる。続いて、除電液供給部6により、SPM液よりも比抵抗が大きい除電液が基板9上に供給され、基板9の上面91全体が除電液にてパドルされることにより、基板9が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理の終了後に、処理液供給部3により基板9上にSPM液が供給されてSPM処理が行われる。これにより、SPM処理の際に、基板9からSPM液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板9の損傷を防止することができる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持することにより、基板9の損傷が生じない範囲で、基板9の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。 (もっと読む)


【課題】基板に対する異物の付着力を低下させることができ、ランニングコストを低減できる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】液滴ノズル15からの液滴が基板Wの上面内の一部の領域だけに供給される。その後、基板Wの上面に保持されている液滴が冷却または加熱される。これにより、基板W上の液滴の温度が変化する。液滴に接しているパーティクルは、液滴によって冷却または加熱され、収縮または膨張する。 (もっと読む)


【課題】無機膜と金属膜とが積層された被処理体を処理する場合においても、凸形状部が倒壊することを防止すること。
【解決手段】液処理装置は、本体部Wと、本体部Wに設けられた複数の凸形状部Wとを有し、無機膜と金属膜とが積層された被処理体Wを処理する。液処理装置は、被処理体Wの本体部Wを支持する支持部50と、支持部50によって支持された被処理体Wに、疎水化液を供給する疎水化液供給機構30と、疎水化液供給機構30によって疎水化液が供給された後の被処理体Wに、リンス液を供給するリンス液供給部22と、を備えている。疎水化液供給機構30は、無機膜を疎水化するための第一疎水化液を被処理体Wに供給する第一疎水化液供給部32と、異質膜を疎水化するための第二疎水化液を被処理体Wに供給する第二疎水化液供給部37とを有している。 (もっと読む)


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