【課題】半導体基板の裏面外周部に噴出されるガスを均一にして、ウェーハのエッジ面の形状を安定化させる。
【解決手段】枚葉式エッチング装置１０は、半導体インゴットをスライスして得られた薄円板状のウェーハ１１を回転させながら、前記ウェーハ１１の上面にエッチング液１５を供給して少なくともウェーハ１１の上面をエッチングする装置である。そして、ウエーハ１１を回転させる回転機構１３と、回転機構１３の半径方向外方に設けられその回転機構により回転されるウェーハ１１の下面に対向しかつ平行にウェーハ１１の下面１１ｃとエッジ部１１ｂとの境界位置よりも外方にまで延びたステージ１７ｊと、ステージ１７ｊの上面にウェーハ１１に向かうように形成された噴射口１７ａと、噴射口１７ａに流体を供給してウェーハ１１のエッジ部を介して流下するエッチング液をウェーハの外方に吹き飛ばすブロー機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】活性度の高い処理液を得ることができ、その処理液による良好な処理を基板に施すことができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】第２薬液供給管１１において、塩酸と過酸化水素水とが混合され、ミキシングバルブ８において、その混合により得られる混合液とＤＩＷとが混合される。これにより、塩酸と過酸化水素水との混合液がＤＩＷで希釈され、ウエハＷに供給すべき濃度の処理液が得られる。すなわち、塩酸と過酸化水素水とは、ＤＩＷにより希釈される前に、それぞれ濃度が高い状態で混合される。その結果、塩酸と過酸化水素水との良好な化学反応が生じ、活性度の高い混合液を得ることができる。そして、この活性度の高い混合液にＤＩＷが適当に混合されることにより、活性度が高くかつウエハＷの処理に適した濃度の処理液を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングを要する半導体装置の製造工程において、その安定性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、処理カップＷＣ内で半導体ウェハ１の被処理面Ｓに対し、所望の液体７，９を用いた処理を施す工程であって、はじめに、処理カップＷＣ内に載置した半導体ウェハ１を回転させた状態で、処理カップＷＣの開口部５から、液体供給ノズル６によって半導体ウェハ１に液体７，９を供給し、所望の処理を施す。続いて、半導体ウェハ１に回転を施すことで乾燥させるという、一連の工程からなる。そして、上記の工程中、処理カップＷＣの開口部５を塞ぐようなカバー８を設置することにより、そのカバー８を通じて、処理カップＷＣの外へ飛散しようとする液体７，９を処理容器ＷＣに備えられた液体回収部４に導くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の周端部の洗浄能力が高く、且つメンテナンスの容易な塗布膜形成装置等を提供する。
【解決手段】
塗布膜形成装置は外カップ３１の中に設けられたスピンチャック１１と、このスピンチャック１１に保持された基板Ｗの下方領域を囲むように設けられた内カップ３４と、を備え、スピンチャック１１に保持された基板Ｗの中心部に薬液を供給してウエハＷを回転させることにより塗布膜を形成する。洗浄ノズル２１は、内カップ３４に設けられた切り欠き部３７に洗浄液供給管５２が接続された状態で着脱できるように構成され、切り欠き部３７に装着された状態で基板Ｗの裏面周縁部に洗浄液を供給することにより基板Ｗの周端部を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板端部に付着した付着物を除去する際に，その付着物を化学分解反応させる活性種が基板の処理面に回り込むことを防止して，処理面にダメージを与えないようにする。
【解決手段】ウエハＷの端部に紫外線を当てて洗浄処理を行う際に，ウエハＷの端部の裏側表面に裏側気体２３６の流れを形成するとともに，その表側表面にも裏側気体と同一方向の表側気体２４６の流れを形成し，裏側気体の流速を表側気体の流速よりも速くする。これにより，たとえウエハの端部と仕切板２２０の間に隙間Ｇが生じていても，ウエハの表側から裏側に向う下降気流２３８が形成されるので，ウエハの端部の裏側で生じた活性種のウエハの表側への回り込みを確実に防止できる。 （もっと読む）

【課題】クリーニング時に基板回転をモニタリングするシステム、方法及び装置を開示する。
【解決手段】本発明は基板の支持、クリーニングに用いられる基板クリーニング装置と、基板クリーニング装置内で光路を有する光ビームの提供に用いられる光源と、光源からの光ビームを受光するため光路に沿って配置され、基板の配向フィーチャが光路を横切る場合、配向フィーチャ検出に用いられる光センサを含むことができる。光センサは光検出器のアレイを含む。多くの追加の様態が開示されている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対する洗浄効果を向上させることができるとともに、被処理基板の表面に洗浄液の液膜が形成されやすくなり、被処理基板にウォーターマークが形成されることを抑止することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１（２、３）は、洗浄液を供給する洗浄液供給部と、液滴生成用ガスを供給する液滴生成用ガス供給部と、洗浄液供給部から供給される洗浄液と液滴生成用ガス供給部から供給される液滴生成用ガスとを混合することにより生成される洗浄液の液滴を被処理基板Ｗの一部分に噴霧する二流体ノズル２０と、被処理基板Ｗの一部分の加熱を行う加熱部４０（６０）と、を備えている。被処理基板Ｗにおける一の箇所に二流体ノズル２０が洗浄液の液滴を噴霧する直前に、この一の箇所の加熱を加熱部４０（６０）により行う。 （もっと読む）

【課題】 酸化シリコン系や窒化シリコン系の高硬度膜を含む不要膜や凹凸面を高効率で除去し、研磨面精度を向上させる。
【解決手段】 半導体基板１０の周縁部に、酸化シリコン系或いは窒化シリコン系の膜１１，１２に対してケミカル効果を有する粒子を主成分とする砥粒を固定した第１研磨面を接触させて基板１０を研磨する工程と、基板１０の周縁部に、メカニカル効果を有する粒子を主成分とする砥粒を固定した第２研磨面を接触させて基板１０を研磨する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で、ウエハ又は基板の表裏両面を容易に洗浄することができるスピン洗浄装置及びスピン洗浄方法を提供する。
【解決手段】回転テーブル１１上に立設された支持ピン１０上に基板５が載置される。基板を中心とする位置に、固定側クランプピン９と、回転テーブル１１に水平の揺動軸１３あを中心として揺動可能に設置されたリンクブロック１２ａと、リンクブロック１２ａの上部に設けられた可動側クランプピン８ａとが設置されている。そして、固定側クランプピン９及び可動側クランプピン８ａには、テーパ部１５が形成されており、可動側クランプピン８ａを固定側クランプピン９に向けて移動することにより、テーパ部１５に沿って基板５が持ち上げられ、支持ピン１０から離隔した状態で、基板５の表裏両面が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】処理流体による基板処理の際に、基板表面上で顕著な変化を生じさせ、これにより、処理効率の向上を図ることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ミキシングバルブ４の混合部４０には、薬液供給源７１〜７４からの薬液原液ならびに純水供源からの常温純水および温純水を供給できる。ミキシングバルブ４０から、処理液供給路３を介して、処理液ノズル２に処理液が供給され、この処理液が基板Ｗに供給される。処理液による基板Ｗの処理中に、薬液導入バルブ４１〜４４、流量調整バルブ１０１〜１０４、純水供給源バルブ５１、温純水供給源バルブ５２、純水バルブ５などの制御によって、プロセスパラメータに揺らぎが付与される。 （もっと読む）

【課題】基板保持手段に基板が保持されているか否かに応じて、処理液供給手段の供給動作を適切に禁止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 薬液表面側バルブ２３の開成タイミングに至ったとき（ステップＳ１でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、ウエハ保持センサ９からの出力をチェックする（ステップＳ２）。スピンチャック３にウエハＷが保持されていない場合には（ステップＳ３でＮＯ）、薬液ノズル４が退避位置以外に位置していれは（ステップＳ４でＮＯ）、ＣＰＵ６０は、薬液表面側バルブ２３の開成を禁止する（ステップＳ５）、薬液ノズル４が退避位置に位置していれは（ステップＳ４でＹＥＳ）、ＣＰＵ６０は、薬液表面側バルブ２３の開成を許可する（ステップＳ７）。この場合、表面側プリディスペンス処理を実行することができる。 （もっと読む）

【課題】精度良く濃度調整された希釈薬液を用いて基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１混合部１４は、ふっ酸タンク３０から供給されるふっ酸原液（濃度がたとえば４９ｗｔ％）と、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷとを混合して、希ふっ酸（濃度がたとえば２．３ｗｔ％）を生成する。第２混合部１５は、第１混合部１４で生成された希ふっ酸と、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷとを混合して希ふっ酸（たとえば０．１１ｗｔ％）を生成する。第３混合部１６は、第２混合部１５で生成された希ふっ酸と、ＤＩＷ供給源から供給されるＤＩＷとを混合して希ふっ酸（たとえば０．００５ｗｔ％）を生成する。 （もっと読む）

【課題】処理液による基板処理の面内均一性を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】二流体ノズルからの薬液の液滴の噴流が導かれるウエハの表面上の供給位置が、ウエハの回転中心からウエハの周縁部に至る範囲を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。薬液の供給位置がウエハの回転中心から離れるにつれて、二流体ノズルからウエハに供給される薬効成分の濃度が高くされている。その一方で、回転中心から離れているほど、ウエハの表面位置は高速に移動している。その結果、単位面積あたりの薬液の薬効成分の量がウエハの全域においてほぼ等しくなる。 （もっと読む）

【課題】処理液を基板上に供給する際に、基板上に吐出される処理液を汚染することなく、処理液と基板との間の放電により生じる基板へのダメージを抑制する。
【解決手段】基板処理装置１は、導電性の処理液を基板９に向けて連続的に流れる状態で吐出する吐出部３２、および、吐出部３２に接続される供給管３１に分岐して設けられる補助管３５を備える。補助管３５には、接地部４１に接続される接液部３５２が設けられ、基板９とは異なる排出位置へと補助管３５に沿って導かれる処理液の一部に接地電位が付与される。これにより、帯電していない基板９上に処理液を供給する際に、絶縁性の供給管３１内を流れる処理液が帯電した状態で吐出されることが防止され、基板９上に吐出される処理液を汚染することなく、処理液と基板９との間の放電により生じる基板９へのダメージを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の損傷を防止しつつ基板の表面に均一に処理液を供給することができる基板処理装置を提供する
【解決手段】基板処理装置の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板保持台２１、処理液ノズル５０、不活性ガス供給板１１０、および供給板回転駆動機構１３８を備える。基板保持台２１により基板Ｗが略水平に保持され、その基板Ｗに処理液ノズル５０から処理液が供給されるとともに、不活性ガス供給板１１０から不活性ガスが供給される。このとき、不活性ガス供給板１１０は、供給板回転駆動機構１３８により回転されつつ不活性ガスを基板Ｗの表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】遮断部材と基板上面との間に形成される間隙空間に発生する気流によって中心軸部材に設けられた処理液吐出口から残留処理液が落下するのを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】中心軸部材６の下端面６ａが遮断部材５の下面５ａに対して上方位置に配置されるとともに、混合液吐出口６２ａが中心軸部材６の下端面６ａに対して上方に退避した位置に配置されている。このため、混合液吐出口６２ａの近傍に混合液が残留付着している場合であっても、残留混合液に対する間隙空間ＳＰ１に発生する気流の影響を低減することができる。このため、混合液吐出口６２ａからの混合液の吐出が停止している間に混合液吐出口６２ａから残留混合液が基板表面Ｗｆに落下するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板を汚染することなく基板の周端面を良好に処理することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】支持ピンによりスピンベース１５から上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持する。支持ピンに支持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向部材５が配置され、対向部材５の下面５０１と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに窒素ガスが供給される。これにより、基板Ｗが支持ピンに押圧されてスピンベース１５に保持される。また、対向部材５のノズル挿入孔５２に第１ノズル３が挿入された状態で、第１ノズル３から回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに向けてフッ硝酸を吐出させて該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦに供給する。これにより、基板Ｗの周端面ＥＦが全周にわたってエッチング処理される。 （もっと読む）

【課題】ウェハの電解加工工程、洗浄工程及び乾燥工程を１つのモジュールに集約し、各工程でトラブルが生じても、他のモジュールにて加工処理されるウェハの搬送を停滞させないようにする。
【解決手段】ウェハＷの電解加工を行う電解加工部２と、該加工後のウェハを洗浄する洗浄部３と、前記ウェハＷを乾燥させる乾燥部４とを備え、該電解加工部２、洗浄部３及び乾燥部４は同一の加工処理室５に設けて１つにモジュール化する。これにより、ウェハＷの電解加工程、洗浄及び乾燥は１箇所にて連続的に実施される。 （もっと読む）

【課題】基板に供給する処理液を十分に除電するとともに、処理液を接地するためのアース線の長寿命化が実現できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に供給される薬液の流路を形成する接地継手４２０に炭素電極ＣＥの一端部Ｅ１が挿入される。接地継手４２０から突出する炭素電極ＣＥの他端部Ｅ２には、第２のユニオンナット５２０が取り付けられ、炭素電極ＣＥの第２の溝部ｄ２にストッパリングＳＲが取り付けられる。そして、炭素電極ＣＥの他端部Ｅ２側から接続樹脂ＦＥが取り付けられる。さらに、炭素電極ＣＥの他端部Ｅ２にアース線３１０の一端が接続される。アース線３１０の他端は接地されている。この状態で、炭素電極ＣＥの他端部Ｅ２がアース線保護ブロック５００に挿入される。そして、雄ねじを形成するアース線保護ブロック５００の突出部６０１に第２のユニオンナット５２０が締め付けられる。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部材の耐久性が劣化するのを抑制しながら基板表面に凍結膜を生成することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】冷却ノズル３から窒素ガスに酸素を混合させた混合流体を冷媒として吐出させながら冷却ノズル３を待機位置Ｐｓから基板Ｗの回転中心位置Ｐｃに移動させる。このとき、冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上に対向すると冷媒温度（吐出冷媒温度）が急激に低下する。そして、回転駆動されている基板Ｗの表面Ｗｆに向けて冷却ノズル３を基板Ｗの端縁位置Ｐｅに向けて移動させていく。これにより、基板表面Ｗｆの表面領域のうち液膜１１が凍結した領域（凍結領域）が基板表面Ｗｆの中央部から周縁部へと広げられていく。冷媒温度の低下は冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上をスキャンしている間維持される。 （もっと読む）