【課題】基板とプレートとの隙間の有無を選択的に行って、角形の基板の回転処理においても、四角い形状の影響をなくすようにした基板処理装置を提供すること。
【解決手段】角形の基板Ｇを水平状態に保持し、鉛直軸回りに回転するスピンチャック１０と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの各辺の外方近傍に位置すると共に、基板Ｇの表面と略同一平面の表面を有する気流調整用のプレート１１と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの表面に処理液を供給する塗布液供給ノズル１２と、スピンチャック１０にて保持された基板Ｇの裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル１３と、を具備する基板処理装置において、各プレート１１を基板Ｇの辺に対して選択的に接離移動するプレート移動機構２０を設ける。これにより、プレート移動機構２０を作動して、基板Ｇとプレート１１との隙間の有無を選択的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハのエッジ面の形状を安定化させる。
【解決手段】枚葉式エッチング装置１０は、半導体インゴットをスライスして得られた薄円板状のウェーハ１１を回転させながら、ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液を供１５給してウェーハ１１の上面１１ａ及びエッジ面１１ｂをエッチングする装置である。ウェーハ１１の上面１１ａにエッチング液１５を供給する第１ノズル１４に加えて、ウェーハ１１のエッジ面１１ｂに対向して設けられウェーハ１１のエッジ面１１ｂにエッチング液１５を供給する第２ノズル１６を更に備える。第２ノズル１６は、ウェーハ１１の外周端からウェーハ半径方向内側に向って０〜２０ｍｍの範囲内の所定の位置に固定して設けられ、ウェーハのエッジ面を伝わって流下するエッチング液をガスの噴射によりウェーハの半径方向外側に吹き飛ばす下面ブロー機構を備える。 （もっと読む）

【課題】基板にウォーターマークが発生することを防止でき，かつ，低コストを図ることができる基板処理方法，記録媒体及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】薬液を用いて基板Ｗを処理する薬液処理工程を行った後，基板Ｗを乾燥させる乾燥処理工程を行う基板処理方法であって，前記薬液処理工程で使用される薬液の種類に応じて，基板Ｗの周囲の湿度を調節する。基板Ｗに供給される薬液の種類に応じて，基板の周囲の湿度を調節することにより，基板の周囲の湿度を低減させるために要するコストを低減できる。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口２が形成された処理槽１と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ１０の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段８と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル１２４，１２５と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ７１，１２２を有するアーム６３，１２１およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット６１，６２とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デバイス基板の洗浄において、配線や絶縁膜、容量膜等のデバイス材料の腐食や溶解を防止しつつ、基板上のパーティクル等の汚染を効果的に除去することができるデバイス基板用の洗浄組成物、洗浄方法、洗浄装置の提供。
【解決手段】１分子中に少なくとも１つの水酸基を有し、ＨＬＢが１２以上２０以下の非イオン界面活性剤と、ベンゾトリアゾール又はその誘導体と、を含有し、２５℃における水素電極基準の酸化還元電位が略−１２００ｍＶ以上１００ｍＶ以下または略４００ｍＶ以上１２００ｍＶ以下の塩基性水溶液を用いて基板を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板処理におけるスループットの低下が抑制されつつ、露光装置内の汚染が十分に防止されるとともに、小型化が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。これらのブロック９〜１６は上記の順で並設される。インターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。洗浄／乾燥処理ブロック１５は、洗浄／乾燥処理部８０を有する。洗浄／乾燥処理部８０には、基板の表面および端部を洗浄する表面端部洗浄／乾燥ユニットが設けられる。 （もっと読む）

【課題】 パーティクル管理用基板及び電子デバイス製造ラインのパーティクル発生管理方法に関し、ウェーハプロセスの変動に起因するブラシスクラブ工程におけるパーティクルの発生状況の把握を精度良く且つ低コストで行う。
【解決手段】 基板１上に複数の区画領域２を設けるとともに、各区画領域２において規則的に配列した凹凸パターン３を設ける。 （もっと読む）

【課題】閉じ込め式化学表面処理のための方法及び装置
【解決手段】プロキシミティヘッドを使用して基板の表面を前処理するための装置、システム、及び方法は、基板の表面とプロキシミティヘッドのヘッド表面との間に非ニュートン流体を塗布することを含む。非ニュートン流体は、ヘッド表面と基板の表面との間で１つまたは２つ以上のサイドに沿って閉じ込め壁を画定する。非ニュートン流体を提供された１つまたは２つ以上のサイドは、ヘッド表面と基板の表面との間の基板上に処理領域を画定する。閉じ込め壁によって画定される処理領域内に実質的に閉じ込められるように、基板の表面に、プロキシミティヘッドを通してニュートン流体が塗布される。閉じ込められているニュートン流体は、基板の表面から１種または２種以上の汚染物質を実質的に除去するのに役立つ。一例では、非ニュートン流体は、雰囲気制御された隔離領域を形成するために使用されてもよく、これは、領域内における制御式の表面処理を助けることができる。別の例では、ニュートン流体の代わりに第２の非ニュートン流体が処理領域に塗布される。第２の非ニュートン流体は、基板の表面上の１種または２種以上の汚染物質に作用し、それらを基板の表面から実質的に除去する。 （もっと読む）

【課題】基板の反転を必要とせず、且つ基板の周縁部にダメージを与えないように基板の裏面を洗浄することの可能な基板洗浄装置等を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。 （もっと読む）

板状物品の表面を洗浄する方法が開示される。この方法は、液体が分配ノズルを通して表面上に連続的液体流状で分配されるようにして表面を自由流洗浄で処理し、そして液体が噴霧ノズルを通して表面に対して小滴の形態で向けられるようにして表面を噴霧洗浄で処理する段階を含んでなる。表面は自由流洗浄段階前に噴霧洗浄段階でそして自由流洗浄段階後に噴霧洗浄段階で処理される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面周縁領域のうち処理領域に薬液を供給して当該処理領域の不要物をエッチング除去する基板処理方法および基板処理装置において、当該エッチング除去により表面周縁領域に形成される処理領域と非処理領域の界面を良好なものとする。
【解決手段】基板Ｗの表面周縁領域（＝ＮＴＲ２＋ＴＲ）のうち非処理領域ＮＴＲ２にリンス液を供給して表面周縁領域をリンス液で覆った状態で処理領域ＴＲに薬液が供給されて当該処理領域ＴＲの不要物（薄膜ＴＦ）がエッチング除去されて当該表面周縁領域に処理領域ＴＲと非処理領域ＮＴＲ２の界面が形成される。このように表面周縁領域全体をリンス液で覆いながらエッチング除去を行っているので、非処理領域ＮＴＲ２側への薬液付着やリンス不良を防止することができ、表面周縁領域に処理領域とＴＲ非処理領域ＮＴＲ２の界面を良好に形成することができる。 （もっと読む）

板状物品をウエット処理するための装置であって、板状物品が液体により処理されているときこれから流れ出ている液体を受けるための上向きの面を備えている１個の板状物品を保持するチャックであって、周囲の環状のリップにより外側の境界が定めれ、処理される板状物品の最大直径より大きい外径を有する前記チャック、及びチャックの周囲のリップから振り飛ばされる液体を受け入れるための上向きのリング状の面を有する回転可能な部品であって、この回転可能な部品はチャックに関して回転可能であり、リング状の面は周囲の環状リップに関して同軸に配置され、リング状の面の内径はチャックの外径より小さく、そしてリップと上向きのリング状の面との間の距離ｄが０．１ｍｍから５ｍｍの範囲にある前記回転可能な部品を備えた前記装置が明らかにされる。更に、関連した方法が明らかにされる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物表面のパーティクル等の汚染物を効果的に除去することが可能な洗浄方法を提供するものである。
【解決手段】脱気処理した純水に酸素を溶解させて洗浄液を調製し、この洗浄液に超音波振動を付与して被洗浄物を洗浄することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面洗浄の際に基板の裏面側中心部に位置する液吐出口の周囲部分を十分洗浄することができる洗浄装置を提供すること。
【解決手段】中心部に孔１１ａを有する水平配置された回転プレート１１の上方に適長離間してウエハＷを一体的に保持し、回転プレート１１の孔１１ａに、中心部に吐出口２４ａを有する液吐出プレート２４を設け、制御機構１２１により、ウエハＷを回転させた状態で裏面側液供給ノズル６から処理液を吐出させてウエハＷの裏面に液膜を形成させてウエハＷ裏面の洗浄処理を行い、その後、リンス液に切り替え、次いでリンス液の供給を一旦停止させ、その後再びリンス液を吐出させて液吐出プレート２４の表面にも液膜を形成させてウエハＷ裏面をリンスするとともに液吐出プレート２４を洗浄し、その後乾燥処理を行うように制御する。 （もっと読む）

【課題】工程時に基板を支持及び回転させるスピンヘッド及び前記スピンヘッドを備えて基板を処理する工程を行う装置を提供する。
【解決手段】工程時に基板を支持及び回転させるスピンヘッドは、回転可能な本体と、前記本体の上部面の中心を基に環状に配置され、かつ工程時に基板のエッジの一部をチャッキング及びアンチャッキングする複数のチャッキングピンを有するチャッキング／アンチャッキング手段と、工程時に各々の前記チャッキングピンと前記基板とが接触される部分が選択的に変更されるように、前記チャッキングピンを一定角度に回転させる駆動ユニットと、を含み、前記駆動ユニットは、上下移動可能な上下駆動部と、前記上下駆動部の上下運動を前記チャッキングピンの回転運動に変換させる運動変換部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークの発生を抑制することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック５９と、ウエハＷに処理液および乾燥ガスを吐出口から吐出方向に吐出する吐出ノズル７５と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ処理液を供給する処理液供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズルに接続され、ウエハＷに処理液を吐出させた後で乾燥ガスを吐出する前に、吐出ノズルの内部に残留する処理液を吐出方向と逆方向に吸引する処理液吸引機構１０３ａと、処理液吸引機構に接続され、処理液供給機構と乾燥ガス供給機構から処理液および前記乾燥ガスの一方が吐出ノズルへ供給されるように、処理流体を切り替える開閉バルブ１０２ａ・１０２ｂ・１０２ｄとを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏両面の好適な洗浄を可能とする。
【解決手段】ベース部材２に設けられた保持部材６によってベース部材２と基板Ｗとが離間された状態で基板Ｗの周縁部が保持され、保持部材６に保持された基板Ｗの面のうち、ベース部材２に向く側の第１洗浄面ＷＦ１を洗浄するための第１洗浄ブラシ２１は、第１洗浄具支持アーム２２によって、基板Ｗとベース部材２との間に第１洗浄面ＷＦ１に沿って移動可能に配置支持される。回転モーター１１によってベース部材２に連結された中空状の回転軸９を介して基板保持機構１及びそれに保持された基板Ｗを回転させながら、回転モーター１６による移動動力によって、第１洗浄面ＷＦ１に沿って第１洗浄ブラシ２１を移動させ、第１洗浄ブラシ２１により基板Ｗの第１洗浄面ＷＦ１を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】乾燥不良が生じることを抑制しつつ、基板を均一に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＤＩＷの液膜が形成されたウエハＷの表面に、処理液ノズル３からＤＩＷを供給させつつ、ガスノズル４から窒素ガスを供給させて、前記表面の周縁に、前記液膜が除去された液膜除去領域Ｔを形成させる（図４（ｂ））。その後、ガスノズル４から前記表面への窒素ガスの供給位置を、当該表面の中心部（中心Ｏおよびその近傍）に移動させることにより、液膜除去領域Ｔ内に中心Ｏを配置させる（図４（ｃ））。そして、液膜除去領域Ｔが前記中心部に配置された状態で、ウエハＷを所定の高回転速度まで加速回転させるとともに、前記窒素ガスの供給位置を前記周縁に向けて移動させることにより、液膜除去領域Ｔを拡大させつつＤＩＷを前記表面から排除していく（図４（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】処理液から基板への放電の発生が抑制されるとともに、小型かつ軽量で十分な強度が確保されたノズルおよびそれを備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】ノズル装置のノズル６０ａは、水平方向に延びるアーム管部と、アーム管部の他端から下方に湾曲するように形成された下流管部とを有する。ノズル６０ａにおいては、金属管９１の内部に第１の樹脂管９２が挿通され、第２の樹脂管９３の内部に金属管９１が挿通されている。ボス９４が第２の樹脂管９３の内部の金属管９１の先端部に装着されている。ノズル６０ａの先端部においては、第１の樹脂管９２の外周面、第２の樹脂管９３の端面およびボス９４の端面が溶接用樹脂９５により溶接されている。このようにして、金属管９１は、第１の樹脂管９２、第２の樹脂管９３、ボス９４および溶接用樹脂９５により確実に被覆されている。 （もっと読む）

【課題】基板処理工程において処理液を繰り返し使用した場合であっても被処理基板に対する処理が悪化することなく、しかも乾燥後の被処理基板の表面にパーティクルやウォーターマークが形成されることを防止することができる基板処理方法、基板処理装置、プログラムならびに記録媒体を提供する。
【解決手段】まず、チャンバー２内に第１のガスを満たした状態で処理液をチャンバー２内のウェハＷの表面に供給して当該ウェハＷの表面の処理を行う。この際に、チャンバー２から排出される処理液を処理液供給部に戻すようにする。その後、チャンバー２内に第１のガスよりも湿度が低い第２のガスを満たした状態で液膜形成用流体をチャンバー２内のウェハＷの表面に供給することによりウェハＷの表面に液膜を形成しこのウェハＷの表面の乾燥を行う。 （もっと読む）