【課題】輸送や組み立て、メンテナンスを容易とした液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置１は、基板が収納された容器の搬入出を行う容器搬入出部２と、基板に所定の液処理を施す液処理部３と、容器搬入出部２と液処理部３との間で基板を搬送する基板搬送部４と、液処理部３に供給する処理液の貯蔵および送液ならびに回収を行う処理液貯留部５と、基板搬送部４と液処理部３と処理液貯留部５をそれぞれ個別に制御する複数の制御部７ａ，７ｂ，１０と、基板搬送部４と液処理部３と処理液貯留部５に配設された電動駆動機構１６，２７および複数の制御部７ａ，７ｂ，１０を動作させるための電源部６と、複数の制御部７ａ，７ｂ，１０と電源部６からの排気を１箇所に集中させた後に外部に排気する排気システム８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内を洗浄するための洗浄液による基板汚染を防止することができる基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ２内においては、閉状態におけるシャッタ１８上部の側方（水平でかつ側壁１に沿う方向）の一方側（図で示す右側）には、洗浄液を吐出するための第１洗浄液吐出ノズル３２と、洗浄液を吐出するための第２洗浄液吐出ノズル３３と、Ｎ₂ガスを吐出するためのＮ₂ガス吐出ノズル３４とが設けられている。シャッタ１８の上部に付着したＳＰＭが、洗浄液によって洗い流される。また、洗浄に用いられた洗浄液がＮ₂ガスによって除去される。 （もっと読む）

【課題】非接触式シールを用いた構成において、非回転環と回転環との非接触状態を確実に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】非接触式シール機構２９は、スピンベース１０に固定された回転環３４と、基部３０によって鉛直方向に移動可能に保持され、回転環３４に対向配置された非回転環３２とを備えている。非回転環３２は、基部３０に保持された複数のばね３１の付勢力によって上方に付勢されている。また、回転環３２および非回転環３４はそれぞれ互いに反発するように働く永久磁石によって構成されている。非回転環３２は、永久磁石の反発力によって前記付勢力に抗して数μｍ〜数十μｍ回転環３４から離間しており、これによって、非回転環３２と回転環３４とが互いに非接触になっている。 （もっと読む）

【課題】 ウエット処理時に異種材料接触部で発生する腐食を防ぎ、また、ウエハ上の微小粒子の除去も可能にする半導体プロセスおよびウエット処理装置を提供する。
【解決手段】 ウエハを静電吸着すると共にウエハを回転駆動する下部電極１と、下部電極１に向かって移動可能であると共に注入された薬液を下部電極１に通す上部電極４とを備え、下部電極１と上部電極４との間に電圧を印加しながらウエット処理する。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部に対するブラシの当接を検出することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板の周縁部を洗浄するためのブラシ１３は、電磁クラッチ３９がオフの状態で、ブラシ回転軸１９とともに自由に回転可能である。そのため、この自由回転可能な状態のブラシ１３は、回転中の基板の周縁部に当接すると、その基板の回転に従動して回転する。したがって、電磁クラッチ３９がオフの状態でのブラシ１３の回転は、ブラシ１３が基板の周縁部に当接していることを意味する。よって、ブラシ回転軸１９の回転に伴ってエンコーダ４３から出力されるパルス信号に基づいて、ブラシ１３が基板の周縁部に当接したことを検知することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上の微細パターンを損傷させることなく、効率の高い基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】単数枚または複数枚の基板を１バッチとし、１バッチの基板をウェットエッチング液に浸漬する工程と、超音波洗浄する工程と、乾燥する工程とを備えるバッチ式ディップ処理方式による基板の洗浄方法であって、超音波洗浄工程は、大気圧下における溶存ガスの飽和度が６０％〜１００％である洗浄水を用い、超音波の周波数が５００ｋＨｚ以上、超音波の出力が０．０２Ｗ／ｃｍ²〜０．５Ｗ／ｃｍ²である。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部材の耐久性が劣化するのを防止しながら表面処理を良好に行うことができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】ノズル３から回転駆動される基板Ｗの端部（表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦ）に対して局部的に薬液が供給される。また、基板Ｗの回転方向Ｒにおいてノズル３からの薬液が供給される供給位置ＬＰに対して上流側で薬液が供給される直前の直前位置ＡＰで基板Ｗの端部がレーザユニット７から照射されるレーザ光によって局部的に加熱される。これにより、基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温する。このため、基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温された直後に基板Ｗの回転により加熱昇温された基板Ｗの端部に薬液が供給される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を洗浄する際に、所定の時間で、被処理基板の被洗浄面の全体を均一に、効率よくかつ確実に洗浄すること。
【解決手段】基板洗浄装置は、ウエハＷを回転可能に保持するスピンチャック２０と、スピンチャック２０によって保持されたウエハＷの表面に洗浄液を供給する二流体ノズル１０と、二流体ノズル１０に連結され、当該二流体ノズル１０を回転保持部２０に保持されたウエハＷの表面に沿って移動させる移動機構３０と、を備えている。移動機構３０には、移動機構３０によって二流体ノズル１０をウエハＷの中央部からウエハＷの周縁部に向かって移動させる際、ｎ段階に分けて二流体ノズル１０の移動速度ｖ_ｋを多段的に低下させるよう移動機構３０を制御する制御部５０が接続されている。制御部５０は、ウエハＷの中央部を洗浄する１段階目における二流体ノズル１０の移動速度ｖ_１を、１段階目における二流体ノズル１０の理想移動速度ｖ_d１よりも遅くする。 （もっと読む）

【課題】応力集中が発生するのを抑制しながら基板の被処理面に形成された液膜を効率的に凍結させる。
【解決手段】基板Ｗの下面に向けて、液膜１１ｆ、１１ｂを構成するＤＩＷの凝固点より低い温度を有する冷却ガスが供給されて液膜１１ｆ、１１ｂの凍結が行われる。また、冷却ガスは基板Ｗの下面中央部に向けて局部的に吐出され、該下面中央部に対する冷却能力が基板Ｗの下面周縁部に対する冷却能力よりも高くなっている。このため、液膜１１ｆ、１１ｂ全体のうち基板中央部に対応する液膜部分がまず凍結し、それに続いて、液膜凍結が基板周縁部に向けて進行する。したがって、基板Ｗの周縁部に対応する液膜部分が最終的に凍結することとなる。その結果、最終的に凍結する部分、つまり液膜の周縁部分では、体積膨張による応力の一部は外周方向に解放されて応力集中が抑制される。 （もっと読む）

【課題】洗浄効率が高く、被洗浄物に与えるダメージが小さい洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置１には、熱交換部材８と、熱交換部材８内に挿通された一次冷却ライン１１と、熱交換部材８内に挿通された二次冷却ライン１２と、二次冷却ライン１２から噴射された二次冷媒が接触する位置に被洗浄物である半導体基板Ｓを保持する保持部材９と、が設けられている。そして、一次冷却ライン１１に一次冷媒である液体窒素を流通させ、二次冷却ライン１２に二次冷媒であるヘリウムガスを流通させる。これにより、液体窒素により熱交換部材８を介してヘリウムガスを冷却し、十分に冷却され且つ液体飛沫を含まないヘリウムガスを真空雰囲気中で半導体基板Ｓに向けて噴射して、半導体基板Ｓを冷却する。 （もっと読む）

【課題】枚葉方式で基板の洗浄を行う場合に、基板表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的に短時間で除去でき、基板表面のエッチング量が多くなることもない方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル８０により、塩酸を含むフッ酸からなるエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を、表面に自然酸化膜が形成された基板Ｗの表面へ噴射し、基板表面をエッチングして洗浄する。 （もっと読む）

ディスク状物体のウェット処理用装置が開示されており、該装置は該ディスク状物体を保持、回転するスピンチャックと、該ディスク状物体の第１面の第１周辺領域の方へ向けられた処理液を分配する内側エッジノズルと、を具備しており、該第１面は該スピンチャックに面しており、該第１周辺領域は１ｃｍより大きく、該ディスク状物体の半径（ｒａ）より小さい内側半径（ｒｉ）を有する該第１面の領域として規定され、該内側エッジノズルは、該スピンチャック上に置かれた時の該ディスク状物体と該スピンチャックとの間に静止した仕方で位置付けられ、該内側エッジノズルは、該ディスク状物体の第１面に対し処理液を供給するために、静止した仕方で配置され、該スピンチャックを中央で貫通する中央パイプを通して供給を行っている。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、レジストを良好に除去することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＳＰＭ液ノズルに対し、１７０℃以上に温度調節された硫酸と、常温の過酸化水素水とが、１：０．１〜０．３５の流量比で供給される。硫酸と過酸化水素水とが混合して生成されたＳＰＭ液が、ＳＰＭ液ノズル３からウエハＷの表面に供給される。
【効果】ウエハＷの表面上のほぼ全域において、レジストを良好にかつ均一に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】枚葉式処理の利点及び洗浄溶液を使用する箇所での洗浄溶液の準備の利点を上回るように改善された洗浄作用を有する洗浄方法を提供すること
【解決手段】初期の組成においてアンモニウム−アルカリ性の成分を含有する洗浄溶液を用いて、その際、前記半導体ウェハを枚葉式処理で洗浄溶液と接触させ、かつ洗浄の経過において、フッ化水素を他の成分として前記洗浄溶液に添加し、かつ前記洗浄溶液は、洗浄の完了時に、初期と組成とは異なる組成を有する、半導体ウェハを洗浄する方法 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において、純水が飛散する際に生じるカップ部の帯電による基板の誘導帯電を抑制し、導電性液体の供給開始時における基板上の放電を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、基板９の洗浄および乾燥時において基板９上に供給された純水が周壁部４１１へ飛散する期間の途中から純水の飛散が終了するまでの間、カップ部４１の内部空間４１５の純水がエアに置換されてカップ部４１の静電容量が第１容量から第１容量よりも小さい第２容量とされることにより、カップ部４１の電荷量が小さくされる。そして、次の基板９上に薬液の供給が開始される際に、内部空間４１５に純水が充填されてカップ部４１の静電容量が第１容量とされ、カップ部４１の電位が小さくされる。これにより、カップ部４１の帯電による基板９の誘導帯電を抑制して基板９の表面電位を低くすることができ、導電性の薬液の供給開始時における基板９上の放電が防止される。 （もっと読む）

【課題】基板端部の洗浄を行なうことによって、基板端部で生じた異物に起因する汚染発生を防止し、歩留まり低下を抑制することのできる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの端部Ｗ１を洗浄する基板洗浄装置１Ａ、１Ｂであって、前記基板Ｗを略水平姿勢に保持し、該基板Ｗを鉛直軸周りに回転自在な基板保持手段２と、前記基板保持手段２により保持され、所定の回転速度で回転する基板Ｗの端部Ｗ１に洗浄液を噴射する洗浄液噴射手段７とを備え、前記洗浄液噴射手段７は、前記洗浄液を前記基板Ｗの端部Ｗ１に対し側方から噴射する。 （もっと読む）

【課題】基板表面のパターンが破壊されるのを防止することができ、また、ウォータマークの発生を防止することができる半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板表面を洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程は、前記基板に対して洗浄液を供給して前記基板表面を洗浄する工程（ステップＳ１６）と、前記基板に対して純水を含むリンス水を供給して前記洗浄後の前記基板表面をリンスする工程（ステップＳ１８）と、前記リンス後の前記基板を乾燥させる工程（ステップＳ２２）と、を有し、前記基板表面をリンスする工程では、前記リンス水にＨＦを添加する。
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【課題】研磨テープが回転している基板のノッチにダメージをもたらす可能性がある。したがって、基板の縁部を洗浄する、改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板の縁部を研磨する装置装置は、バッキングパッド４００を含む研磨ヘッドを備え、基板の縁部に接触する上記バッキングパッドの幅は、上記基板縁部のノッチの幅よりも大きい基板の縁部を研磨するシステムが提供される。このシステムは、基板を回転させるように適合された基板支持体と、バッキングパッドを含む研磨ヘッドであって、上記基板の縁部に接触する上記バッキングパッドの幅は、上記基板縁部のノッチの幅よりも大きい研磨ヘッドと、上記基板及び上記研磨ヘッドの回転を動作させるように適合されたコントローラと、を備えている。 （もっと読む）

ウェハ(1010)又は基板の表面を洗浄する装置であって、ウェハ(1010)又は基板の表面に対して隙間を隔てて配設され且つ該ウェハ(1010)又は基板の表面に垂直な軸周りに回転するプレート(1008)を含む。ウェハ又は基板の表面に対向する回転プレートの表面には、洗浄効率を高めるために、規則的なパターン及び不規則なパターンを有する溝が形成されている。他の実施例では、上記洗浄装置は、洗浄処理中に回転プレートを振動させる超音波変換器又はメガソニック変換器を更に含む。
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【課題】被処理基板のベベル部に付着した不要な堆積膜を、パターンが存在する被処理基板の内側部分にダメージを与えず、重金属汚染を引き起こさず、低コストで高効率に除去する。
【解決手段】被処理基板２の直径よりも小さい直径を有し、被処理基板を載置する回転ステージ１と、被処理基板２の上方に配置され、被処理基板上面に形成されたパターンを保護するためのガス流を形成するためのガス供給構造部３と、ガス供給構造部３に非反応性ガスを供給する第一のガス供給系１１と、不要な堆積物を除去するためのラジカルを被処理基板外周部に供給するノズルを備えた大気圧マイクロプラズマ源４と、大気圧マイクロプラズマ源４にガスを供給する第二のガス供給系１４と、大気圧マイクロプラズマ源４に電力を投入する高周波電源１３と、被処理基板２の外周部から反応生成物を吸引除去するための排気手段５を備えた基板処理装置。 （もっと読む）