基板処理装置
【課題】基板の周縁部に対するブラシの当接を検出することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板の周縁部を洗浄するためのブラシ１３は、電磁クラッチ３９がオフの状態で、ブラシ回転軸１９とともに自由に回転可能である。そのため、この自由回転可能な状態のブラシ１３は、回転中の基板の周縁部に当接すると、その基板の回転に従動して回転する。したがって、電磁クラッチ３９がオフの状態でのブラシ１３の回転は、ブラシ１３が基板の周縁部に当接していることを意味する。よって、ブラシ回転軸１９の回転に伴ってエンコーダ４３から出力されるパルス信号に基づいて、ブラシ１３が基板の周縁部に当接したことを検知することができる。
【解決手段】基板の周縁部を洗浄するためのブラシ１３は、電磁クラッチ３９がオフの状態で、ブラシ回転軸１９とともに自由に回転可能である。そのため、この自由回転可能な状態のブラシ１３は、回転中の基板の周縁部に当接すると、その基板の回転に従動して回転する。したがって、電磁クラッチ３９がオフの状態でのブラシ１３の回転は、ブラシ１３が基板の周縁部に当接していることを意味する。よって、ブラシ回転軸１９の回転に伴ってエンコーダ４３から出力されるパルス信号に基づいて、ブラシ１３が基板の周縁部に当接したことを検知することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を洗浄処理するための基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、半導体ウエハの周縁部の汚染が、半導体ウエハの処理品質に対して無視できない影響を与える場合がある。具体的には、いわゆるバッチ処理工程では、複数枚の半導体ウエハが鉛直姿勢で処理液中に浸漬されるため、半導体ウエハの周縁部に汚染物質が付着していると、その汚染物質が、処理液中に拡散し、半導体ウエハの表面のデバイス形成領域に再付着するおそれがある。
【０００３】
そのため、最近では、半導体ウエハなどの基板の周縁部の洗浄に対する要求が高まっている。
基板の周縁部の洗浄に関する先行技術として、たとえば、円筒状のブラシを設け、基板を回転させつつ、ブラシを移動させて、その基板の周端面にブラシの外周面を当接させることにより、基板の周端面の汚染を除去する構成が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１９７５９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、この先行技術では、洗浄処理時に、ブラシが基板の周端面に当接していることが保証されない。たとえば、基板に対するブラシの位置が正規の位置からずれていたり、ブラシを保持するホルダからブラシが脱落したりしているために、基板の周端面にブラシが当接していない事態も考えられる。このような状態で洗浄処理が行われても、当然、基板の周端面（周縁部）を洗浄することはできない。
【０００５】
また、ブラシを基板の周端面に当接する位置（洗浄処理時のブラシの位置）まで移動させるためには、その位置を、ブラシの移動を制御するための制御部に予め教示（ティーチング）しておく必要がある。このティーチングは、オペレータの手作業によって行われる。すなわち、オペレータは、ブラシを少しずつ移動させながら、目視によって、そのブラシが基板の周端面に接触しているか否かを確認する。そして、オペレータは、ブラシが基板の周端面に接触したことを確認したときのブラシの位置を、洗浄処理時のブラシの位置として制御部に入力する。しかしながら、このようなティーチングの手法では、オペレータの経験や技術力によって、洗浄処理時のブラシの配置に差が生じてしまう。その結果、洗浄処理時にブラシが基板の周端面に当接しない場合も生じうる。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、基板の周縁部に対するブラシの当接を検出することができる、基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）をその中心を通る軸線まわりに回転させるための基板回転手段（３）と、所定の回転軸線まわりに自由回転可能に設けられ、基板の周縁部に当接して、その周縁部を洗浄するためのブラシ（１３）と、前記基板回転機構により回転される基板の周縁部に前記ブラシが当接することによる前記ブラシの従動回転を検出するための従動回転検出手段（４３，４４）とを含むことを特徴とする、基板処理装置（１）である。
【０００８】
また、請求項２記載の発明は、前記ブラシを前記回転軸線まわりに積極的に回転させるためのブラシ回転手段（１９，３４，３５，３６，３７，３８）と、前記従動回転検出手段により前記ブラシの従動回転が検出された後、前記ブラシ回転手段による前記ブラシの回転を開始させるブラシ回転制御手段（４４）とをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置である。
【０００９】
また、請求項３記載の発明は、前記ブラシ回転手段に設けられ、前記ブラシの従動回転と能動回転とを切り替える回転切り替え手段（３９）をさらに含み、前記ブラシ回転制御手段は、前記従動回転検出手段により前記ブラシの従動回転が検出された後、前記回転切り替え手段によって前記ブラシを従動回転から能動回転へ切り替えることにより、前記ブラシの回転を開始させることを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置である。
【００１０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
基板の周縁部を洗浄するためのブラシは、所定の回転軸線まわりに自由回転可能に設けられている。そのため、ブラシは、回転中の基板の周縁部に当接すると、基板の回転に従動して回転する。したがって、ブラシを積極的に回転させるための駆動力がブラシに入力されていない状態でのブラシの回転は、ブラシが基板の周縁部に当接していることを意味する。よって、従動回転検出手段によってブラシの従動回転を検出することにより、基板の周縁部に対するブラシの当接を検出することができる。
【００１１】
基板の周縁部に対するブラシの当接を検出することができるので、このブラシの当接の検出後（ブラシの従動回転の検出後）に、ブラシ回転手段によるブラシの回転（能動回転）を開始させることにより、基板の周縁部にブラシが確実に当接した状態で、ブラシによる基板の周縁部の洗浄を実施することができる。これにより、基板の周縁部を確実に洗浄することができる。なお、ブラシの従動回転と能動回転とを切り替える回転切り替え手段としては、たとえば電磁クラッチのようなクラッチ機構を採用するのが構成的に簡便であり、迅速に切り替えを行うことができる。
【００１２】
また、基板の周縁部に対するブラシの当接を検出することができるので、たとえば、基板やダミー基板を回転させ、この回転中の基板などにブラシを近づけていき、基板の周縁部に対するブラシの当接を検出したときのブラシの位置に基づいて、洗浄処理時のブラシの位置を決定することができる。これにより、基板の周縁部に対するブラシの当接をオペレータの目視により確認し、このときのブラシの位置に基づいて、洗浄処理時のブラシの位置を決定する手法とは異なり、オペレータの経験や技術力に関係なく、洗浄処理時のブラシの位置を適切な一定位置に決定することができる。その結果、洗浄処理時に、基板の周縁部にブラシを確実に当接させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。
基板処理装置１は、基板の一例としての半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ］という。）を１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。この基板処理装置１は、隔壁で区画された処理室２内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック３と、ウエハＷの表面（デバイスが形成される側の表面）に処理液を供給するための表面ノズル４と、ウエハＷの裏面に処理液を供給するための裏面ノズル５と、ウエハＷの周縁部を洗浄するためのブラシ機構６とを備えている。
【００１４】
なお、ウエハＷの周縁部とは、ウエハＷの表面および裏面の各周縁領域（たとえば、ウエハＷの周端縁から幅１〜４ｍｍの環状領域）ならびに周端面を含む部分をいう。
スピンチャック３は、真空吸着式チャックであって、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸７と、このスピン軸７の上端に取り付けられて、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でその裏面を吸着して保持する吸着ベース８と、スピン軸７と同軸に結合された回転軸を有するスピンモータ９とを備えている。ウエハＷの裏面が吸着ベース８に吸着保持された状態で、スピンモータ９が駆動されると、ウエハＷがスピン軸７の中心軸線まわりに回転する。
【００１５】
表面ノズル４および裏面ノズル５には、それぞれ処理液供給管１０，１１が接続されている。これらの処理液供給管１０，１１には、処理液バルブ１２を介して、図示しない処理液供給源からの処理液が供給されるようになっている。表面ノズル４は、処理液供給管１０を通して供給される処理液を、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面の中央に向けて吐出する。また、裏面ノズル５は、処理液供給管１１を通して供給される処理液を、スピンチャック３に保持されたウエハＷの裏面の周端縁と吸着ベース８との間に向けて吐出する。
【００１６】
なお、処理液としては、純水が用いられる。また、純水に限らず、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水（水素水）または磁気水などの機能水を用いてもよいし、アンモニア水またはアンモニア水と過酸化水素水との混合液などの薬液を用いることもできる。
ブラシ機構６は、ブラシ１３と、このブラシ１３を先端に保持する揺動アーム１４と、揺動アーム１４を支持するアーム支持軸１５とを備えている。
【００１７】
ブラシ１３は、たとえば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などのスポンジ材からなる。このブラシ１３は、ウエハＷの表面の周縁領域および周端面を洗浄するための第１洗浄部１６と、ウエハＷの裏面の周縁領域および周端面を洗浄するための第２洗浄部１７とを上下に一体的に備え、鉛直軸線まわりに回転対称な略鼓状に形成されている。また、ブラシ１３は、ブラシホルダ１８に保持されている。ブラシホルダ１８は、揺動アーム１４に回転可能に保持されたブラシ回転軸１９の下端に固定されている。
【００１８】
アーム支持軸１５は、鉛直方向に延びて設けられている。このアーム支持軸１５の上端部は、揺動アーム１４の下面に結合されている。アーム支持軸１５には、揺動駆動機構２０の駆動力が入力されるようになっている。揺動駆動機構２０の駆動力をアーム支持軸１５に入力して、アーム支持軸１５を往復回転させることによって、揺動アーム１４をアーム支持軸１５を支点に揺動させることができる。また、アーム支持軸１５には、昇降駆動機構２１が結合されている。昇降駆動機構２１により、アーム支持軸１５を上下動させて、このアーム支持軸１５と一体的に揺動アーム１４を上下動させることができる。
【００１９】
図２は、揺動アーム１４の構成を示す断面図である。
揺動アーム１４は、下ケーシング３０と、この下ケーシング３０に嵌め合わされた上ケーシング３１とを備えている。
下ケーシング３０の一端部には、略円筒状の軸保持部３２が形成されている。この軸保持部３２には、２つのベアリング３３が内嵌されている。この２つのベアリング３３によって、ブラシ回転軸１９が回転可能に保持されている。ブラシ回転軸１９は、ほぼ鉛直方向に延び、軸保持部３２から上下に突出している。
【００２０】
なお、アーム支持軸１５（図１参照）は、下ケーシング３０の他端部（基端部）の下面に結合されている。
ブラシ回転軸１９には、軸保持部３２の上方に突出する部分において、プーリ３４が外嵌されている。
一方、下ケーシング３０の他端部上には、ブラシモータ３５が設けられている。ブラシモータ３５は、その出力軸３６が鉛直下方に延びるように配置されている。ブラシモータ３５の出力軸３６には、モータプーリ３７が相対回転不能に固定されている。このモータプーリ３７とブラシ回転軸１９に外嵌されたプーリ３４との間には、無端状のベルト３８が巻回されている。これにより、ブラシモータ３５が駆動されると、ブラシモータ３５からの回転力がモータプーリ３７およびベルト３８を介してプーリ３４に伝達され、プーリ３４が回転する。
【００２１】
また、ブラシ回転軸１９およびプーリ３４に関連して、プーリ３４の回転をブラシ回転軸１９に伝達／遮断するための電磁クラッチ３９が設けられている。この電磁クラッチ３９は、プーリ３４に相対回転不能に内嵌されたアーマチュア４０と、ブラシ回転軸１９に相対回転不能に外嵌されたロータ４１と、アーマチュア４０をロータ４１側に引き寄せて、それらの相対回転を不能とするための電磁石４２とを備えている。電磁石４２に通電（電磁クラッチ３９をオン）し、アーマチュア４０とロータ４１とを相対回転不能とした状態で、プーリ３４が回転されると、この回転がブラシ回転軸１９に伝達され、ブラシ回転軸１９およびその下端に固定されたブラシ１３が回転する。電磁石４２に通電されていない状態（電磁クラッチ３９のオフ状態）では、アーマチュア４０とロータ４１との相対回転が許容され、ブラシ回転軸１９（ブラシ１３）は自由に回転することが可能となる。
【００２２】
さらに、ブラシ回転軸１９の上端には、エンコーダ４３が設けられている。エンコーダ４３は、ブラシ回転軸１９が一定角度回転するごとに、１つのパルス信号を出力する。
図３は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む構成の制御部４４を備えている。
この制御部４４には、エンコーダ４３から出力されるパルス信号が入力されるようになっている。制御部４４は、エンコーダ４３からのパルス信号の入力の有無に基づいて、ブラシ１３の回転／停止を検知することができる。
【００２３】
また、制御部４４には、スピンモータ９、処理液バルブ１２、揺動駆動機構２０、昇降駆動機構２１、ブラシモータ３５および電磁クラッチ３９が制御対象として接続されている。
図４は、ティーチング処理の流れを示すフローチャートである。
たとえば、ブラシ１３が使用により摩耗すると、ブラシ１３による洗浄力が低下するので、その摩耗したブラシ１３が新品のブラシ１３と取り替えられる。ブラシ１３の個体間には形状誤差があるため、この基板処理装置１では、ブラシ１３が交換されると、洗浄処理時にブラシ１３をウエハＷの周縁部に当接させることができるように、洗浄処理時のブラシ１３の位置（以下「洗浄処理時ブラシ位置」という。）を制御部４４に記憶させるためのティーチング処理が行われる。
【００２４】
このティーチング処理時には、まず、オペレータがスピンチャック３にダミーウエハを保持させる。その後、オペレータによりティーチングのための処理の開始が入力されると、スピンモータ９が制御されて、スピンチャック３に保持されたダミーウエハが所定の回転速度で回転される（ステップＳ１）。
次に、揺動駆動機構２０および昇降駆動機構２１が制御されて、ブラシ１３の第２洗浄部１７がダミーウエハの周縁部にゆっくりと近づけられる（ステップＳ２）。
【００２５】
このとき、ブラシモータ３５は駆動されておらず、電磁クラッチ３９はオフにされている。これにより、ブラシ１３は、ブラシ回転軸１９とともに自由回転可能な状態になっている。したがって、ダミーウエハの周縁部に向かって移動されるブラシ１３がその回転中のダミーウエハの周縁部に当接すると、ダミーウエハとブラシ１３との間の摩擦力により、ブラシ１３がダミーウエハの回転に従動して回転する。ブラシ１３とともにブラシ回転軸１９が回転すると、このブラシ回転軸１９の回転に伴って、エンコーダ４３からパルス信号が出力される。そのため、制御部４４は、エンコーダ４３からのパルス信号の入力により、ブラシ１３が従動回転したことを検知することができる。
【００２６】
制御部４４は、ブラシ１３の従動回転を検知すると（ステップＳ３のＹＥＳ）、ブラシ１３がダミーウエハの周縁部に当接したと判断する。そして、洗浄処理時にブラシ１３をウエハＷの周縁部に確実に当接させるために、制御部４４は、たとえば、従動回転検出時のブラシ１３の位置からダミーウエハ側にさらに２ｍｍ移動した位置を、洗浄処理時ブラシ位置として記憶する（ステップＳ４）。
【００２７】
図５は、洗浄処理時における制御の流れを示すフローチャートである。
処理室２内にウエハＷが搬入され、そのウエハＷがスピンチャック３に保持されると、スピンモータ９が制御されて、スピンチャック３によるウエハＷの回転が開始される（ステップＳ１１）。
次いで、処理液バルブ１２が開かれて、表面ノズル４および裏面ノズル５からそれぞれウエハＷの表面および裏面への処理液の供給が開始される（ステップＳ１２）。
【００２８】
また、揺動駆動機構２０および昇降駆動機構２１が制御されて、ブラシ１３が洗浄処理時ブラシ位置に向けて移動される（ステップＳ１３）。ブラシ１３がホームポジションとティーチング処理により入力された洗浄処理時ブラシ位置との距離だけ移動されると、そのブラシの移動が停止される。
このとき、ブラシモータ３５は駆動されておらず、電磁クラッチ３９はオフにされている。これにより、ブラシ１３は、ブラシ回転軸１９とともに自由回転可能な状態になっている。したがって、ブラシ１３が洗浄処理時ブラシ位置に到達し、ブラシ１３の第２洗浄部１７が回転中のウエハＷの周縁部に当接すると、ウエハＷとブラシ１３との間の摩擦力により、ブラシ１３がウエハＷの回転に従動して回転する。ブラシ１３とともにブラシ回転軸１９が回転すると、前述したように、このブラシ回転軸１９の回転に伴って、エンコーダ４３からパルス信号が出力される。
【００２９】
エンコーダ４３からのパルス信号が制御部４４に入力され、制御部４４がブラシ１３の従動回転を検知すると（ステップＳ１４のＹＥＳ）、ブラシモータ３５が駆動されるとともに、電磁クラッチ３９がオンにされて、ブラシ１３がウエハＷの回転方向と同方向に回転（能動回転）される（ステップＳ１５）。これにより、ブラシ１３の第２洗浄部１７にウエハＷの周縁部が食い込んだ状態で、ブラシ１３が回転され、ブラシ１３によってウエハＷの裏面の周縁領域および周端面が洗浄される。なお、ブラシモータ３５の駆動は、制御部４４がブラシ１３の従動回転を検知するよりも前に予め行われていてもよく、この場合、さらにブラシ１３の回転を迅速に行うことができる。
【００３０】
ブラシ１３の第２洗浄部１７がウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、昇降駆動機構２１が制御されて、ブラシ１３が所定量だけ下降される。これにより、ブラシ１３の第１洗浄部１６がウエハＷの周縁部に当接し（ステップＳ１６）、第１洗浄部１６がウエハＷの表面の周縁領域および周端面に押し付けられる。これにより、ウエハＷの表面の周縁領域および周端面が洗浄される。
【００３１】
こうしてウエハＷの周縁部が洗浄されている間、ウエハＷの表面に供給される処理液により、ウエハＷの表面の中央領域（デバイス形成領域）に付着した汚染を洗い流すことができる。
ブラシ１３の第１洗浄部１６がウエハＷの周縁部に当接してから所定時間が経過すると、揺動駆動機構２０および昇降駆動機構２１が制御されて、ブラシ１３が処理開始前のホームポジションに退避される（ステップＳ１７）。また、ブラシ１３がホームポジションに戻される間に、ブラシモータ３５が停止されて、ブラシ１３の回転が停止される。さらに、処理液バルブ１２が閉じられて、表面ノズル４および裏面ノズル５からの処理液の供給が停止される（ステップＳ１８）。その後、ウエハＷを高速（たとえば、３０００ｒｐｍ）で回転させることによる乾燥処理が行われると、ウエハＷに対する洗浄処理が終了する。
【００３２】
一方、ブラシ１３の移動が停止した時点から所定時間が経過しても、エンコーダ４３からのパルス信号が制御部４４に入力されず、制御部４４がブラシ１３の従動回転を検知しない場合には（ステップＳ１４のＮＯ）、制御部４４は、ブラシ１３の第２洗浄部１７がウエハＷの周縁部に当接していないと判断する。この場合、ブラシ１３がウエハＷの周縁部に当接していない旨の警報が出力される（ステップＳ１９）。そして、処理液バルブ１２が閉じられて、ウエハＷへの処理液の供給が停止され、この洗浄処理が直ちに終了される。
【００３３】
以上のように、ウエハＷの周縁部を洗浄するためのブラシ１３は、電磁クラッチ３９がオフの状態で、ブラシ回転軸１９とともに自由に回転可能である。そのため、この自由回転可能な状態のブラシ１３は、回転中のウエハＷまたはダミーウエハの周縁部に当接すると、そのウエハＷまたはダミーウエハの回転に従動して回転する。したがって、電磁クラッチ３９がオフの状態でのブラシ１３の回転は、ブラシ１３がウエハＷまたはダミーウエハの周縁部に当接していることを意味する。よって、制御部４４は、エンコーダ４３からのパルス信号の入力に基づいて、ブラシ１３がウエハＷまたはダミーウエハの周縁部に当接したことを検知することができる。
【００３４】
ウエハＷの洗浄処理時には、ウエハＷの周縁部にブラシ１３が当接したことを制御部４４が検知した後（ブラシ１３の従動回転の検知後）に、電磁クラッチ３９がオンの状態とされ、ブラシモータ３５の駆動力によるブラシ１３の回転（能動回転）が開始される。これにより、ウエハＷの周縁部にブラシ１３が確実に当接した状態で、ブラシ１３によるウエハＷの周縁部の洗浄を実施することができる。これにより、ウエハＷの周縁部を確実に洗浄することができる。
【００３５】
また、前述したように、ダミーウエハを回転させ、この回転中のダミーウエハにブラシ１３を近づけていき、ダミーウエハの周縁部に対するブラシ１３の当接を検出したときのブラシ１３の位置に基づいて、洗浄処理時ブラシ位置を決定することができる。これにより、ダミーウエハの周縁部に対するブラシ１３の当接をオペレータの目視により確認し、このときのブラシ１３の位置に基づいて、洗浄処理時ブラシ位置を決定する手法とは異なり、オペレータの経験や技術力に関係なく、洗浄処理時ブラシ位置を適切な一定位置に決定することができる。その結果、洗浄処理時に、ブラシ１３を洗浄処理時ブラシ位置に配置することにより、ウエハＷの周縁部にブラシ１３を確実に当接させることができる。
【００３６】
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、エンコーダ４３は、ブラシ回転軸１９が一定角度回転するごとにパルス信号を出力するので、単位時間内にエンコーダ４３から出力されるパルス信号をカウントすることにより、ブラシ１３の回転速度を検出することができる。そこで、工場内に設置された各基板処理装置の制御部と通信可能なサーバにおいて、各基板処理装置の動作履歴を管理するシステムが構築される場合には、洗浄処理時のブラシ１３の回転速度を検出し、この回転速度を基板処理装置１の制御部４４からサーバに送信することにより、ブラシ１３の回転速度の履歴をサーバで管理するようにしてもよい。
【００３７】
また、ウエハＷの周縁部にブラシ１３が当接したか否かの検出（ブラシ１３の従動回転の検出）は、洗浄処理を受けるウエハＷごとに行われてもよいし、たとえば、複数枚のウエハＷに対する洗浄処理が連続して行われる場合には、１枚目のウエハＷに対する洗浄処理時にのみ、ウエハＷの周縁部にブラシ１３が当接したか否かが検出されてもよい。すなわち、１枚目のウエハＷの洗浄処理時には、図５に示す処理が実行され、２枚目以降のウエハＷの洗浄処理時には、図５のステップＳ１４，Ｓ１９を省略した処理が実行されてもよい。
【００３８】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。
【図２】揺動アームの構成を示す断面図である。
【図３】基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図４】ティーチング処理の流れを示すフローチャートである。
【図５】洗浄処理時における制御の流れを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４０】
１ 基板処理装置
３ スピンチャック
１３ ブラシ
１９ ブラシ回転軸
３４ プーリ
３５ ブラシモータ
３６ 出力軸
３７ モータプーリ
３８ ベルト
４３ エンコーダ
４４ 制御部
Ｗ ウエハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を洗浄処理するための基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、半導体ウエハの周縁部の汚染が、半導体ウエハの処理品質に対して無視できない影響を与える場合がある。具体的には、いわゆるバッチ処理工程では、複数枚の半導体ウエハが鉛直姿勢で処理液中に浸漬されるため、半導体ウエハの周縁部に汚染物質が付着していると、その汚染物質が、処理液中に拡散し、半導体ウエハの表面のデバイス形成領域に再付着するおそれがある。
【０００３】
そのため、最近では、半導体ウエハなどの基板の周縁部の洗浄に対する要求が高まっている。
基板の周縁部の洗浄に関する先行技術として、たとえば、円筒状のブラシを設け、基板を回転させつつ、ブラシを移動させて、その基板の周端面にブラシの外周面を当接させることにより、基板の周端面の汚染を除去する構成が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１９７５９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、この先行技術では、洗浄処理時に、ブラシが基板の周端面に当接していることが保証されない。たとえば、基板に対するブラシの位置が正規の位置からずれていたり、ブラシを保持するホルダからブラシが脱落したりしているために、基板の周端面にブラシが当接していない事態も考えられる。このような状態で洗浄処理が行われても、当然、基板の周端面（周縁部）を洗浄することはできない。
【０００５】
また、ブラシを基板の周端面に当接する位置（洗浄処理時のブラシの位置）まで移動させるためには、その位置を、ブラシの移動を制御するための制御部に予め教示（ティーチング）しておく必要がある。このティーチングは、オペレータの手作業によって行われる。すなわち、オペレータは、ブラシを少しずつ移動させながら、目視によって、そのブラシが基板の周端面に接触しているか否かを確認する。そして、オペレータは、ブラシが基板の周端面に接触したことを確認したときのブラシの位置を、洗浄処理時のブラシの位置として制御部に入力する。しかしながら、このようなティーチングの手法では、オペレータの経験や技術力によって、洗浄処理時のブラシの配置に差が生じてしまう。その結果、洗浄処理時にブラシが基板の周端面に当接しない場合も生じうる。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、基板の周縁部に対するブラシの当接を検出することができる、基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）をその中心を通る軸線まわりに回転させるための基板回転手段（３）と、所定の回転軸線まわりに自由回転可能に設けられ、基板の周縁部に当接して、その周縁部を洗浄するためのブラシ（１３）と、前記基板回転機構により回転される基板の周縁部に前記ブラシが当接することによる前記ブラシの従動回転を検出するための従動回転検出手段（４３，４４）とを含むことを特徴とする、基板処理装置（１）である。
【０００８】
また、請求項２記載の発明は、前記ブラシを前記回転軸線まわりに積極的に回転させるためのブラシ回転手段（１９，３４，３５，３６，３７，３８）と、前記従動回転検出手段により前記ブラシの従動回転が検出された後、前記ブラシ回転手段による前記ブラシの回転を開始させるブラシ回転制御手段（４４）とをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置である。
【０００９】
また、請求項３記載の発明は、前記ブラシ回転手段に設けられ、前記ブラシの従動回転と能動回転とを切り替える回転切り替え手段（３９）をさらに含み、前記ブラシ回転制御手段は、前記従動回転検出手段により前記ブラシの従動回転が検出された後、前記回転切り替え手段によって前記ブラシを従動回転から能動回転へ切り替えることにより、前記ブラシの回転を開始させることを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置である。
【００１０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
基板の周縁部を洗浄するためのブラシは、所定の回転軸線まわりに自由回転可能に設けられている。そのため、ブラシは、回転中の基板の周縁部に当接すると、基板の回転に従動して回転する。したがって、ブラシを積極的に回転させるための駆動力がブラシに入力されていない状態でのブラシの回転は、ブラシが基板の周縁部に当接していることを意味する。よって、従動回転検出手段によってブラシの従動回転を検出することにより、基板の周縁部に対するブラシの当接を検出することができる。
【００１１】
基板の周縁部に対するブラシの当接を検出することができるので、このブラシの当接の検出後（ブラシの従動回転の検出後）に、ブラシ回転手段によるブラシの回転（能動回転）を開始させることにより、基板の周縁部にブラシが確実に当接した状態で、ブラシによる基板の周縁部の洗浄を実施することができる。これにより、基板の周縁部を確実に洗浄することができる。なお、ブラシの従動回転と能動回転とを切り替える回転切り替え手段としては、たとえば電磁クラッチのようなクラッチ機構を採用するのが構成的に簡便であり、迅速に切り替えを行うことができる。
【００１２】
また、基板の周縁部に対するブラシの当接を検出することができるので、たとえば、基板やダミー基板を回転させ、この回転中の基板などにブラシを近づけていき、基板の周縁部に対するブラシの当接を検出したときのブラシの位置に基づいて、洗浄処理時のブラシの位置を決定することができる。これにより、基板の周縁部に対するブラシの当接をオペレータの目視により確認し、このときのブラシの位置に基づいて、洗浄処理時のブラシの位置を決定する手法とは異なり、オペレータの経験や技術力に関係なく、洗浄処理時のブラシの位置を適切な一定位置に決定することができる。その結果、洗浄処理時に、基板の周縁部にブラシを確実に当接させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。
基板処理装置１は、基板の一例としての半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ］という。）を１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。この基板処理装置１は、隔壁で区画された処理室２内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック３と、ウエハＷの表面（デバイスが形成される側の表面）に処理液を供給するための表面ノズル４と、ウエハＷの裏面に処理液を供給するための裏面ノズル５と、ウエハＷの周縁部を洗浄するためのブラシ機構６とを備えている。
【００１４】
なお、ウエハＷの周縁部とは、ウエハＷの表面および裏面の各周縁領域（たとえば、ウエハＷの周端縁から幅１〜４ｍｍの環状領域）ならびに周端面を含む部分をいう。
スピンチャック３は、真空吸着式チャックであって、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸７と、このスピン軸７の上端に取り付けられて、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でその裏面を吸着して保持する吸着ベース８と、スピン軸７と同軸に結合された回転軸を有するスピンモータ９とを備えている。ウエハＷの裏面が吸着ベース８に吸着保持された状態で、スピンモータ９が駆動されると、ウエハＷがスピン軸７の中心軸線まわりに回転する。
【００１５】
表面ノズル４および裏面ノズル５には、それぞれ処理液供給管１０，１１が接続されている。これらの処理液供給管１０，１１には、処理液バルブ１２を介して、図示しない処理液供給源からの処理液が供給されるようになっている。表面ノズル４は、処理液供給管１０を通して供給される処理液を、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面の中央に向けて吐出する。また、裏面ノズル５は、処理液供給管１１を通して供給される処理液を、スピンチャック３に保持されたウエハＷの裏面の周端縁と吸着ベース８との間に向けて吐出する。
【００１６】
なお、処理液としては、純水が用いられる。また、純水に限らず、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水（水素水）または磁気水などの機能水を用いてもよいし、アンモニア水またはアンモニア水と過酸化水素水との混合液などの薬液を用いることもできる。
ブラシ機構６は、ブラシ１３と、このブラシ１３を先端に保持する揺動アーム１４と、揺動アーム１４を支持するアーム支持軸１５とを備えている。
【００１７】
ブラシ１３は、たとえば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などのスポンジ材からなる。このブラシ１３は、ウエハＷの表面の周縁領域および周端面を洗浄するための第１洗浄部１６と、ウエハＷの裏面の周縁領域および周端面を洗浄するための第２洗浄部１７とを上下に一体的に備え、鉛直軸線まわりに回転対称な略鼓状に形成されている。また、ブラシ１３は、ブラシホルダ１８に保持されている。ブラシホルダ１８は、揺動アーム１４に回転可能に保持されたブラシ回転軸１９の下端に固定されている。
【００１８】
アーム支持軸１５は、鉛直方向に延びて設けられている。このアーム支持軸１５の上端部は、揺動アーム１４の下面に結合されている。アーム支持軸１５には、揺動駆動機構２０の駆動力が入力されるようになっている。揺動駆動機構２０の駆動力をアーム支持軸１５に入力して、アーム支持軸１５を往復回転させることによって、揺動アーム１４をアーム支持軸１５を支点に揺動させることができる。また、アーム支持軸１５には、昇降駆動機構２１が結合されている。昇降駆動機構２１により、アーム支持軸１５を上下動させて、このアーム支持軸１５と一体的に揺動アーム１４を上下動させることができる。
【００１９】
図２は、揺動アーム１４の構成を示す断面図である。
揺動アーム１４は、下ケーシング３０と、この下ケーシング３０に嵌め合わされた上ケーシング３１とを備えている。
下ケーシング３０の一端部には、略円筒状の軸保持部３２が形成されている。この軸保持部３２には、２つのベアリング３３が内嵌されている。この２つのベアリング３３によって、ブラシ回転軸１９が回転可能に保持されている。ブラシ回転軸１９は、ほぼ鉛直方向に延び、軸保持部３２から上下に突出している。
【００２０】
なお、アーム支持軸１５（図１参照）は、下ケーシング３０の他端部（基端部）の下面に結合されている。
ブラシ回転軸１９には、軸保持部３２の上方に突出する部分において、プーリ３４が外嵌されている。
一方、下ケーシング３０の他端部上には、ブラシモータ３５が設けられている。ブラシモータ３５は、その出力軸３６が鉛直下方に延びるように配置されている。ブラシモータ３５の出力軸３６には、モータプーリ３７が相対回転不能に固定されている。このモータプーリ３７とブラシ回転軸１９に外嵌されたプーリ３４との間には、無端状のベルト３８が巻回されている。これにより、ブラシモータ３５が駆動されると、ブラシモータ３５からの回転力がモータプーリ３７およびベルト３８を介してプーリ３４に伝達され、プーリ３４が回転する。
【００２１】
また、ブラシ回転軸１９およびプーリ３４に関連して、プーリ３４の回転をブラシ回転軸１９に伝達／遮断するための電磁クラッチ３９が設けられている。この電磁クラッチ３９は、プーリ３４に相対回転不能に内嵌されたアーマチュア４０と、ブラシ回転軸１９に相対回転不能に外嵌されたロータ４１と、アーマチュア４０をロータ４１側に引き寄せて、それらの相対回転を不能とするための電磁石４２とを備えている。電磁石４２に通電（電磁クラッチ３９をオン）し、アーマチュア４０とロータ４１とを相対回転不能とした状態で、プーリ３４が回転されると、この回転がブラシ回転軸１９に伝達され、ブラシ回転軸１９およびその下端に固定されたブラシ１３が回転する。電磁石４２に通電されていない状態（電磁クラッチ３９のオフ状態）では、アーマチュア４０とロータ４１との相対回転が許容され、ブラシ回転軸１９（ブラシ１３）は自由に回転することが可能となる。
【００２２】
さらに、ブラシ回転軸１９の上端には、エンコーダ４３が設けられている。エンコーダ４３は、ブラシ回転軸１９が一定角度回転するごとに、１つのパルス信号を出力する。
図３は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む構成の制御部４４を備えている。
この制御部４４には、エンコーダ４３から出力されるパルス信号が入力されるようになっている。制御部４４は、エンコーダ４３からのパルス信号の入力の有無に基づいて、ブラシ１３の回転／停止を検知することができる。
【００２３】
また、制御部４４には、スピンモータ９、処理液バルブ１２、揺動駆動機構２０、昇降駆動機構２１、ブラシモータ３５および電磁クラッチ３９が制御対象として接続されている。
図４は、ティーチング処理の流れを示すフローチャートである。
たとえば、ブラシ１３が使用により摩耗すると、ブラシ１３による洗浄力が低下するので、その摩耗したブラシ１３が新品のブラシ１３と取り替えられる。ブラシ１３の個体間には形状誤差があるため、この基板処理装置１では、ブラシ１３が交換されると、洗浄処理時にブラシ１３をウエハＷの周縁部に当接させることができるように、洗浄処理時のブラシ１３の位置（以下「洗浄処理時ブラシ位置」という。）を制御部４４に記憶させるためのティーチング処理が行われる。
【００２４】
このティーチング処理時には、まず、オペレータがスピンチャック３にダミーウエハを保持させる。その後、オペレータによりティーチングのための処理の開始が入力されると、スピンモータ９が制御されて、スピンチャック３に保持されたダミーウエハが所定の回転速度で回転される（ステップＳ１）。
次に、揺動駆動機構２０および昇降駆動機構２１が制御されて、ブラシ１３の第２洗浄部１７がダミーウエハの周縁部にゆっくりと近づけられる（ステップＳ２）。
【００２５】
このとき、ブラシモータ３５は駆動されておらず、電磁クラッチ３９はオフにされている。これにより、ブラシ１３は、ブラシ回転軸１９とともに自由回転可能な状態になっている。したがって、ダミーウエハの周縁部に向かって移動されるブラシ１３がその回転中のダミーウエハの周縁部に当接すると、ダミーウエハとブラシ１３との間の摩擦力により、ブラシ１３がダミーウエハの回転に従動して回転する。ブラシ１３とともにブラシ回転軸１９が回転すると、このブラシ回転軸１９の回転に伴って、エンコーダ４３からパルス信号が出力される。そのため、制御部４４は、エンコーダ４３からのパルス信号の入力により、ブラシ１３が従動回転したことを検知することができる。
【００２６】
制御部４４は、ブラシ１３の従動回転を検知すると（ステップＳ３のＹＥＳ）、ブラシ１３がダミーウエハの周縁部に当接したと判断する。そして、洗浄処理時にブラシ１３をウエハＷの周縁部に確実に当接させるために、制御部４４は、たとえば、従動回転検出時のブラシ１３の位置からダミーウエハ側にさらに２ｍｍ移動した位置を、洗浄処理時ブラシ位置として記憶する（ステップＳ４）。
【００２７】
図５は、洗浄処理時における制御の流れを示すフローチャートである。
処理室２内にウエハＷが搬入され、そのウエハＷがスピンチャック３に保持されると、スピンモータ９が制御されて、スピンチャック３によるウエハＷの回転が開始される（ステップＳ１１）。
次いで、処理液バルブ１２が開かれて、表面ノズル４および裏面ノズル５からそれぞれウエハＷの表面および裏面への処理液の供給が開始される（ステップＳ１２）。
【００２８】
また、揺動駆動機構２０および昇降駆動機構２１が制御されて、ブラシ１３が洗浄処理時ブラシ位置に向けて移動される（ステップＳ１３）。ブラシ１３がホームポジションとティーチング処理により入力された洗浄処理時ブラシ位置との距離だけ移動されると、そのブラシの移動が停止される。
このとき、ブラシモータ３５は駆動されておらず、電磁クラッチ３９はオフにされている。これにより、ブラシ１３は、ブラシ回転軸１９とともに自由回転可能な状態になっている。したがって、ブラシ１３が洗浄処理時ブラシ位置に到達し、ブラシ１３の第２洗浄部１７が回転中のウエハＷの周縁部に当接すると、ウエハＷとブラシ１３との間の摩擦力により、ブラシ１３がウエハＷの回転に従動して回転する。ブラシ１３とともにブラシ回転軸１９が回転すると、前述したように、このブラシ回転軸１９の回転に伴って、エンコーダ４３からパルス信号が出力される。
【００２９】
エンコーダ４３からのパルス信号が制御部４４に入力され、制御部４４がブラシ１３の従動回転を検知すると（ステップＳ１４のＹＥＳ）、ブラシモータ３５が駆動されるとともに、電磁クラッチ３９がオンにされて、ブラシ１３がウエハＷの回転方向と同方向に回転（能動回転）される（ステップＳ１５）。これにより、ブラシ１３の第２洗浄部１７にウエハＷの周縁部が食い込んだ状態で、ブラシ１３が回転され、ブラシ１３によってウエハＷの裏面の周縁領域および周端面が洗浄される。なお、ブラシモータ３５の駆動は、制御部４４がブラシ１３の従動回転を検知するよりも前に予め行われていてもよく、この場合、さらにブラシ１３の回転を迅速に行うことができる。
【００３０】
ブラシ１３の第２洗浄部１７がウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、昇降駆動機構２１が制御されて、ブラシ１３が所定量だけ下降される。これにより、ブラシ１３の第１洗浄部１６がウエハＷの周縁部に当接し（ステップＳ１６）、第１洗浄部１６がウエハＷの表面の周縁領域および周端面に押し付けられる。これにより、ウエハＷの表面の周縁領域および周端面が洗浄される。
【００３１】
こうしてウエハＷの周縁部が洗浄されている間、ウエハＷの表面に供給される処理液により、ウエハＷの表面の中央領域（デバイス形成領域）に付着した汚染を洗い流すことができる。
ブラシ１３の第１洗浄部１６がウエハＷの周縁部に当接してから所定時間が経過すると、揺動駆動機構２０および昇降駆動機構２１が制御されて、ブラシ１３が処理開始前のホームポジションに退避される（ステップＳ１７）。また、ブラシ１３がホームポジションに戻される間に、ブラシモータ３５が停止されて、ブラシ１３の回転が停止される。さらに、処理液バルブ１２が閉じられて、表面ノズル４および裏面ノズル５からの処理液の供給が停止される（ステップＳ１８）。その後、ウエハＷを高速（たとえば、３０００ｒｐｍ）で回転させることによる乾燥処理が行われると、ウエハＷに対する洗浄処理が終了する。
【００３２】
一方、ブラシ１３の移動が停止した時点から所定時間が経過しても、エンコーダ４３からのパルス信号が制御部４４に入力されず、制御部４４がブラシ１３の従動回転を検知しない場合には（ステップＳ１４のＮＯ）、制御部４４は、ブラシ１３の第２洗浄部１７がウエハＷの周縁部に当接していないと判断する。この場合、ブラシ１３がウエハＷの周縁部に当接していない旨の警報が出力される（ステップＳ１９）。そして、処理液バルブ１２が閉じられて、ウエハＷへの処理液の供給が停止され、この洗浄処理が直ちに終了される。
【００３３】
以上のように、ウエハＷの周縁部を洗浄するためのブラシ１３は、電磁クラッチ３９がオフの状態で、ブラシ回転軸１９とともに自由に回転可能である。そのため、この自由回転可能な状態のブラシ１３は、回転中のウエハＷまたはダミーウエハの周縁部に当接すると、そのウエハＷまたはダミーウエハの回転に従動して回転する。したがって、電磁クラッチ３９がオフの状態でのブラシ１３の回転は、ブラシ１３がウエハＷまたはダミーウエハの周縁部に当接していることを意味する。よって、制御部４４は、エンコーダ４３からのパルス信号の入力に基づいて、ブラシ１３がウエハＷまたはダミーウエハの周縁部に当接したことを検知することができる。
【００３４】
ウエハＷの洗浄処理時には、ウエハＷの周縁部にブラシ１３が当接したことを制御部４４が検知した後（ブラシ１３の従動回転の検知後）に、電磁クラッチ３９がオンの状態とされ、ブラシモータ３５の駆動力によるブラシ１３の回転（能動回転）が開始される。これにより、ウエハＷの周縁部にブラシ１３が確実に当接した状態で、ブラシ１３によるウエハＷの周縁部の洗浄を実施することができる。これにより、ウエハＷの周縁部を確実に洗浄することができる。
【００３５】
また、前述したように、ダミーウエハを回転させ、この回転中のダミーウエハにブラシ１３を近づけていき、ダミーウエハの周縁部に対するブラシ１３の当接を検出したときのブラシ１３の位置に基づいて、洗浄処理時ブラシ位置を決定することができる。これにより、ダミーウエハの周縁部に対するブラシ１３の当接をオペレータの目視により確認し、このときのブラシ１３の位置に基づいて、洗浄処理時ブラシ位置を決定する手法とは異なり、オペレータの経験や技術力に関係なく、洗浄処理時ブラシ位置を適切な一定位置に決定することができる。その結果、洗浄処理時に、ブラシ１３を洗浄処理時ブラシ位置に配置することにより、ウエハＷの周縁部にブラシ１３を確実に当接させることができる。
【００３６】
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、エンコーダ４３は、ブラシ回転軸１９が一定角度回転するごとにパルス信号を出力するので、単位時間内にエンコーダ４３から出力されるパルス信号をカウントすることにより、ブラシ１３の回転速度を検出することができる。そこで、工場内に設置された各基板処理装置の制御部と通信可能なサーバにおいて、各基板処理装置の動作履歴を管理するシステムが構築される場合には、洗浄処理時のブラシ１３の回転速度を検出し、この回転速度を基板処理装置１の制御部４４からサーバに送信することにより、ブラシ１３の回転速度の履歴をサーバで管理するようにしてもよい。
【００３７】
また、ウエハＷの周縁部にブラシ１３が当接したか否かの検出（ブラシ１３の従動回転の検出）は、洗浄処理を受けるウエハＷごとに行われてもよいし、たとえば、複数枚のウエハＷに対する洗浄処理が連続して行われる場合には、１枚目のウエハＷに対する洗浄処理時にのみ、ウエハＷの周縁部にブラシ１３が当接したか否かが検出されてもよい。すなわち、１枚目のウエハＷの洗浄処理時には、図５に示す処理が実行され、２枚目以降のウエハＷの洗浄処理時には、図５のステップＳ１４，Ｓ１９を省略した処理が実行されてもよい。
【００３８】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す側面図である。
【図２】揺動アームの構成を示す断面図である。
【図３】基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図４】ティーチング処理の流れを示すフローチャートである。
【図５】洗浄処理時における制御の流れを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４０】
１ 基板処理装置
３ スピンチャック
１３ ブラシ
１９ ブラシ回転軸
３４ プーリ
３５ ブラシモータ
３６ 出力軸
３７ モータプーリ
３８ ベルト
４３ エンコーダ
４４ 制御部
Ｗ ウエハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をその中心を通る軸線まわりに回転させるための基板回転手段と、
所定の回転軸線まわりに自由回転可能に設けられ、基板の周縁部に当接して、その周縁部を洗浄するためのブラシと、
前記基板回転機構により回転される基板の周縁部に前記ブラシが当接することによる前記ブラシの従動回転を検出するための従動回転検出手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記ブラシを前記回転軸線まわりに積極的に回転させるためのブラシ回転手段と、
前記従動回転検出手段により前記ブラシの従動回転が検出された後、前記ブラシ回転手段による前記ブラシの回転を開始させるブラシ回転制御手段とをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ブラシ回転手段に設けられ、前記ブラシの従動回転と能動回転とを切り替える回転切り替え手段をさらに含み、
前記ブラシ回転制御手段は、前記従動回転検出手段により前記ブラシの従動回転が検出された後、前記回転切り替え手段によって前記ブラシを従動回転から能動回転へ切り替えることにより、前記ブラシの回転を開始させることを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項１】
基板をその中心を通る軸線まわりに回転させるための基板回転手段と、
所定の回転軸線まわりに自由回転可能に設けられ、基板の周縁部に当接して、その周縁部を洗浄するためのブラシと、
前記基板回転機構により回転される基板の周縁部に前記ブラシが当接することによる前記ブラシの従動回転を検出するための従動回転検出手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記ブラシを前記回転軸線まわりに積極的に回転させるためのブラシ回転手段と、
前記従動回転検出手段により前記ブラシの従動回転が検出された後、前記ブラシ回転手段による前記ブラシの回転を開始させるブラシ回転制御手段とをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ブラシ回転手段に設けられ、前記ブラシの従動回転と能動回転とを切り替える回転切り替え手段をさらに含み、
前記ブラシ回転制御手段は、前記従動回転検出手段により前記ブラシの従動回転が検出された後、前記回転切り替え手段によって前記ブラシを従動回転から能動回転へ切り替えることにより、前記ブラシの回転を開始させることを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００９−２６９４７（Ｐ２００９−２６９４７Ａ）
【公開日】平成２１年２月５日（２００９．２．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１８８４０７（Ｐ２００７−１８８４０７）
【出願日】平成１９年７月１９日（２００７．７．１９）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年２月５日（２００９．２．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年７月１９日（２００７．７．１９）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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