【課題】処理液を用いた処理を、安定的に基板に施すことができる基板処理装置を提供すること、および、このような基板処理装置に適用可能な処理液成分補充方法を提供すること。
【解決手段】薬液キャビネット制御部７２は、処理ユニット４〜７の薬液バルブ３３の開時間を取得し、その薬液バルブ３３に関する累積開時間を算出するとともに、４つの処理ユニット４〜７の４つの薬液バルブ３３の累積開時間の合計を算出する。薬液バルブ３３の累積開時間の合計が予め定める時間に到達すると、成分補充ユニット３は予め定める量の第１成分、第２成分および第３成分を、それぞれ、薬液タンク４０に補充する。
【効果】薬液タンクに溜められている薬液の濃度をほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハをスポンジブラシによって所定の洗浄度合に洗浄できるようにしたブラシ洗浄装置を提供することにある。
【解決手段】回転テーブル１１に保持された半導体ウエハ２２を回転駆動されるスポンジブラシ３８によって洗浄するブラシ洗浄装置において、上記回転テーブルを回転駆動するモータ１６と、上記洗浄ブラシを回転駆動するモータ３４と、上記スポンジブラシを上記被洗浄物の径方向に沿って揺動させる揺動機構３２と、上記スポンジブラシを半導体ウエハの径方向中心部から外方へ揺動させたときに上記スポンジブラシの上記半導体ウエハに接触する端面と上記半導体ウエハの上記端面が接触する部分との相対速度が所定値以上になるよう上記角モータを制御する制御装置６４とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性層の表面の酸化を防止できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ソース領域およびドレイン領域の露出した表面上の自然酸化膜を、フッ酸を含有する洗浄液Ａで洗浄除去する。二酸化炭素を超純水Ｐ中に溶解させた洗浄水Ｗでソース領域およびドレイン領域の表面を洗浄する。洗浄水Ｗ中の二酸化炭素が洗浄水Ｗの比抵抗を低下させる。洗浄水Ｗが供給配管48内を通過する際に生じる摩擦帯電を防止できる。洗浄水Ｗが帯電しなくなる。ソース領域およびドレイン領域の表面の帯電を防止できる。ソース領域およびドレイン領域の露出した表面の酸化が防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板に対して、高温の処理液を用いた処理を良好に施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】内側成部材２０の案内部２４の外側壁面３７におけるＳＰＭ液の着液位置には、その外側壁面３７に着液するＳＰＭ液を冷却するための第１冷却管３８が配設されている。第１冷却管３８は、回転軸線Ｃを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。外構成部材３０の内側壁面４７におけるＳＰＭ液の着液位置には、その内側壁面４７に着液するＳＰＭ液を冷却するための第２冷却管４８が配設されている。第２冷却管４８は、回転軸線Ｃを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。
【効果】内構成部材２０および外構成部材３０の変形をそれぞれ防止することができる。 （もっと読む）

プレート状物体を保持、回転させるスピンチャックと、該プレート状物体の該スピンチャックに面する側に非回転流体ノズルを通して流体を導く流体供給手段と、を具備するプレート状物体のウェット処理用の装置が開示されるが、該スピンチャックは該プレート状物体を該プレート状物体のエッジで保持する手段と、該プレート状物体のスピンチャックに面する側に向かうようガスを導くガス供給手段と、を備えており、該ガス供給手段は該プレート状物体と該スピンチャックの間にガスクッションを提供するために該スピンチャックと共に回転するガスノズルを有している。 （もっと読む）

【課題】基板に付着させた液膜を凍結させる技術を用いた基板洗浄方法および基板洗浄装置において、パーティクル除去率を向上させる。
【解決手段】基板表面ＷｆにＳＣ１溶液（アンモニア水と過酸化水素水とを含む混合溶液）を供給して基板表面ＷｆにＳＣ１溶液で構成された液膜１１を形成する。続いて、液膜１１を凍結させて基板表面Ｗｆに凍結膜１３を形成する。その後、基板表面Ｗｆに向けてＳＣ１溶液を供給して基板表面Ｗｆから凍結膜１３を除去する。このように、パーティクルに対してＳＣ１溶液による除去効果を常に発揮させながら、液膜１１の凍結時の体積膨張による除去効果を重畳して作用させているので、基板Ｗからパーティクルを効果的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部４２、及び基板に処理液を供給する供給ノズル６１と、この供給ノズル６１を待機位置から基板保持部４２の上方に旋回させるシャフト６３とを有する処理液供給部４１を備えた複数の基板処理部２２と、基板処理部２２の各々を互いに独立して収容する複数のチャンバ４３と、待機位置の各々に設けられ、供給ノズル６１から吐出される処理液を受ける排液ポート８２と、排液ポート８２の各々が接続され、複数の基板処理部２２で共有される主排液配管８１と、排液ポート８２と主排液配管８１との間の各々に設けられ、主排液配管８１からの気体の進入を防ぐ進入防止弁８５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造でＩＰＡを使用することなく、ウェーハ表面に残存した液体を効果的に除去すると共にウォーターマークの発生を抑制する。
【解決手段】液体Ｌで濡れたウェーハＷを乾燥させる乾燥装置において、ウェーハＷに対向する位置に吸湿性の毛細管構造体３をウェーハＷ表面に接触・近接できるように配設する。そして、毛細管構造体３をウェーハＷ上の液体Ｌに接触させた状態で、毛細管構造体３及びウェーハＷの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記液体Ｌを毛細管構造体３で拭き取るようにして吸水・乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】基板の上方におけるミスト発生を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部２と、基板保持部２を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持部２の外側に、この基板保持部２に保持された基板を囲繞するように設けられ、基板保持部２とともに回転し、回転する基板から振り切られた処理液を受ける壁部３２を有する回転カップ４と、回転カップ４の外側に、この回転カッ４プ及び基板保持部２を囲繞するように設けられ、回転する基板から振り切られた処理液を収容する環状の液収容部５６と、この環状の液収容部５６よりも内側に設けられた内側環状空間９９ｂとを備えた排気及び排液カップ２０１と、排気及び排液カップ２０１の内側環状空間９９ｂに接続された排気機構２００と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】複数種類の液体を用いる基板処理方法において、液体を用いた処理の後に基板上に残留している当該液体を、次に使用される液体によって迅速かつより確実に置換することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、処理液によって基板Ｗを処理する工程と、基板上に置換液を供給し、基板上に残留する処理液を置換液で置換する工程と、を備える。置換する工程に用いられる置換液は、処理液の表面張力よりも小さい表面張力を有し、かつ、処理液の密度と同一の密度を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された金属膜の破損を効果的に抑制することができる基板洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】金属膜が形成された基板１００の表面に、非導電性液体である洗浄液５０を供給して洗浄する際に、基板１００の裏面を帯電させて基板１００の両面が略等電位となるようにする。 （もっと読む）

【課題】排液カップの内部におけるミスト発生を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持部の外側に、この基板保持部に保持された基板を囲繞するように設けられ、基板保持部とともに回転する壁部３２を有し、この壁部３２が、回転する基板から振り切られた処理液を斜め方向から受けるように構成されている回転カップ４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】瞬時にベーパーを生成して基板上に供給して基板を乾燥でき、しかも腐食されることなく、クリーンな洗浄及び乾燥ができるベーパー乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを支持する洗浄装置と、複数種類の処理液を選択的に供給する処理液供給ユニット３１と、一端側が前記処理液供給ユニット３１に接続され、他端側に前記洗浄装置に接続されるベーパー供給管２６を有し、前記処理液供給ユニット３１から供給された処理液を流通する流通路を有する石英ガラス管１４と、前記石英ガラス管１４の内側に前記流通路と隔離された状態に設けられたロッドヒーター２７と、前記石英ガラス管１４の外側に設けられ、前記ロッドヒーター２７を加熱し、輻射熱によって前記流通路を流通する前記処理液を加熱あるいは気化して前記ベーパー供給管２６に導く加熱手段としてのハロゲンランプ２８を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を精度よく処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を洗浄する基板処理装置は、固定アーム１９によって水平姿勢で保持された基板Ｗの下面を覆う下部板２１と、この下部板２１に対向配置されて基板Ｗの上面を覆う上部板３１とを備えて構成される処理部３３を、上下方向に複数積層し、さらに、固定アーム１９等を縦軸芯Ｐ周りに回転させる電動モータ１１と、下部板２１に対して上部板３１を上下方向に接離させて、下部板２１と上部板３１との間隔であるギャップＧを可変する昇降機構２３と、を備えている。この基板処理装置によれば、下部板２１に対して上部板３１を上昇または下降させることで、下部板２１と上部板３１との間隔であるギャップＧを可変する。これにより、固定アーム１９に基板Ｗを保持させる動作や、
基板の処理をそれぞれ適切に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の端部の必要な部分を十分に清浄にすることが可能な基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】洗浄処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５２１を備える。スピンチャック５２１の外方には、ベベル洗浄部５３０が配置されている。ベベル洗浄部５３０は洗浄ブラシ５３１を備える。洗浄ブラシ５３１は鉛直軸に関して回転対称な形状を有し、上ベベル洗浄面５３１ａ、端面洗浄面５３１ｂおよび下ベベル洗浄面５３１ｃを有する。端面洗浄面５３１ｂは鉛直方向を軸心とする円筒面である。上ベベル洗浄面５３１ａは端面洗浄面５３１ｂの上端から外側上方に傾斜して延び、下ベベル洗浄面５３１ｃは端面洗浄面５３１ｂの下端から外側下方に傾斜して延びる。 （もっと読む）

【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。インターフェースブロック１５は、ベベル部検査ユニットＥＥを含む。ベベル部検査ユニットＥＥでは、基板Ｗのベベル部の検査が行われ、基板Ｗのベベル部が汚染されているか否かが判定される。ベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗとベベル部が汚染されていないと判定された基板Ｗとは、それぞれ異なる処理が施される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の適切な回転数による処理を最適にし、膜厚の均一化を図り、膜質の低下を抑制し、かつ、ミストの基板への再付着を防止すること。
【解決手段】ウエハＷを保持するスピンチャック４０と、スピンチャック４０を回転駆動するモータ４１と、ウエハにレジスト液を供給するレジストノズル４２と、スピンチャックを収容する上端が開口した処理容器４３と、処理容器の底部から排気する排気手段４４と、を具備する基板処理装置において、処理容器の内周側に配設され、ウエハの表面側の気流を排気手段側に流す多翼遠心ファン５０と、モータと多翼遠心ファンの駆動電源５１ａとに接続され、ウエハの回転数に対応して多翼遠心ファンの回転数を制御するコントローラと、を具備する。コントローラからの制御信号により多翼遠心ファンを回転して、ウエハの回転により生ずるウエハ表面上の周方向に流れる乱気流を、放射方向に流れる層気流に補正する。 （もっと読む）

【課題】装置を停止することなく不具合の発生を未然に防止することができる回転式基板処理装置を提供する。
【解決手段】エッジ露光ユニットＥＥＷ１は、基板Ｗを回転させつつ露光ヘッド５３０から光を照射して基板Ｗの端縁部を露光する。端縁部の露光処理に先立って、保持回転部２００によって基板Ｗを１回転させつつエッジセンサ８００が基板Ｗの端縁部の位置を検知してエッジデータを取得する。ＥＥＷコントローラ９００は、取得されたエッジデータに基づいて、基板Ｗの偏心量の異常、基板ＷのノッチＮＴの角度異常およびエッジセンサ８００の異常の有無を判断する。そして、エッジデータに異常有りと判断されたときには、ＥＥＷコントローラ９００アラーム発報を行う。 （もっと読む）

【課題】基板の端部を清浄に維持することが可能な基板処理装置を提供することである。
【解決手段】現像液吐出ノズル９１１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの上方を通過する。これにより、基板Ｗ上の全面に現像液が液盛され、レジスト膜の現像処理が進行する。現像処理終了後、基板Ｗ上から現像液および溶解したレジスト膜が洗い流される。そして、基板Ｗの回転およびリンス液の吐出が維持された状態で、洗浄ブラシ９２０の溝Ｃ１が基板Ｗの端部に押し当てられる。これにより、基板Ｗの端部が洗浄され、基板Ｗの端部に付着するレジストカバー膜の残渣およびレジスト膜の残渣等の汚染物が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を確実に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック３により回転されるウエハＷの表面の周縁領域４０にブラシ２１が当接されることにより、その周縁領域４０に付着する汚染を掻き取ることができる。ウエハＷの表面の周縁領域４０には、ブラシ接触位置Ｐ１に対してウエハＷの回転方向下流側に間隔Ｌ５を隔てたＤＩＷ着液位置Ｐ６に、第２表面ＤＩＷノズル５７からのＤＩＷが供給される。ブラシ２１により掻き取られた汚染を、ＤＩＷにより洗い流すことができる。 （もっと読む）