この方法は、少なくとも一つの部品（１）が、個々のソース（２）の少なくとも一つの固定された線形行に関する少なくとも一つの回転運動を受けることよりなり、前記線形行または個々のソース（２）の行は、前記回転軸または前記部品の軸に平行となるように配置されている。
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【課題】高温のＳＰＭなどの処理液を用いる場合でも、基板の処理時に生じる廃液を工場の廃液ユーティリティラインなどに排出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷへの処理液の供給時に生じる高濃度廃液は、廃液配管７２および高濃度廃液導入管７３を通して希釈タンク８に導入され、ウエハＷの水洗時に生じる低濃度廃液は、廃液配管７２および一般廃液導入管７４を通して気液分離タンク９に導入される。希釈タンク８には、高濃度廃液を希釈および冷却するための冷却水が供給されるようになっている。希釈タンク８の底面には、希釈廃液オーバフロー配管８３が挿通されている。この希釈廃液オーバフロー配管８３の一端は、希釈タンク８内の所定高さの位置で開放されており、廃液オーバフロー配管８３の他端は、たとえば、基板処理装置が設置される工場の廃液ユーティリティラインに接続されている。 （もっと読む）

【課題】枚葉式基板洗浄設備及び基板の裏面洗浄方法を開示する。
【解決手段】本発明による枚葉式基板洗浄設備は、工程チャンバ内に基板の裏面を洗浄するための基板反転装置が設けられることを特徴とする。従って、基板の裏面を洗浄するための設備を簡素化して費用を節減し、工程ステップを簡素化することができ、パーティクルによる基板の汚染を最小化できる枚葉式基板洗浄設備及び基板の裏面洗浄方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】全てのチャックピンが基板との接触を高速回転時にも維持でき、スピンヘッド本体の熱変形によるチャックピンの設定位置のずれを防止できるスピンヘッドを提供する。
【解決手段】本体と、本体から上方に突出して設置されるチャックピンと、本体上に置かれた基板の側部を支持する支持位置及び本体の中心から支持位置より離れた待機位置の間でチャックピンを移動させ、且つチャックピンが待機位置にある場合には本体上に基板を着脱可能に置く余地を与えるように、チャックピンと固定結合される移動ロッド、回転可能で支持位置に位置したチャックピンが待機位置に移動できるように外側面に突起を有するカム、及びチャックピン各々が互いに独立して待機位置から支持位置に向かう方向へ移動できるように、移動ロッド各々に独立して復元力を印加するチャックピン復元器を有するチャックピン移動ユニットと、を備える。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子の形状が平板形状でありながらも、所望の方向に振動を伝播させることができる圧電振動子及びその製造方法を提供し、さらに該圧電振動子を使用することにより、装置設計が圧電振動子に制限されず且つ洗浄性能がより向上できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持手段１１と、圧電振動子１５の振動を洗浄液１４に伝播させて基板Ｗを超音波洗浄する洗浄手段１２と、圧電振動子１５に高周波電圧を印加する超音波発振器１３を有する超音波洗浄装置１０において、圧電振動子１５は、振動電極１６ａ、１６ｂの形成された平板形状の圧電振動子であり、該平板形状の圧電振動子１５は、その分極軸Ｐが厚み方向Ｔに対して所望の角度に傾斜したものであることを特徴とする超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部から銅膜を良好に洗浄できる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】銅膜が形成されているウエハＷの表面の周縁部に、第２洗浄液供給ノズル３３１からエッチング液が供給される。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハを部分的に洗浄処理することができる処理装置を提供することにある。
【解決手段】半導体ウエハを部分的に洗浄処理する処理装置であって、
半導体ウエハを保持する回転テーブル２と、回転テーブルによって保持された半導体ウエハの少なくとも洗浄処理される部分にナノバブルが混入された処理液を供給するナノバブル発生器１７と、半導体ウエハの洗浄処理される部分に電子ビームを照射して処理液に含まれるナノバブルを圧壊させる電子銃１２を具備する。 （もっと読む）

【課題】純水と窒素ガスとを衝突させて純水の液滴を形成して供給する液滴供給方法、液滴を供給する二流体ノズルおよび液滴を基板に供給して基板処理を施す基板処理装置において、液滴の微粒化を高める。
【解決手段】液体吐出口３４２から純水が吐出されるとともに、液体吐出口３４２を挟み込むように設けられた気体吐出口３４１、３４３から窒素ガスが吐出され、純水と窒素ガスとの衝突によって純水の液滴が形成される。このように互いに異なる２経路で、しかも挟み込むように窒素ガスが純水の液流れに吐出されて純水に対してせん断力が作用する。しかも、いずれの気体吐出経路においても、窒素ガスが純水の液流れに対して直角に吐出されるため、上記せん断力がさらに高められる。その結果、微細な液滴が形成される。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄方法及び装置が開示される。
【解決手段】 レーザービームを利用する基板洗浄方法及び装置において、工程チャンバー内にはレーザー誘起衝撃波が発生する空間を限定する内部チャンバーが配置される。前記レーザービームは前記内部チャンバー内に位置した焦点に集中され、これによってレーザー誘起プラズマ衝撃波が前記レーザー焦点の周囲に発生する。前記プラズマ衝撃波は内部チャンバーの内側表面によって反射され、前記内部チャンバーの下部を通じて基板上に照射される。結果的に基板上に照射されるプラズマ衝撃波の強度が増加し、これによって、基板上の汚染物質の除去効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】円形状の基板の裏面側周縁部に付着した付着物の除去を簡便にかつ確実に行うこと。また、付着物の除去に要する部材の交換や清掃などのメンテナンスサイクルを伸ばすこと。
【解決手段】基板の側面から裏面の周縁部に亘って、外周面が粘着性を持ち、概略円筒状の第１のクリーニング用の回転体の外周面を接触させ、またこの第１のクリーニング用の回転体の外周面よりも粘着性が強い外周面を持つ第２のクリーニング用の回転体の外周面を第１のクリーニング用の回転体の外周面に接触させて、基板、第１のクリーニング用の回転体及び第２のクリーニング用の回転体を一体的に回転させることによって、当該基板の裏面側周縁部に付着した付着物を簡便にかつ確実に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板のデバイス面を確実に洗浄処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって洗浄処理する処理装置であって、
処理液が貯留される処理槽１と、基板１６のデバイス面１６ａを下に向けて保持して上下方向に駆動され下降方向に駆動されたときに上記デバイス面を処理槽の処理液に浸漬させる保持機構１７と、処理槽に貯留された処理液に超音波振動を付与する超音波発振器１５を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板を効率良く洗浄しながらも基板へのダメージを低減することができる二流体ノズルおよび該二流体ノズルを用いた基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル３０１において、液体吐出口３２７を環状で且つスリット状に開口させるとともに、液体吐出口３２７の開口面積を１．８ｍｍ^２以上かつ３６ｍｍ^２以下に設定している。このため、従来ノズルに比べて単位時間当たりの供給液滴数を増加させ、基板Ｗを実用的かつ効率的に洗浄することが可能となる。しかも、液体吐出口３２７のスリット幅を０．１ｍｍ以上かつ１．０ｍｍ以下の範囲に設定しているので、基板Ｗへのダメージ発生に寄与する比較的大きな粒径の液滴が生成されるのを抑制することができる。したがって、基板Ｗを効率良く洗浄しながらも基板Ｗへのダメージを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細構造体の表面に形成された壁体間に残留する液体の表面張力を抑制することができる微細構造体の製造方法および微細構造体の製造システムを提供する。
【解決手段】壁体が形成された微細構造体の表面を液体により処理し、前記液体の表面を活性化させる物質を前記微細構造体の表面に供給し、前記微細構造体の表面の乾燥を行うこと、を特徴とする微細構造体の製造方法が提供される。または、壁体が形成された微細構造体の表面を親水化処理し、前記表面を液体により処理し、前記表面の乾燥を行うこと、を特徴とする微細構造体の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、優れたパーティクル除去率で基板の被処理面を洗浄することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】凍結洗浄処理前に基板に対してライトエッチングを実行している。ライトエッチングにより基板の表面が軽くエッチング除去されてパーティクルと基板表面の接触部分が減少し、凍結膜を構成するＤＩＷが接触除去部分に回り込む。そして、その接触除去部分に回り込んだＤＩＷが凍結されて凍結膜の一部となった後に除去される。その結果、パーティクル除去率が向上される。 （もっと読む）

【課題】基板の両面を洗浄するに際して、加工時間を短くすることができるとともに、工程欠陥が少なく、有効に基板洗浄を行うことが可能な枚葉式洗浄装置を提供すること。
【解決手段】それぞれに注入口１１Ａ及び放出口１１Ｂを備えた複数の搬送通路１１が内部に形成された注入軸１０を固定台１７上に立設し、該注入軸１０の上部に前記放出口１１Ｂのそれぞれに連通する配置で下部ノズル１４を装備し、前記注入軸１０の外周側に、前記注入軸１０に対して回動自在にして、モーター２を有する中空軸３を配置し、少なくとも前記中空軸３の回転数を制御可能な制御手段７を前記中空軸３に連結し、前記中空軸３の上方に、基板を装着可能な基板チャック４を連結し、前記基板チャック４の上方に上部ノズル８を配置した、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。
【解決手段】上ノズル１と下ノズル２から基板３の上面および下面に次亜塩素酸ナトリウム水溶液を供給し、下面のルテニウム膜を除去すると同時に、上面のルテニウム膜６をパターンニングする工程と、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して次亜塩素酸ナトリウム水溶液を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に弗酸を供給して不純物を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して弗酸を除去する工程と、この工程の後に、スピンベース５により基板３を回転させて乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板の上部面と下部面を効率的に洗浄またはエッチングできる基板加工方法を提供する。
【解決手段】 基板加工方法によると、基板を支持し、支持された基板を回転させる。薬液、洗浄液、及びガスのうち、少なくとも１つを回転する基板の下部面に選択的に噴射する。基板の下部面に噴射される薬液、洗浄液、及びガスと同一の薬液、洗浄液、及びガスのうち、少なくとも１つを回転する基板の上部面に選択的に噴射する。従って、基板の下部面を洗浄またはエッチングするために基板の下部で薬液、洗浄液、及びガスを噴射することで、基板の上部面と下部面に対する工程を同時に進行することができる。 （もっと読む）

【課題】短いサイクル時間を可能にし、表面の粗さを許容できないほど増大させずに効果的な清浄化を可能にする方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素とオゾンを含有する第一の水性液膜を、清浄化されるべき半導体ウェハの表面上に形成させることと、前記第一の液膜を、フッ化水素とオゾンを含有する第二の水性液膜と置き換えることと、前記第二の液膜を除去することとを含み、前記第二の液膜中のフッ化水素の濃度が前記第一の液膜中よりも低い、半導体ウェハの清浄化方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 超音波振動生成装置及び方法、そしてウエハー洗浄装置及び方法が開示される。
【解決手段】 超音波振動生成装置及び方法は、振動発生部から発生された超音波振動が伝達部材の物質層を通過するようにして、超音波振動の強度及び方向を調節する。ウエハー洗浄装置及び方法は、洗浄液供給部から洗浄液をウエハーに供給し、超音波振動発生部が超音波振動を発生し、超音波振動を伝達部材の物質層を通過するようにして超音波振動の強度及び方向を調節して、強度及び方向が調節された超音波振動が洗浄液に伝達される。 （もっと読む）

【課題】複雑な機構を用いることなく、効率的に薬液を回収することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置において、制御部１２１は、リンス液によるリンス処理後に薬液による薬液処理を制御する。この際に、最初に、リンス処理用の回転数以上の回転数で基板Ｗを回転させながら基板上に薬液を供給して排液カップを薬液により洗浄し、その際に排液カップ５１で受けた液を廃棄ライン１１３によって廃棄する。その後、薬液処理用の回転数で基板を回転させながら基板上に薬液を供給して基板の薬液処理を行い、その際に排液カップで受けた液を回収ライン１１２によって回収する。 （もっと読む）