【課題】シリコン製若しくはガラス製の基板表面、または基板表面に形成された無機系被膜表面に強固に付着している無機系の異物を表面粗さの増加を抑えながら容易に除去することができ、しかも一度除去された異物が基板表面に再付着することが防止された異物除去方法の提供。
【解決手段】シリコン製若しくはガラス製の基板表面または該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法であって、前記基板材料、前記無機系被膜材料および前記無機系異物のうち少なくとも１つに対して０．０１／ｃｍ以上の光吸収係数となる波長域の光線を、酸素若しくはオゾン含有雰囲気下にて前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面に照射量１０Ｊ／ｃｍ²以上で照射した後、負の表面電位を有する前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面にｐＨ≦６の酸性溶液を曝すことを特徴とする基板表面若しくは該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法。 （もっと読む）

本発明は、メガソニック洗浄モジュールに関するものであり、電源供給ユニットから電源の印加を受ける圧電素子を内部に有して圧電素子の振動により超音波を発生させるバイブレータと、このバイブレータの一端に結合されて被洗浄物としての半導体ウェハーの一側面に垂直に設置されてその径を徐々に縮径されることでバイブレータから発生した縦方向の超音波を集中させる増幅部を有する第１振動ロッドと、この第１振動ロッドに対して垂直に組み合わされて縦方向の超音波による半導体ウェハーへの影響を回避するように第１振動ロッドとの接合部位の径を他端よりも相対的に小さく設定するとともに他端の断面を様々な形状に形成して第１振動ロッドの縦方向の超音波を横方向に伝播させる第２振動ロッドとで構成され、半導体ウェハーの異物を横方向の超音波を利用して効果的に遊離させるメガソニック洗浄モジュールに関するものである。

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【課題】ウォーターマークを発生させることなく、基板の上面を良好に乾燥させる。
【解決手段】洗浄処理が終了すると、遮断板２がスピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に近接した位置に配置される。そして、液体供給口２５２ａからウエハＷの上面に純水が供給される。ウエハＷの上面に供給された純水は、ウエハＷの上面に拡がり、その表面張力でウエハＷ上に液膜となって溜められる。この液膜形成のための液盛りが行われている間に、第１乾燥ガス供給口２５１ａおよび第２乾燥ガス供給口２６ａから窒素ガスが供給されて、ウエハＷ上の純水の液膜と遮断板２との間の空間の雰囲気が窒素ガスに置換される。その後、ＩＰＡベーパ供給工程が行われる。ＩＰＡベーパ供給工程では、第１乾燥ガス供給口２５１ａからウエハＷの上面の中央部に向けて、ＩＰＡベーパを含む窒素ガスが供給される。 （もっと読む）

本発明は、超音波を利用した洗浄装置に関するものであり、より詳細には、オシレータを一側面側に有するハウジングと、オシレータに結合されてウェハーの上面に塗布された洗浄水に対してオシレータから発生した超音波を伝播するロッドとを備え、オシレータが近傍領域及び遠方領域を有する拡散層に圧電素子を接着することで構成され、ロッドがその径を徐々に縮径されてオシレータから発生した超音波を増幅させることにより、被洗浄物としてのウェハーの異物を効果的に除去する超音波を利用した洗浄装置に関するものである。

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【課題】洗浄によりウェハに付着した水分を完全に除去し、当該基板を水分を除去した状態で成膜装置に搬送する。
【解決手段】 洗浄装置３に隣接して水分除去装置４を設ける。水分除去装置４では、ウェハＷに高温ガスを供給してウェハＷに付着した水分を完全に除去する。水分除去装置４と成膜装置５、６との間の搬送部７は、ケーシング２１で覆う。ケーシング２１内には、乾燥気体を供給し、搬送部７内を乾燥雰囲気にする。水分除去装置４で水分の除去されたウェハＷを、乾燥雰囲気内を通して成膜装置５、６に搬送する。 （もっと読む）

円板状物品の主表面に直角な軸線まわりで円板状物品を回転させ、回転しているときに円板状物品の上に液体を供給し、この液体は円板状物品の縁に向かって基板を横切って動かされる供給ポートから供給され、第１の気体供給ポートを通してある一領域に向かって円板状物品上に第１の気体流を供給し、この領域の中心は２０ｍｍより大きくない回転運動の中心までの距離を有し、第１の気体が供給されるこの領域は、第１の気体が供給されるとき液体層で覆われ、そしてこれにより分離した領域において液体層を開口させ、更に、回転されたときの円板状物品上に第２の気体供給ポートを通して第２の気体流を供給し、この第２の気体流は基板の縁に向かって基板を横切って動かされる第２の気体供給ポートより供給され、第２の気体供給ポートから中心までの距離は、第２の気体流及び液体が供給されている間の液体供給ポートから中心までの距離より小さい諸段階よりなる円板状物品の表面から液体を除去するための方法が明らかにされる。更に、この方法を実行するための装置が明らかにされる。 （もっと読む）

【課題】基板をチャックするチャック部材を提供する。
【解決手段】チャック部材は、基板の側部をチャックし、回転中心から偏心されたチャックピンを備える。チャックピンは流線形（ｓｔｒｅａｍｌｉｎｅ ｓｈａｐｅ）からなり、基板の回転により発生する気流の流れに対して前端に位置する第１前端部と、後端に位置する第１後端部を含む。第１前端部は第１尖端部を備え、第１後端部は丸い形状を有する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物表面に金属不純物やパーティクルあるいは純水中の不純物が付着するのを抑制し、清浄な洗浄を行うことで、半導体装置の特性や歩留りを向上できる洗浄乾燥装置を得る。
【解決手段】本発明に係る洗浄乾燥装置は、洗浄液で被洗浄物表面を酸化する処理を行う第１の処理槽と、該第１の処理槽で酸化された被洗浄物表面を希釈塩酸水溶液で洗浄する処理を行う第２の処理槽と、該第２の処理槽で洗浄された被洗浄物表面を乾燥する処理を行う乾燥処理部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して基板を洗浄乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板が置かれるチャックを有する基板支持部材、上部が開放され、前記チャック周辺を包むように形状された下部チャンバー１２０、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で進行されるように前記下部チャンバーの上部を開放又は閉鎖する上部チャンバー１３０、及び前記上部チャンバーに設置され、前記上部チャンバーが前記下部チャンバーの上部を閉鎖した状態で基板に流体を直接噴射する直接噴射ノズル部材１８０を含む。このような構成の基板処理装置は、基板全体の乾燥効率増大、及び外部汚染遮断、又、酸化膜防止などの効果を得ることができる。 （もっと読む）

ウエハ(W)から膜(66)を除去する間に処理液体循環システム(73,73’)へ放出される膜の残骸物(66a)の量を減少させることによってフィルタ(80)の洗浄又は交換の頻度を減らす方法が供される。当該方法は、基板処理システム(1)の処理チャンバ(46)内で、上に膜(66)が形成されたウエハ(W)を、処理液体(64)に曝露する工程を有する。前記ウエハ(W)は、回転しないか、又は第1速度(608a,908a,1208a)で回転される。前記処理液体(64)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体循環システム(73)へ放出される。その結果、前記処理液体(64,64a,64b)への前記ウエハ(W)の曝露は中断され、前記ウエハ(W)は前記第1速度(608a,908a,1208a)よりも速い第2速度(608b,908b,1208b)で回転することで、該ウエハ(W)から前記膜(66)の残骸物(66a)が遠心状に除去される。それに続いて、前記ウエハ(W)は同一又は異なる処理液体(64,64a,64b)に曝露され、かつ前記処理液体(64,64a,64b)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体廃液管(78)へ放出される。
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【課題】工程進行のとき、チャッキングピンによって支持されるウェハーの接触面に残留する薬液を除去できる基板処理処置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能な支持プレート１０と、支持プレートの上部面に設置され、支持プレート上にローディングされた基板が回転によって支持プレートから離脱されることを防止するために基板の側部を支持する複数の第１チャッキングピン２０及び複数の第２チャッキングピン３０と、工程進行のとき、複数の第１及び第２チャッキングピンが基板の側部と選択的に非接触するように磁力によって複数の第１及び複数の第２チャッキングピンを選択的に支持プレートの半径外側方向へ移動させる駆動ユニットとを含む。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程での残渣により製造物に悪影響を及ぼさないようにした洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。
【解決手段】槽体２１０と、槽体２１０の中に配置されたステージ２２０と、槽体２１０の中に設けられ、ステージ２２０を囲む少なくとも１つの第１の側壁（２３０又は２４０）と、槽体２１０の中で、ステージ２２０の上方に配置され、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲を閉じ込める操作可能なプレート２６５と、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲と流体連通された排気装置２７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要がなく、排気カップの全周に亘って均一に排気することが可能な液処理装置を提供すること。
【解決手段】回転カップ４をウエハＷと一体的に回転させるように構成するとともに回転カップ４の外側を囲繞するように環状の排液カップ５１を設け、さらにこの排液カップ５１を収容するように同心状に排気カップ５２を設け、排気カップ５２に取り入れられた気体成分の気流がほぼ全周から排気口７０に向けて流れるように気流を調整する気流調整機構９９ａ，９７を設けて、ウエハＷに処理液を供給しながら液処理を行う液処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置１は、基板を支持する支持部１０と、基板上部のフォトレジストを除去する乾式処理部２０と、基板上部のフォトレジストを除去する湿式処理部３０を有する。基板は、支持部によって支持された状態で、基板上部のフォトレジストは、乾式処理部２０によって１次的に除去され、湿式処理部３０によって２次的に除去される。乾式処理部２０は、基板上面にプラズマを供給するプラズマ供給ユニット２００と移動ユニットを有し、移動ユニットは、プラズマ供給ユニット２００と基板の相対的な位置を変化させる。 （もっと読む）

【課題】複数の電極間の距離を容易に調節できるプラズマ生成ユニット、及びこれを具備する基板処理処置と基板処理方法を提供する。
【解決手段】電極間距離調節ユニットは第１電極２２０ａに連結された第１コネクター２６０ａと第２電極２２０ｂに連結された第２コネクター２６０ｂ、第１及び第２コネクター２６０ａ，２６０ｂを連結される第１軸ピン２６２ａを含む。第１軸ピン２６２ａを中心に第１コネクター２６０ａを反時計回りに回転させ、第２コネクター２６０ｂを時計回りに回転させれば、第１電極２２０ａと第２電極２２０ｂは接近し、第１コネクター２６０ａを時計回りに回転させ、第２コネクター２６０ｂを反時計回りに回転させれば、第１電極２２０ａと第２電極２２０ｂは離れる。 （もっと読む）

【解決手段】一実施形態において、流体を使用して基板を処理するように構成された半導体処理装置を少なくとも部分的に収容することを可能にするチャンバボディが開示される。チャンバボディは、チャンバボディを形成するベース材料からなり、チャンバボディ上方における基板の処理中に流体の溢れを捕らえることを可能にするために、少なくとも、底面と、該底面に一体的につながれた壁面とによって画定される。また、ベース材料は、金属性である。チャンバボディは、また、ベース材料の上方および上に配された下塗り材料も有する。下塗り材料は、ベース材料との一体化結合を形成するための金属成分を、非金属成分とともに有する。チャンバボディは、さらに、下塗り材料の上方および上に配された本塗り材料を含む。本塗り材料は、非金属成分によって特徴付けられ、本塗り材料の非金属成分は、下塗り材料との一体化結合を形成する。本塗り材料は、下塗りの金属成分の全部を完全に覆うように特徴付けられる。 （もっと読む）

【課題】ドラム式回転洗浄装置を用いた洗浄等の基板処理の際において、ダミー基板の使用回数を増加させると共に破損した場合の破片の飛散を抑制することにより、半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】基板処理方法は、複数の容器２０４のそれぞれに複数の被処理基板１０４を収納する工程と、被処理基板１０４と実質的に等しい質量を有し、少なくとも側面を含む２つの主面の周縁部が耐薬品性の樹脂によって被覆されている板状部材よりなるダミー基板１００を複数の容器２０４に必要枚数収納することによって、複数の容器２０４に収納された被処理基板１０４とダミー基板１００との合計枚数を複数の容器２０４の全てにおいて同数とする工程と、ダミー基板１００を収納した複数の容器２０４を回転軸に対して対称に配置すると共に回転軸を中心に回転させながら被処理基板１０４を処理する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】排液カップから速やかに処理液を排出することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを水平に保持し、ウエハＷとともに回転可能な基板保持部２と、基板保持部２に保持されたウエハＷを囲繞するように環状をなし、ウエハＷとともに回転可能な環状をなす回転カップ４と、回転カップ４および基板保持部２を一体的に回転させる回転機構３と、ウエハＷの表面に処理液を供給する表面処理液供給ノズル５と、回転カップ４に対応した環状をなし、回転カップ４から排出された処理液を受け止め、処理液を排液する排液口６０を有する排液カップ５１と、排液カップ５１の内部に挿入され、回転カップ４の回転にともなって回転することにより排液カップ５１内に旋回流を形成し、その旋回流に随伴させて排液カップ５１内の処理液を排液口６０に導く旋回流形成部材３２ａとを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００において、基板が在置されるチャックを持つ基板支持機構１１０と、上部が開放されて、チャック周辺を囲むように配置された下部チャンバー１２０と、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で進行されるように下部チャンバー１２０の上部を開閉する上部チャンバー１３０と、上部チャンバー１３０のエッジに設置され、乾燥流体が基板に間接憤射されるように上部チャンバーの中心へ向かって、乾燥流体を憤射する間接憤射ノズル１４０と、を含むことを特徴とする基板処理装置１００。このような構成の基板洗浄装置は、基板の乾燥効率の増大及び外部汚染の遮断そして酸化膜の防止などの効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で銅又は銅合金による回路配線を形成でき、且つクロスコンタミネーションの原因となるエッジ・ベベル部に銅膜が残ることのない半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸線を中心に回転する回転部材と、回転部材の前記回転軸線を中心とした同一円周方向に沿って配置され該回転部材の回転に伴って公転する保持部材とを有し、保持部材は、該保持部材の軸心を中心に回動するように構成された回転保持装置で保持した半導体基板を洗浄する洗浄ユニットを有する。 （もっと読む）