【課題】処理室間においてミスト状処理液の侵入を防止する。
【解決手段】基板処理装置は、剥離液により剥離処理を施す第１剥離処理室１と、前記剥離液よりも低濃度の剥離液により剥離処理を施す第２剥離処理室３と、各処理室１，３の間に介設される中間室２と、第１剥離処理室１、中間室２及び第２剥離処理室３の隔壁１１，１３に形成される基板搬送用の開口部１１ａ，１３ａを各々開閉するシャッタ２５，３４等と、中間室２において少なくとも第２剥離処理室３側の開口部１３ａが開放されているときに、当該開口部１３ａに向かってエアを吐出するエアナイフ３６，３６と、エアナイフ３６，３６と前記開口部１３ａとの間に排気口４０を有し、この排気口４０を通じて中間室２内を排気する排気手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの乾燥プロセスで発生した有機溶剤を効率よく除去してＶＯＣガスの発生を抑制する。
【解決手段】ウェーハＷを洗浄するウェーハ洗浄装置３０Ａ〜３０Ｃと、洗浄された前記ウェーハＷをＩＰＡにより乾燥させる乾燥機ＤＳと、を備える半導体製造装置１に、乾燥処理で用いられたＩＰＡを除去するスクラバーとして機能する気液分離タンクＤＴを内蔵させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の回路基板と半導体素子との隙間の洗浄効果を高める。
【解決手段】回路基板２に半導体素子３を実装する半導体装置１の製造方法において、回路基板２に形成された電極２１および半導体素子３に形成された半田バンプ３１の少なくとも一方にフラックス７を供給する工程と、フラックス７を供給した後、電極２１と半田バンプ３１とを接合する工程と、電極２１と半田バンプ３１とを接合した後、回路基板２と半導体素子３との隙間に蒸気８１を供給して、回路基板２と半導体素子３との隙間を洗浄する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の表面を均一にかつ迅速に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽２２の洗浄液にウエハＷが浸された状態で乾燥室２３内において乾燥ガスを略水平方向、略水平方向よりも斜め下方または鉛直方向下方に供給する。乾燥室２３内において乾燥ガスが供給されている状態でウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥室２３内まで移動させる。この際にウエハＷの一部分が洗浄槽２２に貯留された洗浄液に浸された状態のときに乾燥室２３内における乾燥ガスの供給を停止する。乾燥室２３内にウエハＷが移動し終わった後にこの乾燥室２３内において乾燥ガスを略水平方向よりも斜め上方または鉛直方向上方に供給する。 （もっと読む）

【課題】ウェハーシッピングボックスの洗浄工程が終了した後、トレーを上昇するときに発生する負荷を減らし、乾燥工程を行うときの２次汚染の発生を防止する構造を持つボックスクリーナーを提供すること。
【解決手段】本発明によるボックスクリーナーは、純水が満たされる収容空間が設けられて下部には超音波発生機が配置された超音波洗浄槽と、ウェハーシッピングボックスが積載されるトレーと、前記トレーを前記超音波洗浄槽の内部に投入または搬出させるための駆動力を提供する昇降機構と、洗浄工程が完了した後、前記シッピングボックスを乾燥する乾燥装置を含むボックスクリーナーにおいて、前記超音波洗浄槽の一側には、洗浄工程が完了したときに前記シッピングボックスの内部に気体を噴射して前記シッピングボックス内部の純水を押し出すことで排水する気体噴射部が備えられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の端部を清浄に維持することが可能な基板処理装置を提供することである。
【解決手段】現像液吐出ノズル９１１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの上方を通過する。これにより、基板Ｗ上の全面に現像液が液盛され、レジスト膜の現像処理が進行する。現像処理終了後、基板Ｗ上から現像液および溶解したレジスト膜が洗い流される。そして、基板Ｗの回転およびリンス液の吐出が維持された状態で、洗浄ブラシ９２０の溝Ｃ１が基板Ｗの端部に押し当てられる。これにより、基板Ｗの端部が洗浄され、基板Ｗの端部に付着するレジストカバー膜の残渣およびレジスト膜の残渣等の汚染物が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】輸送や組み立て、メンテナンスを容易とした液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置１は、基板が収納された容器の搬入出を行う容器搬入出部２と、基板に所定の液処理を施す液処理部３と、容器搬入出部２と液処理部３との間で基板を搬送する基板搬送部４と、液処理部３に供給する処理液の貯蔵および送液ならびに回収を行う処理液貯留部５と、基板搬送部４と液処理部３と処理液貯留部５をそれぞれ個別に制御する複数の制御部７ａ，７ｂ，１０と、基板搬送部４と液処理部３と処理液貯留部５に配設された電動駆動機構１６，２７および複数の制御部７ａ，７ｂ，１０を動作させるための電源部６と、複数の制御部７ａ，７ｂ，１０と電源部６からの排気を１箇所に集中させた後に外部に排気する排気システム８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理された半導体ウェハの表面上でパーティクル、金属及び有機不純物の濃度をさらに改善する洗浄法及び乾燥法を提供すること
【解決手段】次の工程を記載の順序で有する、半導体ウェハを洗浄、乾燥及び親水化する方法
ａ） 前記半導体ウェハを、フッ化水素を含有する液体水溶液で処理し、前記半導体ウェハを少なくとも一時的にその中心軸を中心に回転させ、及び
ｂ） オゾン含有雰囲気中で、前記半導体ウェハを、その中心軸を中心に１０００〜５０００ｒｐｍの回転速度で回転させることによりこの半導体ウェハを乾燥させ、フッ化水素を含有する液体水溶液を前記半導体ウェハから回転により生じる遠心力に基づき流れ去らせ、半導体ウェハの表面をオゾンにより親水化する （もっと読む）

【課題】純水洗浄の省略が許容される被洗浄物を洗浄する装置において、洗浄時間が長くなるのを防止しつつ洗浄液の長寿命化を図る。
【解決手段】外側容器１４と、外側容器１４内に配設され、洗浄液が貯溜されるとともに被洗浄物Ｗを出し入れ可能な開口部が設けられた内側容器３８と、被洗浄物Ｗに付着した洗浄液が蒸発する程度に外側容器１４の内部を減圧させるための減圧手段２０と、洗浄液を浄化するためのフィルタ５８と、内側容器３８の開口部を気密状に塞ぐための蓋５２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】純水使用量を節減しつつ研磨後のウェハに処理速度を高めた洗浄処理を施し、複数の洗浄処理槽を洗浄処理プロセス等に応じて、より最適な配列に入れ替え並べ替えることを可能とした装置構成の洗浄装置を提供する。
【解決手段】それぞれ複数の洗浄処理槽２ａ〜２ｄ，２ｅ〜２ｈを備えた洗浄ライン２Ａ，２Ｂを下層及び上層の２段に構成するとともに、下層及び上層の各洗浄処理槽２ａ〜２ｈに対し、被処理ウェハを搬入する機能及び処理されたウェハを搬出する機能を持つ中央搬送手段６と、下層及び上層の各洗浄ライン２Ａ，２Ｂにおいて隣合う洗浄処理槽へウェハを順次搬送する槽間搬送手段１６と、上層の洗浄ライン２Ｂにおける精密洗浄を行う洗浄処理槽で使用した純水を、下層の洗浄ライン２Ａにおける粗洗浄を行う洗浄処理槽に当該粗洗浄用の洗浄水として導入する導入手段とを具備する洗浄装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を上下駆動する際にダウンフローの乱れによって基板が汚染されることがないようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】清浄空気が上方から下方に向かって流がされるとともに、基板を上下方向に駆動する上下駆動装置２７が設けられたチャンバ５ａを有する基板の処理装置であって、
上下駆動装置は、基板を水平に支持する上下可動体１８と、上下可動体を上下方向に駆動する上下駆動機構２８と、上下可動体の幅方向両端部に設けられ上下可動体が上下駆動機構によって上下方向に駆動されたときにチャンバの上方から下方に向かって流れる清浄空気を上下可動体の幅方向両端部において幅方向外方に向かってガイドする傾斜面２６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板を均一かつ効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエア排出ダクト６３は、吸気装置６５０に接続されている。吸気装置６５０は、ドライエア排出ダクト６３を通して処理槽４上の雰囲気を吸引し、吸引した雰囲気を外部へ排出する。ドライエア排出ダクト６３は、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅからなる。基板の処理前には、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅに対応する処理槽４上の複数の測定点Ｐ１〜Ｐ５でドライエアＤＦの流速が測定される。基板の乾燥処理時には、処理槽４に貯留された処理液から基板が引き上げられる。そして、引き上げられる基板にドライエアＤＦが供給される。このとき、予め得られた流速分布の測定結果に基づいて、排出ダクト６３ａ〜６３ｅの内部に取り付けられた弁ｖａ〜ｖｅの開度が個別に調整される。 （もっと読む）

【課題】表面硬化層が形成されたレジストを基板の表面から良好に剥離することのできるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗが処理チャンバー１１にローディングされると、プレート１４に吸着保持された基板Ｗは基板加熱用ヒータ１９からの発熱により加熱処理される。このとき、コントローラは基板Ｗの温度が３００℃以上で、かつ４５０℃以下の温度範囲となるように基板加熱用ヒータ１９を駆動制御する。基板Ｗの加熱によりレジストにポッピング現象が生じると、表面硬化層の内側（下層側）に位置する未硬化層のポッピングによる衝撃で表面硬化層に亀裂が生じ、未硬化層が灰化される。続いて、加熱処理後に高圧流体を用いたレジスト除去を行うことで、基板表面からレジストが表面硬化層ごと剥離される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された複雑な構造（トレンチやホール）による乾燥不良を防止する。
【解決手段】処理槽３１において基板９に対する純水による洗浄処理を終了した後に、アルコール供給部３７から処理槽３１にアルコールを供給することにより、処理槽３１内の処理液９１をアルコールで置換する。また、チャンバ４０内の処理槽４１において基板９に対するフッ素系溶媒の液体による洗浄を行い、その後、処理槽４１から基板９を引き上げて、チャンバ４０内でフッ素系溶媒のガスで乾燥処理する。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物表面に金属不純物やパーティクルあるいは純水中の不純物が付着するのを抑制し、清浄な洗浄を行うことで、半導体装置の特性や歩留りを向上できる洗浄乾燥装置を得る。
【解決手段】本発明に係る洗浄乾燥装置は、洗浄液で被洗浄物表面を酸化する処理を行う第１の処理槽と、該第１の処理槽で酸化された被洗浄物表面を希釈塩酸水溶液で洗浄する処理を行う第２の処理槽と、該第２の処理槽で洗浄された被洗浄物表面を乾燥する処理を行う乾燥処理部とを備えたものである。 （もっと読む）

移動可能な対象物洗浄装置となれる少なくとも一つの対象物洗浄装置を使用して、半導体ウェーハのような対象物を研磨するための装置及び方法である。該移動可能な洗浄装置は、保持管理のために該装置の他の部品に接近が許容される。 （もっと読む）