【課題】少なくとも基板の熱洗浄によって表面の不純物および酸化物の除去が可能な程度に表面が清浄なＧａＡｓ半導体基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＡｓ半導体基板１０は、Ｘ線光電子分光法により、光電子取り出し角θが１０°の条件で測定されるＧａ原子およびＡｓ原子の３ｄ電子スペクトルを用いて算出される、ＧａＡｓ半導体基板１０の表面層１０ａにおける全Ａｓ原子に対する全Ｇａ原子の構成原子比Ｇａ／Ａｓが０．５以上０．９以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＡｓ原子の比（Ａｓ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＧａ原子の比（Ｇａ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下である。 （もっと読む）

【課題】効率的に高濃度オゾン水を製造する。ポッピング現象を起こすことなく基板上の有機物を除去する。
【解決手段】チャンバ２にはオゾンガスと水蒸気とが供給される。オゾンガスはオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化して超高濃度オゾンガスを発生するオゾン発生装置９から供給される。チャンバ２は水蒸気が液化しない程度にヒータ４によって加熱される。真空ポンプ３によってチャンバ２の内圧が大気圧よりも低圧に制御された状態でオゾンガスと水蒸気とが混合される。オゾンを含んだ水蒸気が冷却機構５によって冷却されるとチャンバ２の底面部が結露して高濃度オゾン水が得られる。そして、この高濃度オゾン水に基板が浸漬されることで前記基板上の有機物（例えばレジスト）が除去される。前記高濃度オゾン水で処理した基板には洗浄のために超純水が供給するとよい。 （もっと読む）

化学機械研磨（ＣＭＰ）後残渣および汚染物質をその上に有するマイクロエレクトロニクスデバイスから前記残渣および汚染物質を洗浄するための洗浄組成物および方法。この洗浄組成物は、新規な腐食防止剤を含む。この組成物は、ｌｏｗ−ｋ誘電体材料または銅配線材料を損傷することなく、マイクロエレクトロニクスデバイス表面からＣＭＰ後残渣および汚染物質を非常に有効に洗浄する。 （もっと読む）

【課題】洗浄が可能で、洗浄した後に水分が残り難く、乾燥が簡便に行い得るような、防水プラグ、基板収納容器、及び基板収納容器の洗浄方法を提供する。
【解決手段】プラグ本体部分２５の一端に基板収納容器の連通部を封鎖するシール形成部２６を有し、他端に小判状に形成される接続部２７と、接続部２７に連続する、係止つば部２９を先端に有するプラグ側壁部２８からなる。防水プラグ２４が、プラグ本体部分２５の外側に弾性変形可能に形成されるプラグ側壁部２８と、プラグ側壁部２８の先端に、外向きに突出する係止つば部２９を有し、好ましくはボトムプレート４に設けられるボトムプレート貫通孔２３に係合可能とし、シール形成部２６が、プラグ本体部分２５に２色成形によって一体的に形成される。防水プラグを水密に着脱自在とする構造を有する容器構造であり、基板収納容器の洗浄は、防水プラグを水密に装着させて、洗浄槽に投入する洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】精密研磨した直後のＳｉＣ単結晶基板を用いて洗浄し、洗浄後のＳｉＣ単結晶基板表面の重金属の残留を極めて少なく出来るＳｉＣ単結晶基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】研磨剤２、および軟質な研磨パッド３を用いてＳｉＣ単結晶基板１の表面研磨を行う研磨工程（ａ）と、前記ＳｉＣ単結晶基板を複数枚集めて一つのトレイ４にセットし洗浄ロットを用意する洗浄準備工程（ｂ）と、前記洗浄ロットを薬液６へ浸漬させ、超音波洗浄する第一の超音波洗浄工程（ｃ）と、前記洗浄ロッドを酸と酸化剤と水からなる洗浄液８を用いて所定の温度にて洗浄を行う主洗浄工程（ｄ）と、ＳｉＣ単結晶基板１の表面に付着している洗浄液８をリンス液１１に置換するリンス工程（ｅ）と、前記洗浄ロットを超音波洗浄用の薬液１１へ浸漬させ超音波洗浄する第二の超音波洗浄工程（ｆ）と、前記洗浄ロットを乾燥する乾燥工程（ｇ）と、から成るＳｉＣ単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】レジスト、エッチング残渣、平坦化残渣、及び金属酸化物の一種以上をアルミニウム又はアルミニウム銅合金を含む基板から除去するための組成物であって、約0.005重量％から約５重量％までのフッ化物を与える成分、約１重量％から約50重量％までのグリコール溶媒、リン含有酸、及び水を含む組成物；該組成物と基板を接触させることを特徴とする方法。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェハの処理のための、特に半導体ウェハの洗浄および化学機械研磨のための組成物中での、過酸から選択された少なくとも１種の酸化剤の使用に関する。本発明はまた、組成物の使用およびそのための組成物に関する。本発明の酸化剤の使用は、基板の腐食を制限／回避しながら良好な効果をもたらす。 （もっと読む）

プラズマ処理チャンバ構成要素を洗浄する方法は、洗浄液による構成要素の他の表面または領域の損傷を回避しながら構成要素の表面を洗浄液に接触させることを含む。洗浄すべき例示的なプラズマ処理チャンバ構成要素は、プラズマ露出シリコン表面をもつシリコン部材と、バッキング部材と、シリコン表面とバッキング部材の間のエラストマー結合材とを有するエラストマー結合電極アセンブリである。
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【課題】レジストアッシング工程後の残留物を効果的に除去すると同時に、ウエハ上に留めたい緻密構造を侵食したり潜在的に劣化させることがない化学配合物を提供する。
【解決手段】フッ化物源を１〜２１重量％と、有機アミンを２０〜５５重量％と、含窒素成分（例えば含窒素カルボン酸またはイミン）を０．５〜４０重量％と、水を２３〜５０重量％と、金属キレート剤を０〜２１重量％とを含む半導体ウエハ洗浄配合物。 （もっと読む）

【課題】デバイス基板の洗浄において、配線や絶縁膜、容量膜等のデバイス材料の腐食や溶解を防止しつつ、基板上のパーティクル等の汚染を効果的に除去することができるデバイス基板用の洗浄組成物、洗浄方法、洗浄装置の提供。
【解決手段】１分子中に少なくとも１つの水酸基を有し、ＨＬＢが１２以上２０以下の非イオン界面活性剤と、ベンゾトリアゾール又はその誘導体と、を含有し、２５℃における水素電極基準の酸化還元電位が略−１２００ｍＶ以上１００ｍＶ以下または略４００ｍＶ以上１２００ｍＶ以下の塩基性水溶液を用いて基板を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性や指紋などの有機物の洗浄性に優れ、効率的な高度洗浄を可能にする半導体基板用洗浄剤を提供する。
【解決手段】一般式（１）のノニオン性界面活性剤および一般式（２）のノニオン性界面活性剤から選ばれる１種以上のノニオン性界面活性剤（Ａ）、アニオン性界面活性剤（Ｂ）並びに水（Ｃ）を含有してなる半導体基板用洗浄剤。


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【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】選択エピタキシャル成長プロセスの特性を改良する方法を提供する。
【解決手段】選択エピタキシャル成長工程を用いた半導体装置の製造方法であって、少なくとも、半導体基板を供給する工程と、半導体基板の上に絶縁性材料のパターンを形成し、これによりカバーされおよびカバーされない表面を形成する工程と、形成された絶縁性材料のパターンを有する半導体基板の、カバーされたおよびカバーされない表面を洗浄する工程と、絶縁性材料のパターンを有する基板をエピタキシャルリアクタの反応チャンバ中に入れる工程と、可能であれば少なくとも１つの第１キャリアガスと共に、少なくとも１つの半導体ソースガスを、エピタキシャルリアクタの反応チャンバ中に導入する工程を含む選択エピタキシャル成長を開始する工程とを含み、選択エピタキシャル成長を開始する工程に先立って、反応チャンバ中で、可能であれば第２キャリアガスと共に、ハロゲン含有エッチングガスを導入して、基板の表面にその場前処理が行われる。 （もっと読む）

プラズマエッチング後残留物をその上に有するマイクロ電子デバイスから前記残留物を洗浄するための洗浄組成物および方法。組成物は、チタン含有、銅含有、タングステン含有、および／またはコバルト含有のエッチング後残留物を含む残留材料の、マイクロ電子デバイスからの非常に有効な洗浄を達成するが、同時に、マイクロ電子デバイス上に同様に存在する層間誘電体、金属相互接続材料、および／またはキャッピング層に損傷を与えない。さらに、組成物は、窒化チタン層をその上に有するマイクロ電子デバイスからそれを除去するためにも有用であり得る。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物表面のパーティクル等の汚染物を効果的に除去することが可能な洗浄方法を提供するものである。
【解決手段】脱気処理した純水に酸素を溶解させて洗浄液を調製し、この洗浄液に超音波振動を付与して被洗浄物を洗浄することを特徴とする。 （もっと読む）

残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】処理室で平坦な壊れやすい基板（２）に処理液（１４）を供給するために、取扱いが容易で側面案内が可能である処理装置を提供する。
【解決手段】基板（２）は、搬送装置（３）によって水平通過で処理室を通して案内される。円筒状の回転可能に軸受けされる側面案内ローラ（２０）を備える側面案内装置は、送給方向（４）に配向された基板（２）の有利な送給を確実にする。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハのウェット処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハをウェット処理する方法において、マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする。
【効果】ウェハ表面の有機物成分、パーティクル成分等を効率的に洗浄除去することが可能となる。さらに洗浄におけるエッチング速度を自在に制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板処理メニスカスによって残される入口マークおよび／または出口マークを低減させるためのキャリア
【解決手段】上側および下側のプロキシミティヘッドによって形成されるメニスカスによって処理されている基板を支えるためのキャリアについて説明される。キャリアは、基板を受ける大きさの開口と、該開口内において基板を支えるための複数の支持ピンとを有するフレームを含む。開口は、基板と開口との間にギャップが存在するように基板よりわずかに大きくしてある。基板上の入口マークおよび／または出口マークの大きさと頻度とを低減させるための手段が提供され、該手段は、メニスカスからの液体をギャップから立ち退かせることを補助および促進する。入口マークおよび出口マークの大きさと頻度とを低減させるための方法も、提供される。 （もっと読む）

【課題】実施が容易で、デバイス性能に影響を与えずに、レジスト層を基板から除去する方法を提供する。
【解決手段】基板に接触するバルクレジストと、レジスト層の外表面に存在するレジスト外皮とを備えたレジスト層を、基板から除去する方法であって、基板に接触するレジスト層に、バルクレジストについて可溶でレジスト外皮について不溶である液体有機溶媒を少なくとも局所的に供給するステップと、メガソニックエネルギーを有機溶媒に供給して、レジスト外皮を解体し、バルクレジストを有機溶媒中に溶解させる有機溶媒キャビテーションを生成することによって、レジスト層を基板から剥がすステップとを含む。 （もっと読む）