【課題】基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ブラシ１１に関連して、ウエハＷの表面のブラシ接触領域Ｐに向けてＮ₂ガスを供給するためのＮ₂ノズル４４が設けられている。ブラシ接触領域Ｐには、ウエハＷの回転半径方向に沿ってその内側から外側に向かうＮ₂ガスが吹き付けられる。ブラシ１１は、カバー体４９の内部に収容されている。カバー体４９は、ブラシ１１の側方を取り囲む側壁５１と、この側壁５１を下方から閉鎖する底壁５２とを有している。カバー体４９には側壁５１の下端に、吸引口５４が形成されている。カバー体４９の内部の処理液を含む処理液を含む雰囲気が、吸引口５４を介して吸引されて排除される。 （もっと読む）

【課題】CMP処理に続いて半導体基材から処理残留物を除去するためのプロセス溶液、及び該プロセス溶液を使用する方法を提供すること。
【解決手段】1つ又は複数の界面活性剤を含むプロセス溶液を用いて半導体デバイスの製造における欠陥の数を低減する。いくつかの好ましい実施態様においては、本発明のプロセス溶液は、CMP処理の間又はその後にすすぎ溶液として用いた場合、欠陥を低減することができる。さらに、本発明のプロセス溶液を用いて、複数のCMP処理後の基材上にある欠陥の数を低減する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】優れた防食性を有するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】下記式（Ａ）又は（Ｂ）で表される化合物。
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【課題】金属（特にアルミニウムおよびモリブデン）の腐食を抑えつつ、優れた洗浄性を有するポリイミド用剥離剤を提供する。
【解決の手段】水、アルカリ剤［Ｂ］、多価アルコールを除く水溶性有機溶剤［Ｃ］、多価アルコール［Ｄ］、下記一般式（１）で表わされるシラン系化合物［Ａ］を含有し、前記［Ｃ］成分の含有量が３０〜９５重量％であるポリイミド用剥離剤。
[（Ｘ_２Ｎ−（ＣＨ_２）_ｌ−）_ｍＮＨ_２−ｍ−（ＣＨ_２）_ｋ−]_ｎＳｉ（ＯＲ）_４−ｎ （１）
［但し、式中ｋ、ｌは１〜４の整数、ｍは０〜２の整数、ｎは１〜３の整数を表す。Ｒは水素又は炭素数１〜４のアルキル基、Ｘは水素又は炭素１〜４のアルキル基である。］ （もっと読む）

【課題】半導体の基板から有機及び無機のポストエッチ残渣ならびにポリマー残渣及び汚染物質を除去するために使用される水性組成物を提供すること。
【解決手段】組成物が、水溶性有機溶媒、スルホン酸及び水から構成される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。
【解決手段】（Ａ）有機酸、（Ｂ）界面活性剤、及び（Ｃ）無機酸を含有することを特徴とする半導体デバイス用の基板の洗浄液。 （もっと読む）

基板から望ましくない物質を除去するための組成物であって、ヒドロキシルアミンまたはヒドロキシルアミン誘導体、第４級アンモニウム化合物、および少なくとも１つの極性有機溶媒を含む、組成物。この組成物は、ウェハレベルパッケージングの適用およびはんだバンプ形成の適用からフォトレジストを除去することができる。
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【課題】銅配線を備えた半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、銅配線の腐蝕や酸化、それに起因する平坦化された基板上配線の表面荒れの発生が抑制され、且つ、半導体デバイス表面の不純物を有効に除去し得る洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、（Ａ）ポリカルボン酸と、（Ｂ）アルデヒド構造を有する化合物と、を含有し、ｐＨが０．５〜５であることを特徴とする洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハ３）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板（ウエハ３）の周縁部を処理するための周縁処理機構(7)と、周縁処理機構(7)に対して相対的に回転する基板（ウエハ３）を保持するための基板保持機構(6)とを有し、周縁処理機構(7)は、基板（ウエハ３）の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(16)と、処理液供給部(16)よりも基板（ウエハ３）の周縁部に対して内側に隣設し、基板（ウエハ３）に向けてガスを噴出するガス噴出部(17)と基板（ウエハ３）の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(35)とを有することにした。 （もっと読む）

【課題】ダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2よりも大きくて平坦な面を有するIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板を構成するダングリングボンド密度が１４．０ｎｍ^-2より大きい面を、アンモニウム塩を含む洗浄剤で洗浄する。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスからバルクフォトレジスト材料および／または硬化フォトレジスト材料を除去するための方法および鉱酸含有組成物を開発した。鉱酸含有組成物は、少なくとも１種の鉱酸と少なくとも１種の硫黄含有酸化剤と任意選択的に少なくとも１種の金属イオン含有触媒とを含む。鉱酸含有組成物は、下に位置するシリコン含有層に損傷を与えることなく硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。
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【課題】洗浄性に優れ、被洗浄物の持込による洗浄液の劣化が少なく、さらに引火点がなく、人体や環境への影響が少ないウエハ又は板状物の洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】次の成分（ａ）〜（ｅ）を含有することを特徴とするウエハ又は板状物の洗浄剤組成物である。
（ａ）下記一般式（１）で示されるアルキルポリグルコシド ５〜４０重量％
Ｒ−Ｏ−（Ｇ）ｎ−Ｈ ……（１）
（式中Ｒは炭素数１〜２２の直鎖又は分岐のアルキル基であり、Ｇは炭素数５〜６の還元糖を示し、ｎは１〜５である。）
（ｂ）金属イオン封鎖剤（キレート剤） １〜２０重量％
（ｃ）アルカリ剤 １〜３０重量％
（ｄ）エーテル型非イオン界面活性剤 １〜３０重量％
（ｅ）水 残部 （もっと読む）

半導体集積回路及び／又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び／又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート（特に銅エッチレート及びＴｉＷエッチレート）の低下したレジスト剥離剤を、その使用方法とともに提供する。好ましい剥離剤は、添加された銅塩とともに、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するための添加されたアミンとともに、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有する。更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造を提供する。 （もっと読む）

【課題】金属配線材料に対する優れた孔食防止効果を有する洗浄剤組成物、なかでも、フォトレジストの剥離・除去性に優れ、金属配線材料に対する優れた防食性と孔食防止効果を有する洗浄剤組成物を提供する。
【解決の手段】（Ａ）フッ化水素酸及びフッ化水素酸塩のうち少なくとも１種と、（Ｂ）亜硫酸塩及び二亜硫酸塩のうち少なくとも１種と、（Ｃ）水とを含有する、半導体集積回路又は液晶ディスプレイの製造工程で用いられる洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に金電極または金配線を形成するためヨウ素系のエッチング液にてエッチングする際に、半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物をほぼ完全に除去すると共に、半導体装置に二次的な損傷を与えることのない洗浄液、該洗浄液を用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 ヨウ素系エッチング液によって形成された金電極または金配線を有する半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物を洗浄するための洗浄液であって、該洗浄液がチオ硫酸塩を含む水溶液である洗浄液、それを用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、特にタングステン又はタングステン合金を含む層を有する半導体多層積層体においても、この層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離できる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】フッ酸、過酸化水素、及び水を含有し、更に、フッ酸以外の無機酸を含有する窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液が、フッ酸以外の無機酸を含むので、半導体多層積層体がタングステン又はタングステン合金を含む層を有する場合においても、窒化チタン剥離液がこの層を浸食することなく、窒化チタン被膜を剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】超小型エレクトロニクス基板の洗浄のため（特にＣＭＰ後の洗浄のため、またはバイア形成後の洗浄のため）の洗浄溶液を提供すること。
【解決手段】本発明の洗浄溶液は、第４級アンモニウムヒドロキシド、有機アミン、腐食防止剤、必要に応じて有機酸、および水を含むものを提供することにより上記課題を解決する。好ましい洗浄溶液は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、モノエタノールアミン、没食子酸、アスコルビン酸、および水を含み、この洗浄溶液のアルカリ度は、溶液１グラムあたり０．０７３ミリ当量塩基より大きい。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の加工面の傷や加工時に生じる不純物などを効果的に除去する洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法により作製したＳｉＣ成形体を所望の形状に加工した後、酸洗浄し、次いで、（１）該ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を陽極として２．０Ｖ以上の正電位を印加して表面に二酸化ケイ素の膜を形成する電解研磨処理、（２）引き続き、フッ化水素酸系の酸により二酸化ケイ素膜の溶解除去処理、を施した後、純水で洗浄し、乾燥することを特徴とするＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板やガラス基板の洗浄液やエッチング液として、アルカリ水溶液で金属不純物の付着がない、さらに洗浄能力を持つ水溶液組成物を提供する。
【解決手段】基板の洗浄またはエッチングに用いられる水溶液組成物であって、一般式（１）


で表されるキレート剤、およびアルカリ成分を含有する、前記水溶液組成物により、金属不純物の基板への吸着を防止し、さらには基板に吸着した金属不純物を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも基板の熱洗浄によって表面の不純物および酸化物の除去が可能な程度に表面が清浄なＧａＡｓ半導体基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＡｓ半導体基板１０は、Ｘ線光電子分光法により、光電子取り出し角θが１０°の条件で測定されるＧａ原子およびＡｓ原子の３ｄ電子スペクトルを用いて算出される、ＧａＡｓ半導体基板１０の表面層１０ａにおける全Ａｓ原子に対する全Ｇａ原子の構成原子比Ｇａ／Ａｓが０．５以上０．９以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＡｓ原子の比（Ａｓ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＧａ原子の比（Ｇａ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下である。 （もっと読む）