【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｃ）塩基性有機化合物、並びに、（成分ｄ）有機酸、を含み、ｐＨが７〜９であることを特徴とする、半導体用基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明はバルクフォトレジスト、ポストエッチ及びポストアッシュ残渣、Ａｌバックエンド工程相互接続構造からの残渣、並びに混入物を除去するための水系配合物及びそれを使用する方法に関する。
【解決手段】この配合物は、ヒドロキシルアミン；アルキルジヒドロキシベンゼンとヒドロキシキノリンとの混合物を含む腐食防止剤；アルカノールアミン、水溶性溶媒又はこれら２つの組み合わせ；及び少なくとも５０重量％の水を含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ製造工程等で要求される、非常に狭い隙間の汚れ除去に対して優れた洗浄性を示し、被洗浄物の持込による洗浄液の劣化が少なく、人体や環境への影響が少ない中性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される（ａ）エーテル型非イオン界面活性剤０．３〜３重量部および（ｂ）水（（ａ）との合計量１００重量部中残部）からなるものとする；
Ｒ−Ｏ−（ＡＯ）ｎ−Ｈ ・・・（１）
但し、式（１）中、Ｒは炭素数８〜２４の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基を示し、ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基を示し、ｎはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、１〜１００である。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の反応炉部品上の残留反応生成物（不可視膜）の有無を、簡単な方法で検知できる反応生成物の検知方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を気相成長させた後の反応炉部品１１上に付着した反応生成物を洗浄した後、反応炉部品１１に特定の波長の光、例えば、ブラックライト１６を照射して反応炉部品１１上に残留する反応生成物の発光状態を検出することにより、反応炉部品１１上の反応生成物の残留状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】化学処理を伴うウェーハ表面処理方法において、従来のウェット処理等、拡散律速型処理による表面処理で問題視されていた反応ムラを効果的に抑制し、表面性状に優れたウェーハを提供する。
【解決手段】化学処理を伴うウェーハ表面処理方法であって、前記化学処理が、反応律速型処理工程と、該反応律速型処理工程に続く拡散律速型処理工程とを含むことを特徴とする、ウェーハ表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置に用いられる基板上に存在する有機物または無機物などのパーティクルを除去するとともに平板表示装置に用いられる銅を含む配線、アルミニウムを含む配線を腐食させない洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量に対し、（ａ）アミン化合物０．０５〜５重量％；（ｂ）アゾール系化合物、アルカノールアミン塩及び還元剤よりなる群から選ばれる１種または２種以上を含む添加剤０．０１〜１０重量％；及び（ｃ）残量の水を含む。 （もっと読む）

本発明は、実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物に関する。特に、イオン注入工程の後にフォトレジストを剥離するのに有用な実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物であって、
（ａ）アミン
（ｂ）有機溶媒Ａ，及び
（ｃ）共溶媒、
を含み、組成物は実質的に水分を含まない（＜３質量％Ｈ₂Ｏ）。本発明は、同様に、本発明の組成物を用いてポストイオン注入フォトレジスト剥離のプロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】湿潤、浸透効果に優れて太陽電池用基板上に存在する汚染物質に対する洗浄効果に優れるとともに、後工程のテクスチャリングに悪影響を及ぼさず、太陽電池の製造収率を向上させる洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】本発明は太陽電池用洗浄液組成物であって、有機アルカリ化合物、水溶性グリコールエーテル化合物、過炭酸塩、有機リン酸またはその塩、及び水を含むことを特徴とする洗浄液組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】 シリコンインゴットのスライス後の洗浄において、シリコンウエハ表面の平坦性を損ねることなく、シリコンウエハ表面の汚れに対し優れた洗浄性を実現するシリコンウエハ製造工程用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 重量平均分子量６００〜２００,０００のアニオン性界面活性剤（Ａ）、高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物（Ｂ１）およびシリコーン系界面活性剤（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の浸透剤（Ｂ）、並びにアルカリ（Ｃ）を必須成分とすることを特徴とするシリコンウエハ製造工程用洗浄剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物と、少なくともアルコール溶媒を含む有機溶媒が混合されて含まれるものとすること。 （もっと読む）

【課題】改善されたイメージ品質を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハ並びにエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの適切な製造方法の提供
【解決手段】丸められたエッジを備えたシリコンウェハのグループを準備する工程、前記シリコンウェハのエッジをポリシングする工程、前記シリコンウェハを洗浄する工程、欠陥及びエッジラフネスに関してシリコンウェハのグループのエッジ領域を調査し、前記シリコンウェハのグループから、１０〜８０μｍの空間波長領域に関して１ｎｍ ＲＭＳよりも低い表面粗さを有するシリコンウェハを選択する工程、選択されたシリコンウェハを枚葉型エピタキシー反応器中で前処理し、その際、第１の工程で水素雰囲気中で１〜１００ｓｌｍの流量で処理を行い、更に第２の工程でエッチング媒体を０．５〜５ｓｌｍの流量で前記水素雰囲気に添加し、ガス分配装置を用いて反応室中で分配する工程、前記シリコンウェハをエピタキシャル被覆する工程を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 （もっと読む）

（Ａ）それぞれの試験液（ＡＢ）の全質量に対する百分率で表して、０．０６〜４質量％の、溶解したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｂ）の存在下に、遠ＵＶ吸収発色団を含む、厚さが３０ｎｍのポリマー性バリア反射防止層について、５０℃で一定の除去速度を示す溶媒から成る群から選ばれる、少なくとも１種の極性有機溶媒、
（Ｂ）少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウム、及び
（Ｃ）少なくとも１個の第１級アミノ基を含む、少なくとも１種の芳香族アミン、
を含む液体組成物、その製造方法、及びこの液体組成物をレジストストリッピング組成物として使用した、電気装置の製造方法、及びシリコンビアを通してパターン化、及び／又はメッキ及びバンピングすることによって３Ｄ Ｓｔａｃｋｅｄ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ及び３Ｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋｉｎｇｓを製造する中で、ネガティブトーン及びポジティブトーンフォトレジスト、及びエッチング後の残留物を除去するために、上記液体組成物を使用する方法。 （もっと読む）

組成物、方法、およびシステムは、反応器の金属部（チタンおよび／またはチタン合金など）における金属酸化物を選択的にエッチングできる。エッチング組成物はアルカリ金属水酸化物および没食子酸を含む。この方法は酸化アルミニウムなどの金属酸化膜の堆積に用いられる反応チャンバの洗浄に有用である。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜とその下層となる被膜とを同時に剥離することができる、レジスト剥離液を提供すること。
【解決手段】基板上に直接、又は他の層を介して形成される無機系レジスト下層膜と、前記無機系レジスト下層膜上に形成されるレジスト膜と、を有する多層レジスト積層体において、前記無機系レジスト下層膜及び前記レジスト膜を除去するために用いられる多層レジスト積層体用剥離液であって、（Ａ）４級アンモニウム水酸化物、（Ｂ）水溶性有機溶剤、及び（Ｃ）水を含む多層レジスト積層体用剥離液。 （もっと読む）

基材，例えば電子デバイス基材，例えば超小型電子ウェハまたはフラットパネルディスプレイからの有機物質の除去のために有用な組成物および方法を提供する。最小体積の組成物をコーティングとして無機基材に適用することによって、十分な熱を加え、そして直ちに水でリンスして完全な除去を実現する方法を提供する。これらの組成物および方法は、ポジ型およびネガ型の種類のフォトレジスト、更に電子デバイスからの熱硬化性ポリマーを除去および完全に溶解させるのに特に好適である。 （もっと読む）

【課題】基板のベベル部の被エッチング面を均一にすることにより、パーティクル発生を抑制する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板保持台２５上に、ベベル部２１ａを覆う材料膜２７が形成された基板２１を載置する工程（ａ）と、材料膜２７が形成されたベベル部２１ａに洗浄パッド２２を接触させて、洗浄パッド２２に染み込ませたエッチング液によって材料膜２７を除去する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、洗浄パッド２２に純水を染み込ませることにより、エッチング液を純水に置換すると共に、ベベル部２１ａを水洗する工程（ｃ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物と、含窒素化合物溶媒を含む有機溶媒とが混合されて含まれるものであり、該撥水性化合物は、該撥水性洗浄液の総量１００質量％に対して０．１〜５０質量％となるように混合されて含まれ、さらに、該含窒素化合物溶媒は、窒素に結合する元素が炭素であるものとすること。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスデバイスまたはナノエレクトロニクスデバイスを洗浄するための洗浄組成物であって、組成物中の唯一の酸および唯一のフッ化物化合物としてのＨＦと、スルホンおよびセレノンからなる群から選択された少なくとも１種の第一の溶媒と、金属イオン錯化または結合部位を有する、ポリヒドロキシルアルキルアルコールまたはポリヒドロキシルアリールアルコールの少なくとも１種の共溶媒と、水と、任意選択で少なくとも１種のホスホン酸腐食防止剤化合物とを含み、アミン、塩基、およびその他の塩を含まない洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板を洗浄するための方法が開示されており、その方法は、液体媒質が、洗浄される基板の一部を実質的に覆うように、基板の表面に液体媒質を供給する工程を備える。音響エネルギを生成するために、１または複数の変換器が用いられる。生成された音響エネルギは、液体媒質に印加された音響エネルギが液体媒質内でのキャビテーションを防止するように、基板および液体媒質メニスカスに印加される。基板に印加された音響エネルギは、液体媒質内に導入される音波に最大の音波変位を提供する。基板および液体媒質に導入された音響エネルギは、基板表面からの粒子汚染物質の除去を可能にする。除去された粒子汚染物質は、液体媒質内に取り込まれ、液体媒質によって基板表面から運び去られる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ後洗浄組成物およびそれを含む方法を提供すること。
【解決手段】洗浄組成物において、その組成物のｐＨが９．５〜１１．５の範囲にあり、水、有機塩基、ならびにアミノポリカルボン酸およびヒドロキシルカルボン酸を含む複数のキレート剤を含むように構成する。 （もっと読む）