【課題】 銅配線にスクラッチを生じると配線の断線による導電不良を引き起こす。そこで銅配線にスクラッチを生じさせない（スクラッチ抑制効果がある）銅配線半導体用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 第４級アンモニウムヒドロキシド、アミン、有機酸を含有し、ｐＨがアルカリ性であって、銅がめっきされたシリコンウエハー（Ｃ）の銅表面の洗浄剤中での静止摩擦力であって、原子間力顕微鏡とカンチレバーを使用して測定した静止摩擦力が４００ｎＮである銅配線半導体用洗浄剤を用いて洗浄する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを作製すると、半導体デバイスの動作への影響を抑制できる、ＳｉＣ基板、エピタキシャルウエハおよびＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０は、主面を有し、かつＳｉＣからなる下地基板を準備する工程と、主面を第１のアルカリ性溶液を用いて洗浄する工程と、第１のアルカリ性溶液を用いて洗浄する工程後に、主面を第２のアルカリ性溶液を用いて洗浄する工程とを備えたＳｉＣ基板であって、主面１１を有し、主面１１の残渣が０．２個以上２００個未満である。 （もっと読む）

【課題】 フラットパネルディスプレイ基板及びフォトマスク基板等の電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく適度なエッチング性を付与し、また界面活性剤を用いて基板表面から脱離したパーティクルの分散性を高めることで、優れたパーティクルの除去性を実現し、これにより、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にするフラットパネルディスプレイ基板及びフォトマスク基板等の電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 界面活性剤（Ａ）を含有してなる電子材料用洗浄剤であって、有効成分濃度０．０１〜１５重量％における２５℃でのｐＨ及び酸化還元電位（Ｖ）［単位はｍＶ、ｖｓＳＨＥ］が下記数式（１）を満たすことを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｖ ≦ −３８．７×ｐＨ＋５５０ （１） （もっと読む）

【課題】ＣｏＷＰが露出したパターン化ウェハを、ＣｏＷＰの完全性を維持したままで洗浄することのできる優れた湿式洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＣｏＷＰフィーチャーを有する半導体基板から発生するエッチング後残渣および灰化後残渣を除去するための湿式洗浄処方物であって、脱イオン水；有機酸；アミンおよび／または水酸化４級アンモニウム；からなり、前記処方物はＣｏＷＰフィーチャーと適合性があり、かつ、（ａ）アミンおよび／または水酸化４級アンモニウムの有機酸に対するモル比によってｐＨが７〜１４の値をとる；あるいは、（ｂ）前記処方物は腐食防止剤を含む、のいずれかであることを特徴とする。前記処方物を使用した方法についても記載する。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する
【解決手段】 炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】ウエハ表面に付着するワックスの均一的な除去を可能とし、洗浄中のパーティクルの再付着および洗浄槽のフィルター詰まりの問題を低減することが可能な、ワックスの除去方法を提供する。
【解決手段】洗浄液を用いてウエハ表面に付着するワックスを除去する半導体ウエハの洗浄方法において、当該洗浄液がマイクロバブルを含むことを特徴とする、洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハ洗浄工程においてウェハ表面へのウォーターマークの発生を抑制できるウ
ェハ洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るウェハ洗浄方法は、半導体ウェハを洗浄液に浸漬させて洗浄す
るウェハ洗浄方法において、半導体ウェハ１７における製品チップ１０領域の長辺方向と
洗浄液１６の液面とが作る角度を３°以内に保ち、且つ半導体ウェハ１７の表面と洗浄液
１６の液面とが作る角度を３°以内に保ちながら、半導体ウェハ１７を洗浄液１６に浸漬
させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低ｋ誘電体材料又は銅相互接続材料を損なわずに、マイクロ電子デバイスの表面からのＣＭＰ後の残渣及び汚染物質材料を効果的に洗浄を達成すること。
【解決手段】化学的機械的研磨（ＣＭＰ）後の残渣及び汚染物質を、自身上に前記残渣及び汚染物質を有するマイクロ電子デバイスから洗浄する洗浄組成物及びプロセス。洗浄組成物は新規の腐食防止剤を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの表面を研磨した際に表面に作用する応力により形成された凸状の欠陥を適切に除去可能な半導体ウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ表面１１をオゾンにより酸化して欠陥１２以外の部分にシリコン酸化膜１０Ａを形成する。その後フッ酸３を噴霧し、酸化膜１０Ａを溶解除去する。さらにこの後、洗浄ガス４をシリコンウェハ１の表面に噴射し、欠陥１２を溶解除去する。 （もっと読む）

【課題】
半導体基板やガラス基板の洗浄液やエッチング液として、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ナトリウムなどの水溶液が用いられるが、アルカリ成分中の金属不純物が処理中に基板表面に吸着してしまうため、次工程として吸着した金属不純物を除去する工程が必要となる。また洗浄液の場合には、微粒子の除去には効果があるが、金属不純物は洗浄出来ないために酸洗浄を行う必要があり、工程が複雑となる。本発明では、アルカリ性水溶液で金属不純物の吸着がない、さらには洗浄能力を持つ基板処理用水溶液組成物を提供する。
【解決手段】
アルカリ成分と、特定のキレート剤とを組み合わせた基板処理用アルカリ性水溶液により、金属不純物の基板への吸着を防止し、さらには基板に付着した金属を洗浄除去する。必要に応じて、金属防食剤および界面活性剤を加えて、金属材料の腐食を抑え、あるいは基板への親和性および微粒子除去能力を高めることも可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エレクトロニクス材料等の洗浄工程で要求される製品表面の高清浄度を実現することができ、かつ、リンス時に洗浄剤成分が素早く除去できる水溶性洗浄剤組成物を提供する
【解決手段】
（Ａ）１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、
（Ｂ）式：Ｒ−（ＰＯ）_ｎ−（ＥＯ）_ｍ−ＯＨ
で表される非イオン性界面活性剤、
（Ｃ）式：Ｒ−（ＥＯ）_ｌ−ＯＨ
で表される非イオン性界面活性剤、及び
（Ｄ）有機酸
を含有する水溶性洗浄剤組成物であって、以下の（１）及び（２）の関係式を同時に満たす水溶性洗浄剤組成物。


［式中の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）は各々の成分の重量％を示す。］ （もっと読む）

【課題】異種の基板同士を貼り合わせることにより表裏面の性質が異なるハイブリッド基板を洗浄する際に、除去された汚染物の再付着を防止することができ、さらには洗浄後の基板の清浄度を間接的に確認できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】活性層となる半導体基板と、活性層用半導体基板とは異種の支持基板とを貼り合せたハイブリッド基板の洗浄方法であって、少なくとも、洗浄液中でハイブリッド基板の支持基板表面のゼータ電位と反対符号の電位を有するダミー基板と、ハイブリッド基板を交互に配置した状態で、洗浄液中に浸漬させて洗浄するハイブリッド基板の洗浄方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の一実施形態によると、腐食防止剤と、可溶化剤と、脱酸素剤と、ｐＨ調整剤としても機能する錯化剤とを含む洗浄溶液が提供されている。本発明の別の実施形態では、ｐＨ調整剤と、随意的な錯化剤と、腐食防止剤とを含む洗浄溶液が提供されている。洗浄溶液は、可溶化剤を随意的に有してもよく、界面活性剤を随意的に有してもよく、誘電体エッチャントを随意的に有してもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１ウエハの上部に第２ウエハを結合させる段階と、第２ウエハの背面にハードマスク層を形成する段階と、ハードマスク層の上部に、ビアホール領域を露出させる感光膜パターンを形成する段階と、感光膜パターンをエッチングマスクとしてハードマスク層をエッチングすることでハードマスクパターンを形成する段階と、ハードマスクパターンをエッチングマスクとして第１及び第２ウエハを一定深さまでエッチングすることでビアホールを形成する段階と、を含む。これによると、両ウエハを非常に効果的に接合させることができ、高いアスペクト比を持つビアホールに残留する残渣をきれいに除去でき、素子特性をより向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 （１１１）表面のシリコン（Ｓｉ）基板に、原子レベルで超平坦な表面を実現する。
【解決手段】 シリコン基板（１１１）表面を、予め、フッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）溶液で表面処理した後、濃度６８％，沸点１２０．７℃の共沸硝酸溶液内に浸漬して、前記シリコン基板表面に二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）主体の被膜を形成し、ついで、濃度４０重量％のフッ化アンモニウム（ＮＨ_４Ｆ）溶液で上記二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）主体の被膜をエッチング除去する。ＡＦＭ像では、バイレイヤー ステップが観測され、表面粗さの指標（ＲＭＳラフネス値）が0.07nmと判定され、原子レベルでの超平坦な表面が形成できた。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池の光吸収層などに使用することができ、しかも高い変換効率を有する硫化物系化合物半導体を提供すること。
【解決手段】Ｎａ共存下において、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体を製造し、極性溶媒を用いて前記硫化物系化合物半導体を洗浄することにより得られる硫化物系化合物半導体。極性溶媒は、水が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、処理液の浸入防止が必要な被処理体の非処理領域を気密に保持する手段を備え、気密保持の確認を超音波を利用して行うことにより、被処理体にダメージを与えることなく、簡便にかつ確実に気密保持の確認ができるようにした表面処理用治具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面処理用治具は、表面処理用の治具において、被処理体の非処理領域を覆うカバー部材と、該カバー部材と被処理体の非処理領域の周囲の間をシールするシール部材とを設け、カバー部材で覆われた内部空間に超音波発生装置を設けることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄方法及び保管方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄方法は、ヒドロキシ酸を含む溶液中で、マイクロバブルの存在下で洗浄することを特徴とする。
【効果】本発明の洗浄方法により、シリコンウエハ表面のパーティクル成分、油分汚染等を効率的に洗浄除去し、再汚染を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、良好に除去できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、含フッ素化合物を含有する洗浄液に浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、前記含フッ素化合物が、炭素数５以上の直鎖または分岐構造のパーフルオロアルキル基を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板処理装置１の液処理部２において洗浄槽６に貯留された洗浄液に基板Ｗを浸す。また、乾燥処理部３においてチャンバー５を内部に形成するチャンバー壁６０を加熱する。チャンバー壁６０を加熱した後、チャンバー５内に流体のミストを供給する。チャンバー５内に流体のミストを供給した後、基板Ｗを洗浄槽６からチャンバー５内まで移動させる。そして、基板Ｗを内側槽３０からチャンバー５内まで移動させる間に、または基板Ｗを移動させた後に、チャンバー５内に乾燥ガスを供給し、基板Ｗの乾燥を行う。 （もっと読む）