基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体
【課題】乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板処理装置１の液処理部２において洗浄槽６に貯留された洗浄液に基板Ｗを浸す。また、乾燥処理部３においてチャンバー５を内部に形成するチャンバー壁６０を加熱する。チャンバー壁６０を加熱した後、チャンバー５内に流体のミストを供給する。チャンバー５内に流体のミストを供給した後、基板Ｗを洗浄槽６からチャンバー５内まで移動させる。そして、基板Ｗを内側槽３０からチャンバー５内まで移動させる間に、または基板Ｗを移動させた後に、チャンバー５内に乾燥ガスを供給し、基板Ｗの乾燥を行う。
【解決手段】基板処理装置１の液処理部２において洗浄槽６に貯留された洗浄液に基板Ｗを浸す。また、乾燥処理部３においてチャンバー５を内部に形成するチャンバー壁６０を加熱する。チャンバー壁６０を加熱した後、チャンバー５内に流体のミストを供給する。チャンバー５内に流体のミストを供給した後、基板Ｗを洗浄槽６からチャンバー５内まで移動させる。そして、基板Ｗを内側槽３０からチャンバー５内まで移動させる間に、または基板Ｗを移動させた後に、チャンバー５内に乾燥ガスを供給し、基板Ｗの乾燥を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の基板を薬液やリンス液等の洗浄液に浸漬して洗浄した後、この洗浄が行われた基板を乾燥ユニットで乾燥させるような基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体に関し、とりわけ、乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体製造装置における製造工程においては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の基板（以下、ウエハ等という）を、薬液やリンス液等の洗浄液が貯留された洗浄槽に順次浸漬して洗浄を行う洗浄処理方法が広く採用されている。また、洗浄後のウエハ等の表面に例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の揮発性を有する有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを接触させて、乾燥ガスの蒸気をウエハ等の表面に凝縮あるいは吸着させて、その後Ｎ２ガス（窒素ガス）等の不活性ガスをウエハ等の表面に供給することによりウエハ等の表面にある水分の除去及び乾燥を行う乾燥処理方法が知られている。
【０００３】
この種の洗浄処理方法および乾燥処理方法の両方を行う基板処理装置においては、薬液やリンス液等の洗浄液を貯留する洗浄槽が設置されており、この洗浄槽の上方に、当該洗浄槽の洗浄液に浸漬されたウエハを乾燥させるための乾燥ユニットが設けられている。この乾燥ユニットは、チャンバー（乾燥室）を内部に形成するチャンバー壁を有しており、洗浄槽内の洗浄液に浸漬されたウエハは乾燥ユニットのチャンバー内に移動させられ、このチャンバー内に乾燥ガスが供給されることによりウエハの乾燥が行われるようになっている（例えば、特許文献１、２等参照）。
【０００４】
特許文献１、２等に示す従来の基板処理装置においては、まず洗浄槽に貯留された洗浄液にウエハ等を浸し、このウエハ等の洗浄を行う。この際に、チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度の高温Ｎ２ガスを予めチャンバー内に供給しておき、チャンバー内を高温ガスで充満させるとともに、チャンバー壁を加熱しておく。ここで、チャンバー壁を加熱するために、チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度の高温Ｎ２ガスをチャンバー内に供給する代わりに、チャンバー壁にヒータを設け、このヒータによりチャンバー壁を加熱してもよい。この場合でも、チャンバー壁がヒータにより加熱されると、この加熱されたチャンバー壁によりチャンバー内のガスは加熱されて高温ガスとなる。
【０００５】
その後、ウエハを洗浄槽内の洗浄液から引き上げて乾燥ユニットのチャンバー内に移動させ、シャッタ等によりチャンバーを密閉状態にする。そして、チャンバー内に乾燥ガスを供給し、この乾燥ガスをウエハ等の表面に接触させることにより、乾燥ガスの蒸気をウエハの表面に凝縮あるいは吸着させる。その後、不活性ガスをウエハ等の表面に供給することによりウエハ等の表面にある水分の除去及び乾燥を行う。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１５４６８８号公報
【特許文献２】特開２００７−５４７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のような基板処理装置において、ウエハを洗浄槽内の洗浄液から引き上げて乾燥ユニットのチャンバー内に移動させる前に、チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度の高温Ｎ２ガスを予めチャンバー内に供給しておき、チャンバー内を高温ガスで充満させるとともに、チャンバー壁を加熱している。ウエハをチャンバー内に移動させる前にチャンバー壁を予め加熱しておく理由としては、もしチャンバー壁の温度が低い場合には、チャンバー内に乾燥ガスを供給した際にこの乾燥ガスがチャンバー壁により冷却されて凝縮してしまい、ウエハの表面に凝縮あるいは吸着される乾燥ガスの量が低減し、ウエハに対する乾燥性能が劣るようになってしまうからである。
【０００８】
しかしながら、チャンバー壁が加熱されるとチャンバー内のガスも高温ガスとなるため、ウエハを洗浄槽内の洗浄液から引き上げて乾燥ユニットのチャンバー内に移動させたときに、このウエハの温度も上昇してしまう。ウエハの温度が上昇すると、当該ウエハの表面に凝縮あるいは吸着される乾燥ガスの量が低減してしまい、ウエハに対する乾燥性能が低下するおそれがある。
【０００９】
このように、本願の発明者は、乾燥ユニットにおいてウエハの乾燥を行う際に、チャンバー壁を高温に維持しつつ、チャンバー内のガスを大気の温度よりも低い温度にした場合に、乾燥ガスがチャンバー壁により冷却されて凝縮してしまうことを防止することができ、かつチャンバー内に移動させられるウエハの温度が上昇することを抑制し、このウエハの表面に凝縮あるいは吸着される乾燥ガスの量が低減してしまうことを防止することができるということを発見した。
【００１０】
また、ウエハを洗浄槽内の洗浄液から引き上げて乾燥ユニットのチャンバー内に移動させる前の段階において、高温Ｎ２ガスがチャンバー内に供給されること等によってチャンバー内が乾燥状態となっていた場合には、ウエハを乾燥ユニットのチャンバー内に移動させたときにこのウエハに付着した水分が自然乾燥してしまい、ウエハの表面にウォーターマークが形成されてしまうおそれがある。
【００１１】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、乾燥ユニットのチャンバー内において基板の表面に凝縮あるいは吸着される乾燥ガスの量が低減してしまうことを防止するとともに基板がチャンバー内に移動させられたときにこの基板の表面にウォーターマークが形成されることを抑制し、このことにより、乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の基板処理装置は、基板の洗浄液を貯留する洗浄槽と、前記洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットであって、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁、前記チャンバー壁を加熱するためのチャンバー壁加熱部、前記チャンバー内に流体のミストを供給する流体ミスト供給部、および前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部を有する乾燥ユニットと、基板を保持して当該基板を前記洗浄槽内と前記乾燥ユニットのチャンバー内との間で移動させる保持部と、前記チャンバー壁加熱部、前記流体ミスト供給部、前記乾燥ガス供給部および前記保持部の制御を行う制御部であって、まず前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸し、次に前記乾燥ユニットにおいて前記チャンバー壁加熱部によりチャンバー壁を加熱し、その後前記流体ミスト供給部により流体のミストを前記チャンバー内に供給し、その後前記保持部により基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させ、この間に、または前記乾燥ユニットのチャンバー内まで基板を移動させた後に、前記乾燥ガス供給部により前記チャンバー内に乾燥ガスを供給するよう、前記チャンバー壁加熱部、前記流体ミスト供給部、前記乾燥ガス供給部および前記保持部の制御を行う制御部と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の基板処理方法は、基板の洗浄液を貯留する洗浄槽および当該洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットを備えた基板処理装置における基板処理方法であって、前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸す工程と、前記乾燥ユニットにおいて、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁を加熱する工程と、前記チャンバー壁を加熱した後、前記乾燥ユニットのチャンバー内に流体のミストを供給する工程と、前記チャンバー内に流体のミストを供給した後、基板を前記洗浄槽内から前記チャンバー内まで移動させる工程と、基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる間に、または基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させた後に、前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の基板処理装置および基板処理方法によれば、まず乾燥ユニットにおいてチャンバー壁を加熱し、その後、流体のミストをチャンバー内に供給することによってこの流体のミストでチャンバー内のガスを冷却し、その後、基板を洗浄槽内から乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させている。そして、チャンバー内に乾燥ガスを供給することにより基板の乾燥を行っている。
【００１５】
このように、乾燥ユニットにおいてチャンバー壁を加熱した後、流体のミストをチャンバー内に供給することによってこの流体のミストでチャンバー内のガスを冷却することにより、チャンバー壁を高温に維持しつつ、チャンバー内のガスを短時間でチャンバー壁の温度よりも低い温度にすることができる。
【００１６】
このため、乾燥ガスがチャンバー壁により冷却されて凝縮してしまうことを防止しつつ、チャンバー内に移動させられる基板の温度が上昇することを抑制し、この基板の表面に凝縮あるいは吸着される乾燥ガスの量が低減してしまうことを防止することができる。このことにより、乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる。
【００１７】
さらに、基板が乾燥ユニットのチャンバー内に移動させられる前に流体のミストをこのチャンバー内に供給することによってチャンバー内を予め加湿することができる。このため、基板をチャンバー内に移動させたときに、チャンバー内が加湿されているので、基板の表面に乾燥ガスが凝縮あるいは吸着する前に基板に付着した水分が自然乾燥してしまうことを抑制することができる。このことにより、基板をチャンバー内に移動させた直後に基板の表面にウォーターマークが形成されることを抑制することができる。
【００１８】
本発明の基板処理装置においては、前記流体ミスト供給部により前記チャンバー内に供給される流体のミストの温度は、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっていることが好ましい。
【００１９】
本発明の基板処理装置においては、前記流体ミスト供給部により前記チャンバー内に供給される流体のミストは、純水、イソプロピルアルコール、ハイドロフルオロエーテル、またはこれらの混合物からなる流体のミストであることが好ましい。
【００２０】
本発明の基板処理装置においては、前記流体ミスト供給部は二流体ノズルを有し、この二流体ノズルにより流体のミストが生成されるようになっていることが好ましい。あるいは、前記流体ミスト供給部は衝突式ミスト発生器を有し、この衝突式ミスト発生器により流体のミストが生成されるようになっていてもよい。
【００２１】
本発明の基板処理装置においては、前記乾燥ユニットは、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを前記チャンバー内に供給する冷却ガス供給部を更に有し、前記制御部は、前記乾燥ユニットにおいて前記チャンバー壁加熱部によりチャンバー壁を加熱した後であって、前記保持部により基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる前に、前記冷却ガス供給部により冷却ガスを前記チャンバー内に供給するよう前記冷却ガス供給部の制御を行うことが好ましい。
【００２２】
本発明の基板処理装置においては、前記流体ミスト供給部は、前記チャンバー内に流体のミストを間欠的に供給することが好ましい。
【００２３】
本発明の基板処理装置においては、前記制御部は、前記流体ミスト供給部による前記チャンバー内への流体のミストの供給量が予め設定された所定量を超えないよう、前記流体ミスト供給部の制御を行うことが好ましい。
【００２４】
本発明の基板処理装置においては、前記チャンバー壁加熱部は、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度のガスを前記チャンバー内に供給する加熱ガス供給部であることが好ましい。あるいは、前記チャンバー壁加熱部は、前記チャンバー壁に設けられたヒータであってもよい。
【００２５】
本発明の基板処理装置においては、前記乾燥ガス供給部により前記チャンバー内に供給される乾燥ガスは、有機溶剤の蒸気からなることが好ましい。
【００２６】
本発明の基板処理方法においては、前記チャンバー内に供給される流体のミストの温度は、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっていることが好ましい。
【００２７】
本発明の基板処理方法においては、前記チャンバー内に供給される流体のミストは、純水、イソプロピルアルコール、ハイドロフルオロエーテル、またはこれらの混合物からなる流体のミストであることが好ましい。
【００２８】
本発明の基板処理方法においては、前記チャンバー壁を加熱した後であって、基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる前において、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを前記チャンバー内に供給する工程を更に備えたことが好ましい。
【００２９】
本発明の基板処理方法においては、前記チャンバー内に流体のミストを供給する工程において、前記チャンバー内に流体のミストを間欠的に供給することが好ましい。
【００３０】
本発明の基板処理方法においては、前記チャンバー内に流体のミストを供給する工程において、前記チャンバー内への流体のミストの供給量は予め設定された所定量を超えないようになっていることが好ましい。
【００３１】
本発明の基板処理方法においては、前記チャンバー壁を加熱する際に、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度のガスを前記チャンバー内に供給し、このチャンバー内に供給されたガスにより前記チャンバー壁を加熱することが好ましい。あるいは、前記チャンバー壁を加熱する際に、このチャンバー壁に設けられたヒータにより当該チャンバー壁を加熱することが好ましい。
【００３２】
本発明のプログラムは、基板の洗浄液を貯留する洗浄槽および当該洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットを備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸す工程と、前記乾燥ユニットにおいて、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁を加熱する工程と、前記チャンバー壁を加熱した後、前記乾燥ユニットのチャンバー内に流体のミストを供給する工程と、前記チャンバー内に流体のミストを供給した後、基板を前記洗浄槽内から前記チャンバー内まで移動させる工程と、基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる間に、または基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させた後に、前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する工程と、を備えたものであることを特徴とする。
【００３３】
本発明の記憶媒体は、基板の洗浄液を貯留する洗浄槽および当該洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットを備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸す工程と、前記乾燥ユニットにおいて、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁を加熱する工程と、前記チャンバー壁を加熱した後、前記乾燥ユニットのチャンバー内に流体のミストを供給する工程と、前記チャンバー内に流体のミストを供給した後、基板を前記洗浄槽内から前記チャンバー内まで移動させる工程と、基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる間に、または基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させた後に、前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する工程と、を備えたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体によれば、乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の一の実施の形態について説明する。図１乃至図４は、本実施の形態に係る基板処理装置を示す図である。このうち、図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置の概略構造を示す模式図であり、図２は、図１に示す基板処理装置を側方からみた模式図である。また、図３は、図２に示す基板処理装置の流体ミストノズルの概略構造を示す説明図である。また、図４は、図１に示す基板処理装置による基板の薬液処理、洗浄処理および乾燥処理の動作を示すフローチャートである。
【００３６】
なお、本実施の形態では、例えばフォトリソグラフィー技術により所定の回路パターンが形成されている複数の半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」ともいう。）を一括して所定の薬液で処理し、その後に純水（ＤＩＷ）による洗浄処理を行い、さらに乾燥処理を行うような装置を例に挙げて説明する。
【００３７】
図１および図２は、基板処理装置１の概略構造を示す図である。基板処理装置１は、ウエハＷの薬液処理や洗浄処理を行う液処理部２と、液処理部２の上方に設けられ、この液処理部２での洗浄処理が終了したウエハＷの乾燥を行う乾燥処理部３とを備えている。ここで、液処理部２は、ウエハＷに対して所定の薬液（例えば、希フッ酸水溶液（ＤＨＦ）、アンモニア−過酸化水素水（ＡＰＦ）、硫酸−過酸化水素水（ＳＰＭ）等）による処理を行い、その後に純水（ＤＩＷ）により洗浄処理を行うようになっている。また、基板処理装置１には、複数のウエハＷを保持することができ、昇降機構７により液処理部２と乾燥処理部３との間で移動（昇降）自在となっているウエハガイド４が設けられている。基板処理装置１の上方にはファンフィルターユニット（ＦＦＵ、図示せず）が配設されており、このファンフィルターユニットにより基板処理装置１に清浄な空気がダウンフローとして供給されるようになっている。
【００３８】
図２に示すように、ウエハガイド４は、例えば最大で５０枚のウエハＷを略鉛直姿勢で、水平方向に一定の間隔で並べて保持することができる保持部２６と、保持部２６を支持する支柱部２７とを有している。この支柱部２７は、チャンバー５を内部に形成するチャンバー壁６０の蓋部分６０ｂを貫通している。
【００３９】
液処理部２は、ボックス１３と、このボックス１３内に収容された液処理槽６とを有している。この液処理槽６は、内側槽３０と、内側槽３０の上部の開口を囲むように形成された中間槽３１と、中間槽３１の開口を囲むように形成された外側槽３２とを有している。内側槽３０は、薬液と純水とを適宜交互に貯留し、ウエハＷを薬液や純水に浸漬することにより薬液処理や洗浄処理をそれぞれ行うようになっている。
【００４０】
内側槽３０の内部には、薬液や純水を内側槽３０内に吐出するための処理液吐出ノズル３５と、薬液の濃度を測定するための濃度センサ５７とがそれぞれ設けられている。処理液吐出ノズル３５に取り付けられた処理液供給ライン５６は、純水供給ライン５２と薬液供給ライン５５とに分岐している。処理液吐出ノズル３５へは、開閉バルブ５３を介在させた純水供給ライン５２と処理液供給ライン５６とを通して純水供給源９０から純水が供給されるようになっている。また、処理液吐出ノズル３５へは、開閉バルブ５４を介在させた薬液供給ライン５５と処理液供給ライン５６とを通して薬液供給源９１から薬液が供給されるようになっている。
【００４１】
内側槽３０の底部には開閉バルブ３７が介在された排液管３６が接続されている。そして、この開閉バルブ３７を開くことによって内側槽３０に貯留された薬液や純水をボックス１３内に排出することができるようになっている。また、ボックス１３の下部にも開閉バルブ１９が介在された排液管１８が設けられており、ボックス１３内から薬液や純水を排出することができるようになっている。さらに、ボックス１３には、ボックス１３内の雰囲気ガスを排気するための排気管２９が設けられており、薬液の蒸気等をこの排気管２９により排気することができるようになっている。
【００４２】
中間槽３１は内側槽３０の上面開口からオーバーフローした薬液や純水を受け止めるようになっている。中間槽３１には、この中間槽３１から薬液や純水を排出するための排液管４１が設けられており、この排液管４１にはトラップ４２が接続されている。トラップ４２では、排液管４１を通して排出された薬液や純水が一定の高さで貯留されるようになっている。そして、このトラップ４２には排液管４３が更に接続されており、トラップ４２に貯留された薬液や純水を排液管４３によりボックス１３内に排出することができるようになっている。
【００４３】
外側槽３２には常時純水が貯留されている。また、図１に示すように環状のシール板４６が設けられており、このシール板４６の下部が外側槽３２に貯留された純水に浸されている。また、このシール板４６の上端は外側槽３２の上方に配置されたシャッターボックス１１の下板に密着している。このような構成により、外側槽３２は純水を利用したシール機能を有し、内側槽３０内の雰囲気が外部に漏れないようになっている。
【００４４】
乾燥処理部３にはウエハＷを収容するためのチャンバー５およびチャンバー５を内部に形成するチャンバー壁６０が設けられている。チャンバー壁６０は、略円筒形状の筒部分６０ａと、筒部分６０ａの上面開口を開閉するドーム型の蓋部分６０ｂとを有している。筒部分６０ａの下面開口はシャッターボックス１１の上板に形成された開口部に気密に連通している。
【００４５】
チャンバー壁６０の蓋部分６０ｂは図示しない昇降機構により昇降自在となっており、図１に示すように、蓋部分６０ｂの下端面が筒部分６０ａの上端に設けられたエアーシールリング６３に当接することで、チャンバー５はチャンバー壁６０により密閉される。また、蓋部分６０ｂを図１に示す位置の上側に移動させた状態（つまり、チャンバー５を開いた状態）で、基板処理装置１の外部と乾燥処理部３の内部との間でのウエハＷの搬出入を行うことができるようになっている。より具体的には、ウエハガイド４の保持部２６を筒部分６０ａよりも上方に出した状態で、保持部２６と図示しない外部搬送装置等との間でウエハＷの受け渡しを行うようになっている。
【００４６】
チャンバー５内には、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気をチャンバー５内に供給するためのＩＰＡ蒸気ノズル７１が配置されている。ＩＰＡ蒸気ノズル７１には配管２１が接続されており、この配管２１はＩＰＡ供給源９２に接続されている。そして、配管２１に設けられた開閉バルブ８２を開放し、流量制御バルブ８４を操作することにより所定流量のＩＰＡがＩＰＡ供給源９２から加熱器２２に送られる。そして、ＩＰＡを加熱器２２で加熱することによりＩＰＡ蒸気を発生させる。このようにして発生したＩＰＡ蒸気はＩＰＡ蒸気ノズル７１からチャンバー５内に噴射される。
【００４７】
ＩＰＡ蒸気ノズル７１としては、例えば、円筒状の形状を有し、蒸気噴射口がその長手方向（図１における紙面に垂直な方向）に一定の間隔で形成された構造を有するものが好適に用いられる。ＩＰＡ蒸気ノズル７１は、蒸気噴射口から噴射されるＩＰＡ蒸気がチャンバー５内に収容されたウエハＷに直接あたることなく斜め上方に噴射されるように配置されている。そして、ＩＰＡ蒸気ノズル７１から噴射されたＩＰＡ蒸気は、図１に示すウエハＷの左上と右上を通過してチャンバー壁６０の蓋部分６０ｂの内周面上部に向かって上昇し、その後に蓋部分６０ｂの上部中央において合流して下降し、図２に示すようなウエハＷ同士の間に流入し、ウエハＷの表面に沿って流下するようになっている。
【００４８】
また、チャンバー５の内部には、所定の温度に加熱されたＮ２ガス（窒素ガス）をチャンバー５内に噴射するためのＮ２ガスノズル７２が設けられている。図１に示すように、Ｎ２ガス供給源９３からは室温のＮ２ガスが開閉バルブ８６を操作することにより加熱器２４に供給されるようになっている。そして、加熱器２４によりＮ２ガスが所定温度に加熱させられ、この加熱されたＮ２ガスがＮ２ガス供給ライン２５を通してＮ２ガスノズル７２からチャンバー５内に噴射させることができるようになっている。
【００４９】
Ｎ２ガスノズル７２としては、ＩＰＡ蒸気ノズル７１と同様の構造を有するものが好適に用いられる。具体的には、Ｎ２ガスノズル７２は、そのガス噴射口から噴射されるＮ２ガスがチャンバー５内に収容されたウエハＷに直接にあたることなく斜め上方に噴射されるように、配置されることが好ましい。Ｎ２ガスノズル７２から噴射されたＮ２ガスは、ウエハＷの左上と右上を通過して蓋部分６０ｂの内周面上部に向かって上昇し、蓋部分６０ｂの上部中央において合流して下降し、図２に示すようなウエハＷ同士の間に流入してウエハＷの表面に沿って流下するようになっている。
【００５０】
また、チャンバー５内には、冷却ガスをチャンバー５内に噴射するための冷却ガスノズル７４が設けられている。図１に示すように、冷却ガスノズル７４はガス供給管２３に接続されている。このガス供給管２３には冷却機構８５が介設されており、ガス供給管２３の上流側端部にはＮ２ガス供給源９４が設けられている。そして、Ｎ２ガス供給源９４からは室温のＮ２ガスが開閉バルブ８３を操作することにより冷却機構８５に供給されるようになっている。冷却機構８５において、Ｎ２ガスはチャンバー壁６０の外部にある大気の温度よりも低い温度（具体的には例えば１５〜２０℃）に冷却され、この冷却されたガス（冷却Ｎ２ガス）が冷却ガスノズル７４によりチャンバー５内に噴射される。
【００５１】
冷却ガスノズル７４としては、例えば、円筒状の形状を有し、ガス噴射口がその長手方向（図１における紙面に垂直な方向）に一定の間隔で形成された構造を有するものが好適に用いられる。また、冷却ガスノズル７４は、チャンバー壁６０の蓋部分６０ｂの上部中央近傍に設けられており、この冷却ガスノズル７４はＩＰＡ蒸気ノズル７１よりも上方に配置されている。また、冷却ガスノズル７４のガス噴射口は鉛直方向下方を向いている。このことにより、チャンバー５内においてこの冷却ガスノズル７４から冷却Ｎ２ガスが鉛直方向下方に供給されるようになっている。
【００５２】
また、図２に示すように、チャンバー５内には、流体のミストをチャンバー５内に供給するための流体ミストノズル７５が設けられている。この流体ミストノズル７５は例えば二流体ノズルから構成されている。ここで、流体ミストノズル７５からチャンバー５内に供給される流体のミストは、純水、ＩＰＡ、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、またはこれらの混合物からなる流体のミストとなっている。また、流体ミストノズル７５からチャンバー５内に供給される流体のミストの温度は、チャンバー壁６０の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっている。
【００５３】
流体ミストノズル７５には、当該流体ミストノズル７５にＮ２ガスを供給するためのＮ２ガス供給管２０ａと、流体ミストノズル７５に純水やＩＰＡ、またはＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、あるいはこれらの混合物からなる流体を供給するための流体供給管２０ｂとがそれぞれ接続されている。また、Ｎ２ガス供給管２０ａの上流側端部にはＮ２ガス供給源９５が接続されており、このＮ２ガス供給管２０ａには開閉バルブ８７が介設されている。一方、流体供給管２０ｂの上流側端部には流体供給源９６が接続されており、この流体供給管２０ｂには開閉バルブ８８が介設されている。
【００５４】
二流体ノズルからなる流体ミストノズル７５の構成について、図３を参照してより具体的に説明する。ここで、二流体ノズルとは、一般的にガスと液体とを混合させることにより微小な液滴のミストを生成し、このミストを噴霧する方式のノズルのことをいう。本実施の形態においては、流体ミストノズル７５には、流体供給管２０ｂを介して純水やＩＰＡ等の流体が供給されるとともに、Ｎ２ガス供給管２０ａからＮ２ガスが供給されるようになっている。流体ミストノズル７５は例えばフッ素樹脂から形成された略円柱状のノズル本体７５ａを有しており、このノズル本体７５ａの内部には、Ｎ２ガス供給管２０ａに連通するようなＮ２ガス流路７５ｂと、流体供給管２０ｂに連通するような流体流路７５ｃとがそれぞれ設けられている。これらのＮ２ガス流路７５ｂおよび流体流路７５ｃはノズル本体７５ａ内部にある三つ又状の合流部７５ｄで合流し、この合流部７５ｄから流体ミストノズル７５の吐出口７５ｅまで内部流路が更に形成されている。
【００５５】
このような流体ミストノズル７５においては、ノズル本体７５ａ内において、Ｎ２ガス供給管２０ａからＮ２ガス流路７５ｂに送られたＮ２ガスと、流体供給管２０ｂから流体流路７５ｃに送られた流体とが合流部７５ｄで衝突して混合し、このことにより当該合流部７５ｄにおいて流体のミストが形成され、ウエハＷに対して吐出口７５ｅからこの流体のミストが噴霧されるようになっている。
【００５６】
また、チャンバー５の内部には、チャンバー５内の雰囲気ガスを排出するための排気ノズル７３が設けられており、この排気ノズル７３には、チャンバー５内からの自然排気を行うための自然排気ライン４９と、チャンバー５内からの強制排気を行うための強制排気ライン４８とが設けられている。排気ノズル７３としては、円筒状の形状を有し、チャンバー５内のガスを取り込むための一定長さのスリット型吸気口がその長手方向（図１において紙面に垂直な方向）に一定の間隔で形成された構造を有するものが好適に用いられる。
【００５７】
チャンバー壁６０の蓋部分６０ｂの頂点部分には局所排気装置８が取り付けられている。この局所排気装置８は、空気やＮ２ガス等が供給されると変形、膨張してウエハガイド４の周囲に密着することでウエハガイド４の支柱部２７と蓋部分６０ｂとの間の隙間をシールするエアーシールリング（図示せず）を有している。
【００５８】
液処理部２に設けられた液処理槽６の雰囲気と乾燥処理部３に設けられたチャンバー５の雰囲気とは、これらの中間に水平方向にスライド自在に配置されたシャッター１０によって隔離し、または連通させることができるようになっている。このシャッター１０は、液処理槽６において液処理を行うときと、液処理槽６とチャンバー５との間でウエハＷを移動させるときには、シャッターボックス１１に収容され、液処理槽６の雰囲気とチャンバー５の雰囲気とが連通状態となる。一方、シャッター１０をチャンバー壁６０の筒部分６０ａの真下に配置した状態では、シャッター１０の上面に設けられたシールリング１５が筒部分６０ａの下端に当接することにより、チャンバー５の下面開口が気密に閉塞される。なお、シャッターボックス１１には開閉バルブ１７を介在させて排気管１６が設けられており、シャッターボックス１１内の雰囲気を排気することができるようになっている。
【００５９】
また、基板処理装置１には、上述した各構成要素の制御を行う制御部９９が設けられている。この制御部９９は、基板処理装置１の各構成要素に接続され、各構成要素の動作（具体的には、例えばチャンバー壁６０の蓋部分６０ｂの昇降、ウエハガイド４の昇降、シャッター１０のスライド、各開閉バルブ８２、８３、８６、８７、８８等の開閉等）を制御するようになっている。制御部９９における制御内容は、図４における基板処理装置１の一連の動作の流れを示すフローチャートに示されるようなものとなっているが、その詳細については後述する。本実施の形態において、制御部９９には、工程管理者が基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるデータ入出力部９７が接続されている。また、制御部９９には、基板処理装置１で実行される各種処理を制御部９９による制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置１の各構成要素に処理を実行させるためのプログラム（すなわち、レシピ）が記憶された記憶媒体９８が接続されている。記憶媒体９８は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリー、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのディスク状記憶媒体、その他の公知な記憶媒体から構成され得る。
【００６０】
そして、必要に応じて、データ入出力部９７からの指示等にて任意のレシピを記憶媒体９８から呼び出して制御部９９に実行させることで、制御部９９の制御下で、基板処理装置１での所望の処理が行われる。
【００６１】
次に、上述のような基板処理装置１を用いたウエハＷの処理方法について説明する。図４は、ウエハＷの薬液処理、洗浄処理および乾燥処理の動作を示すフローチャートである。なお、以下に示すような一連の薬液処理、洗浄処理および乾燥処理は、記憶媒体９８に記憶されたプログラム（レシピ）に従って、制御部９９が基板処理装置１の各構成要素を制御することにより行われる。
【００６２】
最初に、液処理槽６とチャンバー５とをシャッター１０により隔離し（ＳＴＥＰ１ａ）、また、チャンバー５内をＮ２ガスで満たし、かつその内部圧力が大気圧と同じ状態とする（ＳＴＥＰ１ｂ）。一方、液処理槽６の内側槽３０に所定の薬液を貯留する（ＳＴＥＰ１ｃ）。この状態で、ウエハガイド４の保持部２６は乾燥処理部３に配置されている。
【００６３】
そして、チャンバー壁６０の蓋部分６０ｂを上昇させ、さらにウエハガイド４の保持部２６をチャンバー壁６０の筒部分６０ａの上側に出して、チャンバー５内へのＮ２ガスの供給を停止させ、外部の基板搬送装置（図示せず）からウエハガイド４の保持部２６に５０枚のウエハＷを受け渡す（ＳＴＥＰ２）。次いで、ウエハガイド４を降下させてウエハＷをチャンバー５内に収容し、さらに蓋部分６０ｂを降下させる。このときに、筒部分６０ａの上面が僅かに開口した状態とする。その後、排気ノズル７３から強制排気を行いながら、液処理槽６とチャンバー５とが連通するようにシャッター１０をスライドさせる（ＳＴＥＰ３）。
【００６４】
こうしてシャッター１０を開いても、図示しないファンフィルターユニット（ＦＦＵ）からのダウンフローがチャンバー５内に流入し、筒部分６０ａの上面開口から排気ノズル７３に向かうクリーンエアの流れが形成されるので、内側槽３０に貯留された薬液の雰囲気がチャンバー５に向かって上昇することを防止することができる。
【００６５】
続いてウエハガイド４をさらに降下させて、保持したウエハＷを内側槽３０に貯留された薬液に、所定時間、浸漬させる（ＳＴＥＰ４）。この薬液によるウエハＷの処理が終了したら、ウエハＷを内側槽３０内に浸漬させたまま、処理液吐出ノズル３５から純水を内側槽３０内に供給して、内側槽３０内の薬液を純水に置換し、ウエハＷの洗浄処理を行う（ＳＴＥＰ５）。このとき、内側槽３０からオーバーフローした薬液と純水は中間槽３１に受け止められ、排液管４１、トラップ４２および排液管４３を通して排液される。なお、内側槽３０における薬液から純水への置換は、排液管３６を通して薬液をボックス１３に排出し、その後に内側槽３０に純水を供給することによって行ってもよい。
【００６６】
内側槽３０内の薬液が純水に置換されたか否かは、濃度センサ５７の測定値によって判断することができる。濃度センサ５７の測定値によって内側槽３０内の薬液が純水に置換され、内側槽３０内から薬液が排出されたら、強制排気ライン４８から自然排気ライン４９に切り替え、蓋部分６０ｂを降下させて筒部分６０ａの上面を閉塞する。筒部分６０ａの上面が閉塞されたら、局所排気装置８においてエアーシールリング（図示せず）によりウエハガイド４の支柱部２７と蓋部分６０ｂとの間の隙間をシールする。これによりチャンバー５内の雰囲気ガスが外部に漏れることを防止することができる。さらに、Ｎ２ガスノズル７２から所定温度に加熱されたＮ２ガスをチャンバー５内に供給し、チャンバー５内を加熱されたＮ２ガス雰囲気に保持する（ＳＴＥＰ６）。このことにより、チャンバー５内が温められるとともにチャンバー壁６０が温められて、後にＩＰＡ蒸気をチャンバー５内に供給した際に、チャンバー壁６０でのＩＰＡ蒸気の結露を抑制することができる。
【００６７】
そして、チャンバー５内へ加熱されたＮ２ガスの供給を行った後に、流体ミストノズル７５により流体のミストをチャンバー５内に供給する（ＳＴＥＰ７ａ）。この際に、チャンバー５内に供給される流体のミストの温度は、チャンバー壁６０の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっている。また、流体のミストは、間欠的にチャンバー５内に供給されるようになっている。すなわち、チャンバー５内への流体のミストの供給およびその停止が交互に繰り返されるような方法で、流体のミストはチャンバー５内に供給されるようになっている。さらに、制御部９９は、流体ミストノズル７５によるチャンバー５内への流体のミストの供給量が予め設定された所定量を超えないよう、開閉バルブ８３の制御を行うようになっている。ここで、予め設定された所定量は記憶媒体９８に記憶されている。
【００６８】
このようにして、流体のミストをチャンバー５内に供給することによりチャンバー５内が加湿されることとなる。また、流体のミストをチャンバー５内に供給するのと同時に、冷却ガスノズル７４により冷却ガスをチャンバー５内に供給する（ＳＴＥＰ７ｂ）。このように、流体ミストノズル７５によりチャンバー５内に流体のミストが供給されるとともに冷却ガスノズル７４によりチャンバー５内に冷却ガスが供給されるので、チャンバー５内のガスが冷却され、このチャンバー５内のガスの温度はチャンバー壁６０の温度よりも低くなる。
【００６９】
その後、ウエハＷをチャンバー５内に収容するために、ウエハガイド４の引き上げを開始する（ＳＴＥＰ８）。このＳＴＥＰ８では、加湿されたチャンバー５内にウエハＷが引き上げられるためにこのウエハＷに付着した水分は自然乾燥することがないので、この段階でウエハＷにウォーターマークが形成されることはない。
【００７０】
ウエハＷがチャンバー５に収容される位置まで上昇したらウエハガイド４の引き上げを停止させ、シャッター１０を閉じて液処理槽６とチャンバー５とを隔離する（ＳＴＥＰ９）。そして、ウエハＷをチャンバー５内の所定位置に保持したら、チャンバー５内へのＩＰＡ蒸気の供給を開始する（ＳＴＥＰ１０）。
【００７１】
このＳＴＥＰ１０により、ウエハＷの表面に付着している純水がＩＰＡに置換される。このとき、ウエハＷの表面の液の表面張力の変化が緩やかであるので、液膜の厚さにむらが生じることがなく、ウエハＷに設けられた回路パターンの凸部にかかる表面張力のバランスも崩れ難いので、パターン倒れの発生を防止することができる。また、このようにウエハＷ面内で実質的に同時に乾燥を行うことにより、ウォーターマークの形成を抑制することができる。
【００７２】
所定時間、ＩＰＡ蒸気を供給することによりウエハＷの表面にＩＰＡの液膜が形成されたら、チャンバー５内へのＩＰＡ蒸気の供給を停止し（ＳＴＥＰ１１）、続いてウエハＷの乾燥処理を行う。この乾燥処理は、例えば、チャンバー５内に所定温度に加熱されたＮ２ガスを供給してウエハＷの表面からＩＰＡを揮発、蒸発させ（ＳＴＥＰ１２）、その後に室温のＮ２ガスをチャンバー５内に供給してウエハＷを所定の温度に冷却する（ＳＴＥＰ１３）、という手順により行うことができる。
【００７３】
なお、このようなＳＴＥＰ１２、１３において、ウエハＷの表面のＩＰＡを均一に揮発させることにより、ウエハＷに設けられた回路パターンの凸部にかかる表面張力のバランスが崩れ難く、これによりパターン倒れの発生を抑制することができる。さらに、ウエハＷの表面にＩＰＡのみが存在する状態から乾燥を行うために、ウォーターマークの形成も抑制することができる。
【００７４】
ウエハＷの乾燥が終了したら、局所排気装置８のエアーシールリングによるシールを解除し、チャンバー壁６０の蓋部分６０ｂを上方に上昇させ、これと実質的に同時にウエハガイド４を上昇させて、ウエハＷをチャンバー壁６０の筒部分６０ａの上側に出す（ＳＴＥＰ１４）。このとき、Ｎ２ガスノズル７２からのＮ２ガスの供給を停止させ、強制排気ライン４８を通して、ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）からのクリーンエアをチャンバー５内に引き入れる。次いで、外部から図示しない基板搬送装置がウエハガイド４にアクセスして、ウエハＷを基板処理装置１から搬出する（ＳＴＥＰ１５）。このようにして、基板処理装置１における一連のウエハＷの処理が終了する。
【００７５】
以上のように本実施の形態の基板処理装置１および基板処理方法によれば、液処理部２において内側槽３０に貯留された純水にウエハＷを浸し、また、乾燥処理部３においてチャンバー５を内部に形成するチャンバー壁６０を加熱し、チャンバー壁６０を加熱した後、チャンバー５内に流体のミストを供給し、その後、ウエハＷを内側槽３０からチャンバー５内まで移動させている。そして、ウエハＷを内側槽３０からチャンバー５内まで移動させた後に、チャンバー５内にＩＰＡ蒸気を供給し、ウエハＷの乾燥を行っている。
【００７６】
このように、乾燥処理部３においてチャンバー壁６０を加熱した後、流体のミストをチャンバー５内に供給することによってこの流体のミストでチャンバー５内のガスを冷却することにより、チャンバー壁６０を高温に維持しつつ、チャンバー５内のガスを短時間でチャンバー壁６０の温度よりも低い温度にすることができる。
【００７７】
このため、ＩＰＡ蒸気がチャンバー壁６０により冷却されて凝縮してしまうことを防止しつつ、チャンバー５内に移動させられるウエハＷの温度が上昇することを抑制し、このウエハＷの表面に凝縮あるいは吸着されるＩＰＡの量が低減してしまうことを防止することができる。このことにより、乾燥処理部３におけるウエハＷに対する乾燥性能を向上させることができる。
【００７８】
さらに、ウエハＷが乾燥処理部３のチャンバー５内に移動させられる前に流体のミストをこのチャンバー５内に供給することによってチャンバー５内を予め加湿することができる。このため、ウエハＷをチャンバー５内に移動させたときに、チャンバー５内が加湿されているので、ウエハＷの表面にＩＰＡが凝縮あるいは吸着する前にウエハＷに付着した水分が自然乾燥してしまうことを抑制することができる。このことにより、ウエハＷをチャンバー５内に移動させた直後にウエハＷの表面にウォーターマークが形成されることを抑制することができる。
【００７９】
なお、本実施の形態においては、チャンバー５内に供給される流体のミストの温度は、チャンバー壁６０の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっている。このため、乾燥処理部３においてチャンバー壁６０を加熱した後、流体のミストをチャンバー５内に供給したときに、チャンバー壁６０を高温に維持しつつ、チャンバー５内のガスを確実にチャンバー壁６０の温度よりも低い温度にすることができる。
【００８０】
なお、チャンバー５内のガスの温度がチャンバー壁６０の温度よりも低くなるのであれば、チャンバー５内に供給される流体のミストの温度は、チャンバー壁６０の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっていることに限定されることはない。すなわち、チャンバー５内に供給される流体のミストの温度がチャンバー壁６０の外部にある大気の温度より高くとも、加熱されたチャンバー壁６０の温度よりも低い場合には、このような流体のミストをチャンバー５内に供給しても問題はない。
【００８１】
また、本実施の形態では、チャンバー５内に供給される流体のミストは純水、ＩＰＡ、ＨＦＥまたはこれらの混合物からなる流体のミストとなっている。しかしながら、チャンバー５内の加湿を行うとともにチャンバー５内のガスの冷却を行うことができるのであれば、チャンバー５内に供給される流体のミストはこのようなものに限定されることはない。
【００８２】
また、流体ミストノズル７５は二流体ノズルから構成されている。このような二流体ノズルを用いて流体のミストを発生させた場合には、流体のミストの径を小さくすることができ、この流体のミストは気化しやすくなるのでチャンバー５内のガスの冷却をより一層促進することができる。しかしながら、流体ミストノズル７５は二流体ノズルに限定されることはなく、代わりに例えば衝突式ミスト発生器を用いてもよい。このような衝突式ミスト発生器を用いた場合であっても、発生する流体のミストの径を小さくすることができる。
【００８３】
また、チャンバー壁６０を加熱した後であって、ウエハＷを内側槽３０からチャンバー５内まで移動させる前において、チャンバー壁６０の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却Ｎ２ガスをチャンバー５内に供給するようになっている。このことにより、チャンバー５内にあるガスを冷却Ｎ２ガスに置換することができるので、より一層確実に、チャンバー壁６０を高温に維持しつつ、チャンバー５内のガスを大気の温度よりも低い温度にすることができる。しかしながら、このような冷却Ｎ２ガスをチャンバー５内に供給することは必須ではなく、チャンバー５内への冷却Ｎ２ガスの供給を省略してもよい。
【００８４】
また、チャンバー５内に流体のミストを供給する際に、チャンバー５内に流体のミストを間欠的に供給している。ここで、チャンバー５内へ流体のミストを連続的に供給した場合には、チャンバー壁６０で流体のミストが結露してしまうおそれがあるが、本実施の形態では、チャンバー５内に流体のミストを間欠的に供給しているので、このような流体のミストの結露を防止することができる。
【００８５】
また、チャンバー５内に流体のミストを供給する際に、チャンバー５内への流体のミストの供給量が予め設定された所定量を超えないよう、チャンバー５内へ流体のミストを供給している。ここで、チャンバー５内への流体のミストの供給量が過剰となった場合には、この流体のミストの供給量がチャンバー５内における飽和水蒸気量を超えてしまい、この超えた分だけ流体のミストが結露してしまうおそれがある。しかしながら、本実施の形態では、チャンバー５内への流体のミストの供給量が予め設定された所定量（例えば、チャンバー５内における飽和水蒸気量）を超えないようにしているので、このような流体のミストの結露を防止することができる。
【００８６】
なお、本発明による基板処理装置１および基板処理方法は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。例えば、ウエハＷを内側槽３０からチャンバー５内まで移動させ、その後チャンバー５内にＩＰＡ蒸気ノズル７１からＩＰＡ蒸気を供給する代わりに、ウエハＷを内側槽３０内からチャンバー５内まで移動させる間にこのチャンバー５内にＩＰＡ蒸気ノズル７１からＩＰＡ蒸気を供給するようにしてもよい。
【００８７】
また、図５に示すように、乾燥処理部３のチャンバー壁６０に、当該チャンバー壁６０を加熱するためのヒータ６１を設けてもよい。このヒータ６１は制御部９９により制御されるようになっている。
【００８８】
図５に示すような基板処理装置１においては、乾燥処理部３のチャンバー５内にウエハＷを移動させる前にこのチャンバー５内およびチャンバー壁６０を温める際に、Ｎ２ガスノズル７２から所定温度に加熱されたＮ２ガスをチャンバー５内に供給する代わりに、ヒータ６１によりチャンバー壁６０を直接加熱する。このことにより、チャンバー壁６０の温度が高くなり、このチャンバー壁６０によりチャンバー５内のガスが温められる。
【００８９】
Ｎ２ガスノズル７２から所定温度に加熱されたＮ２ガスをチャンバー５内に供給する代わりに図５に示すようなヒータ６１を用いる方法によっても、乾燥処理部３のチャンバー５内およびチャンバー壁６０を温めることができ、チャンバー５内における液溜まりが解消される。
【００９０】
また、基板処理装置１の更に他の構成としては、図６に示すように、乾燥処理部３のチャンバー壁６０の内部に液処理槽６が設けられていてもよい。この場合でも、ウエハガイド４が液処理槽６内の位置とこの液処理槽６よりも上方のチャンバー５の位置との間で往復移動を行うようになっている。そして、ウエハガイド４が液処理槽６内に移動させられたときには、このウエハガイド４に保持されるウエハＷは液処理槽６内の薬液や純水に浸されるようになっており、一方ウエハガイド４が液処理槽６から上方に移動させられたときには、このウエハガイド４に保持されるウエハＷはチャンバー５内に収容されるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置の概略構造を示す模式図である。
【図２】図１に示す基板処理装置を側方からみた模式図である。
【図３】図２に示す基板処理装置の流体ミストノズルの概略構造を示す説明図である。
【図４】図１に示す基板処理装置による基板の薬液処理、洗浄処理および乾燥処理の動作を示すフローチャートである。
【図５】本発明に係る他の基板処理装置の概略構造を示す模式図である。
【図６】本発明に係る更に他の基板処理装置の概略構造を示す模式図である。
【符号の説明】
【００９２】
１ 基板処理装置
２ 液処理部
３ 乾燥処理部
４ ウエハガイド
５ チャンバー
６ 液処理槽
７ 昇降機構
８ 局所排気装置
１０ シャッター
１１ シャッターボックス
１３ ボックス
１５ シールリング
１６ 排気管
１７ 開閉バルブ
１８ 排液管
１９ 開閉バルブ
２０ａ Ｎ２ガス供給管
２０ｂ 流体供給管
２１ 配管
２２ 加熱器
２３ ガス供給管
２４ 加熱器
２５ Ｎ２ガス供給ライン
２６ 保持部
２７ 支柱部
２９ 排気管
３０ 内側槽
３１ 中間槽
３２ 外側槽
３５ 処理液吐出ノズル
３６ 排液管
３７ 開閉バルブ
４１ 排液管
４２ トラップ
４３ 排液管
４６ シール板
４８ 強制排気ライン
４９ 自然排気ライン
５２ 純水供給ライン
５３ 開閉バルブ
５４ 開閉バルブ
５５ 薬液供給ライン
５６ 処理液供給ライン
５７ 濃度センサ
６０ チャンバー壁
６０ａ 筒部分
６０ｂ 蓋部分
６１ ヒータ
６３ エアーシールリング
７１ ＩＰＡ蒸気ノズル
７２ Ｎ２ガスノズル
７３ 排気ノズル
７４ 冷却ガスノズル
７５ 流体ミストノズル
７５ａ ノズル本体
７５ｂ Ｎ２ガス流路
７５ｃ 流体流路
７５ｄ 合流部
７５ｅ 吐出口
８３ 開閉バルブ
８４ 流量制御バルブ
８５ 冷却機構
８６ 開閉バルブ
８７ 開閉バルブ
８８ 開閉バルブ
９０ 純水供給源
９１ 薬液供給源
９２ ＩＰＡ供給源
９３ Ｎ２ガス供給源
９４ Ｎ２ガス供給源
９５ Ｎ２ガス供給源
９６ 流体供給源
９７ データ入出力部
９８ 記憶媒体
９９ 制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の基板を薬液やリンス液等の洗浄液に浸漬して洗浄した後、この洗浄が行われた基板を乾燥ユニットで乾燥させるような基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体に関し、とりわけ、乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体製造装置における製造工程においては、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の基板（以下、ウエハ等という）を、薬液やリンス液等の洗浄液が貯留された洗浄槽に順次浸漬して洗浄を行う洗浄処理方法が広く採用されている。また、洗浄後のウエハ等の表面に例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の揮発性を有する有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを接触させて、乾燥ガスの蒸気をウエハ等の表面に凝縮あるいは吸着させて、その後Ｎ２ガス（窒素ガス）等の不活性ガスをウエハ等の表面に供給することによりウエハ等の表面にある水分の除去及び乾燥を行う乾燥処理方法が知られている。
【０００３】
この種の洗浄処理方法および乾燥処理方法の両方を行う基板処理装置においては、薬液やリンス液等の洗浄液を貯留する洗浄槽が設置されており、この洗浄槽の上方に、当該洗浄槽の洗浄液に浸漬されたウエハを乾燥させるための乾燥ユニットが設けられている。この乾燥ユニットは、チャンバー（乾燥室）を内部に形成するチャンバー壁を有しており、洗浄槽内の洗浄液に浸漬されたウエハは乾燥ユニットのチャンバー内に移動させられ、このチャンバー内に乾燥ガスが供給されることによりウエハの乾燥が行われるようになっている（例えば、特許文献１、２等参照）。
【０００４】
特許文献１、２等に示す従来の基板処理装置においては、まず洗浄槽に貯留された洗浄液にウエハ等を浸し、このウエハ等の洗浄を行う。この際に、チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度の高温Ｎ２ガスを予めチャンバー内に供給しておき、チャンバー内を高温ガスで充満させるとともに、チャンバー壁を加熱しておく。ここで、チャンバー壁を加熱するために、チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度の高温Ｎ２ガスをチャンバー内に供給する代わりに、チャンバー壁にヒータを設け、このヒータによりチャンバー壁を加熱してもよい。この場合でも、チャンバー壁がヒータにより加熱されると、この加熱されたチャンバー壁によりチャンバー内のガスは加熱されて高温ガスとなる。
【０００５】
その後、ウエハを洗浄槽内の洗浄液から引き上げて乾燥ユニットのチャンバー内に移動させ、シャッタ等によりチャンバーを密閉状態にする。そして、チャンバー内に乾燥ガスを供給し、この乾燥ガスをウエハ等の表面に接触させることにより、乾燥ガスの蒸気をウエハの表面に凝縮あるいは吸着させる。その後、不活性ガスをウエハ等の表面に供給することによりウエハ等の表面にある水分の除去及び乾燥を行う。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１５４６８８号公報
【特許文献２】特開２００７−５４７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のような基板処理装置において、ウエハを洗浄槽内の洗浄液から引き上げて乾燥ユニットのチャンバー内に移動させる前に、チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度の高温Ｎ２ガスを予めチャンバー内に供給しておき、チャンバー内を高温ガスで充満させるとともに、チャンバー壁を加熱している。ウエハをチャンバー内に移動させる前にチャンバー壁を予め加熱しておく理由としては、もしチャンバー壁の温度が低い場合には、チャンバー内に乾燥ガスを供給した際にこの乾燥ガスがチャンバー壁により冷却されて凝縮してしまい、ウエハの表面に凝縮あるいは吸着される乾燥ガスの量が低減し、ウエハに対する乾燥性能が劣るようになってしまうからである。
【０００８】
しかしながら、チャンバー壁が加熱されるとチャンバー内のガスも高温ガスとなるため、ウエハを洗浄槽内の洗浄液から引き上げて乾燥ユニットのチャンバー内に移動させたときに、このウエハの温度も上昇してしまう。ウエハの温度が上昇すると、当該ウエハの表面に凝縮あるいは吸着される乾燥ガスの量が低減してしまい、ウエハに対する乾燥性能が低下するおそれがある。
【０００９】
このように、本願の発明者は、乾燥ユニットにおいてウエハの乾燥を行う際に、チャンバー壁を高温に維持しつつ、チャンバー内のガスを大気の温度よりも低い温度にした場合に、乾燥ガスがチャンバー壁により冷却されて凝縮してしまうことを防止することができ、かつチャンバー内に移動させられるウエハの温度が上昇することを抑制し、このウエハの表面に凝縮あるいは吸着される乾燥ガスの量が低減してしまうことを防止することができるということを発見した。
【００１０】
また、ウエハを洗浄槽内の洗浄液から引き上げて乾燥ユニットのチャンバー内に移動させる前の段階において、高温Ｎ２ガスがチャンバー内に供給されること等によってチャンバー内が乾燥状態となっていた場合には、ウエハを乾燥ユニットのチャンバー内に移動させたときにこのウエハに付着した水分が自然乾燥してしまい、ウエハの表面にウォーターマークが形成されてしまうおそれがある。
【００１１】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、乾燥ユニットのチャンバー内において基板の表面に凝縮あるいは吸着される乾燥ガスの量が低減してしまうことを防止するとともに基板がチャンバー内に移動させられたときにこの基板の表面にウォーターマークが形成されることを抑制し、このことにより、乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の基板処理装置は、基板の洗浄液を貯留する洗浄槽と、前記洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットであって、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁、前記チャンバー壁を加熱するためのチャンバー壁加熱部、前記チャンバー内に流体のミストを供給する流体ミスト供給部、および前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部を有する乾燥ユニットと、基板を保持して当該基板を前記洗浄槽内と前記乾燥ユニットのチャンバー内との間で移動させる保持部と、前記チャンバー壁加熱部、前記流体ミスト供給部、前記乾燥ガス供給部および前記保持部の制御を行う制御部であって、まず前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸し、次に前記乾燥ユニットにおいて前記チャンバー壁加熱部によりチャンバー壁を加熱し、その後前記流体ミスト供給部により流体のミストを前記チャンバー内に供給し、その後前記保持部により基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させ、この間に、または前記乾燥ユニットのチャンバー内まで基板を移動させた後に、前記乾燥ガス供給部により前記チャンバー内に乾燥ガスを供給するよう、前記チャンバー壁加熱部、前記流体ミスト供給部、前記乾燥ガス供給部および前記保持部の制御を行う制御部と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の基板処理方法は、基板の洗浄液を貯留する洗浄槽および当該洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットを備えた基板処理装置における基板処理方法であって、前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸す工程と、前記乾燥ユニットにおいて、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁を加熱する工程と、前記チャンバー壁を加熱した後、前記乾燥ユニットのチャンバー内に流体のミストを供給する工程と、前記チャンバー内に流体のミストを供給した後、基板を前記洗浄槽内から前記チャンバー内まで移動させる工程と、基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる間に、または基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させた後に、前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の基板処理装置および基板処理方法によれば、まず乾燥ユニットにおいてチャンバー壁を加熱し、その後、流体のミストをチャンバー内に供給することによってこの流体のミストでチャンバー内のガスを冷却し、その後、基板を洗浄槽内から乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させている。そして、チャンバー内に乾燥ガスを供給することにより基板の乾燥を行っている。
【００１５】
このように、乾燥ユニットにおいてチャンバー壁を加熱した後、流体のミストをチャンバー内に供給することによってこの流体のミストでチャンバー内のガスを冷却することにより、チャンバー壁を高温に維持しつつ、チャンバー内のガスを短時間でチャンバー壁の温度よりも低い温度にすることができる。
【００１６】
このため、乾燥ガスがチャンバー壁により冷却されて凝縮してしまうことを防止しつつ、チャンバー内に移動させられる基板の温度が上昇することを抑制し、この基板の表面に凝縮あるいは吸着される乾燥ガスの量が低減してしまうことを防止することができる。このことにより、乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる。
【００１７】
さらに、基板が乾燥ユニットのチャンバー内に移動させられる前に流体のミストをこのチャンバー内に供給することによってチャンバー内を予め加湿することができる。このため、基板をチャンバー内に移動させたときに、チャンバー内が加湿されているので、基板の表面に乾燥ガスが凝縮あるいは吸着する前に基板に付着した水分が自然乾燥してしまうことを抑制することができる。このことにより、基板をチャンバー内に移動させた直後に基板の表面にウォーターマークが形成されることを抑制することができる。
【００１８】
本発明の基板処理装置においては、前記流体ミスト供給部により前記チャンバー内に供給される流体のミストの温度は、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっていることが好ましい。
【００１９】
本発明の基板処理装置においては、前記流体ミスト供給部により前記チャンバー内に供給される流体のミストは、純水、イソプロピルアルコール、ハイドロフルオロエーテル、またはこれらの混合物からなる流体のミストであることが好ましい。
【００２０】
本発明の基板処理装置においては、前記流体ミスト供給部は二流体ノズルを有し、この二流体ノズルにより流体のミストが生成されるようになっていることが好ましい。あるいは、前記流体ミスト供給部は衝突式ミスト発生器を有し、この衝突式ミスト発生器により流体のミストが生成されるようになっていてもよい。
【００２１】
本発明の基板処理装置においては、前記乾燥ユニットは、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを前記チャンバー内に供給する冷却ガス供給部を更に有し、前記制御部は、前記乾燥ユニットにおいて前記チャンバー壁加熱部によりチャンバー壁を加熱した後であって、前記保持部により基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる前に、前記冷却ガス供給部により冷却ガスを前記チャンバー内に供給するよう前記冷却ガス供給部の制御を行うことが好ましい。
【００２２】
本発明の基板処理装置においては、前記流体ミスト供給部は、前記チャンバー内に流体のミストを間欠的に供給することが好ましい。
【００２３】
本発明の基板処理装置においては、前記制御部は、前記流体ミスト供給部による前記チャンバー内への流体のミストの供給量が予め設定された所定量を超えないよう、前記流体ミスト供給部の制御を行うことが好ましい。
【００２４】
本発明の基板処理装置においては、前記チャンバー壁加熱部は、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度のガスを前記チャンバー内に供給する加熱ガス供給部であることが好ましい。あるいは、前記チャンバー壁加熱部は、前記チャンバー壁に設けられたヒータであってもよい。
【００２５】
本発明の基板処理装置においては、前記乾燥ガス供給部により前記チャンバー内に供給される乾燥ガスは、有機溶剤の蒸気からなることが好ましい。
【００２６】
本発明の基板処理方法においては、前記チャンバー内に供給される流体のミストの温度は、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっていることが好ましい。
【００２７】
本発明の基板処理方法においては、前記チャンバー内に供給される流体のミストは、純水、イソプロピルアルコール、ハイドロフルオロエーテル、またはこれらの混合物からなる流体のミストであることが好ましい。
【００２８】
本発明の基板処理方法においては、前記チャンバー壁を加熱した後であって、基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる前において、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを前記チャンバー内に供給する工程を更に備えたことが好ましい。
【００２９】
本発明の基板処理方法においては、前記チャンバー内に流体のミストを供給する工程において、前記チャンバー内に流体のミストを間欠的に供給することが好ましい。
【００３０】
本発明の基板処理方法においては、前記チャンバー内に流体のミストを供給する工程において、前記チャンバー内への流体のミストの供給量は予め設定された所定量を超えないようになっていることが好ましい。
【００３１】
本発明の基板処理方法においては、前記チャンバー壁を加熱する際に、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度のガスを前記チャンバー内に供給し、このチャンバー内に供給されたガスにより前記チャンバー壁を加熱することが好ましい。あるいは、前記チャンバー壁を加熱する際に、このチャンバー壁に設けられたヒータにより当該チャンバー壁を加熱することが好ましい。
【００３２】
本発明のプログラムは、基板の洗浄液を貯留する洗浄槽および当該洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットを備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸す工程と、前記乾燥ユニットにおいて、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁を加熱する工程と、前記チャンバー壁を加熱した後、前記乾燥ユニットのチャンバー内に流体のミストを供給する工程と、前記チャンバー内に流体のミストを供給した後、基板を前記洗浄槽内から前記チャンバー内まで移動させる工程と、基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる間に、または基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させた後に、前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する工程と、を備えたものであることを特徴とする。
【００３３】
本発明の記憶媒体は、基板の洗浄液を貯留する洗浄槽および当該洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットを備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸す工程と、前記乾燥ユニットにおいて、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁を加熱する工程と、前記チャンバー壁を加熱した後、前記乾燥ユニットのチャンバー内に流体のミストを供給する工程と、前記チャンバー内に流体のミストを供給した後、基板を前記洗浄槽内から前記チャンバー内まで移動させる工程と、基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる間に、または基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させた後に、前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する工程と、を備えたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記憶媒体によれば、乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の一の実施の形態について説明する。図１乃至図４は、本実施の形態に係る基板処理装置を示す図である。このうち、図１は、本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置の概略構造を示す模式図であり、図２は、図１に示す基板処理装置を側方からみた模式図である。また、図３は、図２に示す基板処理装置の流体ミストノズルの概略構造を示す説明図である。また、図４は、図１に示す基板処理装置による基板の薬液処理、洗浄処理および乾燥処理の動作を示すフローチャートである。
【００３６】
なお、本実施の形態では、例えばフォトリソグラフィー技術により所定の回路パターンが形成されている複数の半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」ともいう。）を一括して所定の薬液で処理し、その後に純水（ＤＩＷ）による洗浄処理を行い、さらに乾燥処理を行うような装置を例に挙げて説明する。
【００３７】
図１および図２は、基板処理装置１の概略構造を示す図である。基板処理装置１は、ウエハＷの薬液処理や洗浄処理を行う液処理部２と、液処理部２の上方に設けられ、この液処理部２での洗浄処理が終了したウエハＷの乾燥を行う乾燥処理部３とを備えている。ここで、液処理部２は、ウエハＷに対して所定の薬液（例えば、希フッ酸水溶液（ＤＨＦ）、アンモニア−過酸化水素水（ＡＰＦ）、硫酸−過酸化水素水（ＳＰＭ）等）による処理を行い、その後に純水（ＤＩＷ）により洗浄処理を行うようになっている。また、基板処理装置１には、複数のウエハＷを保持することができ、昇降機構７により液処理部２と乾燥処理部３との間で移動（昇降）自在となっているウエハガイド４が設けられている。基板処理装置１の上方にはファンフィルターユニット（ＦＦＵ、図示せず）が配設されており、このファンフィルターユニットにより基板処理装置１に清浄な空気がダウンフローとして供給されるようになっている。
【００３８】
図２に示すように、ウエハガイド４は、例えば最大で５０枚のウエハＷを略鉛直姿勢で、水平方向に一定の間隔で並べて保持することができる保持部２６と、保持部２６を支持する支柱部２７とを有している。この支柱部２７は、チャンバー５を内部に形成するチャンバー壁６０の蓋部分６０ｂを貫通している。
【００３９】
液処理部２は、ボックス１３と、このボックス１３内に収容された液処理槽６とを有している。この液処理槽６は、内側槽３０と、内側槽３０の上部の開口を囲むように形成された中間槽３１と、中間槽３１の開口を囲むように形成された外側槽３２とを有している。内側槽３０は、薬液と純水とを適宜交互に貯留し、ウエハＷを薬液や純水に浸漬することにより薬液処理や洗浄処理をそれぞれ行うようになっている。
【００４０】
内側槽３０の内部には、薬液や純水を内側槽３０内に吐出するための処理液吐出ノズル３５と、薬液の濃度を測定するための濃度センサ５７とがそれぞれ設けられている。処理液吐出ノズル３５に取り付けられた処理液供給ライン５６は、純水供給ライン５２と薬液供給ライン５５とに分岐している。処理液吐出ノズル３５へは、開閉バルブ５３を介在させた純水供給ライン５２と処理液供給ライン５６とを通して純水供給源９０から純水が供給されるようになっている。また、処理液吐出ノズル３５へは、開閉バルブ５４を介在させた薬液供給ライン５５と処理液供給ライン５６とを通して薬液供給源９１から薬液が供給されるようになっている。
【００４１】
内側槽３０の底部には開閉バルブ３７が介在された排液管３６が接続されている。そして、この開閉バルブ３７を開くことによって内側槽３０に貯留された薬液や純水をボックス１３内に排出することができるようになっている。また、ボックス１３の下部にも開閉バルブ１９が介在された排液管１８が設けられており、ボックス１３内から薬液や純水を排出することができるようになっている。さらに、ボックス１３には、ボックス１３内の雰囲気ガスを排気するための排気管２９が設けられており、薬液の蒸気等をこの排気管２９により排気することができるようになっている。
【００４２】
中間槽３１は内側槽３０の上面開口からオーバーフローした薬液や純水を受け止めるようになっている。中間槽３１には、この中間槽３１から薬液や純水を排出するための排液管４１が設けられており、この排液管４１にはトラップ４２が接続されている。トラップ４２では、排液管４１を通して排出された薬液や純水が一定の高さで貯留されるようになっている。そして、このトラップ４２には排液管４３が更に接続されており、トラップ４２に貯留された薬液や純水を排液管４３によりボックス１３内に排出することができるようになっている。
【００４３】
外側槽３２には常時純水が貯留されている。また、図１に示すように環状のシール板４６が設けられており、このシール板４６の下部が外側槽３２に貯留された純水に浸されている。また、このシール板４６の上端は外側槽３２の上方に配置されたシャッターボックス１１の下板に密着している。このような構成により、外側槽３２は純水を利用したシール機能を有し、内側槽３０内の雰囲気が外部に漏れないようになっている。
【００４４】
乾燥処理部３にはウエハＷを収容するためのチャンバー５およびチャンバー５を内部に形成するチャンバー壁６０が設けられている。チャンバー壁６０は、略円筒形状の筒部分６０ａと、筒部分６０ａの上面開口を開閉するドーム型の蓋部分６０ｂとを有している。筒部分６０ａの下面開口はシャッターボックス１１の上板に形成された開口部に気密に連通している。
【００４５】
チャンバー壁６０の蓋部分６０ｂは図示しない昇降機構により昇降自在となっており、図１に示すように、蓋部分６０ｂの下端面が筒部分６０ａの上端に設けられたエアーシールリング６３に当接することで、チャンバー５はチャンバー壁６０により密閉される。また、蓋部分６０ｂを図１に示す位置の上側に移動させた状態（つまり、チャンバー５を開いた状態）で、基板処理装置１の外部と乾燥処理部３の内部との間でのウエハＷの搬出入を行うことができるようになっている。より具体的には、ウエハガイド４の保持部２６を筒部分６０ａよりも上方に出した状態で、保持部２６と図示しない外部搬送装置等との間でウエハＷの受け渡しを行うようになっている。
【００４６】
チャンバー５内には、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気をチャンバー５内に供給するためのＩＰＡ蒸気ノズル７１が配置されている。ＩＰＡ蒸気ノズル７１には配管２１が接続されており、この配管２１はＩＰＡ供給源９２に接続されている。そして、配管２１に設けられた開閉バルブ８２を開放し、流量制御バルブ８４を操作することにより所定流量のＩＰＡがＩＰＡ供給源９２から加熱器２２に送られる。そして、ＩＰＡを加熱器２２で加熱することによりＩＰＡ蒸気を発生させる。このようにして発生したＩＰＡ蒸気はＩＰＡ蒸気ノズル７１からチャンバー５内に噴射される。
【００４７】
ＩＰＡ蒸気ノズル７１としては、例えば、円筒状の形状を有し、蒸気噴射口がその長手方向（図１における紙面に垂直な方向）に一定の間隔で形成された構造を有するものが好適に用いられる。ＩＰＡ蒸気ノズル７１は、蒸気噴射口から噴射されるＩＰＡ蒸気がチャンバー５内に収容されたウエハＷに直接あたることなく斜め上方に噴射されるように配置されている。そして、ＩＰＡ蒸気ノズル７１から噴射されたＩＰＡ蒸気は、図１に示すウエハＷの左上と右上を通過してチャンバー壁６０の蓋部分６０ｂの内周面上部に向かって上昇し、その後に蓋部分６０ｂの上部中央において合流して下降し、図２に示すようなウエハＷ同士の間に流入し、ウエハＷの表面に沿って流下するようになっている。
【００４８】
また、チャンバー５の内部には、所定の温度に加熱されたＮ２ガス（窒素ガス）をチャンバー５内に噴射するためのＮ２ガスノズル７２が設けられている。図１に示すように、Ｎ２ガス供給源９３からは室温のＮ２ガスが開閉バルブ８６を操作することにより加熱器２４に供給されるようになっている。そして、加熱器２４によりＮ２ガスが所定温度に加熱させられ、この加熱されたＮ２ガスがＮ２ガス供給ライン２５を通してＮ２ガスノズル７２からチャンバー５内に噴射させることができるようになっている。
【００４９】
Ｎ２ガスノズル７２としては、ＩＰＡ蒸気ノズル７１と同様の構造を有するものが好適に用いられる。具体的には、Ｎ２ガスノズル７２は、そのガス噴射口から噴射されるＮ２ガスがチャンバー５内に収容されたウエハＷに直接にあたることなく斜め上方に噴射されるように、配置されることが好ましい。Ｎ２ガスノズル７２から噴射されたＮ２ガスは、ウエハＷの左上と右上を通過して蓋部分６０ｂの内周面上部に向かって上昇し、蓋部分６０ｂの上部中央において合流して下降し、図２に示すようなウエハＷ同士の間に流入してウエハＷの表面に沿って流下するようになっている。
【００５０】
また、チャンバー５内には、冷却ガスをチャンバー５内に噴射するための冷却ガスノズル７４が設けられている。図１に示すように、冷却ガスノズル７４はガス供給管２３に接続されている。このガス供給管２３には冷却機構８５が介設されており、ガス供給管２３の上流側端部にはＮ２ガス供給源９４が設けられている。そして、Ｎ２ガス供給源９４からは室温のＮ２ガスが開閉バルブ８３を操作することにより冷却機構８５に供給されるようになっている。冷却機構８５において、Ｎ２ガスはチャンバー壁６０の外部にある大気の温度よりも低い温度（具体的には例えば１５〜２０℃）に冷却され、この冷却されたガス（冷却Ｎ２ガス）が冷却ガスノズル７４によりチャンバー５内に噴射される。
【００５１】
冷却ガスノズル７４としては、例えば、円筒状の形状を有し、ガス噴射口がその長手方向（図１における紙面に垂直な方向）に一定の間隔で形成された構造を有するものが好適に用いられる。また、冷却ガスノズル７４は、チャンバー壁６０の蓋部分６０ｂの上部中央近傍に設けられており、この冷却ガスノズル７４はＩＰＡ蒸気ノズル７１よりも上方に配置されている。また、冷却ガスノズル７４のガス噴射口は鉛直方向下方を向いている。このことにより、チャンバー５内においてこの冷却ガスノズル７４から冷却Ｎ２ガスが鉛直方向下方に供給されるようになっている。
【００５２】
また、図２に示すように、チャンバー５内には、流体のミストをチャンバー５内に供給するための流体ミストノズル７５が設けられている。この流体ミストノズル７５は例えば二流体ノズルから構成されている。ここで、流体ミストノズル７５からチャンバー５内に供給される流体のミストは、純水、ＩＰＡ、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、またはこれらの混合物からなる流体のミストとなっている。また、流体ミストノズル７５からチャンバー５内に供給される流体のミストの温度は、チャンバー壁６０の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっている。
【００５３】
流体ミストノズル７５には、当該流体ミストノズル７５にＮ２ガスを供給するためのＮ２ガス供給管２０ａと、流体ミストノズル７５に純水やＩＰＡ、またはＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、あるいはこれらの混合物からなる流体を供給するための流体供給管２０ｂとがそれぞれ接続されている。また、Ｎ２ガス供給管２０ａの上流側端部にはＮ２ガス供給源９５が接続されており、このＮ２ガス供給管２０ａには開閉バルブ８７が介設されている。一方、流体供給管２０ｂの上流側端部には流体供給源９６が接続されており、この流体供給管２０ｂには開閉バルブ８８が介設されている。
【００５４】
二流体ノズルからなる流体ミストノズル７５の構成について、図３を参照してより具体的に説明する。ここで、二流体ノズルとは、一般的にガスと液体とを混合させることにより微小な液滴のミストを生成し、このミストを噴霧する方式のノズルのことをいう。本実施の形態においては、流体ミストノズル７５には、流体供給管２０ｂを介して純水やＩＰＡ等の流体が供給されるとともに、Ｎ２ガス供給管２０ａからＮ２ガスが供給されるようになっている。流体ミストノズル７５は例えばフッ素樹脂から形成された略円柱状のノズル本体７５ａを有しており、このノズル本体７５ａの内部には、Ｎ２ガス供給管２０ａに連通するようなＮ２ガス流路７５ｂと、流体供給管２０ｂに連通するような流体流路７５ｃとがそれぞれ設けられている。これらのＮ２ガス流路７５ｂおよび流体流路７５ｃはノズル本体７５ａ内部にある三つ又状の合流部７５ｄで合流し、この合流部７５ｄから流体ミストノズル７５の吐出口７５ｅまで内部流路が更に形成されている。
【００５５】
このような流体ミストノズル７５においては、ノズル本体７５ａ内において、Ｎ２ガス供給管２０ａからＮ２ガス流路７５ｂに送られたＮ２ガスと、流体供給管２０ｂから流体流路７５ｃに送られた流体とが合流部７５ｄで衝突して混合し、このことにより当該合流部７５ｄにおいて流体のミストが形成され、ウエハＷに対して吐出口７５ｅからこの流体のミストが噴霧されるようになっている。
【００５６】
また、チャンバー５の内部には、チャンバー５内の雰囲気ガスを排出するための排気ノズル７３が設けられており、この排気ノズル７３には、チャンバー５内からの自然排気を行うための自然排気ライン４９と、チャンバー５内からの強制排気を行うための強制排気ライン４８とが設けられている。排気ノズル７３としては、円筒状の形状を有し、チャンバー５内のガスを取り込むための一定長さのスリット型吸気口がその長手方向（図１において紙面に垂直な方向）に一定の間隔で形成された構造を有するものが好適に用いられる。
【００５７】
チャンバー壁６０の蓋部分６０ｂの頂点部分には局所排気装置８が取り付けられている。この局所排気装置８は、空気やＮ２ガス等が供給されると変形、膨張してウエハガイド４の周囲に密着することでウエハガイド４の支柱部２７と蓋部分６０ｂとの間の隙間をシールするエアーシールリング（図示せず）を有している。
【００５８】
液処理部２に設けられた液処理槽６の雰囲気と乾燥処理部３に設けられたチャンバー５の雰囲気とは、これらの中間に水平方向にスライド自在に配置されたシャッター１０によって隔離し、または連通させることができるようになっている。このシャッター１０は、液処理槽６において液処理を行うときと、液処理槽６とチャンバー５との間でウエハＷを移動させるときには、シャッターボックス１１に収容され、液処理槽６の雰囲気とチャンバー５の雰囲気とが連通状態となる。一方、シャッター１０をチャンバー壁６０の筒部分６０ａの真下に配置した状態では、シャッター１０の上面に設けられたシールリング１５が筒部分６０ａの下端に当接することにより、チャンバー５の下面開口が気密に閉塞される。なお、シャッターボックス１１には開閉バルブ１７を介在させて排気管１６が設けられており、シャッターボックス１１内の雰囲気を排気することができるようになっている。
【００５９】
また、基板処理装置１には、上述した各構成要素の制御を行う制御部９９が設けられている。この制御部９９は、基板処理装置１の各構成要素に接続され、各構成要素の動作（具体的には、例えばチャンバー壁６０の蓋部分６０ｂの昇降、ウエハガイド４の昇降、シャッター１０のスライド、各開閉バルブ８２、８３、８６、８７、８８等の開閉等）を制御するようになっている。制御部９９における制御内容は、図４における基板処理装置１の一連の動作の流れを示すフローチャートに示されるようなものとなっているが、その詳細については後述する。本実施の形態において、制御部９９には、工程管理者が基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるデータ入出力部９７が接続されている。また、制御部９９には、基板処理装置１で実行される各種処理を制御部９９による制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置１の各構成要素に処理を実行させるためのプログラム（すなわち、レシピ）が記憶された記憶媒体９８が接続されている。記憶媒体９８は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリー、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのディスク状記憶媒体、その他の公知な記憶媒体から構成され得る。
【００６０】
そして、必要に応じて、データ入出力部９７からの指示等にて任意のレシピを記憶媒体９８から呼び出して制御部９９に実行させることで、制御部９９の制御下で、基板処理装置１での所望の処理が行われる。
【００６１】
次に、上述のような基板処理装置１を用いたウエハＷの処理方法について説明する。図４は、ウエハＷの薬液処理、洗浄処理および乾燥処理の動作を示すフローチャートである。なお、以下に示すような一連の薬液処理、洗浄処理および乾燥処理は、記憶媒体９８に記憶されたプログラム（レシピ）に従って、制御部９９が基板処理装置１の各構成要素を制御することにより行われる。
【００６２】
最初に、液処理槽６とチャンバー５とをシャッター１０により隔離し（ＳＴＥＰ１ａ）、また、チャンバー５内をＮ２ガスで満たし、かつその内部圧力が大気圧と同じ状態とする（ＳＴＥＰ１ｂ）。一方、液処理槽６の内側槽３０に所定の薬液を貯留する（ＳＴＥＰ１ｃ）。この状態で、ウエハガイド４の保持部２６は乾燥処理部３に配置されている。
【００６３】
そして、チャンバー壁６０の蓋部分６０ｂを上昇させ、さらにウエハガイド４の保持部２６をチャンバー壁６０の筒部分６０ａの上側に出して、チャンバー５内へのＮ２ガスの供給を停止させ、外部の基板搬送装置（図示せず）からウエハガイド４の保持部２６に５０枚のウエハＷを受け渡す（ＳＴＥＰ２）。次いで、ウエハガイド４を降下させてウエハＷをチャンバー５内に収容し、さらに蓋部分６０ｂを降下させる。このときに、筒部分６０ａの上面が僅かに開口した状態とする。その後、排気ノズル７３から強制排気を行いながら、液処理槽６とチャンバー５とが連通するようにシャッター１０をスライドさせる（ＳＴＥＰ３）。
【００６４】
こうしてシャッター１０を開いても、図示しないファンフィルターユニット（ＦＦＵ）からのダウンフローがチャンバー５内に流入し、筒部分６０ａの上面開口から排気ノズル７３に向かうクリーンエアの流れが形成されるので、内側槽３０に貯留された薬液の雰囲気がチャンバー５に向かって上昇することを防止することができる。
【００６５】
続いてウエハガイド４をさらに降下させて、保持したウエハＷを内側槽３０に貯留された薬液に、所定時間、浸漬させる（ＳＴＥＰ４）。この薬液によるウエハＷの処理が終了したら、ウエハＷを内側槽３０内に浸漬させたまま、処理液吐出ノズル３５から純水を内側槽３０内に供給して、内側槽３０内の薬液を純水に置換し、ウエハＷの洗浄処理を行う（ＳＴＥＰ５）。このとき、内側槽３０からオーバーフローした薬液と純水は中間槽３１に受け止められ、排液管４１、トラップ４２および排液管４３を通して排液される。なお、内側槽３０における薬液から純水への置換は、排液管３６を通して薬液をボックス１３に排出し、その後に内側槽３０に純水を供給することによって行ってもよい。
【００６６】
内側槽３０内の薬液が純水に置換されたか否かは、濃度センサ５７の測定値によって判断することができる。濃度センサ５７の測定値によって内側槽３０内の薬液が純水に置換され、内側槽３０内から薬液が排出されたら、強制排気ライン４８から自然排気ライン４９に切り替え、蓋部分６０ｂを降下させて筒部分６０ａの上面を閉塞する。筒部分６０ａの上面が閉塞されたら、局所排気装置８においてエアーシールリング（図示せず）によりウエハガイド４の支柱部２７と蓋部分６０ｂとの間の隙間をシールする。これによりチャンバー５内の雰囲気ガスが外部に漏れることを防止することができる。さらに、Ｎ２ガスノズル７２から所定温度に加熱されたＮ２ガスをチャンバー５内に供給し、チャンバー５内を加熱されたＮ２ガス雰囲気に保持する（ＳＴＥＰ６）。このことにより、チャンバー５内が温められるとともにチャンバー壁６０が温められて、後にＩＰＡ蒸気をチャンバー５内に供給した際に、チャンバー壁６０でのＩＰＡ蒸気の結露を抑制することができる。
【００６７】
そして、チャンバー５内へ加熱されたＮ２ガスの供給を行った後に、流体ミストノズル７５により流体のミストをチャンバー５内に供給する（ＳＴＥＰ７ａ）。この際に、チャンバー５内に供給される流体のミストの温度は、チャンバー壁６０の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっている。また、流体のミストは、間欠的にチャンバー５内に供給されるようになっている。すなわち、チャンバー５内への流体のミストの供給およびその停止が交互に繰り返されるような方法で、流体のミストはチャンバー５内に供給されるようになっている。さらに、制御部９９は、流体ミストノズル７５によるチャンバー５内への流体のミストの供給量が予め設定された所定量を超えないよう、開閉バルブ８３の制御を行うようになっている。ここで、予め設定された所定量は記憶媒体９８に記憶されている。
【００６８】
このようにして、流体のミストをチャンバー５内に供給することによりチャンバー５内が加湿されることとなる。また、流体のミストをチャンバー５内に供給するのと同時に、冷却ガスノズル７４により冷却ガスをチャンバー５内に供給する（ＳＴＥＰ７ｂ）。このように、流体ミストノズル７５によりチャンバー５内に流体のミストが供給されるとともに冷却ガスノズル７４によりチャンバー５内に冷却ガスが供給されるので、チャンバー５内のガスが冷却され、このチャンバー５内のガスの温度はチャンバー壁６０の温度よりも低くなる。
【００６９】
その後、ウエハＷをチャンバー５内に収容するために、ウエハガイド４の引き上げを開始する（ＳＴＥＰ８）。このＳＴＥＰ８では、加湿されたチャンバー５内にウエハＷが引き上げられるためにこのウエハＷに付着した水分は自然乾燥することがないので、この段階でウエハＷにウォーターマークが形成されることはない。
【００７０】
ウエハＷがチャンバー５に収容される位置まで上昇したらウエハガイド４の引き上げを停止させ、シャッター１０を閉じて液処理槽６とチャンバー５とを隔離する（ＳＴＥＰ９）。そして、ウエハＷをチャンバー５内の所定位置に保持したら、チャンバー５内へのＩＰＡ蒸気の供給を開始する（ＳＴＥＰ１０）。
【００７１】
このＳＴＥＰ１０により、ウエハＷの表面に付着している純水がＩＰＡに置換される。このとき、ウエハＷの表面の液の表面張力の変化が緩やかであるので、液膜の厚さにむらが生じることがなく、ウエハＷに設けられた回路パターンの凸部にかかる表面張力のバランスも崩れ難いので、パターン倒れの発生を防止することができる。また、このようにウエハＷ面内で実質的に同時に乾燥を行うことにより、ウォーターマークの形成を抑制することができる。
【００７２】
所定時間、ＩＰＡ蒸気を供給することによりウエハＷの表面にＩＰＡの液膜が形成されたら、チャンバー５内へのＩＰＡ蒸気の供給を停止し（ＳＴＥＰ１１）、続いてウエハＷの乾燥処理を行う。この乾燥処理は、例えば、チャンバー５内に所定温度に加熱されたＮ２ガスを供給してウエハＷの表面からＩＰＡを揮発、蒸発させ（ＳＴＥＰ１２）、その後に室温のＮ２ガスをチャンバー５内に供給してウエハＷを所定の温度に冷却する（ＳＴＥＰ１３）、という手順により行うことができる。
【００７３】
なお、このようなＳＴＥＰ１２、１３において、ウエハＷの表面のＩＰＡを均一に揮発させることにより、ウエハＷに設けられた回路パターンの凸部にかかる表面張力のバランスが崩れ難く、これによりパターン倒れの発生を抑制することができる。さらに、ウエハＷの表面にＩＰＡのみが存在する状態から乾燥を行うために、ウォーターマークの形成も抑制することができる。
【００７４】
ウエハＷの乾燥が終了したら、局所排気装置８のエアーシールリングによるシールを解除し、チャンバー壁６０の蓋部分６０ｂを上方に上昇させ、これと実質的に同時にウエハガイド４を上昇させて、ウエハＷをチャンバー壁６０の筒部分６０ａの上側に出す（ＳＴＥＰ１４）。このとき、Ｎ２ガスノズル７２からのＮ２ガスの供給を停止させ、強制排気ライン４８を通して、ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）からのクリーンエアをチャンバー５内に引き入れる。次いで、外部から図示しない基板搬送装置がウエハガイド４にアクセスして、ウエハＷを基板処理装置１から搬出する（ＳＴＥＰ１５）。このようにして、基板処理装置１における一連のウエハＷの処理が終了する。
【００７５】
以上のように本実施の形態の基板処理装置１および基板処理方法によれば、液処理部２において内側槽３０に貯留された純水にウエハＷを浸し、また、乾燥処理部３においてチャンバー５を内部に形成するチャンバー壁６０を加熱し、チャンバー壁６０を加熱した後、チャンバー５内に流体のミストを供給し、その後、ウエハＷを内側槽３０からチャンバー５内まで移動させている。そして、ウエハＷを内側槽３０からチャンバー５内まで移動させた後に、チャンバー５内にＩＰＡ蒸気を供給し、ウエハＷの乾燥を行っている。
【００７６】
このように、乾燥処理部３においてチャンバー壁６０を加熱した後、流体のミストをチャンバー５内に供給することによってこの流体のミストでチャンバー５内のガスを冷却することにより、チャンバー壁６０を高温に維持しつつ、チャンバー５内のガスを短時間でチャンバー壁６０の温度よりも低い温度にすることができる。
【００７７】
このため、ＩＰＡ蒸気がチャンバー壁６０により冷却されて凝縮してしまうことを防止しつつ、チャンバー５内に移動させられるウエハＷの温度が上昇することを抑制し、このウエハＷの表面に凝縮あるいは吸着されるＩＰＡの量が低減してしまうことを防止することができる。このことにより、乾燥処理部３におけるウエハＷに対する乾燥性能を向上させることができる。
【００７８】
さらに、ウエハＷが乾燥処理部３のチャンバー５内に移動させられる前に流体のミストをこのチャンバー５内に供給することによってチャンバー５内を予め加湿することができる。このため、ウエハＷをチャンバー５内に移動させたときに、チャンバー５内が加湿されているので、ウエハＷの表面にＩＰＡが凝縮あるいは吸着する前にウエハＷに付着した水分が自然乾燥してしまうことを抑制することができる。このことにより、ウエハＷをチャンバー５内に移動させた直後にウエハＷの表面にウォーターマークが形成されることを抑制することができる。
【００７９】
なお、本実施の形態においては、チャンバー５内に供給される流体のミストの温度は、チャンバー壁６０の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっている。このため、乾燥処理部３においてチャンバー壁６０を加熱した後、流体のミストをチャンバー５内に供給したときに、チャンバー壁６０を高温に維持しつつ、チャンバー５内のガスを確実にチャンバー壁６０の温度よりも低い温度にすることができる。
【００８０】
なお、チャンバー５内のガスの温度がチャンバー壁６０の温度よりも低くなるのであれば、チャンバー５内に供給される流体のミストの温度は、チャンバー壁６０の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっていることに限定されることはない。すなわち、チャンバー５内に供給される流体のミストの温度がチャンバー壁６０の外部にある大気の温度より高くとも、加熱されたチャンバー壁６０の温度よりも低い場合には、このような流体のミストをチャンバー５内に供給しても問題はない。
【００８１】
また、本実施の形態では、チャンバー５内に供給される流体のミストは純水、ＩＰＡ、ＨＦＥまたはこれらの混合物からなる流体のミストとなっている。しかしながら、チャンバー５内の加湿を行うとともにチャンバー５内のガスの冷却を行うことができるのであれば、チャンバー５内に供給される流体のミストはこのようなものに限定されることはない。
【００８２】
また、流体ミストノズル７５は二流体ノズルから構成されている。このような二流体ノズルを用いて流体のミストを発生させた場合には、流体のミストの径を小さくすることができ、この流体のミストは気化しやすくなるのでチャンバー５内のガスの冷却をより一層促進することができる。しかしながら、流体ミストノズル７５は二流体ノズルに限定されることはなく、代わりに例えば衝突式ミスト発生器を用いてもよい。このような衝突式ミスト発生器を用いた場合であっても、発生する流体のミストの径を小さくすることができる。
【００８３】
また、チャンバー壁６０を加熱した後であって、ウエハＷを内側槽３０からチャンバー５内まで移動させる前において、チャンバー壁６０の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却Ｎ２ガスをチャンバー５内に供給するようになっている。このことにより、チャンバー５内にあるガスを冷却Ｎ２ガスに置換することができるので、より一層確実に、チャンバー壁６０を高温に維持しつつ、チャンバー５内のガスを大気の温度よりも低い温度にすることができる。しかしながら、このような冷却Ｎ２ガスをチャンバー５内に供給することは必須ではなく、チャンバー５内への冷却Ｎ２ガスの供給を省略してもよい。
【００８４】
また、チャンバー５内に流体のミストを供給する際に、チャンバー５内に流体のミストを間欠的に供給している。ここで、チャンバー５内へ流体のミストを連続的に供給した場合には、チャンバー壁６０で流体のミストが結露してしまうおそれがあるが、本実施の形態では、チャンバー５内に流体のミストを間欠的に供給しているので、このような流体のミストの結露を防止することができる。
【００８５】
また、チャンバー５内に流体のミストを供給する際に、チャンバー５内への流体のミストの供給量が予め設定された所定量を超えないよう、チャンバー５内へ流体のミストを供給している。ここで、チャンバー５内への流体のミストの供給量が過剰となった場合には、この流体のミストの供給量がチャンバー５内における飽和水蒸気量を超えてしまい、この超えた分だけ流体のミストが結露してしまうおそれがある。しかしながら、本実施の形態では、チャンバー５内への流体のミストの供給量が予め設定された所定量（例えば、チャンバー５内における飽和水蒸気量）を超えないようにしているので、このような流体のミストの結露を防止することができる。
【００８６】
なお、本発明による基板処理装置１および基板処理方法は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。例えば、ウエハＷを内側槽３０からチャンバー５内まで移動させ、その後チャンバー５内にＩＰＡ蒸気ノズル７１からＩＰＡ蒸気を供給する代わりに、ウエハＷを内側槽３０内からチャンバー５内まで移動させる間にこのチャンバー５内にＩＰＡ蒸気ノズル７１からＩＰＡ蒸気を供給するようにしてもよい。
【００８７】
また、図５に示すように、乾燥処理部３のチャンバー壁６０に、当該チャンバー壁６０を加熱するためのヒータ６１を設けてもよい。このヒータ６１は制御部９９により制御されるようになっている。
【００８８】
図５に示すような基板処理装置１においては、乾燥処理部３のチャンバー５内にウエハＷを移動させる前にこのチャンバー５内およびチャンバー壁６０を温める際に、Ｎ２ガスノズル７２から所定温度に加熱されたＮ２ガスをチャンバー５内に供給する代わりに、ヒータ６１によりチャンバー壁６０を直接加熱する。このことにより、チャンバー壁６０の温度が高くなり、このチャンバー壁６０によりチャンバー５内のガスが温められる。
【００８９】
Ｎ２ガスノズル７２から所定温度に加熱されたＮ２ガスをチャンバー５内に供給する代わりに図５に示すようなヒータ６１を用いる方法によっても、乾燥処理部３のチャンバー５内およびチャンバー壁６０を温めることができ、チャンバー５内における液溜まりが解消される。
【００９０】
また、基板処理装置１の更に他の構成としては、図６に示すように、乾燥処理部３のチャンバー壁６０の内部に液処理槽６が設けられていてもよい。この場合でも、ウエハガイド４が液処理槽６内の位置とこの液処理槽６よりも上方のチャンバー５の位置との間で往復移動を行うようになっている。そして、ウエハガイド４が液処理槽６内に移動させられたときには、このウエハガイド４に保持されるウエハＷは液処理槽６内の薬液や純水に浸されるようになっており、一方ウエハガイド４が液処理槽６から上方に移動させられたときには、このウエハガイド４に保持されるウエハＷはチャンバー５内に収容されるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明の一の実施の形態に係る基板処理装置の概略構造を示す模式図である。
【図２】図１に示す基板処理装置を側方からみた模式図である。
【図３】図２に示す基板処理装置の流体ミストノズルの概略構造を示す説明図である。
【図４】図１に示す基板処理装置による基板の薬液処理、洗浄処理および乾燥処理の動作を示すフローチャートである。
【図５】本発明に係る他の基板処理装置の概略構造を示す模式図である。
【図６】本発明に係る更に他の基板処理装置の概略構造を示す模式図である。
【符号の説明】
【００９２】
１ 基板処理装置
２ 液処理部
３ 乾燥処理部
４ ウエハガイド
５ チャンバー
６ 液処理槽
７ 昇降機構
８ 局所排気装置
１０ シャッター
１１ シャッターボックス
１３ ボックス
１５ シールリング
１６ 排気管
１７ 開閉バルブ
１８ 排液管
１９ 開閉バルブ
２０ａ Ｎ２ガス供給管
２０ｂ 流体供給管
２１ 配管
２２ 加熱器
２３ ガス供給管
２４ 加熱器
２５ Ｎ２ガス供給ライン
２６ 保持部
２７ 支柱部
２９ 排気管
３０ 内側槽
３１ 中間槽
３２ 外側槽
３５ 処理液吐出ノズル
３６ 排液管
３７ 開閉バルブ
４１ 排液管
４２ トラップ
４３ 排液管
４６ シール板
４８ 強制排気ライン
４９ 自然排気ライン
５２ 純水供給ライン
５３ 開閉バルブ
５４ 開閉バルブ
５５ 薬液供給ライン
５６ 処理液供給ライン
５７ 濃度センサ
６０ チャンバー壁
６０ａ 筒部分
６０ｂ 蓋部分
６１ ヒータ
６３ エアーシールリング
７１ ＩＰＡ蒸気ノズル
７２ Ｎ２ガスノズル
７３ 排気ノズル
７４ 冷却ガスノズル
７５ 流体ミストノズル
７５ａ ノズル本体
７５ｂ Ｎ２ガス流路
７５ｃ 流体流路
７５ｄ 合流部
７５ｅ 吐出口
８３ 開閉バルブ
８４ 流量制御バルブ
８５ 冷却機構
８６ 開閉バルブ
８７ 開閉バルブ
８８ 開閉バルブ
９０ 純水供給源
９１ 薬液供給源
９２ ＩＰＡ供給源
９３ Ｎ２ガス供給源
９４ Ｎ２ガス供給源
９５ Ｎ２ガス供給源
９６ 流体供給源
９７ データ入出力部
９８ 記憶媒体
９９ 制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の洗浄液を貯留する洗浄槽と、
前記洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットであって、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁、前記チャンバー壁を加熱するためのチャンバー壁加熱部、前記チャンバー内に流体のミストを供給する流体ミスト供給部、および前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部を有する乾燥ユニットと、
基板を保持して当該基板を前記洗浄槽内と前記乾燥ユニットのチャンバー内との間で移動させる保持部と、
前記チャンバー壁加熱部、前記流体ミスト供給部、前記乾燥ガス供給部および前記保持部の制御を行う制御部であって、まず前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸し、次に前記乾燥ユニットにおいて前記チャンバー壁加熱部によりチャンバー壁を加熱し、その後前記流体ミスト供給部により流体のミストを前記チャンバー内に供給し、その後前記保持部により基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させ、この間に、または前記乾燥ユニットのチャンバー内まで基板を移動させた後に、前記乾燥ガス供給部により前記チャンバー内に乾燥ガスを供給するよう、前記チャンバー壁加熱部、前記流体ミスト供給部、前記乾燥ガス供給部および前記保持部の制御を行う制御部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記流体ミスト供給部により前記チャンバー内に供給される流体のミストの温度は、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記流体ミスト供給部により前記チャンバー内に供給される流体のミストは、純水、イソプロピルアルコール、ハイドロフルオロエーテル、またはこれらの混合物からなる流体のミストであることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記流体ミスト供給部は二流体ノズルを有し、この二流体ノズルにより流体のミストが生成されるようになっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記流体ミスト供給部は衝突式ミスト発生器を有し、この衝突式ミスト発生器により流体のミストが生成されるようになっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記乾燥ユニットは、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを前記チャンバー内に供給する冷却ガス供給部を更に有し、
前記制御部は、前記乾燥ユニットにおいて前記チャンバー壁加熱部によりチャンバー壁を加熱した後であって、前記保持部により基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる前に、前記冷却ガス供給部により冷却ガスを前記チャンバー内に供給するよう前記冷却ガス供給部の制御を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記流体ミスト供給部は、前記チャンバー内に流体のミストを間欠的に供給することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記流体ミスト供給部による前記チャンバー内への流体のミストの供給量が予め設定された所定量を超えないよう、前記流体ミスト供給部の制御を行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記チャンバー壁加熱部は、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度のガスを前記チャンバー内に供給する加熱ガス供給部であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記チャンバー壁加熱部は、前記チャンバー壁に設けられたヒータであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記乾燥ガス供給部により前記チャンバー内に供給される乾燥ガスは、有機溶剤の蒸気からなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
基板の洗浄液を貯留する洗浄槽および当該洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットを備えた基板処理装置における基板処理方法であって、
前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸す工程と、
前記乾燥ユニットにおいて、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁を加熱する工程と、
前記チャンバー壁を加熱した後、前記乾燥ユニットのチャンバー内に流体のミストを供給する工程と、
前記チャンバー内に流体のミストを供給した後、基板を前記洗浄槽内から前記チャンバー内まで移動させる工程と、
基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる間に、または基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させた後に、前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
前記チャンバー内に供給される流体のミストの温度は、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっていることを特徴とする請求項１２記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記チャンバー内に供給される流体のミストは、純水、イソプロピルアルコール、ハイドロフルオロエーテル、またはこれらの混合物からなる流体のミストであることを特徴とする請求項１２または１３記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記チャンバー壁を加熱した後であって、基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる前において、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを前記チャンバー内に供給する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記チャンバー内に流体のミストを供給する工程において、前記チャンバー内に流体のミストを間欠的に供給することを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記チャンバー内に流体のミストを供給する工程において、前記チャンバー内への流体のミストの供給量は予め設定された所定量を超えないようになっていることを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記チャンバー壁を加熱する際に、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度のガスを前記チャンバー内に供給し、このチャンバー内に供給されたガスにより前記チャンバー壁を加熱することを特徴とする請求項１２乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記チャンバー壁を加熱する際に、このチャンバー壁に設けられたヒータにより当該チャンバー壁を加熱することを特徴とする請求項１２乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２０】
基板の洗浄液を貯留する洗浄槽および当該洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットを備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板処理方法が、
前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸す工程と、
前記乾燥ユニットにおいて、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁を加熱する工程と、
前記チャンバー壁を加熱した後、前記乾燥ユニットのチャンバー内に流体のミストを供給する工程と、
前記チャンバー内に流体のミストを供給した後、基板を前記洗浄槽内から前記チャンバー内まで移動させる工程と、
基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる間に、または基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させた後に、前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する工程と、
を備えたものであることを特徴とするプログラム。
【請求項２１】
基板の洗浄液を貯留する洗浄槽および当該洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットを備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板処理方法が、
前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸す工程と、
前記乾燥ユニットにおいて、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁を加熱する工程と、
前記チャンバー壁を加熱した後、前記乾燥ユニットのチャンバー内に流体のミストを供給する工程と、
前記チャンバー内に流体のミストを供給した後、基板を前記洗浄槽内から前記チャンバー内まで移動させる工程と、
基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる間に、または基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させた後に、前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する工程と、
を備えたものであることを特徴とする記憶媒体。
【請求項１】
基板の洗浄液を貯留する洗浄槽と、
前記洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットであって、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁、前記チャンバー壁を加熱するためのチャンバー壁加熱部、前記チャンバー内に流体のミストを供給する流体ミスト供給部、および前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部を有する乾燥ユニットと、
基板を保持して当該基板を前記洗浄槽内と前記乾燥ユニットのチャンバー内との間で移動させる保持部と、
前記チャンバー壁加熱部、前記流体ミスト供給部、前記乾燥ガス供給部および前記保持部の制御を行う制御部であって、まず前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸し、次に前記乾燥ユニットにおいて前記チャンバー壁加熱部によりチャンバー壁を加熱し、その後前記流体ミスト供給部により流体のミストを前記チャンバー内に供給し、その後前記保持部により基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させ、この間に、または前記乾燥ユニットのチャンバー内まで基板を移動させた後に、前記乾燥ガス供給部により前記チャンバー内に乾燥ガスを供給するよう、前記チャンバー壁加熱部、前記流体ミスト供給部、前記乾燥ガス供給部および前記保持部の制御を行う制御部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記流体ミスト供給部により前記チャンバー内に供給される流体のミストの温度は、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記流体ミスト供給部により前記チャンバー内に供給される流体のミストは、純水、イソプロピルアルコール、ハイドロフルオロエーテル、またはこれらの混合物からなる流体のミストであることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記流体ミスト供給部は二流体ノズルを有し、この二流体ノズルにより流体のミストが生成されるようになっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記流体ミスト供給部は衝突式ミスト発生器を有し、この衝突式ミスト発生器により流体のミストが生成されるようになっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記乾燥ユニットは、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを前記チャンバー内に供給する冷却ガス供給部を更に有し、
前記制御部は、前記乾燥ユニットにおいて前記チャンバー壁加熱部によりチャンバー壁を加熱した後であって、前記保持部により基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる前に、前記冷却ガス供給部により冷却ガスを前記チャンバー内に供給するよう前記冷却ガス供給部の制御を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記流体ミスト供給部は、前記チャンバー内に流体のミストを間欠的に供給することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記流体ミスト供給部による前記チャンバー内への流体のミストの供給量が予め設定された所定量を超えないよう、前記流体ミスト供給部の制御を行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記チャンバー壁加熱部は、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度のガスを前記チャンバー内に供給する加熱ガス供給部であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記チャンバー壁加熱部は、前記チャンバー壁に設けられたヒータであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記乾燥ガス供給部により前記チャンバー内に供給される乾燥ガスは、有機溶剤の蒸気からなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
基板の洗浄液を貯留する洗浄槽および当該洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットを備えた基板処理装置における基板処理方法であって、
前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸す工程と、
前記乾燥ユニットにおいて、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁を加熱する工程と、
前記チャンバー壁を加熱した後、前記乾燥ユニットのチャンバー内に流体のミストを供給する工程と、
前記チャンバー内に流体のミストを供給した後、基板を前記洗浄槽内から前記チャンバー内まで移動させる工程と、
基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる間に、または基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させた後に、前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
前記チャンバー内に供給される流体のミストの温度は、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度と略同一またはこの大気の温度よりも低くなっていることを特徴とする請求項１２記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記チャンバー内に供給される流体のミストは、純水、イソプロピルアルコール、ハイドロフルオロエーテル、またはこれらの混合物からなる流体のミストであることを特徴とする請求項１２または１３記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記チャンバー壁を加熱した後であって、基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる前において、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを前記チャンバー内に供給する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記チャンバー内に流体のミストを供給する工程において、前記チャンバー内に流体のミストを間欠的に供給することを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記チャンバー内に流体のミストを供給する工程において、前記チャンバー内への流体のミストの供給量は予め設定された所定量を超えないようになっていることを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記チャンバー壁を加熱する際に、前記チャンバー壁の外部にある大気の温度よりも高い温度のガスを前記チャンバー内に供給し、このチャンバー内に供給されたガスにより前記チャンバー壁を加熱することを特徴とする請求項１２乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記チャンバー壁を加熱する際に、このチャンバー壁に設けられたヒータにより当該チャンバー壁を加熱することを特徴とする請求項１２乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２０】
基板の洗浄液を貯留する洗浄槽および当該洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットを備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板処理方法が、
前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸す工程と、
前記乾燥ユニットにおいて、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁を加熱する工程と、
前記チャンバー壁を加熱した後、前記乾燥ユニットのチャンバー内に流体のミストを供給する工程と、
前記チャンバー内に流体のミストを供給した後、基板を前記洗浄槽内から前記チャンバー内まで移動させる工程と、
基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる間に、または基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させた後に、前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する工程と、
を備えたものであることを特徴とするプログラム。
【請求項２１】
基板の洗浄液を貯留する洗浄槽および当該洗浄槽の近傍に配置された乾燥ユニットを備えた基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板処理方法が、
前記洗浄槽に貯留された洗浄液に基板を浸す工程と、
前記乾燥ユニットにおいて、チャンバーを内部に形成するチャンバー壁を加熱する工程と、
前記チャンバー壁を加熱した後、前記乾燥ユニットのチャンバー内に流体のミストを供給する工程と、
前記チャンバー内に流体のミストを供給した後、基板を前記洗浄槽内から前記チャンバー内まで移動させる工程と、
基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させる間に、または基板を前記洗浄槽内から前記乾燥ユニットのチャンバー内まで移動させた後に、前記チャンバー内に乾燥ガスを供給する工程と、
を備えたものであることを特徴とする記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００９−２８３８５３（Ｐ２００９−２８３８５３Ａ）
【公開日】平成２１年１２月３日（２００９．１２．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１３６８９５（Ｐ２００８−１３６８９５）
【出願日】平成２０年５月２６日（２００８．５．２６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１２月３日（２００９．１２．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年５月２６日（２００８．５．２６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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