【課題】 基板洗浄をさらに効率的に実行できる二流体ノズル、およびこの二流体ノズルによって洗浄処理を実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 流路形成部材３１および蓋部材３９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。流路形成部材４１および蓋部材４９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。また、各流路形成部材３１、４１の背面同士が合わせられると、洗浄液供給源７１から供給される液体の導入路が形成されるとともに、Ｙ軸方向を長手方向とし、Ｘ軸方向を幅方向とする略長方形状の液体吐出口が形成される。導出部材５１は、流路形成部材３１側から供給される気体の吐出口と、流路形成部材４１側から供給される気体の吐出口と、を形成する部材である。 （もっと読む）

【課題】従来の洗浄剤組成物は、枚葉処理装置に用いるには除去能力は必ずしも十分ではない。ＨＳＱ、ＭＳＱ等のシロキサン膜からなる低誘電率膜のドライエッチングにおいてはＨＳＱ、ＭＳＱのエッチング表面に変質層が生成されるが、従来の洗浄剤組成物は、この変質層に対するエッチング速度が極めて速く、このため、この組成物を用いたドライエッチングの後処理洗浄においては意図するエッチング寸法よりも実際のエッチング寸法が拡大してしまう問題がある。
【解決手段】半導体回路の製造工程においてドライエッチング後及び／又はアッシング後の半導体基板からフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する洗浄剤組成物であって、残渣除去成分（Ａ）、半導体基板の配線材料に用いる金属の腐食防止成分（Ｂ）、半導体基板の層間絶縁膜材料の保護成分（Ｃ）及び水を含有し、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）が下記化合物であることを特徴とする洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の帯電を抑制することができる基板洗浄方法を提供すること。
【解決手段】基板を所定の薬液で処理する工程と、基板を略水平姿勢で回転させながら、純水を基板へ供給してリンス処理する工程と、基板を前記リンス処理時よりも高速で回転させて乾燥させる工程とを有する基板洗浄方法において、リンス処理工程では、基板の単位面積あたりの処理時間が同じになるように、純水の基板への供給ポイントの移動速度を、基板の外周部よりも中心部で速くする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面及びベベル部並びに裏面の洗浄を行うことができる洗浄装置を提供すること。
【解決手段】洗浄装置１００は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。また基板がスピンチャック３により保持され、回転されるときに、基板の裏面の洗浄と合わせて、基板表面及びベベル部に夫々洗浄液を供給して、当該表面とベベル部の洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板のデバイス面に形成された回路パターンを損傷させずに洗浄処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】内部に上記基板が保持される処理槽１と、処理槽に保持された基板の少なくとも被処理面にナノバブルを含む処理液を供給するナノバブル発生器１１と、ナノバブル発生器から処理液が供給された上記基板の被処理面に向けて流体を噴射する２流体ノズル１６と、２流体ノズルから噴射される流体にマイナスイオンを帯電させそのマイナスイオンによって処理液に含まれるナノバブルを破裂させその破裂によって生じるエネルギで基板のデバイス面を洗浄処理させるイオナイザ１９を具備する。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板のデバイス面を確実に洗浄処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】上面に基板が保持されるテーブル４と、テーブルに保持された基板にその板面と直交する上下方向に超音波振動を付与する振動子３と、テーブルに保持され振動子によって超音波振動する基板の上面に処理液を供給するノズル体を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細構造体の表面に形成された突起間に残留する液体の表面張力の影響で突起が変形、破壊されるのを抑制することができる微細構造体の処理方法、微細構造体の処理システムおよび電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】表面に突起を有する微細構造体の前記表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記微細構造体の表面の処理を行うこと、を特徴とする微細構造体の処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において、処理液の使用量を減らすとともに、静電気の発生を抑制する。
【解決手段】基板処理装置１の本体１０２は、半導体ウエハＷを保持するとともに半導体ウエハＷを回転させる保持回転部１１１と、半導体ウエハＷの周辺に処理液のミストを発生させるミスト発生部１２０とをチャンバ１０４の内部に設け、半導体ウエハＷに赤外光を照射する加熱用ランプ１１０を石英窓１０８の外側に設けた構造を有している。半導体ウエハＷの周辺に処理液のミストを発生させた上で、半導体ウエハＷへの処理液のミストの付着と、半導体ウエハＷからの処理液の脱離と引き起こし、これを利用して半導体ウエハＷを洗浄する。基板処理装置１は、「ドライミスト」と呼ばれる微細なミストはある温度以上の物体を濡らすことがないという現象を利用した装置である。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対する洗浄効果を向上させることができるとともに、洗浄液の液滴の噴霧の際における被処理基板に対するダメージを軽減することができる二流体ノズル、基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル２０は、洗浄液および液滴生成用ガスが混合することにより生成される洗浄液の液滴が流れる流路２０ｈと、流路２０ｈから送られる洗浄液の液滴が外部に噴霧される吐出口２０ｊと、を備えている。流路２０ｈの少なくとも一部分は湾曲しており、流路２０ｈの湾曲した部分における径方向外側には排出口２０ｉが設けられている。排出口２０ｉは、流路２０ｈの湾曲した部分における径方向外側を流れる洗浄液の液滴を当該流路２０ｈから排出するようになっている。 （もっと読む）

【課題】銅を含む配線の腐食を抑制できる洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず半導体基板１上に銅を含む配線５ｗが形成される（（Ａ）工程）。配線５ｗ上にエッチングストッパ膜６ｅｓが形成される（（Ｂ）工程）。エッチングストッパ膜６ｅｓ上に絶縁層６が形成される（（Ｃ）工程）。絶縁層６に、エッチングストッパ膜６ｅｓに達するビアホール６ｖが形成される（（Ｄ）工程）。ビアホール６ｖおよび絶縁層６の表面が有機溶剤Ｃで洗浄される（（Ｅ）工程）。配線５ｗが露出するようにエッチングストッパ膜６ｅｓが除去される（（Ｆ）工程）。露出した配線５ｗに電気的に接続する配線６ｗがさらに形成される（（Ｇ）工程）。 （もっと読む）

【課題】アルカリ性処理液及び酸性処理液を用いても、新たなパーティクルの発生を抑制し得る基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを保持し、基板Ｗとともに回転可能な基板保持部１と、基板保持部１に保持された基板Ｗに対してアルカリを含む処理液を供給する第１の処理液供給部２ａと、基板保持部１に保持された基板Ｗに対して酸を含む処理液を供給する第２の処理液供給部２ｂとを、備える処理液供給機構２と、基板保持部１の外側に設けられ、基板保持部１の周囲に設けられた外周壁３ａを備えるドレインカップ３と、ドレインカップ３の外側に設けられた外カップ４と、ドレインカップ３と外カップ４との間で昇降する昇降カップ８と、ドレインカップ３と外カップ４の間に設けられた昇降カップ８を洗浄する昇降カップ洗浄室４ｂと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄するための方法を提供する。パターニング済み基板を洗浄するための方法は、記載の洗浄剤を用いて、フィーチャに対して実質的に損傷を与えることなく、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄できる利点を有する。洗浄剤は、液相または液／気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい１または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目（すなわちポリマ網目）を形成しうる。長いポリマ鎖および／またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 （もっと読む）

【課題】液状被膜中へのガス成分の改善された拡散で半導体ウェーハを湿式化学的処理するのに特に効果的な方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェーハを回転させ；ｂ）１００μｍまたはそれ以下の直径を有する気泡を有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ；ｃ）回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し；ｄ）液状被膜を除去する。
【効果】改善された粒子の清浄化がマイクロバブルとシリコン表面を腐蝕する清浄化化学薬品との組合せによって達成され、清浄化液体中への反応性ガスの改善されたガス輸送（拡散）は、有機汚染物質および金属含有汚染物質の酸化および除去を簡易化し、ウェーハの中心での液状被膜の隆起は、マイクロバブルの使用によって減少される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄剤で洗浄するための装置を提供する。この洗浄剤を用いる装置は、フィーチャを実質的に損傷することなく微細なフィーチャを備えたパターニング済みウエハを洗浄するのに有効である。洗浄剤は、液相または液／気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい１または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目（すなわちポリマ網目）を形成しうる。長いポリマ鎖および／またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 （もっと読む）

半導体ウェーハのような電子基板の表面および／または斜面からサブミクロンの微粒子を除去するための洗浄溶液および方法。前記洗浄溶液は、ポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンを含んでなる。前記方法は、基板の表面をポリカルボキシレートポリマーまたはエトキシル化ポリアミンで構成される洗浄溶液と接触させる工程を具備する。前記方法における付加的な任意の工程は、前記洗浄溶液に音響エネルギーを適用すること、および／またはすすぎ溶液に音響エネルギーを適用して、もしくは適用せずに、すすぎ溶液で表面をすすぐことを含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理と洗浄処理を行うだけでなく、さらに半導体ウェハー表面の有機物質の洗浄または改質処理をも一つの装置で行える回路基板の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハー２０の処理面に各種薬液または洗浄液を窒素ガスと共に噴射する流体噴射機構２４と、処理面に紫外線を放射する紫外線照射ランプ３０と、上部が上下に分離可能で下部がロータ１２に固定され、さらに側部に流体抜き隙間３８を有する内側タンク３２と、上部が上下に分離可能な外側タンク４０と、内側タンク３２および外側タンク４０の各上部とを上方に持ち上げる昇降機構５６と、内側タンク３２と外側タンク４０との間の空間を減圧化する真空ポンプ５８とを備えている。流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０は、中空回転軸１４の回転軸心とは異なる位置に回転軸心を有する切替用中空回転軸６２に連結されている。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の表面に付着している汚染物を簡易且つ短時間で確実に洗浄除去し得る炭化ケイ素焼結体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄液供給手段１１と、気体供給手段１３と、を備え、洗浄液供給手段１１による洗浄液と、気体供給手段１３による気体とを２流体ジェット流として噴出口１５から噴出させる２流体ジェットノズルを用いて、炭化ケイ素焼結体の表面に付着している汚染物を除去する炭化ケイ素焼結体の洗浄方法において、洗浄液に、濃度が６０［％］以下の硝酸、濃度が５０［％］以下のフッ化水素酸、或いは、硝酸、フッ化水素酸および純水または超純水の混合液を用い、また気体に窒素ガスあるいはアルゴンあるいは空気を用いる。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板を回転させながら保持する基板保持機構と、基板保持機構に保持された被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッドと、を備え、溝内に被処理基板の周縁部を挿入して処理する基板処理装置において、処理ヘッドは、所定の隙間をあけて対向する一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと該第１、第２鍔辺部の一端を連結する奥壁部８Ｃと処理液を供給する処理液供給手段に連結された第１、第２供給口１３Ａ、１４Ａと減圧吸引手段に連結された吸引口１１Ａとを備え、第１供給口及び吸引口は溝内に設けられ、第２供給口は第１、第２鍔辺部の少なくとも一方の鍔辺の開口９Ａ近傍に設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速３０〜１０００ｍ／ｓｅｃの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハＷを回転させながら保持する基板保持機構とウェーハＷの周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッド７とを備えており、処理ヘッド７は、一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの一端を連結する連結部８Ｃとからなり、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと連結部８Ｃとで囲まれた部分が溝（Ｓ）を形成し、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの他端間がウェーハＷの周縁部の一部が挿入される開口９Ａを形成し、さらに、供給口１０Ａ及び吸引口１１Ａを設けて、溝内にウェーハＷの周縁部を挿入して処理する基板処理装置１において、処理ヘッド７は、処理液供給装置１５Ａに連結した供給口１０ＡをウェーハＷの周縁部が侵入する侵入側に設け、吸引装置１５Ｂに連結した吸引口１１ＡをウェーハＷの周縁部が脱出する脱出側に設けた。 （もっと読む）