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Fターム[5F157BB37]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 液体による洗浄形態(又は方式) (4,470) | 噴射、泡、スプレー (2,689) | ノズルの構造 (606) | 混合 (243) | 液体と気体 (192)

Fターム[5F157BB37]に分類される特許

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【課題】小型で効率良く、微小気泡であるナノバブルを含む液体を生成して基板に供給することで基板の処理ができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、上部が開放されており、液体を収容でき、第1容器部分41と第2容器部分42に区分けされ、第1容器部分41から第2容器部分42へ液体を移動可能な通路49を底部側に有する容器30と、第1容器部分41内の液体L中に配置されて、気体を液体Lに混合して微小気泡を含む液体Lを第1容器部分41内で生成する微小気泡生成ユニット40と、第1容器部分41内の微小気泡を含む液体Lを、底部側の通路49を通じて第2容器部分42内に移動させて、第2容器部分42内から微小気泡を含む液体Lを基板Wに送るポンプ35を備える。 (もっと読む)


【課題】供給ノズルから大流量及び小流量で供給する処理液の流量を精度よく制御でき、小流量で処理液を供給するときの流量変動を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理液を供給するノズル部45と、ノズル部45に処理液を供給する供給系70とノズル部45とを接続する供給流路68aを絞る絞り部132aと、絞り部132aの両側の供給流路68a内の圧力を計測する圧力計測部132bと、供給流路68a上に設けられた流量制御弁133と、流量制御弁133を制御する流量制御部134とを有する。流量制御部134は、第1の流量F1で処理液を供給するときは、絞り部132aの両側の圧力差に基づいて流量制御弁133を制御し、第1の流量F1よりも小さい第2の流量F2で処理液を供給するときは、絞り部132aの片側の圧力に基づいて流量制御弁133を制御する。 (もっと読む)


【解決手段】処理対象とされるウエハ表面の層に、気液分散系、すなわち硫酸中にオゾンの発泡体が含まれたものが適用されるように、気体オゾンと加熱硫酸とを組み合わせることによって、枚葉式フロントエンドウェット処理ステーションにおける、イオン注入されたフォトレジストの除去が改善された。 (もっと読む)


【課題】基板に帯電した電荷が放電することによる静電破壊の発生を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)に液処理を施すための基板液処理装置(1)及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体(48)において、基板(2)の回路形成面を基板処理薬液で液処理する液処理工程を行う前に、基板(2)の回路形成面とは反対面を除電処理液で処理することによって基板(2)に帯電した電荷を放出させる除電処理工程を行うようにした。 (もっと読む)


【課題】半導体基板をリンスした後、半導体基板を乾燥させるときに微細なパターンに及ぶ影響を著しく低減する。
【解決手段】洗浄液で半導体基板を洗浄する洗浄工程と、この洗浄工程の後にリンス水で前記半導体基板をリンスするリンス工程と、このリンス工程の後に前記半導体基板を乾燥させる乾燥工程とを行う半導体基板の洗浄方法であって、リンス工程の際、リンス水の温度を70℃以上に設定すると共に、リンス水を酸性に設定する。 (もっと読む)


【課題】基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、ウエハWを保持するスピンチャック7と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液をスピンチャック7に保持されたウエハWに供給する薬液供給ユニット22と、スピンチャック7に保持されたウエハWに供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射ユニット4とを含む。 (もっと読む)


【課題】ノズルから吐出した液滴のミストをノズルの周囲の部位に付着するのを防いで、清浄度を保つことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に対して液滴のミストを供給して前記基板を洗浄処理する基板処理装置1は、液滴のミストを吐出する二流体ノズル21,22と、二流体ノズル21,22を囲って二流体ノズルから吐出する液滴のミストの飛散を防止するカバー30を有しており、カバー30の先端外周部70は、二流体ノズル21,22から吐出する液滴のミストを基板Wに供給するための開口部90を有し、先端外周部70と基板Wとの間には隙間Gが形成される。 (もっと読む)


【課題】洗浄対象物への好ましくない影響を低減できる洗浄装置、及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】純水にオゾンガスを溶解させたオゾン水を洗浄対象物15に向けて噴射する第1の噴射手段(11a、12a、13a)と、純水に水素ガスを溶解させた水素水を洗浄対象物15に向けて噴射する第2の噴射手段(11b、12b、13b)と、第1の噴射手段、及び第2の噴射手段を制御して、オゾン水、及び水素水の噴射態様を制御する制御手段12cと、を備える。 (もっと読む)


【課題】 高圧蒸気を微小領域に吹き付け、当該微小領域を拡大させることで被洗浄対象物の洗浄を行う洗浄装置を提供する。
【解決手段】 特定部に開口する槽形状の洗浄槽の開口部をエアカーテンにて閉鎖することとし、洗浄槽内に置かれた被洗浄物に対して高圧蒸気を吹き付けるノズルを、該エアカーテンを超えた洗浄槽内に配置することとする。 (もっと読む)


【課題】装置の大型化を伴わずに異なる種類の研磨加工を実現可能な研磨工具、研磨装置および研磨加工方法を提供すること。
【解決手段】研磨工具43の研磨面は、第1の研磨パッド45によって形成され、ワークの被研磨面の外形以上の大きさを有する中央研磨面と、第2の研磨パッド46によって形成され、中央研磨面の外周を囲繞する外周研磨面とで構成される。そして、中央研磨面と外周研磨面とが段差を形成して外周研磨面が中央研磨面から突出しており、研磨工具43は、全体として内側が窪んだ断面視凹型形状を有する。 (もっと読む)


【課題】デバイス領域に対応する裏面に円形凹部を有するウエーハの洗浄装置を提供する。
【解決手段】デバイス領域17に対応する裏面に円形凹部31と該円形凹部31の外周側に環状補強部33が形成されたウエーハ11の該円形凹部31を洗浄するウエーハ洗浄装置であって、回転チャックテーブル46上に保持したウエーハの該円形凹部31の底面に当接し回転する円盤状洗浄パッド84を有する洗浄手段と、該洗浄パッド84が該環状補強部33の高さより高く位置づけられ退避位置との間で該洗浄手段を移動する上下駆動手段80と、該洗浄位置に位置づけられた該洗浄パッド84を水平揺動させる水平駆動手段70とを具備し、該水平駆動手段70によって該洗浄パッド84が往復移動する距離と該洗浄パッド84の直径の合計が、該円形凹部31の半径より大きく直径以下であり、該洗浄パッド84の中心が該円形凹部31の中心を通って移動することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクなどに用いられる石英基板の洗浄方法であって、傷が発生せず、洗浄効果も高い研磨した石英ガラス基板のスクラブ洗浄方法を提供する。
【解決手段】2流体ジェット洗浄によりスクラブ洗浄時にスクラブ材にからんで基板に傷をつけるような異物を除去し、その後、スクラブ材として30%圧縮応力が20〜100kPa、20kPaにおける圧縮弾性率が50〜200kPaであるスクラブ材を用いて、スクラブ洗浄することで、スクラブ洗浄による傷の発生を抑制し、なおかつ基板の主表面のみならず端面まで細かい付着物を除去する。 (もっと読む)


【課題】 基板処理方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 基板処理方法は、フォトレジスト膜が形成された基板を設け、フォトレジスト膜を除去するために処理液を基板上に提供し、処理液と接触するようにミストを基板上に提供する。ミストは、処理液と反応して水酸化ラジカルを追加的に形成し、ミストと処理液が発熱反応するため、フォトレジスト膜の除去効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】新たな手法を用いて基板の表面から膜を除去する液処理装置等を提供する。
【解決手段】第1の膜の上層に第2の膜が形成された基板から、第1の膜及び第2の膜を除去する液処理装置3において、第1の薬液供給部51は基板Wに第1の膜を溶解させるための前記第1の薬液を供給し、第2の薬液供給部51は前記第2の膜の強度を低下させるための第2の薬液を供給し、衝撃供給部としての機能を兼ねる流体供給部52は第2の膜に物理的衝撃を与えて当該第2の膜を破壊すると共に破壊された第2の膜の破片を流し去るための流体を供給する。制御部7は第2の薬液を供給し、次いで前記流体供給部52から流体を供給した後、第1の薬液を供給するように各部を制御する。 (もっと読む)


【課題】第1に、基板材に対し強いインパクトで、均一なスプレーが実施され、第2に、もって微細化,高密度化された回路の電子回路基板でも、精度高く安定的に製造可能な、基板材の表面処理装置を提案する。
【解決手段】この表面処理装置6は、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材Aに対し、スプレーノズル7から処理液Bを噴射して表面処理する。スプレーノズル7は、2流体ノズルよりなり、処理液BとエアーDを混合して噴射すると共に、基板材Aとスプレーノズル7間が、5mm〜40mmの距離間隔Eとなっており、エアーDと共に噴射された処理液Bは、微小粒子となって基板材Aにスプレーされる。そして基板材Aに対し、強いインパクトでスプレーされると共に、左右方向Fへの水平往復移動により、広く均一にスプレーされる。エアーDは、圧送源14のブロワから温度上昇して圧送供給される。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】
固体表面から粒子汚染物を除去する装置及び方法は、固体表面上に粘弾性材料の層を提供することを含む。粘弾性材料は、薄膜として塗布され、実質的に液体状の特性を示す。粘弾性材料は、粒子汚染物と少なくとも部分的に結合する。高速の液体を、粘弾性材料が固体状の挙動を示すように粘弾性材料に付与する。したがって、粘弾性材料は、粒子汚染物と共に固体表面から取り除かれ、これにより固体表面に粒子汚染物が無い状態となる。 (もっと読む)


物体の統合されたクリーニングのための方法及び装置は、同じプロセスチャンバにおける一連の湿式クリーニング及び真空乾燥を含む。本発明の統合されたクリーニングプロセスは、部材の移動を排除することができ、システム信頼性を高める。クリーニングされた物体を脱気及び汚染除去するために、真空汚染除去を提供することができる。1つの実施の形態において、クリーナシステムは、例えばスループットを高めるために、様々な移動を、ロボットによって行われる統合された移動に組み合わせる。例えば、統合されたロボット移動は、閉鎖された容器をインプットロードポートから取り上げ、蓋及び本体を一緒に移動させ、次いで、本体及び蓋を別々に、クリーニングされるためにクリーナの適当な位置へ配置することを含む。
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【課題】基板の保持を行う保持部材の保持部に洗浄液が噴射されることによりこの保持部が洗浄されている間に、保持部材における乾燥処理が困難な箇所である基端部に洗浄液が付着してしまうことを防止することができる洗浄装置、基板処理システム、洗浄方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】保持部材31、32、33の洗浄を行う洗浄装置40は、保持部材31、32、33の保持部31p、32p、33pに洗浄液を噴射することにより当該保持部31p、32p、33pの洗浄を行う洗浄部50と、保持部材31、32、33に対して進退を行い保持部材31、32、33の基端部31q、32q、33qをカバーするカバー部60と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】噴射ノズルおよび噴射ノズルを揺動する支持アームの汚染を防止することができるウエーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に水溶性の保護膜が被覆されたウエーハをスピンナーテーブルに表面を上側にして保持し、スピンナーテーブルを回転するとともに洗浄水噴射ノズルから洗浄水をウエーハの表面に向けて噴射しつつ洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで移動することにより、ウエーハの表面に被覆された保護膜を洗浄し除去するウエーハの洗浄方法であって、洗浄水噴射ノズルを支持し洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで揺動する支持アームが、揺動範囲において洗浄水噴射ノズルよりスピンナーテーブルの回転方向上流側に位置するように設定されている。 (もっと読む)


【課題】たとえCMP後洗浄の場合等、残留物が基板に強固に付着して、既存の二流体ジェット洗浄を単に適用するだけでは十分な洗浄性能が得られない場合であっても、二流体ジェット洗浄をより有効に利用して、洗浄能力を高めた洗浄を行うことができるようにする。
【解決手段】基板に付着した汚染物を洗浄する基板の洗浄方法において、基板と基板上に付着している汚染物のゼータ電位の絶対値を増加させる処理を行い、しかる後、基板の表面に洗浄具を接触させて基板の表面を洗浄する接触洗浄と、ガスと液体を基板表面に向け同時に噴射して基板表面を洗浄する二流体ジェット洗浄とを行う。 (もっと読む)


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