【課題】基板を上方から覆うための天板の下面に天板洗浄液を全面に供給することができ、天板の下面に付着したＳＰＭ液の液滴や飛沫等が天板の下面に残留することを抑制することができる液処理装置および天板洗浄方法を提供する。
【解決手段】天板３２の下面に対して下方から天板洗浄液を供給する天板洗浄液供給ノズル８２ａが一のノズル支持アーム８２ｑにより支持されており、このノズル支持アーム８２ｑは、天板３２の下方にノズル８２ａが位置するような天板洗浄位置と、天板３２の下方の領域から外方に退避した退避位置との間で移動するようになっている。 （もっと読む）

【課題】容器中の液体を通る音波の行動により基板を洗浄し、容器中で実質的に音波の反射が発生しない方法に関する。洗浄効率に関して大きな改良を得る。
【解決手段】基板は、洗浄液を含むタンク中に、液体中で形成された音波に対して所定の角度で配置される。この角度は、伝達角度に対応し、即ち、基板表面から波が反射されない角度に対応する。減衰材料はタンク中に配置され、基板を通って伝達される全ての波を実質的に吸収するように配置される。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理において、基板への不必要なダメージや回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄処理に用いるための処理流体を基板５に噴出する処理流体ノズル７と、基板５から処理流体を回収する回収装置８とを具備している。基板５を処理流体ノズル７からの処理流体により局所的に洗浄処理することができるため、基板５に対して不必要なダメージ、回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる。 （もっと読む）

【課題】微小気泡の安定供給を実現する。
【解決手段】送液装置１は、微小気泡を含む液体が流れる配管３と、その配管３の途中に設けられ、配管３内を流れる液体に旋回運動を与えて配管３内に旋回流を発生させる旋回流発生部８とを備える。これにより、前述の旋回流が配管３内に発生するため、液体中の微小気泡が配管３の内周面に付着することが抑止されるので、微小気泡の安定供給を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】金属膜が形成された基板においてパターンの倒壊を抑制すること。
【解決手段】水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される（Ｓ２）。その後、水酸基を含まない第１溶剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が第１溶剤に置換される（Ｓ４、Ｓ５）。その後、水酸基を含まない第２溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が疎水化剤に置換される（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、ミスト等に起因する基板へのウォーターマークの発生を抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】スピンベース２３に保持された基板Ｗの表面Ｗｆに形成される液膜を、該液膜を構成する液体の凝固点よりも低温の冷却ガスにより凍結させる。、冷却ガスを吐出するノズル３を基板の回転中心ＡＯから基板周縁まで回動アーム３５によりスキャンさせる。これ以外のタイミングでは、ノズル３を基板上方から離れた待機位置（点線）に待機させるとともに、低流量で冷却ガスを吐出させてアイドリングを行う。吐出される冷却ガスについては、待機位置のノズル３直下に設けたガス回収ユニット３００により回収し、処理空間ＳＰに冷却ガスが流出するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に液処理することができる２流体ノズルや同２流体ノズルを用いた基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、第１の液体を吐出する第１の液体吐出口（４５）と、気体を吐出する気体吐出口（４７）とを有し、第１の液体吐出口（４５）から吐出した第１の液体と気体吐出口（４７）から吐出した気体とを外部で混合して被処理体（基板２）に向けて混合流体（５２）を噴霧する２流体ノズル（３４）において、被処理体（基板２）に噴霧された混合流体（５２）の被処理体上での外縁部に第２の液体を供給するための第２の液体吐出口（５３）を有することにした。 （もっと読む）

【課題】 水蒸気と水の混相流体による基板処理において、広い面積のレジスト膜を剥離可能な添加剤の提供。
【解決手段】 連続相の水蒸気と分散相の水とを含む混相流体を噴射して基板上のレジストを剥離するために添加される界面活性剤であって、
前記界面活性剤が、一級アルキル部位と、ポリオキシエチレン部位とを有するノニオン系界面活性剤であることを特徴とする、レジスト剥離用界面活性剤。 （もっと読む）

【課題】液切れのよいノズルアームを備える基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吐出するノズルと、ノズルを保持するノズルアーム４とを含む。ノズルアーム４は、水平面に沿う長手方向Ｄ１に延びている。ノズルアーム４の少なくとも一部の直交断面Ｃ１は、直交断面Ｃ１において最も上に位置している頂部４５と、頂部４５より側方に位置している側部４２と、頂部４５から側部４２まで下降し続けている上側傾斜部４７とを含む。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程数を減らし、さらに、基板に対する汚染粒子の再付着を防止する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを搬送する搬送部２と、その搬送部２により搬送される基板Ｗの被洗浄面Ｓに、酸化膜除去可能な液体中に酸化性ガスを溶存状態および微小気泡状態で有する洗浄液を供給する供給ノズル３とを備え、その供給ノズル３は、被洗浄面Ｓ上に到達した微小気泡がサイズ変化を抑えつつ基板Ｗの外縁まで移動する流速で洗浄液を供給する。 （もっと読む）

【課題】 希少金属層が設けられている基板から希少金属を剥離処理して、当該希少金属を高い効率で回収できる金属回収機構を有する基板処理装置の提供。
【解決手段】 基板を載置するステージ部Ｆと、
水蒸気及び水を含む混相流体を前記基板に噴射して前記基板上の希少金属を剥離する、混相流体噴射部Ｅと、
槽壁１７１、前記混相廃物を排出する排出管１７２、を有するチャンバ部Ｉと、
前記排出管から送られる混相廃物を液相と気相とに分離する気液分離機構１８１、該気液分離機構により分離された液相から希少金属を回収する固液分離手段１８２を有する、混相廃物中の液相に存在する希少金属を回収する第一処理部Ｇと、
前記第一処理部の気液分離機構から送られる気相に含まれる希少金属を回収するサイクロン式分離機構１９１を有する、混相廃物中の気相に存在する希少金属を回収する第二処理部Ｈと、
を具備する基板処理装置１００。 （もっと読む）

【課題】処理流体ノズルから吐出した処理液により、半導体ウエハのような基板の上の異物を洗浄処理するときに、処理液が基板上に拡散することを抑制するとともに、一度基板から脱離した異物の基板外へ除去を効果的にすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理流体ノズルの周囲を囲んで配置され一方向に開口部を設けた形に形成され、基板に対し気体を放出するように構成されている拡散抑制部と、拡散抑制部を移動させる移動部とを備え、処理流体ノズルにより処理液が吐出する際に、拡散抑制部の開口部が基板の周縁部に向くように移動部が拡散抑制部を移動することにより、処理液の拡散による基板のダメージを抑制し、処理液及び異物の基板外への除去を効果的にできるようにした。 （もっと読む）

【課題】 スキャンによって効率的に広い面積の基板を処理できるノズル及び基板処理装置の提供。
【解決手段】 第一の気体導入孔１０１、前記第一の気体導入孔よりも下流に設けられた第一の液体導入孔１０３、該第一の気体導入孔から供給された気体及び該第一の液体導入孔から供給された液体を加速する加速流路１０５、及び加速された混相流体が噴射される噴出口を有する加速ノズル１００を複数備え、該加速ノズルが並列に配されている、複連加速ノズル部１０を具備する複連ノズル１。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたレジストを除去する際のレジストの残渣の発生を抑える一方で、基板を洗浄する際の洗浄能力の低下を図る。
【解決手段】被噴射体噴射装置は、回転軸４１を有し、回転軸４１の回転によって基板を回転させるスピンナー４０と、基板に相対する位置であってスピンナー４０の回転軸４１からずれて配置され、被噴射体を噴射するノズル２４及びノズル２５と、を備え、スピンナー４０の回転軸４１の方向に見て、ノズル２４の噴射口２４Ａがスピンナー４０の回転軸４１が回転する向きと向き合っており、ノズル２５の噴射口２５Ａが第一ノズル２４の噴射口２４Ａの向きとは逆向きである。 （もっと読む）

【課題】基板表面の洗浄均一性を向上できる流体供給部材、液処理装置、および液処理方法を提供する。
【解決手段】開示される流体供給部材は、第１の点から第２の点まで第１の方向に延在する本体部と、前記本体部に設けられ、前記第１の方向に交差する第２の方向に開口し、前記第１の方向に配列される複数の流体吐出部とを備える。前記複数の流体吐出部のうち、前記第１の点側の前記流体吐出部の開口角度は、前記第２の点側の前記流体吐出部の開口角度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、基板を加熱しながら加熱流体により基板のパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板Ｗの周縁部を保持する保持部材を有し、基板を水平に保持する基板保持部２２，３０と、基板保持部を回転させる回転駆動部３９と、基板保持部に保持された基板の下面の下方に位置するように設けられ、基板保持部により保持された基板の下面に薬液を吐出する、吐出口を有するノズル６０と、ノズルに加熱した薬液を供給する薬液供給機構７０ａ，７０ｂと、基板保持部により保持された基板の上面を覆うカバー部材８０と、カバー部材に設けられ、カバー部材が基板の上面を覆っているときに基板の上面側から基板を加熱するヒーター８３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高い除去率で、しかも優れた面内均一性で基板を凍結洗浄する。
【解決手段】基板Ｗ上に形成されたＤＩＷ（凝固対象液）の凝固膜ＦＦに対してＤＩＷの凝固点よりも高い温度を有する融解液（ＤＩＷ）を局部的に供給するとともに、当該融解液を吐出するノズル８を基板表面Ｗｆに沿ってスキャン移動させて基板Ｗへの融解液の供給位置を変位させている。このため、基板Ｗ表面の複数位置で融解液の流速が速くなり、基板Ｗ表面の各部で高い除去率が得られるとともに、除去率の面内均一性も向上している。また、融解液により融解された領域（融解部分ＭＰ）と融解されていない領域（凝固膜ＦＦ）との界面ＩＦが基板Ｗの外周縁部側に広がるのに追随してノズル８を基板Ｗの外周縁部側に移動させているので、融解部分ＭＰで発生した氷塊による基板ダメージを効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】薬液用噴射部材からウエハの下面に噴射された薬液がリンス処理用噴射部材に付着することを防止低減する液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板Ｗを水平に保持する基板保持部２２と、基板保持部を回転させる回転駆動部と、基板保持部に保持された基板の下面に薬液を吐出する複数の第１の吐出口６１が設けられた第１の部分６０Ａと、基板保持部により保持された基板の下面にリンス処理用流体を吐出する複数の第２の吐出口６２が設けられた第２の部分６０Ｂとを有するノズル備え、ノズルの第１の部分６０Ａは、基板保持部により保持された基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間で延びており、ノズルの第２の部分６０Ｂは、基板保持部２２により保持された基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間で延びており、第１の部分と前記２の部分とはＶ字を成すように配置されている。 （もっと読む）

【課題】めっき膜からデフェクトを容易に除去することが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対してめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。また、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対して物理力を印加することにより基板２を洗浄する物理洗浄機構７０が設けられている。物理洗浄機構７０は、基板２が乾燥されるよりも前に基板２に対して物理力を印加することにより、基板２上のめっき膜からデフェクトを除去する。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に薬液を吐出するノズルと、基板の下面に処理液とガスを混合した二流体を吐出するノズルとを有する液処理装置において、ガス吐出用のラインに薬液が侵入することを防止する。
【解決手段】装置は、基板の下面に薬液を含む処理流体を吐出するための第１の吐出口６１と、基板の下面に処理液とガスとを混合した二流体を吐出するための第２の吐出口６２と、を有するノズル６０とを備える。ノズルの第２の吐出口の部分において第２の吐出口に処理液を導くための処理液吐出路６７ｂと第２の吐出口にガスを導くためのガス吐出路６８ｂが合流している。二流体スプレー処理を実行する際は、二流体スプレー処理の実行に必要な第１の流量でガスが第２の吐出口に流され、二流体スプレー処理を実行しない場合には、少なくとも第１の吐出口から第１の薬液が吐出されているときには、第１の流量よりも少ない第２の流量でガスが第２の吐出口に流される。 （もっと読む）