【課題】基板を効率良く洗浄しながらも基板へのダメージを低減することができる二流体ノズルおよび該二流体ノズルを用いた基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル３０１において、液体吐出口３２７を環状で且つスリット状に開口させるとともに、液体吐出口３２７の開口面積を１．８ｍｍ^２以上かつ３６ｍｍ^２以下に設定している。このため、従来ノズルに比べて単位時間当たりの供給液滴数を増加させ、基板Ｗを実用的かつ効率的に洗浄することが可能となる。しかも、液体吐出口３２７のスリット幅を０．１ｍｍ以上かつ１．０ｍｍ以下の範囲に設定しているので、基板Ｗへのダメージ発生に寄与する比較的大きな粒径の液滴が生成されるのを抑制することができる。したがって、基板Ｗを効率良く洗浄しながらも基板Ｗへのダメージを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】純水と窒素ガスとを衝突させて純水の液滴を形成して供給する液滴供給方法、液滴を供給する二流体ノズルおよび液滴を基板に供給して基板処理を施す基板処理装置において、液滴の微粒化を高める。
【解決手段】液体吐出口３４２から純水が吐出されるとともに、液体吐出口３４２を挟み込むように設けられた気体吐出口３４１、３４３から窒素ガスが吐出され、純水と窒素ガスとの衝突によって純水の液滴が形成される。このように互いに異なる２経路で、しかも挟み込むように窒素ガスが純水の液流れに吐出されて純水に対してせん断力が作用する。しかも、いずれの気体吐出経路においても、窒素ガスが純水の液流れに対して直角に吐出されるため、上記せん断力がさらに高められる。その結果、微細な液滴が形成される。 （もっと読む）

【課題】 液体と気体を混合して長さ方向に均質な膜状噴射ミストを得るため、二流体を直角に衝突させる混合空間をスリットノズルの内部に設け、混合流体を更に均質化させる手段を通過させ、噴射する二流体スリットノズルを提供する。
【解決手段】 長尺板状の液体供給プレートと気体供給プレートの間にミキシングプレートを挟持し、液体供給プレートからミキシングプレートを直角に貫通する液体オリフィスを介して送られる液体と、空気供給プレートからミキシングプレートの他面に空気オリフィスを介して送られる空気とを、ミキシングプレートの他面の混合空間で衝突混合させ、混合空間の下流端とミキシングおよび空気供給両プレートの下端面間の噴射スリットの上流端とを、ミキシングプレートを貫通する２群オリフィスと液体供給プレート側で２群のオリフィス間を繋いで拡張と圧縮による均質化および加速を行う衝突チャンバで連通し噴射スリットから噴射させる。 （もっと読む）

【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】基板を収容する容器の運用効率を向上しつつ、基板へのパーティクルの付着を防止することができる容器清浄度計測装置を提供する。
【解決手段】フープ検査装置１０は、フープ９０の内壁やフープ９０の内部においてウエハＷの周縁部を担持する担持部９４に付着したパーティクルＰの剥離を促進するパーティクル剥離促進ノズル１８と、フープ９０の内壁等から剥離したパーティクルＰを採集するパーティクル採集ノズル１９と、採集されたパーティクルの量を計測するパーティクルカウンタ２３とを備え、パーティクル剥離促進ノズル１８及びパーティクル採集ノズル１９はプローブノズル１５を構成し、該プローブノズル１５はフープ９０の内部に進入する。 （もっと読む）

【課題】円形基板を加圧された気体と処理薬液を混合し吐出させて洗浄処理において、基板面内を均一に洗浄する基板処理方法を提供する。
【解決手段】加圧された気体と薬液を混合し、ミストを形成する２流体ノズルを用いて、パターン形成された基板にミストを吐出する処理を行うことで、基板上のパーティクルを除去することができる。その基板処理において、２流体ノズル移動速度ｖの基板動径成分ｖ_rが、基板中心からの距離ｒに反比例するように設定することで、基板面内において、単位面積あたりの洗浄走査時間のばらつきを低減し、洗浄ばらつきを低減する。 （もっと読む）

【課題】所望の粒径の微粒子を所望の速度にて基板に向けて噴射する。
【解決手段】基板処理装置では、第１ノズル部４１ａおよび第２ノズル部４１ｂから衝突位置Ｐ１に向けて純水の１次微粒子を噴射することにより、１次微粒子よりも粒径が小さい２次微粒子がカバー部４２の内部空間４２１内に生成され、気体送出部４３から衝突位置Ｐ１に向けて窒素ガスが送出されることにより、２次微粒子が基板９に噴射される。ノズルユニット４では、第１ノズル部４１ａおよび第２ノズル部４１ｂに供給される純水および窒素ガスの流量を調整することにより、各ノズル部から所望の粒径の１次微粒子が噴射されるとともに、各ノズル部からの１次微粒子の衝突により所望の粒径の２次微粒子が生成される。そして、気体送出部４３から送出される窒素ガスの流量を調整することにより、所望の粒径の２次微粒子を所望の速度にて基板９上の所望の範囲に向けて噴射することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の端部を清浄に維持することが可能な基板処理装置を提供することである。
【解決手段】現像液吐出ノズル９１１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの上方を通過する。これにより、基板Ｗ上の全面に現像液が液盛され、レジスト膜の現像処理が進行する。現像処理終了後、基板Ｗ上から現像液および溶解したレジスト膜が洗い流される。そして、基板Ｗの回転およびリンス液の吐出が維持された状態で、洗浄ブラシ９２０の溝Ｃ１が基板Ｗの端部に押し当てられる。これにより、基板Ｗの端部が洗浄され、基板Ｗの端部に付着するレジストカバー膜の残渣およびレジスト膜の残渣等の汚染物が取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】枚葉方式で基板の洗浄を行う場合に、基板表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的に短時間で除去でき、基板表面のエッチング量が多くなることもない方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル８０により、塩酸を含むフッ酸からなるエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を、表面に自然酸化膜が形成された基板Ｗの表面へ噴射し、基板表面をエッチングして洗浄する。 （もっと読む）

【課題】応力集中が発生するのを抑制しながら基板の被処理面に形成された液膜を効率的に凍結させる。
【解決手段】基板Ｗの下面に向けて、液膜１１ｆ、１１ｂを構成するＤＩＷの凝固点より低い温度を有する冷却ガスが供給されて液膜１１ｆ、１１ｂの凍結が行われる。また、冷却ガスは基板Ｗの下面中央部に向けて局部的に吐出され、該下面中央部に対する冷却能力が基板Ｗの下面周縁部に対する冷却能力よりも高くなっている。このため、液膜１１ｆ、１１ｂ全体のうち基板中央部に対応する液膜部分がまず凍結し、それに続いて、液膜凍結が基板周縁部に向けて進行する。したがって、基板Ｗの周縁部に対応する液膜部分が最終的に凍結することとなる。その結果、最終的に凍結する部分、つまり液膜の周縁部分では、体積膨張による応力の一部は外周方向に解放されて応力集中が抑制される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を洗浄する際に、所定の時間で、被処理基板の被洗浄面の全体を均一に、効率よくかつ確実に洗浄すること。
【解決手段】基板洗浄装置は、ウエハＷを回転可能に保持するスピンチャック２０と、スピンチャック２０によって保持されたウエハＷの表面に洗浄液を供給する二流体ノズル１０と、二流体ノズル１０に連結され、当該二流体ノズル１０を回転保持部２０に保持されたウエハＷの表面に沿って移動させる移動機構３０と、を備えている。移動機構３０には、移動機構３０によって二流体ノズル１０をウエハＷの中央部からウエハＷの周縁部に向かって移動させる際、ｎ段階に分けて二流体ノズル１０の移動速度ｖ_ｋを多段的に低下させるよう移動機構３０を制御する制御部５０が接続されている。制御部５０は、ウエハＷの中央部を洗浄する１段階目における二流体ノズル１０の移動速度ｖ_１を、１段階目における二流体ノズル１０の理想移動速度ｖ_d１よりも遅くする。 （もっと読む）

【課題】基板端部の洗浄を行なうことによって、基板端部で生じた異物に起因する汚染発生を防止し、歩留まり低下を抑制することのできる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの端部Ｗ１を洗浄する基板洗浄装置１Ａ、１Ｂであって、前記基板Ｗを略水平姿勢に保持し、該基板Ｗを鉛直軸周りに回転自在な基板保持手段２と、前記基板保持手段２により保持され、所定の回転速度で回転する基板Ｗの端部Ｗ１に洗浄液を噴射する洗浄液噴射手段７とを備え、前記洗浄液噴射手段７は、前記洗浄液を前記基板Ｗの端部Ｗ１に対し側方から噴射する。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハＷ）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(W)の周縁部を処理するための周縁処理装置(4)と、周縁処理装置(4)に対して相対的に回転する基板(W)を保持するための基板保持装置(3)とを有し、周縁処理装置(4)は、基板(W)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(9)と、基板(W)に向けてガスを噴出するガス噴出部(10)とを有し、ガス噴出部(10)を処理液供給部(9)よりも基板(W)の周縁部に対して内側に隣設した。そして、基板(W)を周縁処理装置(4)に対して相対的に回転させ、処理液供給部(9)から基板(W)の周縁部に処理液を供給するとともに、処理液供給部(9)よりも基板(W)の内側に隣設したガス噴出部(10)から基板(W)に向けてガスを噴出して、基板(W)の周縁部の処理を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、ベベル処理ブロック１０、反射防止膜用処理ブロック１１、レジスト膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。ベベル研磨部５０では、ベベル研磨ユニットにより基板Ｗのベベル部に研磨処理が施される。それにより、基板のベベル部に付着する汚染物が確実に取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの加工時に付着したコンタミを確実に除去することができる洗浄手段を備えた加工装置を提供する。
【解決手段】ウエーハを保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハを加工する加工手段と、加工手段によって加工されたウエーハを洗浄する洗浄手段とを具備する加工装置であって、洗浄手段はウエーハを保持するスピンナーテーブルと、スピンナーテーブルに保持されたウエーハに洗浄流体を噴射する洗浄流体噴射手段とを具備し、洗浄流体噴射手段は水蒸気を生成する水蒸気生成手段と、水を加圧する水加圧手段と、水蒸気生成手段によって生成された水蒸気と水加圧手段によって加圧された水を混合し混合した洗浄流体をスピンナーテーブルに保持されたウエーハに噴射する洗浄流体ノズルとからなっている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対する洗浄効果を向上させることができるとともに、被処理基板の表面に洗浄液の液膜が形成されやすくなり、被処理基板にウォーターマークが形成されることを抑止することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１（２、３）は、洗浄液を供給する洗浄液供給部と、液滴生成用ガスを供給する液滴生成用ガス供給部と、洗浄液供給部から供給される洗浄液と液滴生成用ガス供給部から供給される液滴生成用ガスとを混合することにより生成される洗浄液の液滴を被処理基板Ｗの一部分に噴霧する二流体ノズル２０と、被処理基板Ｗの一部分の加熱を行う加熱部４０（６０）と、を備えている。被処理基板Ｗにおける一の箇所に二流体ノズル２０が洗浄液の液滴を噴霧する直前に、この一の箇所の加熱を加熱部４０（６０）により行う。 （もっと読む）

【課題】処理流体による基板処理の際に、基板表面上で顕著な変化を生じさせ、これにより、処理効率の向上を図ることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ミキシングバルブ４の混合部４０には、薬液供給源７１〜７４からの薬液原液ならびに純水供源からの常温純水および温純水を供給できる。ミキシングバルブ４０から、処理液供給路３を介して、処理液ノズル２に処理液が供給され、この処理液が基板Ｗに供給される。処理液による基板Ｗの処理中に、薬液導入バルブ４１〜４４、流量調整バルブ１０１〜１０４、純水供給源バルブ５１、温純水供給源バルブ５２、純水バルブ５などの制御によって、プロセスパラメータに揺らぎが付与される。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面や周縁部に付着した異物を完全に除去することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム１０が備える基板洗浄装置としてのプロセスモジュール１５は、ウエハＷを収容するチャンバ３８と、該チャンバ３８内の底部に配置されてウエハＷを載置するステージ３９と、チャンバ３８内の天井部に配置されてステージ３９に対向するシャワーヘッド４０とを備え、ステージ３９はウエハＷの裏面や周縁部に向けて液相及び気相の２つの相状態を呈する洗浄物質、例えば、純水と、不活性ガス、例えば、窒素ガスとが混合された洗浄剤を噴出し、シャワーヘッド４０はウエハＷの表面に向けたダウンフローを発生させる。 （もっと読む）

【課題】基板に与えるダメージを低減可能な処理液を簡易かつ正確に選定する方法を提供する。
【解決手段】はじめに、処理液の分子密度と、処理液を基板表面に物理的に作用させることによって基板に対する処理を実行した際に前記基板に発生するダメージとの関係を示す分子密度相関グラフを準備する。続いて、分子密度相関グラフに基づいて分子密度閾値を特定する。より具体的には、分子密度相関グラフに近似する自然対数曲線Ｌを特定し、自然対数曲線Ｌにおいて、ダメージ値が所定の上限ダメージ値の１／ｅ倍（ｅは自然対数の底）となる分子密度を算出し、当該算出された分子密度の値Ｍ１を、分子密度閾値として取得する。続いて、分子密度が分子密度閾値以下の選定処理液を基板に対する処理を実行可能な処理液として選定する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に処理液を物理的に作用させることによって基板に対する処理を実行するにあたり、どのような処理液を用いた場合であっても、基板にダメージを与えることなく処理を実行することを可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、複数の基板を、処理液中に浸漬させることにより基板Ｗに対する超音波洗浄処理を実行する処理部１を備える。制御部５は、処理液供給部２から処理部１に対して処理液の供給を開始するに先だって、当該供給される処理液が基板にダメージを与えにくい適正処理液であるか否かを、当該処理液の分子密度の値と分子密度閾値との比較によって判断する。処理液が適正処理液でないと判断された場合には、処理液調整部３において処理液に窒素ガスを溶解させる。 （もっと読む）