【課題】低流速で高い霧化効率を得て、微細な電気配線を有するデバイスに対してダメージを与えず、気体使用量を削減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、気体と液体を混合させて液体を基板Ｗに吐き出すことで基板を処理する基板処理装置であって、基板Ｗに対して液体を吐き出す中央通路を有する内筒３１と、内筒３１の周囲に配置されて気体を吐き出す外周リング状通路３４を有する外筒３３とを有する供給ノズル３０を備え、液体を吐き出す内筒３１の出口部４３には、出口部４３において液体を拡散するために、内筒３１の外周面側が内筒３１の内周面側に比べて、内筒３１の中心軸ＣＬに平行に突出するように傾斜する傾斜面４４が形成されており、傾斜面４４の形成角度θは、内筒３１の中心軸ＣＬに対して直交する方向に対して、０度＜形成角度θ≦３０度の範囲で形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子ビームによる処理対象物の表面の劣化を抑制可能な表面処理装置を提供する。
【解決手段】一端に第１の開口１１を有し、他端に第２の開口１２を有し、側面に処理液供給口１３を有する反応管１０と、第１の開口１１の一部を塞ぐように設けられたシールド部材１６ａと、第２の開口１２からシールド部材１６ａに向けて電子ビームを照射する電子ビーム照射手段２０と、処理液供給口１３から第１の開口１１に向けて反応管１０内の電子ビーム路１７に処理液を噴霧する処理液噴霧手段３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面に対するダメージの発生及び処理力の低下を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１において、被処理面を有する基板Ｗを保持して回転させる回転機構５と、回転機構５により回転する基板Ｗの被処理面に対して処理液を供給する供給ノズル６と、供給ノズル６を基板Ｗの周縁に向かって並ぶ複数の供給位置に順次移動させる移動機構７と、被処理面上の処理液の液膜厚を測定する測定部８と、測定部８により測定された液膜厚に応じて、複数の供給位置毎に基板Ｗの回転数を変更し、被処理面上に形成された液膜厚が一定になるように基板Ｗの回転数を制御する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】洗浄液により表面にパターンが形成された基板を洗浄するにあたって、洗浄液を除去あるいは乾燥させるときに、洗浄液の表面張力によりパターンの凸部の倒れを抑えながら当該基板を洗浄すること。
【解決手段】洗浄を行う基板と、洗浄液の液滴と、の間において当該液滴の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように基板を加熱して、この基板に洗浄液を供給して洗浄する。基板上に供給された洗浄液の液滴の下面から蒸気が下方に向かって噴き出すことにより、基板と液滴との間の表面張力がなくなるかあるいは極めて小さくなり、またこの蒸気により基板上の残渣などが上方に巻き上げられて液滴に取り込まれる。 （もっと読む）

【課題】基板を品質よく処理することができる基板処理装置、ガス溶解液供給方法、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル２１と、二酸化炭素が溶解された炭酸ガス溶解水を二流体ノズルに供給する溶解液供給管２２と、炭酸ガス溶解水の溶存ガスと同じ二酸化炭素をキャリアガスとして二流体ノズル２１に供給するキャリアガス供給管２３と、を備えている。二流体ノズル２１は、炭酸ガス溶解水の液滴をキャリアガス（二酸化炭素）とともに基板Ｗに噴射する。噴射された炭酸ガス溶解水は溶解濃度が比較的に高い状態で基板Ｗに着液する。よって、基板を品質よく処理することができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１において、被処理面を有する基板Ｗを保持して回転させる回転機構５と、回転機構５により回転する基板Ｗの被処理面に対して処理液を供給する供給ノズル６と、供給ノズル６を基板Ｗの周縁に向かって並ぶ複数の供給位置に順次移動させる移動機構７と、供給ノズル６により処理液が供給されている箇所の被処理面の表面状態変化を検出する検出部８と、検出部８により検出された表面状態変化が許容値以下になった場合、供給ノズル６が次の供給位置に移動するように移動機構７を制御する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度を低減した処理液で基板を処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに対向する基板対向面３４を有し、基板対向面３４の周囲からスピンチャック３に向かって突出した周壁部３２が形成された遮断板６と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する第１上側処理液供給管３５とを備えている。第１上側処理液供給管３５には、第２上側処理液供給管３８を介して第１配管内調合ユニット５１から薬液が供給される。この薬液は、薬液原液と、不活性ガス溶存水生成ユニット５０によって純水中の酸素が脱気され、当該純水中に不活性ガスが添加されて生成された不活性ガス溶存水とが第１混合部５９内で混合されることにより調合されたものである。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハを高い清浄度で洗浄することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理装置であって、
基板を保持して回転駆動される回転テーブル１６と、回転テーブルの上方に設けられ基板を横切る方向に駆動されならが基板に処理液を供給する第１のノズル体４６と、基板の中心部に向けて処理液を供給し第１のノズル体によって基板の中心部以外の部分が処理されているときに基板の中心部が乾燥するのを防止する第２のノズル体５４を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の乾燥用流体の使用量を抑えつつ、基板を効率的に乾燥させる。
【解決手段】純水リンス工程の後、純水が付着した基板を回転させながら、乾燥用流体および不活性ガスを基板に供給する乾燥工程を行う。このとき、基板に対する不活性ガスの供給位置が乾燥用流体の供給位置よりも基板回転中心（Ｐｏ）に近くなるように保ちつつ、流体ノズル（１２）及び不活性ガスノズル（１３）の位置を基板回転中心に対して半径方向外側へ向かって移動させる。乾燥工程の開始時には、まず不活性ガスノズルを基板回転中心より手前側に位置させた状態で流体ノズル及び不活性ガスノズルの移動を開始すると共に乾燥用流体の供給を開始し、次いで、不活性ガスノズルが基板回転中心にきたときに不活性ガスの供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】実施形態例において、洗浄発泡体を生成するデバイスは、メスハウジングとオスプラグとを含む。プラグは、洗浄システムの別の構成要素から流体が流れ込む開口部を含む。プラグは、開口部から流体を受領するとともに、発泡体を形成するために気体が注入される予混合チャンバを含む。実施形態例において、チャンバは、中空のシリンダであり、気体は、シリンダに対して接線方向にある流路を介してシリンダへ注入される。プラグは、さらに、外側に連続螺旋陥凹部を有する中実シリンダを含む。オスプラグがメスハウジングに挿入される時、連続螺旋陥凹部と、ハウジングの内面とは、螺旋流路を形成し、発泡体は螺旋流路を介して流動し、洗浄システムへ戻る途中でさらに混合される。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜のシリコン残渣が除去できて、製造工程の簡素化、製造コストが低減される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】微細構造を有する半導体製造や液晶基板の製造途上において、高清浄な洗浄を可能とし、かつ洗浄効果の高い洗浄装置を得る。
【解決手段】洗浄カップ１上に設けられたノズル５内で、加圧されたガスと液体とを混合、噴射して、洗浄カップ１内に保持された被洗浄物上の汚染物の除去を行う洗浄装置であって、ノズル５にはガス供給ライン７と液体供給ライン１２とが接続され、液体供給ライン１２は、少なくとも以下の部品、第１の開閉弁１４、液体用フィルタ１３、流量計１５が設けられ、上記部品とそれらをつなぐ配管が、ノズル５の接続口の下方に位置して設けられており、液体供給ライン１２は、ノズル５側より第１の開閉弁１４、液体用フィルタ１３、流量計１５の順に配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンを破壊することなく、短時間でレジストを剥離することのできる、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】イオン注入処理時のマスクとして基板上に形成され、イオン注入処理により表層部に硬化層が形成されたレジストに、流体を供給する工程と、前記流体を供給する工程の後に、前記レジストに、前記レジストを剥離する剥離液を供給する工程とを具備し、前記流体を供給する工程は、前記流体として、純水を流量比で１／４００以上含む流体を供給する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、設置面積を削減することができる基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した２流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で２流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に２流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、流速又は衝突力を低下させることなく、微細気泡を含む水流を広い角度範囲で生成できるノズル及びそれを備えた装置を提供する。
【解決手段】気泡発生ノズルは、ベンチュリ管を形成する液体流路（ノズル本体１の上流側から先端部の噴出口６に向かって、流路幅が絞られた最小流路部４と、この最小流路部の下流域で流路幅が拡がる拡大流路部５とで構成された液体流路）と、前記最小流路部と合流する気体流路７，８と、前記ノズル本体１の前方方向に延び、噴出口の中心軸線に向かって放物線状に湾曲して形成され、かつ噴出口からの流体を広角に案内するためのガイド壁９とを備えている。ガイド壁のガイド面１０は幅方向に断面Ｕ字状に湾曲している。 （もっと読む）

【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部ＰＣは、４つの硫酸過水処理チャンバ１と、４つのアンモニア過水処理チャンバ２とを備えている。硫酸過水処理チャンバ１内において、ウエハＷに対して、ＳＰＭを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハＷは、硫酸過水処理チャンバ１からアンモニア過水処理チャンバ２へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ２内において、ＳＣ１を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ２は、硫酸過水処理チャンバ１から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ２内には、ＳＰＭのミストが存在しない。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハを高い清浄度で、しかもウオータマークを発生させることなく洗浄することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】上面に半導体ウエハを保持して回転駆動される回転テーブル１６と、回転テーブルの上方に半導体ウエハを横切る方向に駆動可能に配置され半導体ウエハに処理液をミスト状にして供給する第１のノズル体４６と、半導体ウエハの第１のノズル体から供給されたミスト状の処理液によって処理された部分に処理液を液状の状態で供給する第２のノズル体５６と、第２のノズル体よる処理液の供給量或いは回転テーブルの回転数の少なくともどちらか一方を制御して第１のノズル体によって半導体ウエハにミスト状で供給された処理液を半導体ウエハから排出させる制御装置７を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面に付着するパーティクルがより微細なものの場合であっても、それらを効果的に除去することができる半導体ウェーハの洗浄装置、及び半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの洗浄装置は、第１の気体を半導体ウェーハの表面に噴射して、前記半導体ウェーハの前記表面に存在するスタグナントレイヤーの厚さを薄くする気体ノズルを備えた気体噴射機構と、液体と第２の気体の２流体を混合させた液滴ミストを、前記半導体ウェーハの前記スタグナントレイヤーの厚さが薄くなった領域に噴射する２流体ノズルを備えた２流体噴射装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】除去率が高く、ダメージが少ない洗浄処理を行うことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの表面（上面）に極性液体である純水を処理液ノズル３から供給し、ウエハＷの表面を純水で覆う。さらに、処理液ノズル３から純水を吐出させた状態で、純水よりも表面張力が低い低表面張力液体であるＨＦＥの液滴を、純水で覆われたウエハＷの表面に衝突させる。その後、ウエハＷを高速回転させて乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄をさらに効率的に実行できる二流体ノズル、およびこの二流体ノズルによって洗浄処理を実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 流路形成部材３１および蓋部材３９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。流路形成部材４１および蓋部材４９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。また、各流路形成部材３１、４１の背面同士が合わせられると、洗浄液供給源７１から供給される液体の導入路が形成されるとともに、Ｙ軸方向を長手方向とし、Ｘ軸方向を幅方向とする略長方形状の液体吐出口が形成される。導出部材５１は、流路形成部材３１側から供給される気体の吐出口と、流路形成部材４１側から供給される気体の吐出口と、を形成する部材である。 （もっと読む）